Mô hình mạch điện của khối khuếch đại cho trên hình 5.1.1b được phát triển dựa trên cơ sở của các dẫn giải sau đây.. Bởi vì, với hầu hết các bộ khuếch đại, dòng điện đầu vào là tỉ lệ
Trang 1Bài giảng môn Kỹ thuật điện
Giảng viên: Vũ Minh Quang
Bộ môn: Kỹ thuật điện
Khoa: Năng lượng Email: quangvmtl@gmail.com
Giáo trình:
Nhập môn Kỹ thuật điện – Bm.Kỹ thuật điện, DHTL
Introduction to electrical engineering - Sarma, Mulukutla S
Trang 2Nhập môn Kỹ thuật điện
Trang 3Chương 5-Khối tương tự và khuếch đại thuật toán
1. Khuếch đại thuật toán
2. Khuếch đại thuật toán lý tưởng
Trang 4Chương 5
5.1 Khuếch đại thuật toán
Một bộ khuếch đại được mô hình hóa như là thiết bị hai cổng
Đó là một hộp với hai cặp cực được gắn là đầu vào và đầu ra như trên hình 5.1.1(a) Mô hình mạch điện của khối khuếch đại cho trên hình 5.1.1(b) được phát triển dựa trên cơ sở của các dẫn giải sau đây.
Bởi vì, với hầu hết các bộ khuếch đại, dòng điện đầu vào là tỉ lệ với điện áp đầu vào, do đó các cực đầu vào trong mô hình được nối với nhau bằng một điện trở , là điện trở đầu vào(input resistance) của bộ khuếch đại.
Do bộ khuếch đại cấp công suất điện (ví dụ đến loa), dòng điện đầu ra có thể mô tả bằng mô hình nguồn Thévenin của nó Điện trở Thévenin được hiểu là điện trở ra(output resistance) và điện áp Thévenin là nguồn điện áp phụ thuộc(dependent voltage source) , được gọi là hệ số khuếch đại điện
áp hở mạch.
Chương 5
Trang 6 Những khối này được mô tả bằng điện trở đầu vào , điện trở đầu ra , và
hệ số khuếch đại điện áp hở mạch
Hai cực đầu vào không đảo và đầu vào đảo được gắn nhãn + và –
Cực chung được biểu thị bằng ký hiệu nối đất ( ground )
Điện áp ra quan hệ với vi sai giữa hai điện áp vào như sau
Trong đó là A hệ số khuếch đại điện áp vòng hở
Trang 8Chương 5
5.2 Khuếch đại lý tưởng
2 Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
a Khuếch đại đảo
Hệ số khuếch đại đảo là:
Với :
1 Đầu vào đảo
Hình 5.4.1 Khuếch đại đảo
2 Đầu vào không đảo
Trang 9Chương 5
5.2 Khuếch đại lý tưởng
2 Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
b Khuếch đại không đảo
Hệ số khuếch đại đảo là:
Hình 5.4.2 Khuếch đại không
Trang 10Chương 5
5.2 Khuếch đại lý tưởng
2 Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
c Khuếch đại cộng đảo
Hình 5.4.3 Khuếch đại cộng đảo
Trang 11Chương 5
5.2 Khuếch đại lý tưởng
2 Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
d Khuếch đại cộng không đảo
Hình 5.4.4 Khuếch đại cộng không đảo
Trang 12Chương 5
5.2 Khuếch đại lý tưởng
2 Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
v t v d
RC
Chương 5
Trang 13Chương 5
5.2 Khuếch đại lý tưởng
2 Ứng dụng của khuếch đại thuật toán
f Bộ vi phân
Hình 5.4.12 Bộ vi phân
0
( ) ( ) dv t in
v t RC
dt
Trang 14Chương 6- Mạch điện tử số
1. Khái niệm chung về tín hiệu số
2. Các khối logic
3. Phương pháp biểu diễn hàm logic và t
ối thiểu hàm logic
Phần 2
Trang 15Chương 6
6.1 Khái niệm chung về tín hiệu số
thời gian
Trang 16Chương 6
6.1 Khái niệm chung về tín hiệu số
Tín hiệu rời rạc (hình 6.0.2) tín hiệu chỉ xác định trên một tập rời rạc của thời gian (một tập những thời điểm rời rạc).
Hình 6.0.2 Tín hiệu rời rạc
Chương 6
Trang 17Chương 6
6.1 Khái niệm chung về tín hiệu số
Lấy mẫu tín hiệu tương tự nghĩa là rời rạc tín hiệu đó theo thời gian.
Tín hiệu số là tín hiệu có lượng hữu hạn biên độ rời rạc tại bất
kỳ thời điểm xác định nào.
Thông qua quá trình lượng tử hóa ( quantization ), các giá trị mẫu được làm tròn chính xác tới gần nhất tập các biên độ rời rạc
Tín hiệu số có dạng tín hiệu nhị phân ( binary signal ) Hình 6.0.3
mô tả các tín hiệu nhị phân điển hình.
Trang 20Chương 6
6.2 Các khối logic
Khối OR
Chương 6
Trang 21Chương 6
6.2 Các khối logic
Khối AND
Trang 22Chương 6
6.2 Các khối logic
Khối NOT
Chương 6
Trang 23Chương 6
6.2 Các khối logic
Khối NAND
Trang 24Chương 6
6.2 Các khối logic
Khối NOR
Chương 6
Trang 25Chương 6
6.2 Các khối logic
Khối XOR
Khối XNOR
Trang 26Chương 6
6.3 Biểu diễn và tối thiểu hàm logic
Các phép tính cơ bản đại số logic
Trang 30Chương 6
6.3 Biểu diễn và tối thiểu hàm logic
Tối thiểu hàm logic
Khái niệm về số hạng nhỏ nhất (minterm) và thừa số lớn nhất
Trang 31Chương 6
6.3 Biểu diễn và tối thiểu hàm logic
Tối thiểu hàm logic
Bảng liệt kê số hạng nhỏ nhất và thừa số lớn nhất cho ba biến
Trang 32Chương 6
6.3 Biểu diễn và tối thiểu hàm logic
Tối thiểu hàm logic
Từ bảng chân lý của hàm số logic bất kỳ, có thể thành lập được hàm F
là tổng của các mi (minterm) hoặc là tích của các Mi (maxterm).
Trang 33Chương 6
6.3 Biểu diễn và tối thiểu hàm logic
Tối thiểu hàm logic theo Karnaugh
Tối thiểu hàm logic bằng phương pháp Karnaugh là phương pháp
biểu đồ là một dạng biến đổi của bảng chân lý, biểu đồ này cung cấp một phương pháp rất tiện lợi cho việc mô tả hàm đại số logic dưới dạng SOP (Sum of product) hay POS (product of sum)
Trang 34Chương 6
6.3 Biểu diễn và tối thiểu hàm logic
Tối thiểu hàm logic theo Karnaugh
Phương pháp đơn giản bằng bảng Karnaugh(K) theo SOP
Chỉ quan tâm tới các ô có giá trị 1
Gộp các ô có giá trị 1 kề nhau theo nguyên tắc
Số lần lặp lại là ít nhất
Số ô liền kề là lớn nhất, 2 n
Khử các biến có thay đổi trạng thái trong các ô có liên quan
Viết hàm F theo dạng tổng của các ô kết quả
Chương 6
(a)
Hình E6.1.11
Trang 35Chương 6
6.3 Biểu diễn và tối thiểu hàm logic
Tối thiểu hàm logic theo Karnaugh
Phương pháp đơn giản bằng bảng Karnaugh(K) theo POS
Chỉ quan tâm tới các ô có giá trị 0
Gộp các ô có giá trị 0 kề nhau theo nguyên tắc
Số lần lặp lại là ít nhất
Số ô liền kề là lớn nhất, 2
Trang 37Chương 7
7.1 Khái niệm chung về chất bán dẫn
Chất bán dẫn
Tồn tại dưới dạng tinh thể rắn.
Độ dẫn điện nằm giữa độ dẫn điện chất dẫn điện và cách điện;
độ dẫn điện nằm trong khoảng 10 -6 10 -5 S/m.
Chất bán dẫn quan trọng nhất là Silicon, có hóa trị 4
Các điện tử tự do
Khi điện tử tự do mang điện tích âm chuyển động trong tinh thể,
tính dẫn điện trong chất bán dẫn tăng lên với chiều dòng điện ngược chiều với chiều chuyển động của các điện tử
Lỗ trống
Khi một điện tử tham gia liên kết hóa trị bị khuyết (bứt ra khỏi
liên kết), chỗ khuyết đó được gọi là lỗ trống; lỗ trống mang điện
Trang 38Chương 7
7.1 Khái niệm chung về chất bán dẫn
Chương 7
Trang 39 Chất bán dẫn thuần(không có tạp chất):
bình thường)
Chất bán dẫn không thuần (có tạp chất):
thuần (hóa trị 4) một lượng nhỏ các tạp chất hóa trị 3 như In, Ga; hạt dẫn đa số là lỗ trống, điện tử
là thiểu số trong bán dẫn loại P
thuần (hóa trị 4) một lượng nhỏ các tạp chất hóa
Chương 7
7.1 Khái niệm chung về chất bán dẫn
Chất bán dẫn thuần và chất bán dẫn tạp
Trang 40Chương 7
7.1 Khái niệm chung về chất bán dẫn
Chất bán dẫn thuần và chất bán dẫn tạp
Trang 42 Phân cực thuận:
Điện áp phân cực dương làm giảm hàng rào thế, do đó tăng số lượng điện tử và lỗ trống khuếch tán qua tiếp giáp Khuếch tán tăng làm xuất hiện dòng điện thuận, hướng từ p sang n
Điện áp phân cực âm làm tăng hàng rào thế năng và giảm các
thành phần khuếch tán qua tiếp giáp Thành phần trôi được tạo ra bởi điện trường từ phía n sang p tạo ra dòng điện nhỏ, dòng điện này được gọi là dòng điện ngược (hay dòng điện bão hòa) Biên độ của dòng điện bão hòa phụ thuộc vào mật độ tạp chất trong bán dẫn loại p và n và phụ thuộc vào kích thước vật lý của tiếp giáp.
Chương 7
7.2 Diode bán dẫn
Lớp tiếp giáp P-N
Chương 7
Trang 44 Đặc điểm
điện và điện áp là
qua diode nhỏ, gọi là dòng điện ngược bão hòa (diode lí tưởng coi dòng này bằng 0); khi tăng điện áp ngược đến một giá trị giới hạn nào đó, diode bị đánh thủng
/ ( T -1); 0.025V; =1
I I e V
Hình 7.2.3 Tiếp giáp pn
khi phân cực (a) Cấu trúc vật lý (b) Ký hiệu diode bán dẫn
Chương 7
7.2 Diode bán dẫn
Diode
Chương 7
Trang 45Chương 7
7.2 Diode bán dẫn
Diode thực và diode lý tưởng
tưởng là điện áp rơi khác không khi diode thực
dẫn dòng theo chiều thuận Điện áp rơi hữu hạn
điện áp mở, điện áp tối thiểu, hoặc điện áp
ngưỡng Giá trị điển hình là 0,6 đến 0,7V với
diode bán dẫn silicon và 0,2 đến 0,3V với diode bán dẫn germanium
Trang 46 Đặc tuyến V-A diode
thực
tưởng
Phá hỏng
Phân cực thuận
Phân cực ngược
Trang 47Đặc tuyến thực
Đặc tuyến xấp xỉ
1 Mô hình 1( diode offset)
Trang 482 Mô hình 2 (piecewise –linear)
Chương 7
7.2 Diode bán dẫn
Mô hình toán học của diode
Chương 7
Trang 49VÍ DỤ: thay diode
nối tiếp với điện áp mở (ngưỡng) 0,6V
Trang 50 Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ:
Diode lí tưởng
Điện trở tải
Diode đóng mạch
Diode đóng mạch Diode
Trang 51 Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ
Trang 52Hình 7.2.10 Chỉnh lưu cả chu kỳ (a)
mạch điện, (b) mạch điện cho nửa chu kỳ dương và âm, (c) Điện áp đầu ra sau chỉnh lưu
Trang 53 Mạch lọc dùng tụ điện
Trở tải Tụ lọc
Diode lí tưởng
Hằng số
thời gian
Tụ nạp
Tụ phóng Hình 7.2.9 Chỉnh lưu với tụ lọc (a)
Mạch điện (b) dòng điện ra với tụ lọc (c) Cấu hình mạch điện khi tụ nạp và phóng.
Chương 7
7.2 Diode bán dẫn
Mạch ứng dụng diode
Trang 55 Ba lớp bán dẫn, ghép thành hai tiếp giáp: n-n hoặc
p-n-p;
vùng là: cực gốc(B), phát (E), góp(C); vùng gốc được chế tạo mỏng nhất và vùng phát được làm giầu các hạt dẫn đa số nhất
Trang 56Collector) (gốc-Base)
(góp-(phát- Emitter)
(phát- Emitter)
Collector) (gốc-Base)
(góp-Hình 7.3.1 Transistor lưỡng cực (a) Cấu trúc transistor npn và ký hiệu (b) Cấu trúc transistor
Trang 57Chương 7
7.3 Transistor lưỡng cực
2 Ký hiệu Transistor (BJT–transistor lưỡng cực)
Trang 60Để xác định điểm làm việc tĩnh (chỉ có nguồn
nA), nên được bỏ qua (trong GT này tác giả bỏ qua);
không được áp dụng các công thức từ 7.3.1-7.3.5
Chương 7
7.3 Transistor lưỡng cực
4.Xác định điểm làm việc tĩnh của transistor
Chương 7
Trang 61 Quan hệ các đại lượng dòng điện ở chế độ tích cực
i i
Trang 62 Tính toán chế độ làm việc của Transistor β=80
Trang 64 Loại bỏ hai chế độ trên, thay sơ đồ transistor tương đương ở chế độ tích cực
Trang 65 Sơ đồ tương đương của BJT khi làm việc với tín hiệu nhỏ
Các thông số iC=f(vBE, vCE), tuyến tính hóa quanh điểm làm
việc một chiều (xem thêm hiệu ứng Early trang 361)
m
BE Q T
I i
Trang 66 Sơ đồ tương đương của BJT với tín hiệu lớn:
Trang 67Hình7.3.8 Mô hình npn BJT tín hiệu lớn (a) Mô hình mạch điện tuyến tính lí tưởng, (b) Trạng thái bão hòa lí tưởng, (c) Trạng thái khóa lí tưởng
Chương 7
7.3 Transistor lưỡng cực
5.Sơ đồ tương đương của BJT
Trang 68Chương 8- Khuếch đại transistor
Phần 2
Trang 69Chương 8
8.1 Phân cực transistor lưỡng cực (BJT)
Không có phương pháp chung để phân cực cho transistor
Có thể sử dụng cách sau để phân cực cho transistor:
Trang 70Chương 8
8.3 Khuếch đại transistor lưỡng cực (BJT)
Có ba mạch khuếch đại cơ bản
Chương 8
Trang 71Chương 8
8.3 Khuếch đại transistor lưỡng cực (BJT)
1.Khuếch đại mắc theo kiểu phát chung (CE)
Điện áp xoay chiều ra khuếch đại
Điện trở tải Tụ rẽ
Đất
Nguồn xoay chiều
Các điện trở R , R , R , R được xác định nhờ phân cực
Trang 72Chương 8
8.3 Khuếch đại transistor lưỡng cực (BJT)
1.Khuếch đại mắc theo kiểu phát chung (CE)
v A
g r R r R i
Trang 73Chương 8
8.3 Khuếch đại transistor lưỡng cực (BJT)
2.Khuếch đại mắc theo kiểu góp chung (CC)
Các điện trở R , R , R được xác định nhờ phân cực
Nguồn tín
Điện trở tải
Điện áp ra
Trang 74Chương 8
8.3 Khuếch đại transistor lưỡng cực (BJT)
2.Khuếch đại mắc theo kiểu góp chung (CC)
m L
v
m
v A
v
g r R R A
Trang 75Chương 8
8.3 Khuếch đại transistor lưỡng cực (BJT)
3.Khuếch đại mắc theo kiểu gốc chung (B)
Các điện trở R , R , R , R được xác định nhờ phân cực
Đất
Nguồn xoay chiều
Điện áp ra
(a)
Trang 76Chương 8
8.3 Khuếch đại transistor lưỡng cực (BJT)
3.Khuếch đại mắc theo kiểu gốc chung (B)
( )
(1 )
H i
H
R g r
v v A
1 ( || )
E in
r R R
Trang 77Chương 8
8.3 Khuếch đại transistor lưỡng cực (BJT)
So sánh mạch khuếch đại mắc E, C, B chung
điện áp, dòng điện, tín hiệu vào/ra là ngược pha với
nhau
xấp xỉ bằng 1; hệ số khuếch đại dòng điện lớn
điện, chỉ khuếch đại điện áp