đề cương điện tử tương tự

mối liên kết đôi hóa trị of 2 chất bán dẫn thuần vs tạp chất,mỗi nguyên tử tạp chất sẽ bị dư 1 điện tử ở vòg ngoài ko tham gia liên kết đối hóa trị nên trở thàh điện tử tự do.Do đó chất

Câu 1: K/n về chất bán dẫn, chất bán dẫn thuần, g.thích sự h.thàh bán dẫn tạp loại N & nêu các đặc tính dãn điện of bán dẫn tạp loại N

*K/n: Cấu trúc năg lượg of chất rắn tinh thể gồm 3 vùg: // - Vùg hóa trị : vùg ko thay đổi về năg lượg tươg ứg vs hạt nhân // - Vùg dẫn là vùg có mức năg lượg nhỏ nhất => khả năg dẫn tốt // - Vùg cấm là vùg ko exist mức năg lượg nào // =>> Mức năg lượg liên kết là mức năg lượg chênh lệch giữa vùg hóa trị & vùg dẫn, ký hiệu: đơn vị tính là electron-volt (eV) Tùy theo g.trị Eg mà chia chất rắn tinh thể thàh 3 loại theo tính dẫn điện sau: // + Chất cách điện: Eg > 2eV // + Chất bán dẫn thườg: 0 < Eg < 2eV + Chất dẫn điện Eg < 0eV // Chất bán dẫn thườg là chất bán dẫn có lẫn tạp chất, nồg độ tạp chất này ko nh` // * K/n chất bán dẫn thuần : là chất bán dẫn tinh khiết k lẫn tạp chất,ko có khả năg dẫn điện.2 chất bán dẫn điển hình là Si & Ge có =1,12eV, =0,72eV, đều nằm (.) nhóm IVA bảg tuần hoàn //

*Sự h.thàh chất bán dẫn tạp loại N(HÌNH VẼ):

Khi pha trộn côg nghệ chất bán dẫn thuần (hóa trị 4) vs tạp chất ( hóa trị 5) ( như As,P,…) thì (.) mối liên kết đôi hóa trị of 2 chất bán dẫn thuần vs tạp chất,mỗi nguyên tử tạp chất sẽ bị dư 1 điện tử ở vòg ngoài ko tham gia liên kết đối hóa trị nên trở thàh điện tử tự do.Do đó chất bán dẫn tạp loại

N dẫn điện // => Chất bán dẫn tạp loại N dẫn điện theo hạt dẫn đa số là e

tự do mag điện tích âm nên gọi là chất bán dẫn tạp N Nồg độ hạt dẫn đa

số là nồg độ hạt dẫn chủ yếu (.) chất bán dẫn tạp Nồg độ hạt dẫn đa số (.) bán dẫn tạp loại N là () tỷ lệ thuận vs nồg độ tạp chất pha trộn // Tuy nhiên (.) chất bán dẫn thuần ko hoàn toàn tinh khiết nên exist các hạt dẫn mag điện tích dươg chính là lỗ trốg có nồg độ là () có g.trị rất nhỏ.Như vậy chất bán dẫn tạp loại N dẫn điện theo hạt dẫn đa số là điện tử tự do vì nồg độ hạt dẫn đa số lớn hơn rất nh` nồg độ hạt dẫn thiểu số,đây cũg là đk exist bán dẫn tạp loại N

Câu 2: K/n về chất bán dẫn, chất bán dẫn thuần, g.thích sự h.thàh bán dẫn tạp loại P & nêu các đặc tính dẫn điện of bán dẫn tạp loại P

*Sự h.thàh chất bán dẫn tạp loại P: khi pha trộn côg nghệ chất bán dẫn thuần (hóa trị 4) vs tạp chất( hóa trị 3) thì (.) mối liên kết đôi hóa trị of 2 chất bán dẫn thuần vs tạp chất, mỗi nguyên tử tạp chất sẽ bị thiếu 1 điện

tử tự do ở vòg ngoài để tham gia liên kết đôi hóa trị nên dễ nhận điện tử tự

do để trug hòa về điện,trở thàh lỗ trốg tự do mag điện tích dươg.Do đó

bản chất dẫn tạp loại P dẫn điện theo hạt dẫn đa số là lỗ trốg mag điện tích (+) nên gọi là bán dẫn tạp loại P // Nồg độ hạt dẫn đa số là nồg độ hạt dẫn chủ yếu (.) chất bán dẫn tạp.Nồg độ hạt dẫn đa số (.) bán dẫn tạp loại P là () tỷ lệ thuận vs nồg độ tạp chất pha trộn // Tuy nhiên (.) chất bán dẫn thuần ko hoàn toàn tinh khiết nên exist các hạt dẫn mag điện tích âm chính là điện tử tự do có nồg độ là () có g.trị rất nhỏ Như vật chất bán dẫn tạp loại P dẫn điện theo hạt dẫn đa số là lỗ trốg vì nồg độ hạt dẫn đa số lớn hơn rất nh` nồg dộ hạt dẫn thiểu số,đây cũg là đk exist bán dẫn tạp loại P.

Câu 3 K/n về tiếp giáp PN & g.thích q.trình h.thàh tiếp giáp PN

*K/n về tiếp giáp PN: khi cho 2 miếg bán dẫn tạp loại p & n t.xúc côg nghệ

vs nhau sẽ hình thành 1 tiếp giáp P-N (HÌNH VẼ) //

-Ứ.dụg: là cơ sở cấu tạo hầu hết các linh kiện bán dẫn như đi-ốt bán dẫn, tranzitor // *Q.trình h.thàh tiếp giáp P-N: // - Do sự chênh lệch nồg độ hạt dẫn đa số ở miền này vs nồg độ hạt dẫn thiểu số ở miền còn lại nên khi đc t.xúc côg nghệ vs nhau các hạt dẫn xảy ra h.tượg khuếch tán & tái hợp // -Điện tử tự do ở miền N sẽ ồ ạt khuếch tán sag miền P để trug hao hay tái hợp vs lỗ trốg ở miền P, do đó ở vùg tiếp giáp sẽ xảy ra h.tượg : // + Phía bản N sẽ bị thiếu điện tử tự do nên tích điện dươg // + Phía bản P sẽ bị thừa điện tử tự do nên tích điện âm // => Như vậy ở vùg tiếp giáp sẽ h.thàh

1 điện trườg hướg từ N sag P gọi là điện trườg t.xúc có t.dụg ngăn cản sự chuyển độg khuếch tán of điện tử tự do từ bản N sag bản P.Chính vì vậy

mà nó còn đc gọi là hàg rào điện thế // H.tượg khuếch tán hạt dẫn sẽ chấm dứt khi trườg t.xúc đủ lớn ở đk chuẩn thì có g.trị như sau : // +Vs bán dẫn tạp đc chế tạo từ Ge: =0,3V // +Vs bán dẫn đc chế tạo từ Si: =0.6V // G.trị này còn phụ thuộc vào nồg độ of chất bán dẫn tạp & nhiệt độ m.trườg Câu 4 Tr.bày t.chất dẫn điện of tiếp giáp PN

-Trạg thái cân = độg of t.xúc P-N sẽ bị thay đổi khi ta đặt 1 điện trườg ngoài lên 2 đầu of tiếp giáp - ta gọi đó là phân cực cho tiếp giáp // Phân cực thuận cho tiếp giáp P-N là ta đặt điện trườg ngoài () có cực (+) vào P, cực (-) vào N (HÌNH VẼ)

Lúc này ta thấy điện trườg ngoài ngược chiều điện trườg t.xúc => hàg rào điện thế bị thu hẹp => giảm khả năg ngăn cản sự chuyển độg gia tốc of các hạt dẫn,tức có d.điện thuận chạy qua tiếp giáp P-N Khi vượt quá g.trị thì hàg rào điện thế bị biến mất => d.điện thuận sẽ tăg nhah chóg // Phân cực

ngược cho tiếp giáp P-N là ta đặt điện trườg ngoài có cực (+) vào N, cực (-) vào P như hình vẽ (HÌNH VẼ)

Lúc này điện trườg ngoài cùg chiều vs điện trườg t.xúc =>hàg rào điện thế

mở rộg thêm => gia tăg khả năg ngăn cản sự chuyển độg gia tốc of các hạt dẫn => ko có d.điện ngược chạy quá tiếp giáp P-N.Tuy nhiên,do exist hạt dẫn thiểu số bên tiếp giáp P có nồg độ nhỏ => exist d.điện ngược có g.trị rất nhỏ chạy qua

Câu 5: Tr.bày đđ cấu tạo, ký hiệu, vẽ & g.thích đặc tuyến V-A of Diode bán dẫn

- Đi-ốt bán dẫn đc cấu tạo trên cơ sở of 1 tiếp giáp P-N,bản cực P đc gắn 1 điện cực gọi là a-nốt (A),bản cực N đc gắn 1 điện cực là ka-tốt (K) Tiếp giáp P-N of điôt đc h.thàh bỏi 2 loại t.xúc cơ bản: // + Chuyển tiếp mặt : Diện tích t.xúc 2 đơn tinh thể lớn //

+ Chuyển tiếp điểm: Diện tích t.xúc giữa 2 đơn tinh thể nhỏ( HÌNH VẼ 1) //

Đặc tuyến V-A ofđi-ốt bán dẫn( HÌNH VẼ 2)

-Vùg I gọi là vùg phân cực thuận,khi điện trườgvượt quá g.trị điện trườg t.xúc Etx thì dòg thuận tăg nhah theo điên trườg (+ ) // - Vùg phân cực ngược đc chia làm 2 vùg: vùg II là vùg d.điện ngược có g.trị rất nhỏ & tăg dần theo g.trị điện trườg ngược // - Vùg III là vùg đánh thủg khi g.trị trườg ngược đạt tới 1 g.trị nào đó,cườg độ điện trườg quá lớn sẽ xảy ra h.tượg phóg điện giữa 2 điện cực đánh thủg tiếp giáp P-N lúc đó d.điện tăg mạnh làm hỏg tiếp giáp

Câu 6: Tr.bày đđ cấu tạo, phân loại & ký hiệu oftranzitor lưỡg hạt

Tranzitor lưỡg hạt (BJT) đc cấu tạo bởi 3 miếg bán dẫn tạp # loại ghép xen

kẽ nhau như hình vẽ( HÌNH VẼ) //

*Đđ cấu tạo: // - Lớp bán dẫn tạp bên ngoài có bề dày lớn nhất & nồg độ tạp chất cao nhất đc gắn 1 điện cực gọi là cực phát có ký hiệu: E // - Lớp bán dẫn tạp ở giữa có bề dày rất mỏg & nồg độ tạp chất rất thấp đc gắn 1 điện cực gọi là cực gốc ký hiệu B

-Lớp bán dẫn tạp còn lại có bề dày & nồg độ tạp chất trug bình đc gắn 1 điện cực gọi là cực góp ký hiệu C // - H.thàh 2 lớp tiếp giáp P-N là & //

*Phân loại :Vs đđ cấu tạo như vậy tranzitor sẽ có 2 loại PNP & NPN: //-Loại PNP đc gọi là tranzitor thuận vs cấu trúc //- //-Loại NPN đc gọi là tranzitor ngược vs cấu trúc (HÌNH VẼ 1+2)

Câu 7 Tr.bày ng lý hoạt động of tranzitor lưỡg hạt

- Để tranzitor lưỡg hạt(BJT) làm việc đc như 1 phần tử đ.khiển or khuếch đại thì :

+ Tiếp giáp ph đc phân cực thuận // + Tiếp giáp đc phân cực ngược

-Vì ng lý làm việc cả 2 loại tranzitor cơ bản đều giốg nhau, chỉ # nhau về loại hạt dẫn tự do là điện từ (NPN) hay lỗ trốg (PNP) we chỉ xét cụ thể cho

1 loại : ví dụ loại NPN // Ta có mạch cấp nguồn như hình vẽ( HÌNH VẼ) Dưới t.dụg of điện trườg phân cực thuận hạt dẫn đa số (e) từ miền E sẽ ồ

ạt chuyển độg gia tốc sag miền B tạo thàh d.điện Emicter() Do miền Baser

có nồg độ tạp chất rất nhỏ nên chỉ có 1 phần rất nhỏ các điện tử từ Emicter sag tái hợp vs lỗ trốg tạo thàh dòg Baser còn đâu sẽ tập trug tại tiếp giáp // Mặc dù tiếp giáp đc phân cực ngược but do bề dày of miền baser là rất mỏg,hơn nữa trườg gia tốc có g.trị lớn=+ cho nên các điện tử vẫn dễ dàg vượt qua tiếp giáp sang miền collector để tạo thàh dòng () // Khi thay dổi g.trị điện trườg phân cực thuận thì sẽ thay đổi lượg hạt dẫn chuyển độg từ miền E sag B.Tuy nhiên do miền B có nồg độ rất thấp cho nên chỉ có 1 phần nhỏ lượng hạt dẫn tạo thàh dòng sẽ thay đổi ko đág kể

=> 1 số lượg lớn hạt dẫn tạo thàh dòg collector // Vậy ng lý làm việc chug

of tranzitor lưỡg hạt (BJT) là dùg d.điện nhỏ để đ.khiển d.điện lớn hay Câu 8 Vẽ & g.thích họ đặc tuyến ra oftranzitor BJT( loại NPN) mắc kiểu

E chug

Đặc tuyến ra biểu diễn mqh phụ thuộc giữa d.điện ra vs điện áp ra khi điện áp hay d.điện lối vào / ko đổi: = = const Họ đặc tuyến ra of tranzitor mắc EC ( loại NPN) đc mô tả as hình vẽ (HÌNH VẼ ) //

Ứng vs mỗi g.trị of điện áp or d.điện vào ta có 1 đườg đặc tuyến ra, tập hợp các đườg đặc tuyến ra ta sẽ lập thàh 1 họ đặc tuyến ra Can chia làm 3 vùg: // - Vùg I: d.điện ra phụ thuộc nh` vào điện áp ra & có tính tuyến tính, lúc này tranzitor làm việc as 1 điện trở thuần nên thườg ko use.Vùg này nằm dưới điểm A // - Vùg II : d.điện ra ít phụ thuộc vào điện áp ra mà chủ yếu phụ thuộc vào d.điện hay điện áp lối vào,tranzitor làm việc as 1 phần tử đ.khiển nên vùg này đc gọi là vùg làm việc.Vùg này nằm giữa A &

B // - Vùg III nằm ngoài điểm B,khi điện áp ra vượt qúa 1 g.trị giới hạn nào đó thì d.điện ra tăg nhanh theo điện áp ra làm phá hỏg các tiếp giáp

PN of tranzitor do đó vùg này là vùg đánh thủg

Câu 9+ 10 :Nêu k/n về phân cực cho tranzitor BJT & tr.bày pp phân cực kiểu định dòg trực tiếp có hồi tiếp d.điện VÀ tr.bày pp phân cực kiểu định dòg gián tiếp( phân áp) có hồi tiếp d.điện

*K/ n :Phân cực cho tranzitor là x.định ra các g.trị d.điện & điện áp 1 chiều

cụ thể để x.định điểm côg tác tĩnh P // Điểm côg tác tĩnh P đc x.định bởi 1 đườg đặc tuyến ra vs 1 g.trị nhất định of d.điện hay điện áp phân cực Điểm côg tác tĩnh P có tọa độ đc x.định = 3 g.trị d.điện & điện áp phân cực tĩnh 1 chiều cụ thể.Tọa độ P[,,]

Mạch điện of pp phân cực kiểu định dòg trực tiếp có hồi tiếp d.điện (HÌNH VẼ)

Câu 9 :* Tr.bày pp phân cực :Đối vs mạch điện này: Theo định luật Kỉchoff ta tính đc dòg phân cực L: = + = + (β+ 1)

=[ + β+ 1) ] + => = // Vì tiếp giáp đc phân cực thuận nên có g.trị rất thấp ( 0,2-0,7V ) tùy thuộc vào loại bán dẫn tạp & tranzitor // Cách tính d.điện & điện áp còn lại of điểm côg tác tĩnh P : =β

, = (β+1) , =- - =- β – (β+1)

Câu 10: * Tr.bày pp phân cực kiểu định dòg gián tiếp( phân áp) có hồi tiếp d.điện

Mạch điện of pp phân cực kiểu định dòg gián tiếp( phân áp) có hồi tiếp d.điện(

HÌNH VẼ)

Sơ đồ tươg đươg Thevenin

= , = // Use sơ đồ tươg đươg Thevenin ta tính đc = =.

=> = // Vì tiếp giáp đc phân cực thuận nên có g.trị rất thấp (0,2-0,7V) tùy thuộc vào loại bán dẫn tạp & tranzitor// Các g.trị d.điện & điện áp còn lại

of điểm côg tác tĩnh P: =β , = (β+1)

,=- - =-β – (β+1)

Câu 11: Tr.bày đđ cấu tạo,p.loại & ký hiệu of tranzitor thườg cực cửa tiếp giáp (JFET)

*Cấu tạo :- Trên 1 khối bán dẫn tạp có nồg độ cao gọi là kênh dẫn ng ta thườg phủ 1 lớp bán dẫn tạp # loại có nồg độ thấp hơn gọi là vỏ // - Lớp vỏ

đc gắn 1 điện cực gọi là cực cổng có ký hiệu G // - 2 đầu kênh dẫn đc gắn 2 điện cực : // +Cực nguồn có ký hiệu S ( nồg độ cao) // + Cực mág có ký hiệu

D ( nồg độ thấp) // - 1 tiếp giáp P-N đc hình thàh giữa kênh dẫn vs lớp vỏ màu xám (.) hình vẽ (HÌNH VẼ) //

*P.loại theo cấu tạo : //+ Nếu kênh dẫn là bán dẫn tạp loại N thì vỏ sẽ loại

P Tranzitor thườg loại này đc gọi là JFET kênh dẫn loại N, ký hiệu as hình (b) // + Nếu kênh dẫn là bán dẫn loại P thì vỏ sẽ là loại N Tranzitor thườg loại này đươc gọi là JFET kênh dẫn loại P, ký hiệu as hình (c)

Câu 12: Tr.bày ng lý hđ of transitor trườg cực cửa tiếp giáp

Để tranzitor trườg JFET làm việc đc thì tiếp giáp P-N ph đc phân cực ngược & 2 đầu kênh dẫn ph đặt 1 điện trườg thích hợp sao cho hàg rào điện thế đc mở rộg dẫn từ S tới D.Vì 2 loại JFET # nhau về chất bán dẫn tạp làm vỏ & kênh dẫn nên ta ph đặt điện trườg phân cực ngược # nhau But giốg nhau về đk làm việc nên ta can g.thích cho kênh dẫn loại n (HÌNH VẼ)

+ Điện trườg phân cực ngược cho tiếp giáp PN là điện áp // + Điện trườg

để tạo d.điện giữa cực mág & cực nguồn là // Vì ko có d.điện chảy qua tiếp giáp phân cực ngược cho nên d.điện chảy (.) JFET chỉ có 1 là dòg cực mág cũg là dòg cực nguồn (), = // Do điện áp & đc mắc nối tiếp => điện trườg ngược sẽ tăg dần từ cực S đến cực D.Dẫn đến JFET bị chai thàh 2 vùg có t.chất dẫn điện # nhau Vùg hàg rào điện thế :là vùg ko cho phép hạt dẫn dịch chuyển cho nên gọi là vùg cấm Vùg cho phép hạt dẫn dịch chuyển để tạo thàh d.điện gọi là vùg dẫn // Tổng thể tích 2 vùg này là kênh dẫn =>

ko đổi vs mọi g.trị of điện trườg => sự thay đổi 2 vùg này là ngược nhau : //+Khi điện trườg thì vùg cấm có g.trị nhỏ nhất => vùg dẫn lớn nhất => d.điện mág là lớn nhất // + Khi tăg g.trị => hàg rào điện thế mở rộg => vùg cấm tăg dần => vùg dẫn bị thu hẹp => d.điện mág giảm dần // +Khi tăg g.trị đến 1 g.trị nào đó => vùg cấm giao nhau ở phía cực D => hạt dẫn ko thể dịch chuyển qua hàg rào điện thế => d.điện mág.G.trị điện áp này là g.trị điện áp cắt // Vậy tranzitor trườg JFET làm việc theo ng lý use điện áp nhỏ k có d.điện để đ.khiển d.điện mág có g.trị lớn

Câu 13: Tr.bày đđ cấu tạo, p.loại & ký hiệu of tranzitor trườg cực cửa cách ly (IGFET/MOSFET)

*Cấu tạo : Trên 1 khối bán dẫn tạp có nồg độ tạp chất cao gọi là đế,ng ta tạo ra 2 vùg dẫn tạp # loại có nồg độ cao hơn đế 2 vùg này đc gắn 2 điện

cực gọi là cực nguồn S & cực mág D.Cực đế cũg đc nối ra 1 điện cực // Giữa 2 điện cực S & D đc nối thôg vs nhau qua kênh dẫn.Nếu kênh dẫn có sẵn ngay cả khi chế tạo là kênh dẫn có sẵn,còn nếu đc hình thàh sau khi đặt điện trườg thích hợp thì là kênh dẫn ko có sẵn //Phía đối diện vs đế qua kênh dẫn đc đặt 1 điện cực kim loại sao khi đã phủ 1 lớp cách điện SiO2.Điện cực này đc gọi là cực cổng G // Kênh dẫn thườg đc hình thàh mag điện tích giốg vs điện tích of hạt dẫn đa số of bán dẫn tạp làm 2 điện cực S & D.Nên ta có 2 loại kênh dẫn là n or p.Ta cũg có 2 tiếp giáp PN theo cấu tạo là tiếp giáp P-N có sẵn & ko có sẵn (HÌNH VẼ) //

Do đđ cấu tạo=> chia MOSFET/IGFET thàh 4 loại (HÌNH VẼ)

+ MOSFET/IGFET kênh dẫn có sẵn loại n(a) //+ MOSFET/IGFET kênh dẫn có sẵn loại p (b) //+ MOSFET/IGFET kênh dẫn ko có sẵn loại n (c) //+ MOSFET/IGFET kênh dẫn ko có sẵn loại p( d)

Câu 14 Tr.bày ng lý hđ of tranzitor trườg cực cửa cách ly (IGFET/MOSFET)

Ng lý làm việc MOSFET nói chug đều là use điện trườg để đ.khiển dòg mág có g.trị lớn.Can chia làm nhóm ng lý theo p.loại of MOSFET là kênh dẫn có sẵn & ko có sẵn,ứg vs nguyên tắchug là các tiếp giáp đc phân cực ngược // Vs mỗi nhóm, chúg có ng lý làm việc as nhau,chỉ # về chiều of điện trườg gia tốc & điện trườg đ.khiển.Nên ta can lấy VD cho kênh dẫn loại n //Vs MOSFET kênh dẫn có sẵn loại n (HÌNH VẼ)

Vì đã có sẵn kênh dẫn nối giữa S & D nên khi có điện trườg sẽ tạo thàh dòg mág // Nếu >0 thì sẽ thu hút lực điện tử thiểu số từ đế & tăg cườg hạt dẫn cho kênh dẫn => dòg mág tăg- chế độ làm giàu kênh dẫn // Nếu < 0 thì sẽ đẩy các điện tử tự do ra khỏi kênh dẫn về đế Lượg hạt dẫn ở kênh dẫn giảm dần=> Dòg mág giảm - chế độ làm nghèo kênh dẫn.Nếu đạt đến g.trị nào đó làm kênh dẫn ko còn hạt nhân => dòg mág = 0 thì g.trị đó là điện áp cắt // As vậy, ng lý chug là dùg điện trườg để đ.khiển d.điện mág

có g.trị lớn

Câu 15: Hồi tiếp (.) các tầg khuếch đại là gì.Hồi tiếp theo quan hệ góc pha bao gồm có n~ loại nào, nêu ả hưởg & ứ dụg of từng loại hồi tiếp đó

- Hồi tiếp là :trích 1 phần tín hiệu ở đầu ra quay trở về đầu vào of bộ khuếch đại nhằm cải thiện 1 vải chỉ tiêu chất lượg of 1 vài tham số nào đó

of 1 tần khuếch đại hay of 1 bộ khuếch đại nh` tầg // - Hồi tiếp theo quan

hệ góc pha giữa tín hiệu hồi tiếp & tín hiệu vào thì hồi tiếp có 2 loại : Nếu pha of tín hiệu hồi tiếp trùg pha vs tín hiệu vào thì là hồi tiếp dươg,ngược thì là hồi tiếp âm // +Hồi tiếp âm: làm giảm hệ số khuếch đại K but tăg tính ổn định S.Hệ số khuếch đại = (.) đó β-hệ số truyền đạt of khâu hồi tiếp β = Độ ổn định = (K,S hệ số khuếch đại & độ ổn định khi chưa có hồi tiếp) // - As vậy hồi tiếp âm đc dùg (.) mạch khuếch đại tín hiệu ( trừ mạch dao động tự kích) vì n~ mạch này cần tính ổn định nhiệt cũg as hệ số khuếch đại & 1 số chỉ tiêu kĩ thuật # // +Hồi tiếp dươg :tăg hệ số khuếch đại (K) but làm giảm độ ổn định (S).Hệ số khuếch đại = Độ ổn định = //As vậy hồi tiếp dươg dùg (.) mạch tạo dao động tự kích vì lúc đó cần có độ mất ổn định cao mới tự dao động đc

Câu 16 Méo tín hiệu (.) các bộ khuếch đại là gì.Có n~ loại méo tín hiệu nào

& nguyên x cũg as hậu quả of méo tín hiệu là gì

*K/n :Méo tín hiệu là sự thể hiện (tham số đ.giá) tính ko trug thực of 1 bộ khuếch đại Ngĩa là tín hiệu ra ko thật sự giốg vs tín hiệu vào of nó // -Méo tín hiệu có 2 loại là méo phi tuyến & méo tần số : // + -Méo phi tuyến:là méo do đườg đặc tính biên độ ko tuyến tính.Nguyên x là do các đườg đặc tính vôn-ampe of các phần tử tạo thàh mạch khuếch đại mà chủ yếu là tranzitor là các đườg phi tuyến gây ra.Hậu quả là làm cho đườg tín hiệu ra ko giốg as hình dạg tín hiệu vào // + Méo tần số là sự suy giảm tần

số do hệ số khuếch đại ko đồg đều (.) giải tần số côg tác.Nguyên x là do use các phân tử có tham số phụ thuộc vào tần số as cảm khág,dug khág or do điện cảm & điện dug ký sinh (.) mạch điện cũg as các phần tử # cấu thàh mạch điện.Hậu quả là làm thu hẹp giải thôg of bộ khuếch đại

C 17:K/n về mạch khuếch đại điện áp,g.thích mạch & nêu t.chất of mạch điện (.) hình

*K/n về mạch khuếch đại điện áp : Khi mức năg lượg of tín hiệu cần khuếch đại còn có g.trị rất nhỏ thì v.đề cần care là cần ph nâg biên độ điện

áp tín hiệu lên đủ lớn.Do đó các mạch khuếch đại tín hiệu vào nhỏ là mạch khuếch đại điện áp (Hình vẽ mạch )

*G.thích mạch :Hình vẽ là tầg khuếch đại mắc E chug (OE) (.) đó: // -Phần tử khuếch đại là tranzitor T.Vì khì đưa điện áp khuếch đại vào giữa

2 cực B & E => g.trị điện áp thay đổi x.quanh điểm côg tác tĩnh => dòg, , cũg thay đổi x.quanh điểm côg tác tĩnh theo ng lý làm việc of tranzitor là dùg dòg nhỏ để đ.khiển dòg lớn As vậy tín hiệu ra đã đc khuếch đại về biên độ // -& là 2 điện trở phân cực kiểu phân áp (định dòg gián tiếp)

//-là trở tải of tầg khuếch đại // - C1 ghép tín hiệu ở lối vào & phân cách thàh phần 1 chiều giữa tầg khuếch đại vs tín hiệu vào // - C2 là tụ ghép tín hiệu

ra tải & phân cách thàh phần 1 chiều giữa tầg khuếch đại vs tải

*Các đđ cơ bản: // - Hệ số khuếch đại d.điện & điện áp đều lớn

( = 20 – 100 , = 200 – 5000) // - Điện áp ra ngược pha vs điện áp vào //+Trở khág vào có g.trị nhỏ (< 50 Ohm) // - Trở khág ra có g.trị lớn gần = (Kohm)

Câu 18: Nêu tên, g.thích mạch điện & ng lý làm việc of mạch khuếch đại (.) hình vẽ

* Nêu tên, g.thích mạch điện :Hình vẽ là mạch khuếch đại côg suất đẩy kéo vì dùg 2 tranzitor làm phần tử khuếch đại.(.) đó: //+2 phần tử khuếch đại là 2 tranzitor giốg hệt nhau T1 & T2 // +2 điện trở phân cực tạo điểm côg tác chế độ AB là & //+ Biến áp BA1 có n.vụ đảo pha,tạo ra ở thứ cấp 2 điện áp tín hiệu có biên độ = nhau & ngược pha // + Biến áp BA2 có n.vụ kết hợp- ghép 2 nửa chu kỳ of tín hiệu từ đầu ra of các phần tử khuếch đại thàh 1 chu kỳ đầy đủ of tín hiệu trên tải // *Ng lý làm việc : G.thiết ở 2 nửa chu kỳ dươg of tín hiệu vào có điện áp ở nửa trên of thứ cấp biến áp đảo pha pha dươg & pha âm thì : //+< 0 làm T2 khóa => ko có dòg // + >

0 làm T1 thôg => dòg chảy từ cực dươg of nguồn qua nửa trên of sơ cấp BA2 tạo nửa chu kỳ dươg of tín hiệu ở thứ cấp để cug cấp cho tải // Sag nửa chu kỳ âm thì ngược lại,là pha âm, là pha dươg thì : //+ < 0 làm T1 khóa => ko có dòg //+> 0 làm T2 thôg => có dòg chảy từ cực dươg of

nguồn cug cấp qua nửa cuối of BA2 taọ nên nửa chu kỳ âm of tín hiệu ở thứ cấp để cug cấp cho tải // => Dù 2 tranzitor thay nhau,mỗi tranzitor chỉ làm việc (.) 1 nửa chu kỳ (.) 2 nửa chu kỳ tín hiệu of diện áp tín hiệu vào thì tín hiệu ra vẫn đủ 2 nửa chu kỳ

Câu 19: Nêu tên, g.thích mạch điện & ng lý làm việc of mạch khuếch đại (.) hình

* Nêu tên, g.thích mạch điện : Hình vẽ là mạch khuếch đại côg suất đẩy kéo ko dùg biến áp,vì ko use biến áp để đảo pha tín hiệu đầu vào // (.)

đó : // + Các điện trở , , có n.vụ tạo điểm côg tác chế độ B or AB // +2 phần

tử khuếch đại tranzitor T1 & T2 giốg nhau but # loại: 1 tranzitor thuận,1 tranzitor ngược,gọi là cặp thuận ngược //+ Tụ điện C1 để ghép tín hiệu vào

& phân cách thàh phần 1 chiều giữa tầg khuếch đại vs nguồn tín hiệu // +

Tụ điện C2 để ghép tín hiệu ra tải & tạo ra nguồn cug cấp ảo // *Ng lý làm việc: Ở nửa chu kỳ dươg of tín hiệu vào,các baser of tranzitor đều có điện thế dươg nên : // + Tiếp giáp of tranzitor 2 phân cực ngược khóa lại => ko

có dòg // + Tiếp giáp of transitor 1 phân cực thuận thôg => có dòg chảy

từ cực dươg of nguồn cug cấp quá tải,đồg thời nạp điện nhanh cho tụ C2 tạo thàh nửa chu kỳ dươg of tín hiệu trên tải // Nửa chu kỳ âm tiếp theo thì điện thế trên các baser đổi dấu nên : // + Tiếp giáp of transitor 1 phân cực thuận=> ko có dòg //+ Tiếp giáp of tranzitor 2 phân cực ngược => có dòg do tụ điện C2 phóg điện tích dươg do đc nạp (.) nửa chu kỳ trước.Dòg này chảy từ má dươg về má âm of tụ C2,có chiều ngược chiều d.điện đã nạp ở nửa chu kỳ trước nên trên tải có nửa chu kỳ còn lại of tín hiệu // => Mỗi tranzitor chỉ làm việc (.) 1 nửa chu kỳ of tín hiệu vào sog trên tải vẫn đầy đủ 2 nửa chu kỳ of tín hiệu

Câu 32 : K/n về ổn định điện áp, g.thích & ng lý làm việc of mạch ổn định (.) hình vẽ

(hình vẽ)

* K/n về ổn định điện áp :Ổn định điện áp là giữ cho điện áp trên tải ko cho dù điện áp đầu vào or tải thay đổi.Đây là mạch điện ổn áp bù nối tiếp