Bộ khuếch đại dùng L cao tần 3• Công suất xoay chiều được cung cấp trên RL... Bộ khuếch đại dùng L cao tần 4• Chæ soá phaåm chaát... Xác định Q suất trên tải lớn nhất... Bộ khuếch đại cô
Trang 1Khuếch đại công suất âm tần
TS Hồ Văn Khương
Email: khuong.hovan@yahoo.ca
Trang 2Giới thiệu (1)
Trang 3• Đặc điểm của chế độ A
trong cả chu kỳ
– Ưu : méo phi tuyến ít.
– Khuyết : hiệu suất thấp
• Đặc điểm của chế độ B
trong nửa chu kỳ
– Ưu : hiệu suất cao : ηB ≤
: tín hiệu tồn tại
η ≤ 25% : dùng
≤ 50% : dùng
tải là tải là
tồn
R biến
– Cách khắc phục : mắc đẩy-kéo để giảm méo phi
tuyến.
Trang 6Bộ khuếch đại dùng L cao tần (3)
• Công suất xoay chiều được cung cấp trên RL
Trang 7Bộ khuếch đại dùng L cao tần (4)
• Chæ soá phaåm chaát
Trang 9Bộ khuếch đại dùng L cao tần (6)
Ví dụ: Transistor có BVCE0 = 40 (V), max iC = 1A,
PC,max=4W, β =40, VCEsat=0V, RL=10 Ω , Re=1 Ω Xác
Ví dụ: Transistor có BVCE0 = 80 (V), max iC = 1A,
để công
PC,max=2.5W, VCEsat=2V, RL=10 Ω Xác định Q
suất trên tải lớn nhất VCC, PL?
Trang 11Bộ khuếch đại công suất âm tần đơn
• Mạch làm việc ở chế độ lớp A Hệ số ghép biến áp:
Trang 12Bộ khuếch đại công
Trang 13Bộ khuếch đại công suất âm tần
dùng biến áp (3)
Trang 14Bộ khuếch đại công
dùng biến
suất âm áp (4)
Trang 15Bộ khuếch đại công suất âm tần đơn
dùng biến áp
Trang 16Khuếch đại đẩy kéo lớp B
Trang 17Khuếch đại đẩy kéo lớp B (2)
Trang 18Khuếch đại đẩy kéo lớp B (3)
Trang 19Khuếch đại đẩy kéo lớp B (4)
Trang 20Khuếch đại đẩy kéo lớp B (5)
• Công suất xoay chiều được cung cấp trên RL
Trang 21Khuếch đại đẩy kéo lớp B (6)
Trang 22Khuếch đại đẩy kéo lớp B (7)
Trang 25Khuếch đại đẩy kéo lớp B (10)
Ví dụ: Transistors có BVCE0 = 40 (V), max iC = 1A,
PC,max=4W, RL=10 Ω Xác định N, VCC, η , PL để công
suất trên tải lớn nhất.
Trang 26Cặp Transistor bổ phụ là hai
npn
gần
iL = iC1 – iC2
Trang 27Ví dụ: Transistor có BVCE0 = 40 (V), max iC = 1A,
PC,max=4W, RL=10 Ω Xác định VCC, PL để công suất trên tải lớn nhất.
Trang 28•
or the circuit of Fig P 5 l , c alculate
(a) The maxim,,rn po we r dinipa t ed in the load.
(c) The power dissipated at t he collector.