1. Trang chủ
  2. » Công Nghệ Thông Tin

Ebook MultiSim cơ bản

12 1K 10

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 12
Dung lượng 1,27 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

Tạo một thiết kế mới  Lấy từng linh kiện, lấy nguồn..  Lấy các thiết bị đo cần thiết.. Ví dụ 1: Mạch phân cực BJT Xem ở chế độ test-board Đây là dạng xem 3D, người sử dụng có thể cắm

Trang 1

MultiSim cơ bản

1.1 Các thành phần cơ bản

Tạo một bản design mới (bản thiết kế)

1.1.1 Link kiện, nguồn, thiết bị

Theo thứ tự từ trái sang phải:

1-Place Source : nguồn cung cấp (AC, DC), nguồn dòng, nguồn áp, các nguồn tín hiệu (sin, vuông, tam giác),…

2-Place Basic: đặt điện trở, biến trở, cuộn cảm, tụ điện, biến áp, switch, …

3-Place Diode: các linh kiện bán dẫn 2 lớp, 3 lớp : diode, led, diac, triac, scr,…

4-Place Transistor: các loại BJT, MOS, …

5-Place Analog: đặt op-amp, bộ so sánh, bộ khuếch đại,…

6-Place TTL : đặt các IC họ TTL

7-Place CMOS: đặt các IC họ CMOS

8-Place Misc Digital : đặt EPROM,…

Trang 2

9-Place Mixed: đặt ADC, DAC, IC timer 555

10-Indicators: đặt lamp, volt meter, buzzer,…

11-Power component : cầu chì, các thành phần liên quan đền nguồn AC,…

12-Misc: các bộ chuyển đổi, bộ ghép quang, thạch anh, các mô hình đường truyền không suy

hao,…

13-Advanced peripherals: bàn phím, LCD

14-RF : các linh kiện liên quan đến cao tần

15-Electro_mechanical : các loại động cơ, rơ-le

16-NI Component : các linh kiện của NI

17-Connectors: các loại đầu nối

18-MCU : các loại vi điều khiển 805x, PIC, RAM, ROM

1.1.2 Đồng hồ đo, dao động ký

Cột góc phải của giao diện, chứa các đồng hồ đo, đầu đo, dao động ký, máy tạo hàm, đếm tần số,

phân tích logic, tạo từ mã,…

Dao động ký

VOM

XSC1

Agilent

XSC2

Tektronix

1 2 3 4 T G

P

XMM1

Trang 3

1.2 Tạo một thiết kế mới

 Lấy từng linh kiện, lấy nguồn

 Lấy các thiết bị đo cần thiết

 Lắp ráp theo sơ đồ đã có

Ví dụ 1: Mạch phân cực BJT

Xem ở chế độ test-board

Đây là dạng xem 3D, người sử dụng có thể cắm các linh kiện như trong thực tế

Q1

2SC1815

R1 2.2kΩ

R2 47kΩ

R3 220Ω

R4 10kΩ

VCC 5V XMM1

Trang 4

1.3 Phân tích các thành phần

VOM

Probe

Trang 5

Khai báo các thông số

Khai báo các thông số của điện trở: giá trị, sai số, các yếu tố về vật lý, chân layout của linh kiện

Phân tích các thông số của BJT

Probe1 V: 775 mV V(p-p): 0 V V(rms): 775 mV V(dc): 775 mV I: -775 pA I(p-p): 0 A I(rms): 775 pA I(dc): -775 pA Freq.:

Trang 6

Thực hiện mô phỏng, chỉ ra các thông số về điện áp và dòng điện đo được

Ví dụ 2: Từ mạch phân cực trên, lắp thêm các nguồn tín hiệu và linh kiện để thực hiện mạch khuếch đại

tín hiệu nhỏ

Nguồn tín hiệu xoay chiều

Q1

2SC1815

R1 2.2kΩ

R2 47kΩ

R3 220Ω

R4 10kΩ

VCC 5V

V1 50mVpk 1kHz 0°

C1

1µF

XSC1

Agilent

C2

1µF

Trang 7

Dao động ký Agilent

Thực hiện mô phỏng

Chọn Run, sau đó click đôi vào dao động ký, chỉnh các thông số cần thiết và quan sát tín hiệu vào và ra

Trang 8

Gắn thêm tụ C3 song song vào điện trở R3,

Quan sát dạng sóng ngõ ra

Thay đổi giá trị của tụ C3, và quan sát tiếp các dạng sóng ngõ ra

Thay vào dao động ký Tecktronix

Q1

2SC1815

R1 2.2kΩ R2

47kΩ

R3 220Ω R4

10kΩ

VCC 5V

V1 50mVpk 1kHz 0°

C1 1µF

XSC1

Agilent

C2 1µF

C3 100µF

Trang 9

2.1 Phân tích mạch DC

2.1.1 Phân tích vòng

Tìm dòng điện qua điện trở R3

I3 qua R3 có giá trị bằng 37.037 mA

Các điện trở trong trường hợp này có sai số 0% Sinh viên thực hiện đặt sai số cho tất cả điện trở từ 1-10% Vẽ đồ thị dòng điện có được theo sai số

Sai số điện trở (%) Giá trị I3 đo được (mA)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

2.1.2 Phân tích nút

R1 10Ω

R2 15Ω R3

5Ω R4

30Ω

R5 30Ω

V1

10 V

XMM1

Trang 10

Công suất cực đại trên tải

Thay đổi giá trị biến trở theo mỗi bước tăng là 10 kΩ : 0:10:50 Tìm giá trị điện trở ứng với công suất lớn nhất

2.2 Phân tích AC

2.2.1 Mạch RC

Tạo sóng vuông có tần số 100 Hz, biên độ đỉnh 5V Quan sát dạng sóng trên tụ

R1 10Ω

R2 20Ω

R3 50Ω

R4 40Ω I1

1 A

I2

1 A

V1

V2

V3 Probe1

V: 114 V V(p-p): 3.50 pV V(rms): 0 V V(dc): 114 V I: 1.43 A I(p-p): 0 A I(rms): 0 A I(dc): 1.43 A Freq.:

Probe2

V: 100 V V(p-p): 8.37 pV V(rms): 0 V V(dc): 100 V I: -571 mA I(p-p): 0 A I(rms): 0 A I(dc): -571 mA Freq.:

Probe3

V: 123 V V(p-p): 14.6 pV V(rms): 0 V V(dc): 123 V I: -571 mA I(p-p): 0 A I(rms): 0 A I(dc): -571 mA Freq.:

R1 10kΩ V1

10 V

R2

50kΩ Key=A 20 %

XMM1

R1 1kΩ

C1 1µF

XSC1

Tektronix

1 2 3 4 T G

P

XFG1

Trang 11

2.2.2 Mạch RL

Phân tích dùng chức năng Transient Analysis: Simulate/Analyses/ Transient Analysis

Chọn các biến ngõ ra cần mô phỏng

Chọn các thông số phân tích: Start time; Stop time

R1 1kΩ XFG1

L1 150H

Ngày đăng: 09/08/2016, 22:19

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w