Phân loại bán dẫn • “Doping” • Là quá trình đưa vào chất bán dẫn các chất khác cần thiết.. Ví dụ: Boron III • Cấu trúc tinh thể và sơ đồ mức năng lượng xem trang sau • Phần tử mạng đi
Trang 1MẠCH ĐIỆN TỬ
Chương 1
Diode bán dẫn
Trang 4• Gallium Arsenide (GaAs)
• Mạch siêu cao tần, phát quang và ứng dụng tần số cao
Trang 5Cấu trúc nguyên tử
Trang 6Cấu trúc tinh thể
Trang 7Các mức năng lượng
Trang 9Phân loại bán dẫn
• “Doping”
• Là quá trình đưa vào chất bán dẫn các chất khác cần thiết
• Bán dẫn loại p
• Chất đưa vào: chất nhận ( acceptor material ) Ví dụ: Boron (III)
• Cấu trúc tinh thể và sơ đồ mức năng lượng (xem trang sau)
• Phần tử mạng điện chủ yếu: Lỗ trống (positive): p-type material
• Bán dẫn loại n
• Chất đưa vào: chất cho (donor material) Ví dụ: Phosphorus (V)
• Cấu trúc tinh thể và sơ đồ mức năng lượng (xem trang sau)
• Phần tử mang điện chủ yếu: Electron (negative): n-type material
Trang 10Bán dẫn loại p
• Chất đưa vào: Chất nhận (acceptor material) Ví dụ: Boron (III)
• Cấu trúc tinh thể và sơ đồ mức năng lượng
• Phần tử mang điện chủ yếu: Lỗ trống (positive): p-type material
Trang 11Bán dẫn loại n
• Chất đưa vào: Chất cho (donor material) Ví dụ: Phosphorus (V)
• Cấu trúc tinh thể và sơ đồ mức năng lượng
• Phần tử mang điện chủ yếu: Electron(negative): n-type material
Trang 12• LED (light-emitting diode): tạo ánh sáng
• Tunnel diode: bộ tạo dao động điện trở âm
• Photo diode: cảm biến ánh sáng
Trang 13Diode bán dẫn thông thường
• Cấu trúc và ký hiệu
• Lớp tiếp xúc pn (pn junction)
Trang 14Phân cực của diode
Trang 15Quan hệ giữa dòng điện & điện áp
• Diode lý tưởng
• v i > 0: i D > 0 và v D = 0 (Diode ngắn mạch: short circuit)
• v i < 0: v D < 0 và i D = 0 (Diode hở mạch: open circuit)
Trang 16Quan hệ giữa dòng điện & điện áp
Ví dụ: Cho mạch như hình vẽ, tìm dòng qua diode
a Giả sử diode ON => V D =0 với I D >0
I D >0 (đúng với giả thiết)
b Giả sử diode OFF => I D =0 với V D <0
10=10 4 I D - V D
=>V D =-10V
I D =0 (đúng với giả thiết)
Trang 17Quan hệ giữa dòng điện & điện áp
Ví dụ: Cho Diode lý tưởng, tìm V?
Trang 18Đặc tuyến Volt Ampere (VA)
) 1
D D
mV v o mkT
qv o
Trang 19Diode thực tế và xấp xỉ
• V : điện áp ngưỡng
• R f : điện trở thuận của diode= điện trở động rd+điện trở tiếp xúc
Trang 20Đặc tuyến Volt Ampere (VA)
Ví dụ:
I 01 =10 -16 A, I 02 =10 -14 A
Tính I D1 , I D2 , V D1 , V D2 ?
Trang 21D
nV
e I
dv
D
) (
0
D D
T
D
T D
i
mV n
i
nV i
Trang 22Phương pháp phân tích mạch diode
• Đối với mạch tín hiệu lớn
Xem như diode lý tưởng
giải tích mạch
• Đối với mạch tín hiệu bé
Xem diode như một điện trở động
Trang 230 -2 0.7
1.4
t
V i 4
-4 0 1.4
Trang 24Chỉnh lưu
• Chỉnh lưu là quá trình chuyển đổi tín hiệu xoay
chiều (ac) thành tín hiệu một chiều (dc)
• Có 2 loại chỉnh lưu:
• Chỉnh lưu bán kỳ (Half-wave rectification)
• Chỉnh lưu toàn kỳ (Full-wave rectification)
• Lưu ý: Các ví dụ trong phần này sử dụng đặc tuyến diode lý tưởng
Trang 25Chỉnh lưu bán kỳ
• Chỉnh lưu bán sóng (Half-wave rectification)
• Định luật Kirchhoff về điện áp (KVL):
D
i D
R r
v
v i
L i
i D
R r
v i
L i
L
i D
L L
R r
R
v i
R v
Trang 26V dt
t
v T
V , 1 ( )
Trang 27Ri 1
9 D1
D2 D3
D4
Trang 28Mạch lọc
• Hoạt động:
• Tụ C được nạp nhanh đến giá trị V max của điện áp v 0 (t)
• Khi v 0 (t) giảm, tụ C phóng điện qua R L với quy luật:
• Quá trình tuần hoàn với tần số chỉnh lưu f p :
Trang 29V C
3 2
Trang 31Mạch nhân đôi điện áp
• Mạch nhân đôi điện áp một bán kỳ:
• Bán kỳ âm của v S : C 1 nạp điện qua D 1 đến điện áp V Smax
• Bán kỳ dương của v S : Điện áp chồng chập của C 1 và v S nạp điện cho C 2 qua D 2 đến điện áp 2V Smax
1 5
4 8
C1
C2 D1
D2
Trang 32Mạch nhân đôi điện áp
• Mạch nhân đôi điện áp hai bán kỳ:
• Bán kỳ dương của v S :
• C2 nạp điện qua D1 đến điện áp VSmax
• Tổng điện áp vS và VSmax trên C1 (được nạp từ bán kỳ trước) đặt lên tải RL
thông qua D1
• Bán kỳ âm của v S :
• C1 nạp điện qua D2 đến điện áp VSmax
• Tổng điện áp vS và VSmax trên C2 (được nạp từ bán kỳ trước) đặt lên tải RL
thông qua D2
C1 C2
Trang 35Mạch ghim đỉnh
Trang 39Diode Zener
• Diode Zener:
• Hoạt động chủ yếu trong vùng phân cực nghịch
• Ký hiệu và đặc tuyến VA
• Phân cực thuận: như Diode thông thường
• Phân cực nghịch: , v I Z max i Z I Z min Z = VZ = constant
V Z : Điện áp Zener
I Zmax : Dòng phân cực nghịch tối đa của Diode Zener
I Zmin : Dòng phân cực nghịch tối thiểu để v Z = V Z , thường
I Zmin = 0.1I Zmax
P Zmax = V Z I Zmax : Công suất tối
đa tiêu tán trên Diode Zener
Trang 40• Để I Zmax i Z I Zmin với mọi giá trị của v S và i L :
min(i Z ) I Zmin và max(i Z ) I Zmax
Z S
R
Z
S i
i i
V v
i
V
v R
max
min max
min
) max(
) min(
Z L
i
Z S
Z
Z L
i
Z S
Z
I I
R
V V
i
I I
R
V V
i
Trang 41Diode Zener
• Với yêu cầu về nguồn (v S ) và tải (i L ) cho trước
• Thường chọn I Zmin = 0.1 I Zmax
max min
max
min
Z L
Z
S i
Z L
Z S
I I
V
V R
I I
max min
max
min
Z L
Z S
Z L
Z S
I I
V V
I I
min min
max max
max
1 0 9
0
) (
) (
S Z
S
Z S
L Z
S L
Z
V V
V
V V
I V
V I
I I Z min 0 1 I Z max I L min I Z max 10 I L min
Trang 42Cần xét đến công suất tiêu tán cực đại trên R i và Diode Zener:
• Trên R i : P Rimax = (V Smax – V Z )2 / R i = 6.33 W
• Trên Diode Zener: P Diode = I zmax V Z = 5.33 W
v S : 10.2 14 V và i L : 20 200 mA
Không thiết kế được !!!
A V
V V
V V
I V
V I
I
S Z
S
Z S
L Z
S L
1 0 9
0
) (
) (
max min
min min
max max
I Z max L max 0 2 I Z max 10 I L min 1 A
A V
V V
V V
I V
V I
I
S Z
S
Z S
L Z
S L
1 0 9
0
) (
) (
max min
min min
max max
Trang 43V V
V V
I V
V
I I
S Z
S
Z S
L Z
S L
1 0 9
0
) (
) (
max min
min min
max max
Trang 44Diode Zener
• Đặc tuyến VA
Trang 45Bài tập
• Bài 1.3, 1.20, 1.23, 1.24, 1.40