Ảnh hưởng của nhiệt độ trênJFET Bởi: Trương Văn Tám Như ta đã thấy trong JFET, người ta dùng điện trường kết hợp với sự phân cực nghịch của nối P-N để làm thay đổi điện trở tức độ dẫn đi
Trang 1Ảnh hưởng của nhiệt độ trên
JFET
Bởi:
Trương Văn Tám
Như ta đã thấy trong JFET, người ta dùng điện trường kết hợp với sự phân cực nghịch của nối P-N để làm thay đổi điện trở (tức độ dẫn điện) của thông lộ của chất bán dẫn cũng như BJT, các thông số của JFET cũng rất nhạy đối với nhiệt độ, ta sẽ khảo sát qua hai tác động chính của nhiệt độ:
Khi nhiệt độ tăng, vùng hiếm giảm, do đó độ rộng của thông lộ tăng lên, do đó điện trở của thông lộ giảm (IDtăng)
Khi nhiệt độ tăng, độ linh động của các hạt tải điện giảm (IDgiảm)
Do thông lộ tăng rộng theo nhiệt độ nên VGS(off)cũng tăng theo nhiệt độ Thực nghiệm cho thấy∣V GS(off) ∣hay∣V P∣tăng theo nhiệt độ với hệ số 2,2mV/10C
Từ công thức:
Cho thấy tác dụng này làm cho dòng điện ID tăng lên Ngoài ra, do độ linh động của hạt tải điện giảm khi nhiệt độ tăng làm cho điện trở của thông lộ tăng lên nên dòng điện
IDSSgiảm khi nhiệt độ tăng, hiệu ứng này làm cho IDgiảm khi nhiệt độ tăng
Tổng hợp cả hai hiệu ứng này, người ta thấy nếu chọn trị số VGS thích hợp thì dòng thoát IDkhông đổi khi nhiệt độ thay đổi Người ta chứng minh được trị số của VGSđó là:
Trang 2Các hình vẽ sau đây mô tả ảnh hưởng của nhiệt độ trên các đặc tuyến ra, đặc tuyến truyền và đặc tuyến của dòng IDtheo nhiệt độ khi VGSlàm thông số
Ngoài ra, một tác dụng thứ ba của nhiệt độ lên JFET là làm phát sinh các hạt tải điện trong vùng hiếm giữa thông lộ-cổng và tạo ra một dòng điện rỉ cực cổng IGSS (gate leakage current) Dòng IGSSđược nhà sản xuất cho biết dòng rỉ IGSSchính là dòng điện phân cực nghịch nối P-N giữa cực cổng và cực nguồn Dòng điện này là dòng điện rỉ cổng-nguồn khi nối tắt cực nguồn với cực thoát Dòng IGSS tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng lên 100C