Phương pháp phổ truyền qua - Xác định được các thông số quang học của màng mỏng độ dày, chiết suất, hệ số hấp thụ, hệ số tắt… tiến hành xác định phổ truyền qua của màng.. Màng đa lớp Ti
Trang 1TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
Trang 5I GIỚI THIỆU MÀNG TiN
Một số tính chất của màng TiN :
• Màng TiN là vật liệu có màu của kim lọai
vàng, độ cứng cao (21 - 24 GPa)
• Chịu nhiệt cao (nhiệt nóng chảy là 29500C)
• Chống ăn mòn cao, oxy hóa chậm (bắt đầu oxy hóa ở 8000C) và có điện trở suất khá nhỏ (20 - 30µΩ.cm)
• Độ phản xạ cao trong vùng hồng ngoại, chiết suất thấp và hệ số tắt cao
Trang 6Cấu trúc tinh thể của TiN:
Có cấu trúc của muối
Trang 7II CÁC PHƯƠNG PHÁP XÁC ĐỊNH TÍNH
CHẤT CỦA MÀNG
1 Xác định thông số quang học
• 1.1 Phương pháp phổ truyền qua
- Xác định được các thông số quang học của
màng mỏng (độ dày, chiết suất, hệ số hấp thụ,
hệ số tắt…) tiến hành xác định phổ truyền qua của màng Từ các thông số của phổ truyền qua thu được và bằng pp tính toán ta sẽ xác định được các thông số quang học của màng
- Sử dụng máy quang phổ truyền qua Hewlett
Packard
Trang 8= Ψ
Trang 9Chiết suất n, hệ số tắt k của TiN thay đổi theo bước sóng.
Trang 102 Phương pháp xác định cấu trúc màng
• 2.1 Phương pháp nhiễu xạ tia X
0.9 (2 ) cos
Trang 112.2 Phương pháp Stylus
Trang 122.3 Phép đo hiệu ứng Hall
z x
E R
B j
.
x z Hall
x z
E B R
Trang 132.4 Phương pháp sử dụng phần mềm
khớp phổ Scout
• Mục đích: Xđ độ dày, chiết suất, độ rộng vùng cấm, điện trở suất, nồng độ hạt tải và độ linh động
• Nguyên tắc: - Khai báo các dữ liệu
- Xđ loại phổ cần khớp, vẽ phổ lý thuyết của nó dựa trên các thsố đã khai báo
- Chọn các thsố muốn khớp sao cho phổ lí thuyết trùng với phổ thực nghiệm nhất
- Thay đổi dần các thsố để kết quả khớp là tốt nhất Từ đó ta xđ được các thsố của màng
Trang 153.2 Phương pháp đo bốn mũi dò
Trang 16III ỨNG DỤNG
• TiN được ứng dụng trong những lĩnh vực sau:
• Màng phản xạ hồng ngoại trong hệ màng đa lớp
• Màng cứng phủ trên những dụng cụ cắt gọt, khoan, cưa, nghiền…
Trang 181.1 Giới thiệu
Màng gương nóng truyền qua:
• Màng có độ truyền qua cao ở vùng khả kiến (bước sóng: 380nm ≤ λ ≤ 760nm) và phản xạ cao ở vùng hồng ngoại ( λ ≥ 760nm)
• Mục đích: Tiết kiệm điện năng tiêu thụ từ lò sưởi (vùng khí hậu lạnh) và từ máy lạnh (vùng khí hậu nóng) là vấn đề đang được quan tâm nhiều hiện nay
Trang 19Ba hướng tạo màng gương nóng truyền qua:
• Màng dẫn điện như: Bạc, vàng và đồng (màng kim loại thường không bền về nhiệt, cơ và hóa học)
• Màng bán dẫn có độ phản xạ cao ở vùng hồng ngọai như: MgO, ZnO, NiO, SiO (Màng bán dẫn phản xạ cao ở vùng bước sóng λ> 2000nm)
• Màng đa lớp điện môi- kim loại -điện môi : SiO2/Al/SiO2, Al2O3/Mo/Al2O3, TiO2/Ag/TiO2,
Al2O3/Cu/Al2O3…
Trang 20Màng đa lớp TiO2/TiN/TiO2
• Màng đa lớp có khả năng khắc phục được
nhược điểm của màng bán dẫn pha tạp là có vùng bước sóng phản xạ rộng λ> 760 nm
nhưng bền hơn màng kim loại về cơ, nhiệt và hóa học
• TiO2 có chiết suất cao nên khử phản xạ tốt và
nó là màng có độ bền cơ học cao
• TiN có độ bền cơ học, hóa học lẫn nhiệt học rất cao
Trang 211.2 Thực nghiệm và kết quả
Phương pháp phún xạ phản ứng Magnetron DC
• Hệ chân không có áp suất tới hạn 10-4 torr
• Bia Titanium, độ tinh khiết 99.6%, kích thước bia 100x100x6(mm)
• Khí làm việc Argon (99.99%) và khí hoạt tính Nitơ (99.99%),tỉ lệ khí N2 so với Ar thay đổi từ 5% từ 15%
• Hệ Magnatron có kích thước 119x119x51(mm),
từ trường do nam châm vĩnh cửu Ferit (350 Gauss)
Trang 22Phún xạ phản ứng Magnetron DC:
Trang 23Lý do chọn pp Phún xạ
• Cần chế tạo màng TiN có chiết suất thấp, hệ số tắt
k lớn ↔ màng có điện trở suất thấp hay độ phản xạ cao ở vùng hồng ngọai Do đó, màng TiN phải có cấu trúc đặc, tức là mật độ khối lớn → cần phải tạo màng theo cơ chế nhiệt động học và động học.
• Giảm điện trở suất của màng chủ yếu áp dụng cơ chế động học → tăng cường mật độ ion năng lượng cao đến màng → sử dụng hệ magnetron gần cân bằng
• Chỉ sử dụng một loại bia nguyên liệu là TiN (Ngay
cả khi tạo màng đa lớp TiO2/TiN/TiO2)
Trang 24Hệ magnetron cân bằng Hệ magnetron không cân bằng
Từ trường
khép kín
Các e chịu tác dụng của từ trường ngang
e chủ yếu chuyển động gần bia
Br(hướng vô)
Từ trường không khép kín
Các e ít chịu tác dụng của từ trường ngang
e theo điện trường đến đế với v lớn
Đế bị nhiều e
va đập mạnh
Đế bị đốt nóng
Thích hợp tạo các màng yêu cầu T 0 cao
Điện trường
Trang 27Khảo sát ảnh hưởng của thế phún xạ theo tỉ lệ khí
Nitơ và Argon:
• Điện trở suất giảm theo thế phún xạ, là do sự truyền xung lượng giữa ion và nguyên tử Titan tăng, làm tăng độ linh động của nguyên tử hấp thụ Titan trên bề mặt, dẫn đến phản ứng giữa Titan và Nitơ tăng cho màng hợp thức tốt
• Kết quả cho thấy với tỉ lệ % của Nitơ và Ar là
10 thì thế phún xạ ngưỡng là 550 V, khi đó
màng có điện trở suất thấp nhất
Trang 28Phổ nhiễu xạ của các màng TiN được tạo theo thế phún
xạ khác nhau và các thông số: tỉ lệ N 2 /Ar là 10%; áp suất làm việc p=3mtorr:
Trang 29Khảo sát ảnh hưởng của thế phún xạ theo tỉ lệ khí
Nitơ và Argon:
• Khi tăng thế phún xạ đạt đến giá trị ngưỡng, cơ chế trung hòa Auger xảy ra có nghĩa là điện tử dẫn điện thứ nhất từ Ti chuyển qua trạng thái
cơ bản của ion N2 bằng hiệu ứng đường hầm,
trung hòa nó và đồng thời trao năng lượng thừa cho điện tử thứ hai trong vùng dẫn điện, kích
thích nó lên miền năng lượng liên tục
• Vậy, khi tăng thế phún xạ, Nguyên tử trung hòa
N2 giải phóng từ bề mặt bia Ti và được cấp
năng lượng cỡ thế áp vào bia
Trang 30Khảo sát sự ảnh hưởng của điện trở suất theo khoảng cách bia đế
Trang 31Phổ nhiễu xạ của màng TiN được tạo với các thông số: Up=550V ;
tỉ lệ N 2 /Ar là 10%; p=3mtorr, 200 0 C khoảng cách bia và đế thay được : h=3,5cm; h=4,5cm; h=5,5cm
Trang 32Khảo sát sự ảnh hưởng của điện trở suất theo nhiệt độ Sự ảnh hưởng của điện trở suất theo nhiệt độ
đế:
Trang 33Phổ nhiễu xạ của các TiN với các thông số: Up=550 V; tỉ lệ N 2 /Ar
là 10%; p = 3mtorr; khoảng cách bia đế là h=4,5 cm ; nhiệt độ thay đổi từ 200 0 C đến 400 0 C
Trang 34Khảo sát sự ảnh hưởng điện trở suất theo áp suất phún xạ:
Trang 35Phổ nhiễu xạ của các màng TiN được tạo theo áp suất phún xạ và các thông số: Up= 550 V; tỉ lệ N 2 /Ar là
10%,khỏang cách bia đế h =4,5cm; nhiệt độ 200 0 C
Trang 361.2.2.Tính chất quang
Chiết suất n và hệ số tắt k của màng mỏng TiN
Chiết suất n và hệ số tắt k của mẫu L1 theo bước sóng
Trang 37Chiết suất n và hệ số tắt k của màng mỏng TiN
Trang 38Phổ phản xạ của mẫu L1 theo bước sóng
Trang 39Phổ phản xạ của mẫu L4 theo bước sóng
Trang 401.3 KẾT LUẬN
• Màng TiN tạo được có cấu trúc tinh thể cao, tồn tại đủ các mặt mạng (111), (200) và (311)
• Màng có điện trở suất thấp ρ=35µΩ.cm ứng với các thông số tạo màng tối ưu: Thế phún xạ ngưỡng Up=550V, tỉ lệ N2/Ar = 10%, khoảng cách giữa bia đế h = 4,5cm, áp suất phún xạ tòan phần P = 3.10-3 torr, nhiệt độ đế 2000C
• Chiết suất và hệ số tắt của màng ở bước sóng 550nm là 1,14 và 2,13
Trang 41Theo lý thuyết Drude
2
2 p
Trang 430 < ωτ << 1 hay ω << γ
Vùng hấp thụ
o o
Trang 44Do RS << Z0
2 S 0
Trang 45Vùng phản xạ p
1
<< ω << ω τ
2 p ' ∞ 1 ω 0
" ∞ ω 1
ω τ
1/ 2 p
Trang 46Vùng truyền qua ω > ωp
2 p
Trang 472 Màng TiN trên dụng cụ cắt gọt
• 2.1 Giới thiệu
• 2.2 Thực nghiệm và kết quả.
• 2.3 Kết luận
Trang 482.1 Giới thiệu
• Nghiên cứu để tạo các loại màng phức hợp (composite) có độ cứng, độ chống mài mòn…cao để phủ lên các vật liệu khối có thể giòn, dễ gãy… nhưng rẻ tiền để tăng hiệu quả của sản phẩm
• TiN độ cứng cỡ 2300 HV (so với Kim cương 10.000 HV) →phủ màng TiN lên vật liệu bằng thép thường, thép vận tốc cao (HSS) và tungsten carbide (WC) bằng phương pháp phún xạ mạ ion (SIP-Sputter Ion Plating)
Trang 50Phương pháp phún xạ mạ ion
(SIP-Sputter Ion Plating)
• Cơ chế tương tự phún xạ Magnetron phẳng Tuy nhiên
nó còn kết hợp thêm một thế hiệu dịch âm đặt lên đế
phủ màng.
• Tác dụng:
- Thế âm áp vào để thay đổi dòng và năng lượng của hạt phún xạ (thế âm cỡ -5→-300V) làm giảm sự bắn phá đế bởi ion →tăng mật độ màng,màng phẳng hơn, tăng độ bám dính
- Thế âm áp lên đế đủ để giải hấp những loại khí hấp phụ trên đế, đồng thời làm tăng năng lượng bề mặt đế, giúp tăng cường khuyếch tán bề mặt của các nguyên tử bia.
Trang 51N N
Trang 52độ đế rất thấp so với phương pháp CVD phải kích hoạt phản ứng bằng nhiệt độ
Trang 53Các thông số tối ưu cho quá trình tạo màng:
• Dòng phóng điện Ia: 0,8 → 1,2A
• Áp suất khí còn lại: 10-5 torr
• Áp suất khí làm việc: 10-3 → 5.10-3torr
• Khoảng giữa bia và đế h: 3 → 5cm
• Thời gian phủ màng: 60 phút
• Thế dịch của đế Vd: -100V
• Thế của bia: -480 → -540V
• Tỷ lệ hỗn hợp khí Nitơ và Argon ban đầu: 1/8
• Vật liệu đế: Thép thường, WC (tungsten
carbide), HSS (high speed steel)
Trang 54Yêu cầu màng TiN:
Ứng suất nén là âm, ứng suất căng là dương
• Ứng suất cần thiết cho màng mỏng phủ lên dụng cụ cắt gọt là ứng suất nén
Trang 55Yêu cầu màng TiN:
2 Độ cứng
Độ cứng là thước đo sức bền của vật liệu khi
bị va chạm hay bị trầy xước
Độ cứng bản chất của màng TiN phụ thuộc
vào áp suất riêng phần của Nitơ trong quá trình tạo màng, vì trong các hợp thức được tạo ra
giữa nitơ và titan thì TiN là hợp thức có độ
cứng cao nhất
Trang 56Độ cứng màng thay đổi theo nhiệt độ:
Trang 57Yêu cầu màng TiN:
3 Độ bám dính
Là đại lượng đặc trưng cho khả năng liên kết
giữa các hạt vật chất màng và đế Để được độ bám dính cao cần thõa mãn hai yếu tố:
Trang 59CẢM ƠN THẦY VÀ
CÁC BẠN !!