Bài giảng: Linh kiện điện tử - chương 3 docx

Trasistor đơn nối UJT• Cấu tạo, ký hiệu, sơ đồ tương đương • UJT có một lớp tiếp giáp p-n và 3 điện cực: hai cực bazơ B1 và B2 và một cực phát E Sơ đồ t ơng đ ơng của UJT... Ta cú một vự

LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

(chương 3 – phần cuối)

TRƯỜNG ĐH GIAO THÔNG VẬN TẢI

Khoa Điện – Điện tử

Bộ môn Kỹ thuật điện tử

Bài giảng

Nội dung:

Chương 1: Cơ sở vật lý của vật liệu điện tử

Chương 2: Linh kiện thụ động

Chương 3: Linh kiện bán dẫn

Chương 4: Vi mạch tích hợp

Chương 5: Linh kiện quang điện tử

8/2010

Chương 3: Linh kiện bán dẫn

Diac, Triac )

Trasistor đơn nối (UJT)

• Cấu tạo, ký hiệu, sơ đồ tương đương

• UJT có một lớp tiếp giáp p-n và 3 điện cực: hai cực bazơ (B1 và B2) và một cực phát (E)

Sơ đồ t ơng đ ơng của UJT.

Hoạt động của UJT (1)

B B

B

R R

R

2 1





Hoạt động của UJT (2)

• Nếu V EE < (.V BB + V D ) ( V D = 0.5V0.7V) thì diode D sẽ phân V) thì diode D sẽ phân cực ng ợc, chỉ có dòng ng ợc I E chảy qua Lúc này UJT ch a làm việc (khoá), qua UJT chỉ có dòng rò rất nhỏ.

• Nếu V EE > (V BB + V D )  diode D phân cực thuận có dòng I E do

lỗ trống chảy từ E sang B 1 và điện tử chảy từ B 1 sang E

• Điện trở rB1 phụ thuộc vào dòng I E Khi I E tăng r B1 giảm đáng kể,

ví dụ nếu dòng I E tăng từ 0 đến 50A thì r B1 có thể giảm từ 5K xuống còn 50.

• Kết quả là lỳc đú dũng I E tăng và điện thế U E giảm Ta cú một vựng điện trở õm của đặc tuyến Von-Ampe.

• Khi dòng I E bão hoà (I E = I V ), điện áp U E đạt giá trị nhỏ nhất V v

đ ợc gọi là điện áp trũng Sau đó muốn tăng IE phải tăng U E vì số

l ợng điện tử và lỗ trống đã đạt đến tình trạng di chuyển bão hoà,

đặc tuyến chuyển sang vùng điện trở d ơng.

Đặc tuyến V-A của UJT

Đ ờng cong đặc tuyến của UJT có 3

Ip 0

Điểm đỉnh Vựng điện trở õm

Điểm trũng Vựng bóo hoà Vựng ngắt

UJT-Các điểm đặc tr ng

• VP : điện áp đỉnh là điện áp tối đa đặt cực E để UJT làm việc trong vùng điện trở âm và bằng:

VP = VBB + VD

• Vv : điện áp điểm trũng, là điện áp tối thiểu đặt cực E

để UJT làm việc trong vùng điện trở âm

• Iv : dòng điện điểm trũng là dòng tối đa của cực phát

E để UJT hoạt động trong vùng điện trở âm

• Ip: dòng điện đỉnh là dòng tối thiểu của cực phát E để UJT hoạt động trong vùng điện trở âm

Một số tham số đặc tr ng của UJT

• Công suất tiêu tán PD Emitơ IE max 300mW

• Dòng trung bình cực đại 50mA

• Dòng xung cực đại Emitơ 2A

• Điện áp ng ợc cực đại trên Emitơ 30V

• Điện áp cực đại giữa B1, B2 35V

• Dải nhiệt độ làm việc -65 đến +1250 c

• Dải nhiệt độ cất giữ -65 đến +1500 c

• Hệ số  (EBB = 10V) 0,56 đến 0,7V) thì diode D sẽ phân 5

• Điện trở Bazơ RBB 4,7V) thì diode D sẽ phân K đến 9,1K

• Điện trở bão hoà Emitơ UEb.h 2V

• Dòng ng ợc Emitơ IE0 (EBB = 3V, EEB1 = 0) 0,05A đến 12A

• Dòng đỉnh Emitơ Ip (EBB = 25V) 0,04A đến 5A

• Dòng đáy IV (EBB = 20V) 4mA đến 6mA.

9

Ứng dụng UJT

• UJT th ờng dùng trong các mạch tạo dao động nhờ

đoạn đặc tuyến điện trở âm

• Mạch tạo xung răng c a dùng UJT

V E

T 1 T 2

SCR (Thysistor - Silicon

Controlled Rectifier)

• SCR (diode chØnh l u cã ®iÒu khiÓn) dïng th«ng dông nhÊt trong c¸c bé ®iÒu khiÓn c«ng suÊt ®iÖn

SCR-CÊu t¹o vµ ký hiÖu

SCR-Nguyờn tắc hoạt động

• Khi UAK> 0 thì 2 chuyển tiếp T1 và T2 đ ợc phân cực thuận còn chuyển tiếp T2 ở giữa phân cực ng ợc nên không qua dòng qua SCR

• Khi điện áp UAK đạt giá trị ng ỡng thủng (thời điểm

đánh thủng chuyển tiếp T2) thì SCR sẽ chuyển sang trạng thái dẫn Đ a dòng vào cực G sẽ điều khiển mức

SCR-Đặc tuyến V-A

Dßng duy tr× I H

Dòng ngược IR

Điện áp ngưỡng thủng V Bo

Vùng dẫn (ON)

Điện áp đánh

thủng VBR

IG2>IG1>IG0

định thời điểm dẫn của SCR Khi SCR dẫn mới có điện áp ra trên tải.

U tải

U tải

SCR ngắt SCR dẫn

DIAC- cấu tạo, ký hiệu

• Diac lµ mét linh kiÖn 3

líp víi 2 tiÕp gi¸p b¸n

DIAC-Đặc tuyến V-A

chiều nhất định đạt đến giá trị VBo

thì diac sẽ dẫn điện

lại đến trị số –VBo thì DIAC cũng

dẫn điện và DIAC thể hiện một điện

trở âm (điện thế 2 đầu DIAC giảm khi

dòng điện qua Diac tăng)

ỡng thủng của diac, có giá trị nh nhau

ở hai h ớng Th ờng diac đ ợc dùng để

mở các thysistor lớn hơn nh SCR và

Triac.

TRIAC-đặc tuyến V-A