Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 3 doc

regions further widen near the drain end, eventually pinching off the channel... Đặc tuyến và công thức dòng thoát I D1.Đặc tuyến ngõ ra ID = fVDS tạiVGS=h,s.. Có 3 vùng : Vùng điện trở

regions further widen near the drain end, eventually pinching off the channel This corresponds to the

Pinched-off channel

Gate

n Channel

p

p

b.Khi cho V DS = h.s và V GS <0

• Khi V GS <0 ( V GS1 = -1V): Nối pn phân

cực nghịch, vùng hiếm lớn hơn khi V GS = 0V dòng thoát I D có trị nhõ hơn và trị

số điện thế nghẽn V p1 cũng nhỏ hơn V po

• Khi cho V GS càng âm ( V GS2 =-2V),vùng

hiếm càng tăng ,kênh càng hẹp hơn ,

dòng I D càng nhõ hơn nữa và V p2 < V p1

• Khi V GS âm đủ lớn( thí dụ V GS = - 5V) ,

vùng hiếm quá lớn làm kênh bị tắt, dòng

I D =0, và điện thế phân cực cổng - nguồn

D S

VDS

VGS = ­5 V

p+

n

SCL

F ro m P rin c ip le s o f E le c tro n ic M a te ria ls a n d D e v ic e s , S e c o n d E d itio n , S O K a sa p (© M c G ra w -H ill, 2 0 0 2 )

h t tp : // M a te ria ls U s a s k C a

F ig 6 3 2 : W h e n V G S = ­5 V th e d e p le tio n la y e r s c lo se th e

w h o le c h a n n e l fr o m th e s ta r t, a t V D S = 0 A s V D S is in c r e a s e d

th e r e is a v e r y s m a ll d r a in c u rr e n t w h ic h is th e s m a ll r e v e r s e

le a k a g e c u r r e n t d u e to th e r m a l g e n e r a tio n o f c a r r ie r s in th e

d e p le tio n la y e r s

II Đặc tuyến và công thức dòng thoát I D

1.Đặc tuyến ngõ ra ID = f(VDS) tạiVGS=h,s.

Có 3 vùng :

Vùng điện trở Vùng bão hoà

Vùng ngưng

Figure 9.41 JFET

characteristic curves

0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0

Drain-source voltage, V

6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 0

800 u

2 m

2 m

3 m

– 0.5 V

– 1.0 V

– 1.5 V

– 2.0 V – 2.5 V

V GS = – 3 V