Mạch khuếch đại âm thanh Mạch khuếch đại âm thanh Mạch khuếch đại âm thanh Mạch khuếch đại âm thanh Mạch khuếch đại âm thanh Mạch khuếch đại âm thanh Mạch khuếch đại âm thanh Mạch khuếch đại âm thanh Mạch khuếch đại âm thanh
Trang 1TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI VIỆN ĐIỆN TỬ - VIỄN THÔNG
BÁO CÁO BÀI TẬP LỚN MÔN ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ I
MẠCH KHUẾCH ĐẠI ÂM THANH
Giáo viên hướng dẫn : TS
Nhóm sinh viên thực hiện:
Hà Nôi, 12/2020 MỤC LỤC
Phần I: Tính toán lý thuyết mạch được yêu cầu thiết kế 3
1.1 Phân tích yêu cầu 3
1.2 Thiết kế sơ đồ khối 3
Phần II: Thực hiện yêu cầu 4
Trang 22.1 Mô hình mạch khuếch đại 4
2.2 Khối 1 5
2.3 Khối 2 7
2.4 Khối 3 9
2.5 Thông số toàn mạch 10
Phần III: Lắp đặt và hàn mạch 11
3.1 Mạch mô phỏng trên Proteus 11
3.2 Các thông số hiển thị trên oscilloscope 11
3.3 Mạch thực tế 12
Phần IV: Các thống số trên mạch đã lắp đặt 13
Phần V: So sánh và nhận xét các thông số đo trên mạch 14
5.1 So sánh 14
5.2 Nhận xét 14
Tài liệu tham khảo 15
Trang 3Tín hi u vào ệ Khốối khuếốch đ i tn hi u nh ạ Khốối tiếền cống suấốt ệ ỏ Khốối khuếốch đ i cống suấốt ạ Tín hi u ra ệ
Phần I: Tính toán lý thuyết mạch được yêu cầu thiết kế
1.1 Phân tích yêu cầu
- Yêu cầu đề bài:
Công suất 1W
Điện áp tín hiệu vào tối đa 50mV - 100mV
Sử dụng BJT
Tải ra: Loa 8 ohm
Khuếch đại tín hiệu âm thanh
Nhiệt độ làm việc ổn định từ 25 C – 50 Co o
Hạn chế tối đa sự ảnh hưởng của méo, nhiễu tín hiệu
Đơn giản,gọn nhẹ và dễ sử dụng
Đảm bảo chất lượng tốt
1.2 Thiết kế sơ đồ khối
Hình 1.1: sơ đồ khối của mạch
Trang 4Phần II: Thực hiện yêu cầu 2.1 Mô hình mạch khuếch đại
Để thực hiện mạch khuếch đại, nhóm sử dụng mô hình mạch ghép EC,
CC kết hợp khuếch đại công suất (class AB)
Mạch trên gồm 3 khối:
Khối1: Sử dụng transistor 2N2222 mắc EC, phân cực Emitter-follower Khối 2: Sử dụng 2 transistor 2N2222 và Tip41 mắc CC, Sử dụng khối Darlington để nhằm làm giảm trở kháng trước khi đến với khối khuếch đại công suất
Khối 3: Sử dụng transitor TIP41 và TIP42 đẩy kéo, khuếch đại công suất
Dựa vào yêu cầu của đề bài, ta tính toán được các thông số như sau:
Ta có loa có công suất cực đại Pmax=1W
Tải loa RL=8
VL = V
Xét tín hiệu vào từ jack tai nghe là 50mV - 100mV chọn 60mV
AV =V /V L in
Trang 52.2 Khối 1
Hình 2.2.1: Khối khuếch đại tín hiệu nhỏ.
* Chế độ DC:
Chọn transitor khuếch đại tín hiệu nhỏ 2N2222A do giá thành rẻ, phổ biến, đáp ứng được thông số yêu cầu
Chọn điểm làm việc tĩnh Q(UCE;ICQ) = (6; 2.10 ), ở điểm làm việc này hệ số β của -3 transitor vào khoảng 200
Do đó ta tính được:
(R +R ).I2 3 C + U = VCE CC
⇔ (R2+R3) 2.10 + 6= 12-3
⇔ R2+R3 = 3000
Trang 6Chọn R2 =2970, R3 = 30 Av=-Rc/re+Re=50??
IB=ICQ/ β= 1.10-5 (A)
⇔ VCC=I R +I RB 1 E 3+0.7= I ( RB 1+β.R3)+ 0.7
⇔ R = 863k1
Có: re=0.026/I =13ΩE
* Chế độ AC:
Mạch tương đương AC
Hình 2.2.2: sơ đồ tương đương xoay chiều EC
Zin1 = R1//[βre + (β + 1)R )] = 8544// tính sau clm3
Zout1 = R = 2970C
Av = V / V ≈ -Rout in C/(re + R ) 69 lần3
│Ai│ = β = 200 (lần)
Trang 72.3 Khối 2
Hình 2.3.1 Khối tiền khuếch đại công suất.
* Chế độ DC
Chọn điểm làm việc tĩnh của trans NPN 2N2222 là Q1(6V; 2mA) và của transistor PNP TIP41 là Q2(6V; 80mA)
re1 = 26mV/I = 13(Ω)E1
re2 = 26mV/I = 0.325(Ω)E2
Hệ số β của 2 transistor mắc Darlington là β = βD 1.β2 =200*40=8000
IE2= 80m(A) nên I I / β 2 mA.B2= E2 2 =
Có : I = I = 2 (mA) nên IE1 B2 B1=IE1 / β = 10 (1 -5 A)
Trang 8R5 = (VCC-UCE(Q2))/IC(Q2) =(12-6)/80mA= 75 Ω
Theo công thức, ta có : I =(Vcc-Ube1-Ube2)/( R + β * R ) nên R = 460 kΩ B1 4 D 5 4
(mua con 500k)
Chọn : R = 75 Ω, R =460 kΩ.5 4
* Chế độ AC
Mạch tương đương AC
Hình 2.3.2 Sơ đồ tương đương xoay chiều Darlington
Zin2 = RB//βD.RE = 260,377 (kΩ)
Zout2 = re1/β2 + r = 0,65(Ω)e2
Ai = β RD B/(RB+ β R )= 3471(lần) D E
Av ~ 1 (lần)
Trang 92.4 Khối 3
Hình 2.4 Khuếch đại công suất
* Chế độ DC
Chọn transitor TIP41, TIP42 do chịu được công suất lớn
Chọn C5 lớn dùng làm nguồn nuôi cho khối công suất ở chu kì âm → Chọn C5 = 1000μF
UCE = V / 2 = 6Vcc
Đặt R = R = R , ta có : V = 2R * I + 2 * V 6 7 cc BQ D
Vì là class AB nên : QClass A < Q < QClass B nên chọn I = 40% * ICQ C(sat)
với Ic(sat) = = 12/ 2*8
Trang 10 ICQ = 0.3 A => I = 7.5*10^-3 ABQ
re = 26mV/I = 0.087(Ω)CQ
R =
R ≈ 706.6 (Ω)
* Chế độ AC
Zin3 = 2*R|| β r = 17.1 (Ω)e
Zout3 = R // r = 0.086(Ω) E e
Av ~ 1 (lần)
2.5 Thông số toàn mạch
Avs = * Av1(NL) * * Av2(NL) * * Av3(NL) *
Avs = 65 (lần)
Po = U /R = [60mV*65/hd2 L √(2)]2/8 = 0.95W
Rin = Z = 8544 Ωin1
Rout = Z = 0.086 Ω.out3
Tụ C1 = 10uF: f1 = = 1.86 Hz
Tụ C2 = 10uF : f2 = = 0.06 Hz
Tụ C3 = C4 =100uF : f3 = = 89.66 Hz
Tụ C5 = 1000uF: f4 = = 19.68 Hz
Như vậy tần số cắt dưới là 89.66 Hz
Trang 11Phần III: Lắp đặt và hàn mạch 3.1 Mạch mô phỏng trên Proteus
Hình 3.1: Mạch mô phỏng proteus
3.2 Các thông số hiển thị trên oscilloscope
Hình 3.2: Hiển thị oscilloscope
Trang 123.3 Mạch thực tế
Hình 3.3: Mạch thực tế
Trang 13Phần IV: Các thống số trên mạch đã lắp đặt
Bảng 1: Bảng so sánh các giá trị lí thuyết, mô phỏng, thực tế của các thông số
Lý thuyết Mô phỏng Thực tế
Bảng 2 : Bảng giá trị thực tế của Uce đối với transistor Q1,Q2,Q3 đo được Transistor
Q1
2N2222
Transistor Q2
2N2222
Transistor Q3
TIP41C
Transistor Q4
TIP41C
Transistor Q5
TIP42C
Uce=1.88V Uce=3.2V Uce=3.2V Ic=4.68mA Ic=4.68mA
Trang 14Phần V: So sánh và nhận xét các thông số đo trên mạch 5.1 So sánh
- Nguồn nuôi: Theo lý thuyết và mô phỏng như nhau còn trên thực tế có chênh lệch
- Vin: Theo lý thuyết và mô phỏng như nhau còn trên thực tế chênh lêch
- Vout : Kết quả đo được trên thực tế khác xa so với mô phỏng và lý thuyết
5.2 Nhận xét
- Kết quả đo thực tế trên mạch đã không được như tính toán theo lý thuyết tuy rằng
ra thực tế mạch vẫn chạy tốt
- Một số nguyên nhân mà chúng em nghĩ gây ra sự khác biệt trên đó là:
+ Thông số kĩ thuật của linh kiện lắp đặt có sự sai số
+ Trong quá trình mua linh kiện lắp đặt có một số linh kiện không có thông
số như yêu cầu tính toán nên chúng em đã thay bằng nhưng linh kiện khác
có chức năng tương đương khác và có giá trị xấp xỉ nó.( VD TIP41C, TIP42C )
+ Do quá trình hàn, làm mạch thủ công
+ Do tín hiệu xoay chiều vào biên độ không ổn định nên không thể đo được chính xác biên độ ra tương ứng với biên độ vào tại cùng một thời điểm, nên khó để xác định được khuếch đại thực tế
Trang 15Tài liệu tham khảo
Electronic Devices and Circuit theory – Robert Boylestad Louis Nashelsky https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/15068/PHILIPS/2N2222A.html https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/830759/DIOTEC/1N4148.html https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/448508/CENTRAL/TIP41.html https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/433443/MCC/TIP42.html
HẾT