PHẦN I: TỔNG QUANĐịnh nghĩa: Cảm biến gia tốc là một thiết bị tiếp nhận tín hiệu đầu vào là gia tốc và chuyển đổi thành tín hiệu điện để đo lường.. Phân loại: • Cảm biến gia tốc kiểu tụ
Trang 1THIẾT KẾ CẢM BIẾN GIA TỐC ÁP TRỞ
3 BẬC TỰ DO
Nhóm 1- KT.CĐT-02
Giảng Viên Hướng Dẫn PGS Phạm Hồng Phúc
Thuyết Trình Nguyễn Phương Linh(*)
BỘ MÔN CƠ SỞ THIẾT KẾ MÁY VÀ ROBOT
MÔN HỌC THIẾT KẾ HỆ THỐNG VI CƠ ĐIỆN TỬ
Trang 3NỘI DUNG ĐỀ TÀI
Trang 4PHẦN I: TỔNG QUAN
1 MEMS là gì?
Trang 5PHẦN I: TỔNG QUAN
Định nghĩa: Cảm biến gia tốc là một thiết bị tiếp nhận tín hiệu
đầu vào là gia tốc và chuyển đổi thành tín hiệu điện để đo lường.
Phân loại:
• Cảm biến gia tốc kiểu tụ điện
• Cảm biến gia tốc kiểu áp điện
• Cảm biến gia tốc kiểu áp điện trở
Trang 7PHẦN I: TỔNG QUAN
3 Một số bài báo tham khảo
‘’ Simulation, fabrication and characterization
of a three-axis piezoresistive accelerometer ’’
Ranjith Amarasinghe, Dzung Viet Dao, Toshiyuki Toriyama and Susumu
Sugiyama
Bài báo này nghiên cứu về cảm biến gia tốc áp
trở 3 bậc siêu nhỏ được chế tạo bởi công nghệ
gia công vi cơ khối.
• Cấu trúc đơn giản
• Dễ chế tạo
• Kích thước chip lớn
• Khoảng đo trong khoảng ±10𝑔
Trang 8PHẦN I: TỔNG QUAN
3 Một số bài báo tham khảo
‘’A Mathematical Model of a Piezo-Resistive
EightBeam Three-Axis Accelerometer with
Simulation and Experimental Validation.’’
Jinlong Song, Changde He, Renxin Wang, Chenyang Xue and
Wendong Zhang
Bài báo nghiên cứu về mô hình toán học toàn
diện của cảm biến gia tốc áp trở 3 bậc với cấu
tạo gồm 8 dầm ngang, 1 khối gia trọng và 1
khung đỡ.
• Cấu trúc đơn giản
• Dễ chế tạo
• Độ nhạy cao
• Kích thước khá lớn so với thiết bị hiện nay
Trang 9PHẦN I: TỔNG QUAN
3 Một số bài báo tham khảo
“Fabrication and Characteristics of a
Three-Axis Accelerometer with Double
L-Shaped Beams ”
Ying Wang, Xiaofeng Zhao and Dianzhong Wen
Phân tích cấu tạo và đặc tính của cảm
biến gia tốc 3 trục với cấu tạo dầm chữ L.
Trang 10PHẦN II: THIẾT KẾ
Cấu trúc Kích thước
(DàixRộngxCao) µm Quả nặng 620x620x630
Dầm L1=480, L2=840,
w=80, h=10 Kích thước tổng thể 2000x2000x700
Dầm nhạy cơ
Khung đỡ Quả nặng
Trang 11PHẦN II: THIẾT KẾ
• Kích thước chi tiết
Trang 12PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
Trang 13PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
2 Ứng suất và chuyển vị
• Ứng suất lớn nhất theo phương Z
Gia tốc (g) Ứng suất (MPa)
Trang 14PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
Trang 15PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
2 Ứng suất và chuyển vị
• Mô phỏng ứng suất và chuyển vị theo phương Z
Trang 16PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
2 Ứng suất và chuyển vị
• Ứng suất lớn nhất theo phương X
Gia tốc (g) Ứng suất (MPa)
Trang 17PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
Trang 18PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
2 Ứng suất và chuyển vị
• Mô phỏng ứng suất và chuyển vị theo phương X
Trang 19PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
3 Tính toán điện áp
• Tenxo áp điện trở đối với
silic đơn tinh thể:
• Công thức liên hệ độ biến thiên điện trở và ứng suất:
3
π =6,6.10 MPa KTADT 20x1.5x0.4 m
Trang 20PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
3 Tính toán điện áp
• Công thức điện áp đầu ra:
11 xx inout ΔR in =π σ V
Trang 21PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
3 Tính toán điện áp
• Mạch cầu Wheatstone:
Trang 22PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
4 Điện áp theo gia tốc
Vị trí lắp đặt các áp điện trở để đo gia tốc theo 3 phương
R1Z
R3Z
R3Y R3X
R4Z
R1Y R1X
R2Z
R2X
R2Y
Trang 23PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
4 Điện áp theo gia tốc
• Điện áp đầu ra theo phương Z
Đồ thị điện áp đầu ra Vout - gia tốc theo phương Z
Trang 24PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
4 Điện áp theo gia tốc
• Điện áp đầu ra theo phương X
Đồ thị điện áp đầu ra Vout - gia tốc theo phương X
Trang 25PHẦN III: MÔ PHỎNG – TÍNH TOÁN
5 Độ nhạy
• Là khoảng gia tốc nhỏ nhất cảm biến có thể đo được
(dải đo nhóm thực hiện từ 1-10g, Điệp áp vào V in = 3(V) )
outin
V 6,35 mV
0,211( )
V g 3.10 V.g
= =
Trang 26PHẦN IV: QUY TRÌNH CHẾ TẠO
Chuẩn bị tấm wafer
Oxi hóa nhiệt
Quang khắc tạo lỗ hổng
để khuếch tán Khuếch tán Boron Hình thành dây dẫn nhôm
Quang khắc tạo khuôn cho ăn mòn DRIE
Ăn mòn hoạt hóa sâu DRIE ở mặt trên
Quang khắc tạo khuôn cho ăn mòn DRIE
Ăn mòn hoạt hóa sâu DRIE ở mặt dưới Hủy bỏ lớp SiO2 bằng ăn mòn ướt BHF
Ăn mòn thủy tinh Pyrex Anodic bonding – tạo liên kết giữa các tấm Wafer silic và thủy tinh Pyrex
Trang 27PHẦN V: KẾT LUẬN
• Nhóm đã nghiên cứu, phân tích và tính toán đưa ra các kích
thước của mô hình cảm biến gia tốc phù hợp với ý tưởng
đề xuất
• Cải tiến được độ nhạy và giảm kích thước của mô hình so
với bài báo đã tham khảo.
• Cấu trúc mô hình cảm biến khá đơn giản, độ ổn định khi làm
việc và cho tín hiệu rõ ràng do tính đối xứng cao
• Hướng phát triển: nghiên cứu đưa ra mô hình tối ưu cho
cảm biến với độ nhạy cao.