đê 2 cau kien dien tu

... khoảng 5x1022 cm-3, so sánh với kết quả ở trên, suy ra rằng: ở nhiệt độ phòng, trong số xấp xỉ 1013nguyên tử Si, thì chỉ có một mối liên kết bị bẻ gãy. Chương 2 Vật liệu bán dẫn Trang 12 Một loại ... sau:  EG là mức năng lượng độ rộng vùng cấm, (eV);  k là hằng số Boltzmann, 8,62x10−5, (eV/ K);  T là nhiệt độ tuyệt đối, (K);  B là thông số tùy thuộc vật liệu, (K−3 x cm−6);  Ví dụ, đối ... dưới dạng các photon; năng lượng nhiệt từ môi trường xung quanh. Chương 2 Vật liệu bán dẫn Trang 9 Ở nhiệt độ gần độ 0 tuyệt đối, toàn bộcác điện tử định vị trong các mối liên kết đồng hóa trị

Ngày tải lên: 14/02/2023, 20:11

... trạng kên dị trêu ode tun sh Se a pha 1 ae 4 4 oll jdrode 'm deg ue dan den aN điều 1p= tÍ mà F 1 ms nay 4° fg vàng Zener ( vung dock thục kê dong To HÀ nh Ve điển) Mùi, tớ tuc tan He ng Tả n ... Ộ & chà phu: dưa, Tu, vane tos quá trc ven 0p me mn hee Lai diode (Uo,) Up = i 0, ` V (Ge) cha đức - | Điển op don thang, Ute thorg sẽ aes chink fax tung bynk 4 por auc ... aes chink fax tung bynk 4 por auc das Tomax - Gay sud tren tan we dar i.- = Vp to Trang 2 “Pade tra diode: | Uo Dio nghệ bóc Aco - Điển ap mỡ dvode Điển trở một hit pel

Ngày tải lên: 26/07/2017, 16:19

... Nguyễn Tuấn Anh MSSV : 20160193-KTĐT-TT.02-K61 Phùng Gia Hiến MSSV : 20161496-KTĐT-TT.02-K61 Đinh Quang Minh MSSV : 20162699-KTĐT-TT.02-K61 Trang 2MỤC LỤCLỜI MỞ ĐẦU 1 1 Lý do chọn đề tài 2 2 ... trên oxilo 9 Trang 128.Bản PCBMạch in: Mạch in dạng 3D: 10 Trang 139.Các linh kiện Tên linh kiện Số lượng Giá thành Trở 2.2 ôm ¼ w 1 gói(50con) 2.000đ Trở 220 ôm ¼ w 1 gói(50con) 2.000đ Tụ gốm 473(47nF) ... nhất. - Điều chỉnh âm lượng bằng cách xoay biến trở 2 Trang 53 Thông số kỹ thuật - IC chính : TDA 2003 -Các chỉ số tối đa của IC: - Nguồn : 12V – 5A - Kích thước : 4 cm x 4 cm - Công suất khuếch

Ngày tải lên: 12/02/2022, 15:44

... viên thực hiện: Vi Thị Lưu 20172674- ĐTVT.03-K62 Phạm Công Nhật 20172732- ĐTVT.03-K62 Lớp học: 109158 Giảng viên hướng dẫn: HOÀNG QUANG HUY Hà Nội, 5-2019 Trang 2LỜI NÓI ĐẦUTrong cuộc sống ... Tụ hóa 6 2.5 Transistor 7 2.6 Điện trở 8 2.7 Quang trở 9 2.8 DIODE-LED 10 3.SƠ ĐỒ KHỐI & CHI TIẾT TỪNG KHỐI 11 3.1 SƠ ĐỒ KHỐI 11 3.2 CHI TIẾT TỪNG KHỐI 12 3.2.1 Khối nguồn 12 3.2.3 Khối điều ... ĐẦU 2 1.ĐẶT VẤN ĐỀN 4 1.1 Lý do chọn sản phẩm: 4 1.2.Ứng dụng: 4 1.3.Sản phẩm đã được ứng dụng trên thị trường: 4 2.NHỮNG LINH KIỆN SỬ DỤNG 5 2.1 Biến áp 5 2.2 Diode chỉnh lưu 5 2.3 IC7805 6 2.4

Ngày tải lên: 12/02/2022, 16:11

... Mỹ - 23CE045 Lê Bảo Hoàng – Phùng Đức Dương Giảng viên : Dương Hữu Ái Đà Nẵng, 9 tháng 12 năm 2023 Trang 2NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN Đà Nẵng, tháng 03 năm 2023 ... tài……… 1.2 Nội dung và kế hoạch thực hiện……… 1.3 Bố cục báo cáo………. CHƯƠNG 2 : LINH KIỆN VÀ TIẾN HÀNH LẮP MẠCH 2.1 Các linh kiện để thiết kế mạch……… 2.1.1 Điện Trở……… 3 2.1.2 Tụ Điện……….3 2.1.3 ... 2.1.4 Các linh kiện khác 2.2 Sơ đồ mạch 2.3 Nguyên lí hoạt động CHƯƠNG 3 : ỨNG DỤNG 3.1 Ứng dụng 3.2 Ưu điểm và nhược điểm CHƯƠNG 4 : KẾT LUẬN VÀ HƯỚNG PHÁT TRIỂN 4.1 Nhận định về mạch 4.2

Ngày tải lên: 03/12/2024, 22:20

... Transistor)JFETHình 30.1 Sơ đồ mạch đo đặc tuyến của JFET 3.1.1 Đặc tuyến ra của JFET Hình 30.2 Kết quả đo đặc tuyến của JFET 2N4861 Hình 30.3 Đặc tuyến ra của JFET 2N4861 3.1.2 Đặc tuyến truyền đạt của JFETDựa ... JFET 2N4861D-MOSFETHình 30.5 Sơ đồ mạch đo đặc tuyến của D-MOSFET BSS135 3.2.1 Đặc tuyến ra của D-MOSFET Hình 30.6 Kết quả đo đặc tuyến của BSS135 Hình 30.7 Đặc tuyến ra của BSS135 3.2.2 Đặc tuyến ... đặc tuyến, chúng ta có thể vẽ đặc tuyến truyền đạt Lưu ý rằng chúng ta chọn vẽ ba điểm thay vì bốn điểm: Điểm 1: UGS = 0V, Điểm 2: UGS = Up = -2V, và Điểm 3: UGS = Up/2 = -1V. Hình 30.4 Đặc tuyến

Ngày tải lên: 02/06/2025, 07:04

... ĐỘNG(Passive Components) Trang 72.1 Điện trở (Resistor)2.2 Tụ điện (Capacitor) 2.3 Cuộn cảm (Inductor) 2.4 Biến áp (Transformer ) Trang 81 Đặc điểm và ký hiệu của điện trở2 Trị số điện trở và dung ... linh kiện có công suất tiêu tán danh định thấp, nằm trong khoảng 0,125W; 0,25W; 0,5W; 1W và 2W ] [ R.I P 2 max 2 max Trang 142.1.5 Cách ghi và đọc tham số trên thân điện trở- Cách ghi trực tiếp: ... ký hiệu của tụ điện2 Các tham số kỹ thuật chính của tụ điện 3 Cách ghi và đọc tham số trên tụ điện 4 Phân loại và ứng dụng của tụ điện 5 Một số hình ảnh của tụ điện Trang 222.2.1 Định nghĩa, ký

Ngày tải lên: 15/02/2014, 10:20

... thì điện tử nhanh chóng nhảy xuống E2 Như vậy khi có năng lượng cung cấp thích hợp đưa vào mạng tinh thể thì điện tử sẽ tập trung ở mức E2 (E1 → E2; E1 → E3 → E2) Nghĩa là trong nguyên tử xảy ra ... ngọc Các điện tử có 3 mức năng lượng E1, E2, E3 Trong đó E1 là mức năng lượng cơ bản E2 là mức năng lượng ổn định (thời gian tồn tại điện tử ở mức này là 10-2s) E3 là mức năng lượng cao (thời gian ... thường, transistor quang được chế tạo từ chất bán dẫn Si, Ge Nó có 2 chuyển tiếp P – N, có 2 hoặc 3 chân cực Transistor quang có 2 loại là PNP và NPN Trên hình vẽ là cấu tạo của transistor loại

Ngày tải lên: 24/07/2014, 20:20

... ()() 2 P GS 2 P n 2 PGS n DS V v 1V 2 K Vv 2 K i ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ −−=−= (3.39) CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ BIÊN SOẠN DQB, B/M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 3: TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 75 hoặc có thể viết: 2 P GS ... trong biểu thức (3.25), ta có: DS DS PGS 2 P DSS DS v 2 v Vv V I 2 i ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎝ ⎛ −−= khi v GS ≥ V P , và v DS ≤ v GS - V P (3.42) Các phương trình (3.40) và (3.42) biểu diễn mô hình ... DSS được xác định bởi biểu thức: 2 P n DSS V 2 K I = hay 2 P DSS n V I 2 K = (3.41) Điện áp thắt V P có giá trị điển hình trong khoảng từ 0V đến - 25V, nên I DSS có giá trị trong khoảng:

Ngày tải lên: 06/08/2014, 17:21

... S d S4 2GSm d S3 1GSm =− − ++ − + Thay thế v GS1 và v GS2 đã có ở trên, ta có: () ( ) () ( ) 0 R v r vv vvg r vv vvg S S d S4 S2m d S3 S1m =− − +−+ − +− (3.82) Áp dụng cho điểm P 2 ta có: ... TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG 88 mA2 Ωk5,2 V5 R V I L Q o Q D === Từ phương trình Shockley’s (3.47): 2 P GS DSSD V V 1II ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ −= suy ra: ( ) 316 I I 1VV 8 2 DSS D PGS −=−−= ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ... ỨNG TRƯỜNG 90 Ω M 1R r Gi = = Điện trở ra của mạch tín hiệu nhỏ được cho bởi: Ωk0,2 10x210x100 10x210x100 Rr Rr R//rr 33 33 Ld Ld Ldo ≈ + = + == Ví dụ này xét mạch dùng DE MOSFET kênh-n,

Ngày tải lên: 06/08/2014, 17:21

... kép) 231 TÓM TẮT 232 CÂU HỎI ÔN TẬP 232 CHƯƠNG 4 - CẤU KIỆN CƠ ĐIỆN TỬ 237 NỘI DUNG 237 4.1 Giới thiệu 237 4.2 Cảm biến áp suất vi cơ điện tử 237 4.2.1 Cảm biến áp suất kiểu tụ 239 4.2.2 ... điện trở 25 1.1.7 Một số điện trở đặc biệt 26 1.2 TỤ ĐIỆN (Capacitor) 28 1.2.1 Định nghĩa 28 1.2.2 Cấu tạo của Tụ điện 28 1.2.3 Các tham số kỹ thuật đặc trưng của tụ điện 29 1.2.4 Ký hiệu ... 12 3 1 : 3 Vòng PTITV V V V V V Trang 2010 => i(t).R1 + i(t).R2 = vS(t) => 2 1 ) ( ) ( R R t v t   t t v R R R t v R t i t ( ) ( ) ( 2 1 2 2 2  2 1 2 2( ) ( ) R R R t v t 2

Ngày tải lên: 02/10/2014, 00:12

... hệ thống tham số hỗn hợp: Y11 = Z 22/ ΔZ; Y 12 = -Z 12/ ΔZ; Y21 = -Z21/ΔZ; Y 22 = Z11/ΔZ H11 = ΔZ/Z 22; H 12 = Z 12/ Z 22; H21 = -Z21/Z 22; H 22 = 1/Z 22; ΔZ = Z11Z 22 - Z21Z 22 Áp dụng công thức mô tả quan hệ ... mạch điện hình vẽ, cho đặc tuyến transistor Hãy xác định điểm công tác họ đặc tuyến RC=3,2kΩ RB1=88kΩ EC =20 v RB2=17 ,2 kΩ RE=780Ω IC ma 125 µa 100µa 75µa 50µa IB 10 15 25 µa 20 Uce(V) Gợi ý trả lời: ... chiều để tuyến tính hóa đặc tuyến Diode ta có: D1 có tham số :Rth1= 10Ω, Eth1=0,2v D2 có tham số : Rth2=15Ω, Eth2=0,3v D3 có tham số : Rth3 =20 Ω , Eth3= 0,5v E0=70v, RHC= 5kΩ RHC E0 D1 D2 D3 Gợi...

Ngày tải lên: 01/03/2014, 18:23

... 1 /2 ( V ) N x p (VD ) = s B D D q( N A + N D) N A ( V )( N A + N D ) xd (VD ) = s B D qN A N D 2q( B VD ) N A N D E (VD ) = s ( N A + N D) 1 /2 (2. 20) 1 /2 (2. 21) 1 /2 (2. 22) ... D B V xd (VD ) = xd0 D B BIấN SON DQB, B/M TVT-HKT (2. 23) (2. 24) CHNG 2: TIP GIP PN & DIODE BN DN CU KIN IN T 23 V E (VD ) = E0 D B (2. 25) ú: x n0 ; x p0 ; xd0 ;& E0 l cỏc i lng tng ng trng ... th hin hỡnh 2. 29 Tớnh C theo ng thng gn ỳng dc th nht ca hm m phng trỡnh (2. 57) l: -V m1 = max RLC ú l dc ca ng thng A hỡnh v dc ca ng thng B hỡnh 2. 29, l: V m2 = max T /2 - V RLCV t1...

Ngày tải lên: 12/08/2014, 13:20