Khuếch đại Điện tử , chương 4.2

Thông th-ờng ng-ời ta sử dụng hồi tiếp âm trên các điện trở cấp nguồn cho tranzisto để ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay đổi, gọi tắt là ổn định nhiệt.Lẽ dĩ nhiên khi điện áp nguồn

Điểm B ứng với UC = 0v , IC = 3mA

Điểm C ứng với UC = 3,2v, IC = 2,6mA

Điểm D ứng với UC = 8,8v , IC = 1,9mA

Điểm E ứng với UC = 15,2v, IC = 1,1mA

Điểm F ứng với UC = 21,6v , IC = 0,3mA Chọn điểm công tác là điểm D ứng với UC = 8,8v , IC = 1,9mA và IBO = 20A Khi cho dòng IB biến thiên từ 10A đến 30A thì điện áp UC sẽ biến thiên trong khoảng 3,2v đến 15,2v, dòng IC biến thiên trong khoảng 1,1A đến 2,6mA Chọn nh- tr-ờng hợp này thì khuếch đại làm việc ở chế độ tuyến tính, có thể bỏ qua méo phi tuyến

4.4.2 ổn định điểm công tác của tranzisto

Việc cấp nguồn cho tranzisto vừa phải bảo đảm chọn đ-ợc điểm công tác tĩnh, vừa phải đảm bảo ổn định điểm công tác đó Nguyên nhân làm điểm công tác tĩnh bị xê dịch trên họ đặc tuyến khi mạch khuếch đại làm việc chủ yếu là do nhiệt độ môi tr-ờng thay đổi Dòng ng-ợc IC 00 của mặt ghép colectơ phụ thuộc nhiều vào nhiệt độ Khi nhiệt độ tăng 8  100C thì dòng này tăng gấp đôi nên

điểm làm việc bị xê dịch Thông th-ờng ng-ời ta sử dụng hồi tiếp âm trên các

điện trở cấp nguồn cho tranzisto để ổn định điểm công tác khi nhiệt độ thay đổi, gọi tắt là ổn định nhiệt.Lẽ dĩ nhiên khi điện áp nguồn thay đổi cũng sẽ làm thay

đổi điểm công tác, tuy nhiên sự thay đổi này ít hơn nhiều so với sự ảnh h-ởng của

sự thay đổi nhiệt độ vì mạc nguồn sẽ đ-ợc ổn định điện áp

4.4.3 Các cách cấp nguồn cho tranzisto

Ng-ời ta th-ờng dùng một nguồn điện áp một chiều ECC để cấp nguồn ( phân cực) cho cả hai mặt ghép emitơ và colectơ Vấn đề đặt ra là phải chọn đ-ợc dòng IBO ( hay điện áp UBO), vì nó quyết định dòng ICO vì IC0 = .IB0.Nh- vậy muốn có dòng tĩnh IC 0 phải cấp cho bazơ một điện áp nào đó, gọi là thiên áp Để cấp thiên áp cho bazơ th-ờng dùng sơ đồ định dòng bazơ và sơ đồ định áp bazơ

a)Cấp nguồn bằng định dòng bazơ:

Sơ đồ hình 4.12a là mạch emitơ chung dùng tranzisto thuận.Điện trở Rbđ-ợc

đấu từ cực B đến âm nguồn nên cực B có điện thế âm so với cực phát E, mặt ghép emitơ phân cực thuận tạo nên dòng tĩnh IBO qua Rb

Ta có: UBE 0 = ECC- IB0Rb nên I E U

R BO

b

Vì UBE 0 << ECC nên

BO

C b b

CC

E R hay R

E

Nh- vậy chọn Rb sẽ chọn đ-ợc IBO và tức là chọn đ-ợc IC 0=β.IB0 Mặt ghép colectơ đ-ợc phân cực ng-ợc với điện áp từ vài Von đến vài chục Von

ở sơ đồ bazơ chung ( hình 4.12b) điện trở Rb cũng đ-ợc đấu t-ơng tự, cực

B đ-ợc đấu "mát"(đất) qua tụ Cb, theo xoay chiều điểm "b" là điểm "mát"

Mạch cấp nguồn bằng định dòng bazơ ( hình 4.12a) thực tế làm việc kém

ổn định và ch-a có biện pháp ổn định nhiệt

Để ổn định nhiệt có thể gây hồi tiếp âm trên điện

trở Rb bằng cách đấu Rb với cực C của tranzistor ( hình 4.13a) Khi nhiệt độ tăng thì dòng ICO sẽ tăng Vì UC = ECC - IC.RC nên khi dòng IC tăng thì UC giảm, tức là thế của điểm C sẽ giảm nên IB sẽ giảm Dòng IB giảm sẽ gây giảm dòng IC, tức là hồi tiếp âm đã khử sự tăng của dòng IC theo nhiệt độ Nếu nhiệt độ giảm, dòng IC giảm thì quá trình sẽ ng-ợc lại

Nh- vậy hồi tiếp âm trên Rb làm ổn định điểm công tác tĩnh của tranzisto Hồi tiếp này lại làm giảm hệ số khuếch đại Để khắc phục nh-ợc điểm này ng-ời

ta phân Rb thành hai điện trở R1 và R2 nh- ở hình 4.13 ởđây tụ Cb ngắn mạch tín hiệu xoay chiều xuống "mat" triệt bỏ hồi tiếp âm theo tần số tín hiệu Đối với những biến thiên chậm do nhiệt độ gây lên thì tại Cb không ngắn mạch nên không

ảnh h-ởng gì đến hồi tiếp âm với biến thiên theo nhiệt độ

Các mạch trên tuy đã ổn định đ-ợc chế độ công tác khi nhiệt độ thay đổi, nh-ng không thể tăng độ ổn định lên cao vì điểm công tác tĩnh và độ ổn định nhiệt của mạch phụ thuộc lẫn nhau ( thông qua Rb) Đó chính là một nh-ợc điểm gây khó khăn cho vấn đề thiết kế loại mạch này

b)Cấp nguồn bằng định áp bazơ

Sơ đồ có dạng hình 4.14 Mạch này gồm hai phần:

-Mạch định áp bazơ ( tạo điện áp bazơ ổn định) R1, R2 gọi là cặp điện trở

định thiên

-Điện trở RE làm nhiệm vụ ổn định nhiệt

- UB là sụt áp trên điện trở R2, cũng chính là điện thế của điểm B so với

"mat", nó là điện áp xác định dòng IB0 Dòng từ cực d-ơng qua R2 và R1 về âm gọi là I1 , tức: I1= E

CC

1  2 Qua R1 còn có dòng dòng IB0 nên dòng qua R1 là I1+IBo

UB = UR2 = ECC- (IB0 +

2

R

ECC

 )R1

Chọn R1 và R2 ( gọi là hai điện trở định thiên) sao cho IB0 <<

2 1

E





+

E

cc

I

C0

E0

B0

a)

+

-Ecc

R

R

R b1 b2

c

b C

b)

-+

R

R

E

b

E

cc

c)

Hình 4.12 Cấp nguồn bằng định dòng bazơ

a) Sơ đồ ECb) sơ đồ BCc)Sơ đồ CC

thì UB

2 1

2

R E





 Nh- vậy chọn R1 và R2 càng nhỏ thì càng tốt

Tuy nhiên nếu chọn R1, R2 nhỏ thì công suất tổn hao trên chúng lại lớn, đồng

thời làm giảm trở kháng vào của mạch khuếch đại Để dung hòa mâu thuẫn trên

R R

R R





2 1

2

1 Điện trở RE làm nhiệm vụ ổn định nhiệt Trên RE tồn tại một hồi tiếp

âm dòng điện nên làm giảm hệ số khuếch đại Muốn

cho hồi tiếp âm chỉ xẩy ra đối với những biến thiên

chậm theo nhiệt độ mà không giảm hệ số khuếch đại

ta mắc CE song song với điện trở RE Hồi tiếp âm đối

với những biến thiên chậm theo nhiệt

độ trên RE diễn ra nh- sau: Giả sử nhiệt độ tăng làm

tăng dòng IC, dẫn đến tăng IE ( vì IE = IC + IB),làm

tăng sụt áp trên RE là URE= RE IE ; URE tăng làm cho

UBE = UR2- URE giảm nên dòng IB giảm IB giảm làm IC giảm về trị số ban đầu Khi

dòng IC giảm thì quá trình xảy ra ng-ợc lại

Sơ đồ cấp nguồn hình 4.14 là sơ đồ thông dụng nhất trong kỹ thuật điện tử

c) Cấp nguồn cho tranzisto tr-ờng:

Việc cấp nguồn cho tranzistor tr-ờng th-ờng sử

dụng sơ đồ định thiên tự động nh- trên hình 4.15

Để đảm bảo có điện áp UG0 trên cực cửa, trong

mạch cực nguồn ng-ời ta mắc điện trở RS, còn cực

cửa G đ-ợc đấu "mat" qua điện trở RG Khi có dòng

máng chảy qua RS, trên RS sẽ có điện áp một chiều

ID0.RS Vì dòng cực máng của tranzistor tr-ờng

chảy qua RG rất nhỏ nên sụt áp trên RG là URG có

thể coi bằng 0, nh- vậy điện thế cực G có thể coi là

bằng điện thế "mat", nghĩa là ở mức IDORS so với

điểm S ( cực nguồn) Điện áp một chiều đặt trên RS

chính là thiên áp cực G Dĩ nhiên trên RS nếu không

mắc song song CS thì sẽ tồn tại hồi tiếp âm nối tiếp

theo dòng điện

4.5 Khuếch đại điện trở

Khuếch đại điện trở là mạch khuếch đại có tải là thuần trở (điện trở

thuần

Rt) Tuy nhiên trong các mạch khuếch đại ngoài tải là điện trở Rt còn đ-ợc mắc

thêm các phần tử phản kháng để sửa đặc tính tần số,đó cũng là các mạch khuếch

đại điện trở, mặc dù lúc đó tải là trở kháng phức Các mạch khuếch đại thuần trở

dùng để khuếch đại tín hiệu yếu, mạch làm việc ở chế độ A Mạch có thể mạch

emitơ chung, bazơ chung hoặc coletơ chung

4.5.1.Khuếch đại điện trở Emitơ chung.

-E CC

+

R G

R S

R D

Hình 4.15 Cấp nguồn cho tranzisto tr-ờng

Khuếch đại hình 4.16 mắc emitơ chung là mạch thông dụng hơn cả Tr-ớc hết ta xét tác dụng của linh kiện trong mạch Điện

trở R1, R2 và RE có tác dụng định thiên và ổn

định chế độ công tác ( ổn định nhiệt) cho

tranzistor

Tụ điện CE đ-ợc chọn sao cho trong toàn dải

tần số làm việc của mạch khuếch đại nó gần

nh- ngắn mạch hoàn toàn các thành phần tín

hiệu sụt trên RE để triệt bỏ hồi tiếp âm theo

tần số tín hiệu trên RE Điện trở RL và CL tạo

thành mạch lọc nguồn vừa ngăn cách ảnh

h-ởng lẫn nhau giữa các tầng dùng chung

nguồn ECC, vừa khử sụt áp xoay chiều trên nội

trở nguồn ECC Muốn vậy chọn trị số của tụ CE

đủ lớn để R E

C E

t





1

L t

R

C 



1

Trong

đó t = 2ft , ft là tần số thấp nhất của tín hiệu cần khuếch đại Ngoài ra mạch

RE, CE còn dùng để sửa đặc tính tần số ở vùng tần số thấp Điện trở RC xác định chế độ một chiều nh- sau:

E

C

CE CC

R I

U E Rc

O



Phân tích và tính toán mạch khuếch đại thuần trở th-ờng đ-ợc tiến hành dựa trên sơ đồ t-ơng đ-ơng theo tần số tín hiệu, tức là coi các trở kháng 1 1

CE ,Ce là không đáng kể Lúc này sử dụng sơ đồ t-ơng đ-ơng của tranzistor (xem giáo trình Cấu kiện điện tử)ta lập đ-ợc sơ đồ t-ơng đ-ơng của mạch nh- ở hình 4.17.

Sơ đồ t-ơng đ-ơng này chỉ tính đến các dung ký sinh ở đầu ra của mạch khuếch đại

Các tụ Cn1 và Cn2 là các tụ nối tầng, thông các thành phần tần số tín hiệu, ngăn cách thành phần một chiều từ tầng tr-ớc sang tầng sau Tải thuần trở là Rt.ở đây

Cra - điện dung đầu ra của tranzistor ( C ra= CCE),điện dung ký sinh

CKS=CV+CLr1+CLr2;Clr1 và C lr2 - điện dung ký sinh do lắp ráp ở đầu ra của tầng

đang xét và đầu vào của tầng tiếp theo(tải),CV điện dung của đầu vào của tầng tiếp theo.Trong mạch khuếch đại Cn lớn hơn nhiều so với Clr1, Clr2, Cra, CV và ảnh h-ởng của chúng ở các vùng tần số là khác nhau Ng-ời ta phân thành ba vùng tần số: Vùng tần số thấp, trung bình và vùng tần số cao Xét đặc tính tần số của khuếch đại trong các vùng đó

ở vùng tần số trung bình :trở kháng của Cn2 không đáng kể, (

n

tbC

1

 nhỏ) nên nó đ-ợc thay thế gần đúng bằng dây dẫn, lúc đó

Ctđ = Cr + CM1 + CM2 + CV Với trở kháng của điện dung t-ơng đ-ơng cực lớn (

n

tbC

1

  vì Ctđchỉ cỡ vài chục pF )nên sơ đồ t-ơng đ-ơng mạch ra hình 4.17 có dạng nh- ở hình 4.18a

Với gtđ = gra + gC + gt ;

gra =

CE

r

1

;

C

1

g  ; g

Rt

t  1

Từ đó ta có

td

V Ra

g

SU

t c 2 td

V

g g g

S g

S U

U













Nh- vậy ở vùng tần số trung bình hệ số khuếch đại là một hằng số, không phụ thuộc vào tần số Dấu trừ trong (4.28) cho ta thấy điện áp đầu ra ng-ợc pha

so với điện áp đầu vào Ta ký hiệu K ở vùng tần số trung bình là

K0 =S.Rtđ (4.28)’

Trong thực tế thì Rt << RC và rCE nên RtđRt:

K0 S.Rt

ở vùng tần số cao :trở kháng của Cn2 càng nhỏ, nh-ng trở kháng của Cra ,Clr , Cv cùng bậc với Rt, rCE , và RC nên không thể bỏ qua Lúc đó sơ đồ t-ơng

đ-ơng mạch ra sẽ có dạng nh- ở hình (4.18b) Từ sơ đồ này ta tìm đ-ợc :

td V Ra

td td C

td td

C td

R C j 1

R C

j g

1













C

td V

Ra Cao

c

0 td

c

td C

j 1

K R

j 1

R S SZ

U

U K K























 

(4.29)

C= Rtd.Ctd- hằng số thời gian của mạch ở vùng tần số cao

Nh- vậy thì :

Hình 4.17.Sơ đồ t-ơng đ-ơng KĐ

emitơ chung

R n

R b r be

C KS

C r

SU V

r CE R C

R t

U V

U Ra

 2 c c

0 c

1  





 (4.30)

mc() =

c c 0

C

1

1 K

K







Đặc tính biên độ tần số này trình bày trên hình 4.19

Tần số giới hạn trên của dải thông C đ-ợc xác định theo biểu thức (4.31)có trị số bằng





= 0,707

mc 0,7=

  







c c

=



 , tức là 

cc=1 Từ đó ta có :

c=

td td

1 1



 (4.32)

Từ (4.32) ta thấy khi Ctd càng lớn thì tần số giới hạn trên của dải thông càng giảm Khi tăng Rtd thì tần số giới hạn trên cũng giảm nh-ng lại tăng trị số K0 tức là hệ số khuếch đại ở vùng tần số trung bình

Ng-ời ta đ-a ra khái niệm "diện tích khuếch đại" bằng tích của Kovà C:

SKĐ= 0c =

td

C

S (4.33)

Từ (4.33) ta thấy diện tích khuếch đại đ-ợc xác định chủ yếu bởi các tham số của tranzisto (hỗ dẫn S và các điện dung ký sinh)

ở vùng tần số thấp: trở kháng của Cra, Clr1,Clr2 , C rất lớn so với Rt và RC nên sơ đồ t-ơng đ-ơng mạch ra ở vùng tần số thấp có dạng nh- ở hình 4.18c

Từ hình này ta tìm đ-ợc :

t t

t

j











  (4.34)

vùng tần số vùngtần số trung bình vùng tần số cao

K0 thấp

2

K 0

t1t2 t3 C1C2C3 

Hình 4.19 ĐTBT của khuếch đại điện trở

Trong đó, t- hằng số thời gian ở vùng tần số thấp

Trong đó, t- hằng số thời gian ở vùng tần số thấp



















c

c 2

R r

R r C

CE

cE

từ (4.34) ta có :

 

























t

t

t (4.35)

hay  





















t

t

m

t

(4.36)

Đặc tính tần số ở vùng tần số thấp (4.36) có dạng nh- ở hình 4.19b Tần số giới hạn d-ới của dải thông đ-ợc xác định theo công thức



















) (

từ đó t =

t



 (4.37)

Từ 4.29 đến 4.37 ta có thể rút ra đặc tính tần số ở vùng tần số bất kỳ xác

định theo biểu thức:

 





































t c

(4.38)

 

































t c

Xét đặc tính tần số của mạch khuếch đại nh- trên, ta ch-a xét đến quán tính của tranzisto, tức là coi hỗ dẫn S=const

Thực tế hỗ dẫn của Tranzisto phụ thuộc vào tần số: S giảm khi tần số tăng







j

S

S ,  - hằng số thời gian của mạch vào

 = (Cbe+ Cb'e) be b

e b b b

e b b

r r

r r

' '

'

 (4.40)

ở vùng tần số thấp và vùng tần số trung bình sai số này có thể bỏ qua ở vùng tần số cao trong các bộ khuếch đại dải rộng có khi không thể bỏ qua đ-ợc Lúc đó theo (4.29)

c j c

j t j

S

' 0 0

1 1

















Trong đó 'C =  +c và mc() =









' c

(4.42)

Nh- vậy ở vùng tần số cao trong mạch khuếch đại điện trở Tranzisto l-ỡng cực hệ số khuếch đại bị giảm do hai nguyên nhân :

1 Tần số càng cao thì hỗ dẫn của Tranzisto càng giảm ,

2 Do điện dung ký sinh lắp ráp, điện dung mạch ra, điện dung tải đấu song song với tải ở mạch ra

Tổng trở đầu vào: ta chỉ xét ở vùng tần số trung bình Theo sơ đồ t-ơng

đ-ơng hình (4.17) thì ở vùng tần số trung bình

Zv  Rn+(Rb // rbe ) (4.43) Trong đó Rb=R1.R2/(R1+R2)

Tổng trở đầu ra ở vùng tần số trung bình

Zz= rCE// RC RC (4.44)

Hệ số khuyếch đại ở vùng tần số trung bình có thể xác định theo công thức gần đúng sau :

KI =

t C

C t

t C v

t

R R

R R

R R I

I









Bộ khuếch đại Emitơ chung cho hệ số khuếch đại dòng điện khá lớn Nếu RC

>> Rt thì Ki 

Thực tế mạch khuếch đại điện trở Emitơ chung cho hệ số khuếch

đại điện áp Ko= 20  100, KI = 

Nh- vậy mạch khuếch đại điện trở

Emitơ chung khuếch đaị cả điện áp và

dòng điện và cho hệ số khuếch đại công

suất khá lớn (0,2 5)103, có trở kháng vào

t-ơng đối lớn , trở kháng ra xác định bởi

điện trở colectơ RC ,điện áp đầu ra ng-ợc

pha so với điện áp đầu vào Do các đặc

điểm trên mà khuếch đại emitơ chung

đ-ợc sử dụng khá phổ biến trong kỹ thuật

4.5.2 Khuếch đại bazơ chung

Mạch khuếch đại bazơ chung có sơ

đồ nguyên lý trên hình 4.20 Tín hiệu vào

đặt ở giữa cực E và cực B, tín hiệu ra lấy

giữa cực C và cực B Các điện trở R1,R2 và RE xác định điểm công tác tĩnh của tầng Tụ Cb nối cực B của Tranzisto xuống "mát" để khử hồi tiếp âm trên R2 Cách xét các đặc tính của mạch cũng t-ơng tự nh- mạch emitơ chung đã xét

ở đây ta không xét tỉ mỉ mà chỉ nhấn mạnh một số đặc điểm chính của mạch này nh- sau Trở kháng vào của sơ đồ nhỏ ( vì dòng vào là IE lớn)

Zv RE // rb (4.46) Trở kháng này có chỉ số chỉ vài chục ôm (20  50) , đó là nh-ợc điểm lớn của

+E CC

-Rc Cn2

R1 Cb

R E R2

Uv

C n1

Hình 4.20.Sơ đồ nguyên lý khuếch đại điện trở Bazơ chung

sơ đồ này.

Hệ số khuếch đại dòng điện:

  

t

t E I

R

R R

Hệ số khuếch đại điện áp:

K =

v n

t C

R R

R R



 // (4.48) Trong đó Rn- nội trở của nguồn tín hiệu

Trở kháng ra:

Zr = Rc // rCE (4.49) Nh- vậy mạch khuếch đại bazơ chung chỉ khuếch đại điện áp mà không khuếch đại dòng điện, điện áp ở đầu vào và đầu ra của mạch khuếch đại đồng pha nhau, trở kháng vào nhỏ, trở kháng ra cùng bậc với sơ đồ emitơ chung Mạch khuếch đại bazơ chung vẫn đ-ợc sử dụng trong kỹ thuật do những nguyên nhân sau đây:

- Vì họ đặc tuyến tĩnh của Tranzisto mắc bazơ chung có độ tuyến tính cao nên

Tranzisto có thể dùng với điện áp colectơ lớn hơn sơ đồ emitơ chung Chính vì vậy tầng bazơ chung đ-ợc dùng khi có điện áp đầu ra lớn

-ở vùng tần số cao điện dung vào của tầng emitơ chung khá lớn, nó là tổng điện dung Cbe và điện dung ghép giữa

mạch ra và mạch vào (CbC )phản ánh về

mạch vào C’bC = K.CbC, nó cỡ 10pF -100pF

Còn ở tầng bazơ chung điện dung vào chỉ là

điện dung bazơ - emitơ cỡ vài pF Điện dung

này cùng với điện trở trong của nguồn tín

hiệu tạo thành mạch lọc thông thấp với tần

số giới hạn trên lớn hơn tần số giới hạn trên

của sơ đồ emitơ chung khá nhiều Do vậy sơ

đồ bazơ chung th-ờng đ-ợc dùng để làm

việc ở vùng tần số cao

4.5.3 Khuếch đại colectơ chung.

Sơ đồ nguyên lý trình bày trên sơ đồ

hình 4.21

Ta cũng xét các tham số của mạch ở

vùng tần số trung bình Tín hiệu vào đ-a vào

giữa cực B và cực E, tín hiệu ra lấy trên RE, tức là giữa cực E và cực C

Nếu xây dựng sơ đồ t-ơng đ-ơng rồi tìm các quan hệ ta có:

ZV = Rb // rV (4.49)

rV = rb+ (1+)(rd + RE // Rt) (4.50)

Th-ờng Rd << RE // Rt nên

ZV = R1// R2 // (1+)(RE // Rt) (4.51)

+Ecc

R 1

R 2

R t

R E

Hình 4.21 Khuếch đại colectơ chung(lặp emitơ)

U r

C n2

C n1

Nh- vậy ZV lớn hơn nhiều so với sơ đồ emitơ chung Ví dụ với tranzisto có

 =50, chọn RE // Rt = 1k thì RV = 51k; lúc đó có thể chọn R1// R2 = Rb khá lớn để có RV = 51k

Zr = RE // rE (4.52)

Vì RE nhỏ nên tổng trở ra nhỏ Zr = 10  50 Tranzistor luôn thông nên UBE nhỏ, vì vậy UV = UBE + UKE nên URE UV Vì vậy:

  



mV

mR

U

U

K (4.53)

Sơ đồ colectơ chung không khuếch đại điện áp, có điện áp ra xấp xỉ bằng

điện áp vào nên ng-ời ta gọi tầng colectơ chung là tầng lặp emitơ hay tầng lặp lại

điện áp

Hệ số khuếch đại dòng điện

E t

E I

R R

R ) ( K









So sánh (4.54) và (4.45) ta thấy nếu chọn RE cỡ RC thì hệ số khuếch đại dòng điện trong sơ đồ emitơ chung và lặp emitơ là gần nh- nhau

Hệ số khuếch đại công suất KP = K KI = KI

Trở kháng ra: Zr RE//rCE (4.55)

Trở kháng ra theo (4.55) cỡ (10  50)

Nh- vậy tầng lặp emitơ không khuếch đại điện áp mà chỉ khuếch đại dòng

điện, tức là cũng khuếch đại công suất, có trở kháng ra nhỏ, trở kháng vào lớn nên đ-ợc dùng để phối hợp giữa nguồn tín hiệu với tải có trở kháng nhỏ ( gọi là tầng đệm) hoặc dùng làm tầng ra làm việc ở chế độ A

4.5.4 Khuếch đại dùng tranzistor tr-ờng FET.

Các sơ đồ khuếch đại dùng FET cũng có tính chất giống nh- tranzisto l-ỡng cực Nh-ng vì hỗ dẫn của FET nhỏ hơn của tranzisto l-ỡng cực nên hệ số khuếch

đại của nó nhỏ hơn khuếch đại dùng tranzistor l-ỡng cực FET kênh dẫn n th-ờng dùng trong phạm vi tần số rất cao Các mạch khuếch đại dùng FET chỉ mắc nguồn chung hoặc máng chung

4.5.4.1 Khuếch đại FET mắc cực nguồn chung.

Hình 4.22a là sơ đồ nguyên lý khuếch đại dùng tranzisto tr-ờng MOSFET kênh

dẫn n đặt sẵn, t-ơng tự nh- sơ đồ emitơ chung hình 4.16 Hình 4.22a)khuếch đại

điện trở cực nguồn cung b) đ-ờng tải trên họ đặc tuyến

Tín hiệu cần khuếch đại đ-a vào cực cửa G và cực nguồn S qua Cn1 , tín hiệu ra lấy giữa cực máng D và cực nguồn S qua tụCn2 , tức là trên Rt Chế độ tĩnh của tầng đ-ợc xác định bởi RS và R2 ( có thể cả R1) Hình 4.22b là họ đặc tính ra của tranzisto tr-ờng với các đ-ờng tải Nguyên tắc chọn chế độ tĩnh giống nh- ở mạch emitơ chung Chọn để có:

UDS 0> Ura m+UDS (4.56)