Đề tài: Thiết kế mạch nghịch lưu

Đề tài trình bày về các nội dung: Cơ sở lý thuyết các linh kiện bán dẫn công suất, giới thiệu về Mosfet và cách thiết kế mạch nghịch lưu. Tài liệu tham khảo dành cho các bạn sinh viên ngành Điện - Điện tử. Mời các bạn cùng tham khảo.

PH  L CỤ Ụ

L I NÓI Đ UỜ ẦTrong th i đ i ngày nay đi n t  công su t đóng m t vai trò h t s c quanờ ạ ệ ử ấ ộ ế ứ  

tr ng trong đ i s ngọ ờ ố  Vi c bi n đ i năng lệ ế ổ ượng t  d ng này sang d ng khác nhừ ạ ạ ờ các m ch công su t đạ ấ ượ ức  ng d ng r ng rãi. Đ c bi t nh  có s  phát tri n c aụ ộ ặ ệ ờ ự ể ủ  van bán d n công su t mà lĩnh v c này ngày càng phát tri n m nh m Ta có thẫ ấ ự ể ạ ẽ ể phân lo i thành m t s  d ng bi n  đ i sau: AC DC (Ch nh l u) ; DC ACạ ộ ố ạ ế ổ → ỉ ư →  (Ngh ch l uị ư )  AC AC (Đi u ch nh đi n áp xoay chi u); DC DC (Đi u ch nh→ ề ỉ ệ ề → ề ỉ  

đi n áp m t chi u). M i nhóm trên đ u có nh ng  ng d ng riêng c a nó trongệ ộ ề ỗ ề ữ ứ ụ ủ  

t ng lĩnh v c c  thừ ự ụ ể

Quá trình th c hi n đ  án này dự ệ ồ ướ ự ưới s  h ng d n c a th y T  Hùngẫ ủ ầ ạ  

Cường chúng em đi sâu tìm hi u m ng bi n đ i năng lể ả ế ổ ượng m t chi u ra năngộ ề  

lượng xoay chi u mà c  th  là m ch kích đi n áp 12V m t chi u lên đi n ápề ụ ể ạ ệ ộ ề ệ  220V xoay chi u công su t 300W. M ch này đề ấ ạ ượ ức  ng d ng nhi u trong đ iụ ề ờ  

s ng sinh ho t. M ch có nhiêm v  cung c p ngu n năng lố ạ ạ ụ ấ ồ ượng cho t i khi x yả ả  

ra s  c  m t  đi n.Do th i gian th cự ố ấ ệ ờ ự   hi nệ   không nhi u nên còn nhi u h nề ề ạ  

ch Chúng em s  ti p t c tìm hi u và phát tri n m  r ng h n n a các  ng d ngế ẽ ế ụ ể ể ở ộ ơ ữ ứ ụ  

c a m ch sau này.ủ ạ

Trong th i gian th c hi n đ  ờ ự ệ ồ án  v a qua em xin chân thành c m  n sừ ả ơ ự 

hướng d n và ch  b o t n tình c a th y T  Hùng Cẫ ỉ ả ậ ủ ầ ạ ường. Th y đã giúp chúngầ  

em có được thêm nhi u nh ng ki n th c và kinh nghi m quý báu đ  ph c về ữ ế ứ ệ ể ụ ụ cho vi c h c t p cũng nh  cho công vi c trong tệ ọ ậ ư ệ ương lai. Sau đây chúng em xin trình bày v   nh ng ki n th c chúng em đã tìm hi u đề ữ ế ứ ể ược trong th i gian v aờ ừ  qua. Vì ki n th c còn h n ch  và th i gian tìm hi u cũng ch a nhi u nên đ  ánế ứ ạ ế ờ ể ư ề ồ  

c a em không th  tránh kh i sai sót. V y em r t mong s  góp ý t  th y đ  đ  ánủ ể ỏ ậ ấ ự ừ ầ ể ồ  

được hoàn thi n h n.ệ ơ

Em xin chân thành c m  n!ả ơ

● Gi i thi u v  Mosfetớ ệ ề

Hình 1.1: Transistor hi u  ng tr ệ ứ ừơ ng Mosfet

Mosfet, vi t t t c a "ế ắ ủ Metal­Oxide Semiconductor Field­Effect Transistor" trong ti ng Anhế , có nghĩa là "transistor hi u  ng trệ ứ ường Oxit Kim lo i ­ Bánạ  

d n", là m t thu t ng  ch  cácẫ ộ ậ ữ ỉ  transistor hi u  ng trệ ứ ường đượ ử ục s  d ng r t phấ ổ 

bi n trong cácế m ch sạ ố và các m ch tạ ương tự

Transistor MOSFET được xây d ng d a trên l p chuy n ti p Oxit Kimự ự ớ ể ế  

lo i và bán d n (ví d  Oxit B c và bán d n Silic)ạ ẫ ụ ạ ẫ  [1]

MOSFET có hai lo i:ạ

+ N­MOSFET: ch  ho t đ ng khi ngu n đi n Gate là zero, các electron bênỉ ạ ộ ồ ệ  trong v n ti n hành ho t đ ng cho đ n khi b   nh hẫ ế ạ ộ ế ị ả ưởng b i ngu n đi n Input.ở ồ ệ+ P­MOSFET: các electron s  b  cut­off cho đ n khi gia tăng ngu n đi n thẽ ị ế ồ ệ ế vào ng  Gateỏ

Trong đó : G là c c đi u khi n đự ề ể ược cách lý hoàn toàn v i c u trúc bánớ ấ  

d n còn l i b i l p đi n môi c c m ng nh ng có đ  cách đi n c c l n dioxit­ẫ ạ ở ớ ệ ự ỏ ư ộ ệ ự ớsilic (Sio2). Hai c c còn l i là c c g cự ạ ự ố   (S) và c c máng (D). C c máng là c cự ự ự  đón các h t mang đi n.ạ ệ

Mosfet có đi n tr  gi a c c G v i c c S và gi a c c G v i c c D là vôệ ở ữ ự ớ ự ữ ự ớ ự  cùng l n, còn đi n tr  gi a c c D và c c S ph  thu c vào đi n áp chênh l chớ ệ ở ữ ự ự ụ ộ ệ ệ  

gi a c c G và c c S ( UGS )ữ ự ự  Khi đi n áp UGS = 0 thì đi n tr  RDS r t l n, khiệ ệ ở ấ ớ  

đi n áp UGS > 0 => do hi u  ng t  trệ ệ ứ ừ ường làm cho đi n tr  RDS gi m, đi n ápệ ở ả ệ  UGS càng l n thì đi n tr  RDS càng nh ớ ệ ở ỏ

c c ngu n S t i c c máng D, hình thành nên dòng đi n c c máng IDự ồ ớ ự ệ ự

­ Đi n áp đi u khi n UGS < 0 luôn làm cho ti p giáp p­n b  phân c c ngệ ề ể ế ị ự ượ  c,

do đó b  r ng vùng nghèo tăng d n khi UGS < 0 tăng d n. Khi đó ti t di n d nề ộ ầ ầ ế ệ ẫ  

đi n gi m d n, đi n tr  R kênh d n tăng lên làm dòng ID gi m xu ng và ngệ ả ầ ệ ở ẫ ả ố ượ  c

­ UDS > 0, UGS < 0 tăng d n, b  r ng vùng nghèo m  r ng v  phía c c D vìầ ề ộ ở ộ ề ự  

v i cách m c nh  hình v  thì đi n th  t i D l n h n đi n th  t i S do đó m cớ ắ ư ẽ ệ ế ạ ớ ơ ệ ế ạ ứ  

đ  phân c c ngộ ự ược tăng d n t  S t i D ầ ừ ớ  ti t di n kênh d n gi m d n làm choế ệ ẫ ả ầ  dòng ID gi m d n.ả ầ

* Thí nghi m v  nguyên lý ho t đ ng c a Mosfetệ ề ạ ộ ủ

C p ngu n m t chi u UD qua m t bóng đèn D vào hai c c D và S c a ấ ồ ộ ề ộ ự ủMosfet Q (Phân c c thu n cho Mosfet ngự ậ ược) ta th y bóng đèn không sáng nghĩa ấ

là không có dòng đi n đi qua c c DS khi chân G không đệ ự ượ ấc c p đi n.ệ  

Khi công t c K đóng, ngu n UG c p vào hai c c GS làm đi n áp UGS > 0V => ắ ồ ấ ự ệđèn Q1 d n => bóng đèn D sáng.ẫ  

Khi công t c K ng t, Ngu n c p vào hai c c GS = 0V nên. Q1 khóa ==>Bóng ắ ắ ồ ấ ựđèn t t.ắ

T  th c nghi m trên ta th y r ng : đi n áp đ t vào chân G không t o ra ừ ự ệ ấ ằ ệ ặ ạdòng GS nh  trong Transistor thông thư ường mà đi n áp này ch  t o ra t  trệ ỉ ạ ừ ường 

=> làm cho đi n tr  RDS gi m xu ngệ ở ả ố

* Các thông s  th  hi n kh  năng đóng c t c a Mosfetố ể ệ ả ắ ủ

Th i   gian   tr   khi   đóng/m   khóa   ph   thu c   giá   tr   các   t   kí   sinhờ ễ ở ụ ộ ị ụ  Cgs.Cgd,Cds. Tuy nhiên các thông s  này thố ường được cho dướ ại d ng tr  s  tị ố ụ Ciss, Crss,Coss. Nh ng dư ưới đi u ki n nh t đinh nh  là đi n áp Ugs và Uds. Taề ệ ấ ư ệ  

Bước 1 : Chu n b  đ  thang x1KWẩ ị ể  

Bước 2 : N p cho G m t đi n tích ( đ  que đen vào G que đ  vào S ho c ạ ộ ệ ể ỏ ặ

D ) 

Bước 3 : Sau khi n p cho G m t đi n tích ta đo gi a D và S ( que đen vào ạ ộ ệ ữ

D que đ  vào S ) => kim s  lên.ỏ ẽ  

Bước 4 : Ch p G vào D ho c G vào S đ  thoát đi n chân G.ậ ặ ể ệ

Bước 5 : Sau khi đã thoát đi n chân G đo l i DS nh  bệ ạ ư ước 3 kim không lên. 

=> K t qu  nh  v y là Mosfet t t.ế ả ư ậ ố

­ Mosfet ch t hay ch pế ậ

Bước 1 : Đ  đ ng h  thang x 1KWể ồ ồ

Đo gi a G và S ho c gi a G và D n u kim lên = 0 W là ch pữ ặ ữ ế ậ

Đo gi a D và S mà c  hai chi u đo kim lên = 0 W là ch p D Sữ ả ề ậ

­  Đo ki m tra Mosfet trong m chể ạ

Khi ki m tra Mosfet trong m ch , ta ch  c n đ  thang x1W và đo gi a D vàể ạ ỉ ầ ể ữ  

S. N u 1 chi u kim lên đ o chi u đo kim không lên => là Mosfet bình thế ề ả ề ường, 

N u c  hai chi u kim lên = 0 W là Mosfet b  ch p DSế ả ề ị ậ

●Ứng dung c a Mosfet trong th c tủ ự ế

Mosfet trong ngu n xung c a Monitorồ ủ

Hình 1.3:  Mosfet trong ngu n xung ồ

Trong b  ngu n xung c a Monitor ho c máy vi tính, ngộ ồ ủ ặ ười ta thường dùng 

c p linh ki n là IC t o dao đ ng và đèn Mosfet, dao đ ng t o ra t  IC có d ngặ ệ ạ ộ ộ ạ ừ ạ  xung vuông được đ a đ n chân G c a Mosfet, t i th i đi m xung có đi n áp >ư ế ủ ạ ờ ể ệ  0V => đèn Mosfet d n, khi xung dao đ ng = 0V Mosfet ng t => nh  v y daoẫ ộ ắ ư ậ  

đ ng t o ra s  đi u khi n cho Mosfet liên t c đóng ng t t o thành dòng đi nộ ạ ẽ ề ể ụ ắ ạ ệ  

bi n thiên liên t c ch y qua cu n s  c p => sinh ra t  trế ụ ạ ộ ơ ấ ừ ường bi n thiên c mế ả  

ng lên các cu n th  c p => cho ta đi n áp ra

TRIAC (vi t   t t   c aế ắ ủ  TRIode   for   Alternating   Current)   là   ph n   tầ ử bán 

d nẫ  g m năm l p bán d n, t o nên c u trúc p­n­p­n nh  ồ ớ ẫ ạ ấ ư ởthyristor theo c  haiả  chi u gi a các c c T1 và T2, do đó có th  d n dòng theo c  hai chi u gi a T1 vàề ữ ự ể ẫ ả ề ữ  T2   TRIAC   có   th   coi   tể ương   đương   v i   hai   thyristor   đ u   song   song   songớ ấ  

ngược.đ  đi u khi n Triac ta ch  c n c p xung cho chân G c a Triac.ể ề ể ỉ ầ ấ ủ

●C u t oấ ạ

Triac là m t linh ki n bán d n có ba c cộ ệ ẫ ự  năm l p, làm vi c nh  2 Thyristorớ ệ ư  

m c song song ngắ ược chi u, có th  d n đi n theo hai chi u.ề ể ẫ ệ ề

Hình 1.4: C u t o Triac ấ ạ

Triac có b n t  h p đi n th  có th  m  cho dòng ch y qua:ố ổ ợ ệ ế ể ở ả

●Đ c tuy nặ ế

Đ c tuy n Volt – Ampe g m hai ph n đ i x ng nhau qua g c O, m iặ ế ồ ầ ố ứ ố ỗ  

ph n tầ ương t  đ c tuy n thu n c a Thyristor.ự ặ ế ậ ủ

Đ c tính Volt­Ampere c a TRIAC bao g m hai đo n đ c tính   góc ph nặ ủ ồ ạ ặ ở ầ  

t  th  nh t và th  ba (h  tr c Descartes), m i đo n đ u gi ng nh  đ c tínhư ứ ấ ứ ệ ụ ỗ ạ ề ố ư ặ  thu n c a m t thyristor.ậ ủ ộ

TRIAC có th  đi u khi n cho m  d n dòng b ng c  xung dể ề ể ở ẫ ằ ả ương (dòng đi vào c c đi u khi n) l n xung âm (dòng đi ra kh i c c đi u khi n).Tuy nhiênự ề ể ẫ ỏ ự ề ể  xung dòng đi u khi n âm có đ  nh y kém h n, nghĩa là đ  m  đề ể ộ ạ ơ ể ở ược TRIAC sẽ 

c n m t dòng đi u khi n âm l n h n so v i dòng đi u khi n dầ ộ ề ể ớ ơ ớ ề ể ương.Vì v yậ  trong th c t  đ  đ m b o tính đ i x ng c a dòng đi n qua TRIAC thì s  d ngự ế ể ả ả ố ứ ủ ệ ử ụ  dòng đi n dệ ương là t t h n c ố ơ ả

Hình 1.5: Đ c tuy n c a TRIAC ặ ế ủ

●Ứng d ngụ

Hình 1.6: M ch đi u khi n dòng đi n qua t i dùng triac ạ ề ể ệ ả

Triac k t h p v i quang tr  Cds đ  tác đ ng theo ánh sáng. Khi Cds đế ợ ớ ở ể ộ ượ  cchi u sáng s  có tr  s  đi n tr  nh  làm đi n th  n p đế ẽ ị ố ệ ở ỏ ệ ế ạ ược trên t  C th p vàụ ấ  diac không d n đi n, triacẫ ệ  không được kích nên không có dòng qua t i. Khi Cdsả  

b  che t i s  có tr  s  đi n tr  l n làm đi n th  trên t  C tăng đ n m c đ  đị ố ẽ ị ố ệ ở ớ ệ ế ụ ế ứ ủ ể triac d n đi n và triacẫ ệ  được kích d n đi n cho dòng đi n qua t i. T i   đây cóẫ ệ ệ ả ả ở  

th  là các lo i đèn chi u sáng l i đi hay chi u sáng b o v , khi tr i t i thì đèn tể ạ ế ố ế ả ệ ờ ố ự 

đ ng sáng.ộ

Chú ý khi s  d ng:ử ụ  Nh ng d ng c  đi nữ ụ ụ ệ  t i thu n tr  làm vi c t tả ầ ở ệ ố  v i cácớ  giá tr  trung bình nh  tác d ng san làm đ ng đ u. Nh ng các d ng c  đi n t iị ờ ụ ồ ề ư ụ ụ ệ ả  

đi n kháng s  b   nh hệ ẽ ị ả ưởng đáng k , ví d  đ ng c  s  b  phát nóng h n m cể ụ ộ ơ ẽ ị ơ ứ  bình thường, tiêu t n năng lố ượng cao h n.ơ

K t lu n:ế ậ  Triac có  u đi m trong m i v n đ  nh  g n nh , r  ti n …ư ể ọ ấ ề ư ọ ẹ ẻ ề  Dùng Triac làm bi n d ng sin là nhế ạ ược đi m chính trong s  d ng.ể ử ụ

Thyristor có th  xem nhể ư  tương đương hai BJT g m m t BJT lo i NPN ồ ộ ạ

và m t BJT lo i PNP ghép l i nh  hình v  sau:ộ ạ ạ ư ẽ

Hình 1.7: C u t o Thy ấ ạ ristor

●Nguyên lý ho tạ  đ ngộ

* M  thyristorở

Khi được phân c c thu n, Uak>0, thyristor có th  m  b ng hai cách. Thự ậ ể ở ằ ứ 

nh t, có th  tăng đi n ápấ ể ệ  anode­cathode cho đ n khi đ t đ n giá tr  đi n áp thu nế ạ ế ị ệ ậ  

l n nh t,ớ ấ Uth,max.Đi n tr  tệ ở ương đương trong m chạ  anode­cathode s  gi m đ tẽ ả ộ  

ng t và dòng qua thyristor s  hoàn toàn do m ch ngoài xác đ nh. Phộ ẽ ạ ị ương pháp này trong th c t  không đự ế ược áp d ng do nguyên nhân m  không mong mu n và khôngụ ở ố  

ph i lúc nào cũng tăng đả ược đi n áp đ n giá trệ ế ị Uth,max. H n n a nh  v y x y raơ ữ ư ậ ả  

trường h p thyristor t  m  ra dợ ự ở ưới tác d ng c a các xung đi n áp t i m t th iụ ủ ệ ạ ộ ờ  

đi m ng u nhiên, không đ nh trể ẫ ị ước

Phương pháp th  hai, đứ ược áp d ng trong th c t , là đ a m t xung dòngụ ự ế ư ộ  

đi n có giá tr  nh t đ nh vào các c c đi u khi n vàệ ị ấ ị ự ề ể  cathode. Xung dòng đi n đi uệ ề  khi n s  chuy n tr ng thái c a thyristor t  tr  kháng cao sang tr  kháng th p ể ẽ ể ạ ủ ừ ở ở ấ ở 

m c đi n ápứ ệ  anode­cathode nh  Khi đó n u dòng quaỏ ế  anode­cathode l n h n m tớ ơ ộ  giá tr  nh t đ nh g i là dòng duy trì (ị ấ ị ọ Idt) thyristor s  ti p t c   trong tr ng thái mẽ ế ụ ở ạ ở 

d n dòng mà không c n đ n s  t n t i c a xung dòng đi u khi n, nghĩa là có thẫ ầ ế ự ồ ạ ủ ề ể ể 

đi u khi n m  các thyristor b ng các xung dòng có đ  r ng xung nh t đ nh, do đóề ể ở ằ ộ ộ ấ ị  

công su t c a m ch đi u khi n có th  là r t nh , so v i công su t c a m ch l cấ ủ ạ ề ể ể ấ ỏ ớ ấ ủ ạ ự  

mà thyristor là m t ph n t  đóng c t, kh ng ch  dòng đi n.ộ ầ ử ắ ố ế ệ

* Trường h p c c G đ  h  hay Vợ ự ể ở G = OV

Khi c c G và Vự G  = OV có nghĩa là transistor T1 không có phân c c   c c Bự ở ự  nên T1ng ng d n. Khi Tư ẫ 1 ng ng d n Iư ẫ B1 = 0, IC1 = 0 và T2 cũng ng ng d n. Như ẫ ư 

v y trậ ường h p này Thyristor không d n đi n đợ ẫ ệ ược, dòng đi n qua Thyristor làệ  

IH (Holding). Sau đó đ c tính c a Thyristor gi ng nh  m t diode n n đi n.ặ ủ ố ư ộ ắ ệ

Trường h p đóng khóa K: Vợ G = VDC – IGRG, lúc này Thyristor d  chuy nễ ể  sang tr ng thai d n đi n. Lúc này transistor Tạ ẫ ệ 1 được phân c c   c c Bự ở ự 1 nên dòng 

đi n Iệ G chính là IB1  làm T1 d n đi n, cho ra Iẫ ệ C1 chính là dòng đi n Iệ B2 nên lúc đó I2 d n đi n, cho ra dòng đi n Iẫ ệ ệ C2 l i cung c p ngạ ấ ượ ạc l i cho T1 và IC2 = IB1. Nhờ 

đó mà Thyristor s  t  duy trì tr ng thái d nẽ ự ạ ẫ   mà không c n có dòng Iầ G liên t c.ụ

IC1 = IB2    ; IC2 = IB1

Theo nguyên lý này dòng đi n qua hai transistor s  đệ ẽ ược khu ch đ i l nế ạ ớ  

d n và hai transistor ch y   tr ng thái bão hòa. Khi đó đi n áp Vầ ạ ở ạ ệ AK gi m r t nhả ấ ỏ (  0,7V) và dòng đi n qua Thyristor là:≈ ệ

Th c nghi m cho th y khi dòng đi n cung c p cho c c G càng l n thì ápự ệ ấ ệ ấ ự ớ  

ng p càng nh  t c Thyristor càng d  d n đi n.ậ ỏ ứ ễ ẫ ệ

* Trường h p phân c c ngợ ự ược Thyristor

Phân c c ngự ược Thyristor là n i A vào c c âm, K vào c c dố ự ự ương c aủ  ngu n Vồ CC. Trường h p này gi ng nh  diode b  phân c  ngợ ố ư ị ự ược.Thyristor sẽ không d n đi n mà ch  có dòng r  r t nh  đi qua. Khi tăng đi n áp ngẫ ệ ỉ ỉ ấ ỏ ệ ược lên đủ 

l n thì Thyristor s  b  đánh th ng và dòng đi n qua theo chi u ngớ ẽ ị ủ ệ ề ược. Đi n ápệ  

ngược đ  đ  đánh th ng Thyristor là Vủ ể ủ BR. Thông thường tr  s  Vị ố BR và VBO  b ngằ  nhau và ngược d u.ấ

Đ c tính Volt­Ampere c a m t thyristor g m hai ph n. Ph n th  nh tặ ủ ộ ồ ầ ầ ứ ấ  

n m trong góc ph n t  th  I c a đ  th  Descartes,  ng v i trằ ầ ư ứ ủ ồ ị ứ ớ ường h p đi n ápợ ệ  Vak > 0, ph n th  hai n m trong góc ph n t  th  III, g i là đ c tính ngầ ứ ằ ầ ư ứ ọ ặ ượ  c,

tương  ng v i trứ ớ ường h p Vak<0ợ

* Không có dòng đi n vào c c đi u khi nệ ự ề ể

Khi dòng đi n vào c c đi u khi n c a thyristor b ng 0, hay khi h  m ch c cệ ự ề ể ủ ằ ở ạ ự  

đi u khi n, thyristor s  c n tr  dòng đi n  ng v i c  hai trề ể ẽ ả ở ệ ứ ớ ả ường h p phân c cợ ự  

đi n áp gi aệ ữ  anode vàcathode. Khi đi n áp Uak < 0 theo c u t o bán d n c aệ ấ ạ ẫ ủ  thyristor hai ti p giáp J1, J3 đ u phân c c ngế ề ự ược, l p ti p giáp J2 phân c c thu n,ớ ế ự ậ  

nh  v y thyristor s  gi ng nh  haiư ậ ẽ ố ư  đi tố m c n i ti p b  phân c c ngắ ố ế ị ự ược. Qua thyristor s  ch  có m t dòng đi n r t nh  ch y qua, g i là dòng rò. Khi Uak tăngẽ ỉ ộ ệ ấ ỏ ạ ọ  

đ t đ n m t giá tr  đi n áp l n nh t s  x y ra hi n tạ ế ộ ị ệ ớ ấ ẽ ả ệ ượng thyristor b  đánh th ng,ị ủ  dòng đi n có th  tăng lên r t l n. Gi ng nh    đo n đ c tính ngệ ể ấ ớ ố ư ở ạ ặ ược c a đi t quáủ ố  trình đánh th ng là không th  đ o ngủ ể ả ược được, nghĩa là thyristor đã b  h ng.ị ỏ

Khi tăng đi n ápệ  anode­cathode theo chi u thu n, Uak > 0, lúc đ u cũng chề ậ ầ ỉ 

có   m t   dòng   đi n   r t   nh   ch y   qua,   g i   là   dòng   rò.ộ ệ ấ ỏ ạ ọ  Đi n   trệ ở tương   đươ  ng

m chạ  anode­cathode v n có giá tr  r t l n. Khi đó ti p giáp J1, J3 phân c c thu n,ẫ ị ấ ớ ế ự ậ  J2 phân c c ngự ược. Cho đ n khi Uak tăng đ t đ n giá tr  đi n áp thu n l n nh t sế ạ ế ị ệ ậ ớ ấ ẽ 

x y ra hi n tả ệ ượng đi n tr  tệ ở ương đương m chạ  anode­cathode đ t ng t gi m, dòngộ ộ ả  

đi n có th  ch y qua thyristor và giá tr  s  ch  b  gi i h n b i đi n tr  t i   m chệ ể ạ ị ẽ ỉ ị ớ ạ ở ệ ở ả ở ạ  ngoài. N u khi đó dòng qua thyristor có giá tr  l n h n m t m c dòng t i thi u, g iế ị ớ ơ ộ ự ố ể ọ  

là dòng duy trì, Idt, thì khi đó thyristor s  d n dòng trên đẽ ẫ ường đ c tính thu n,ặ ậ  

gi ng nh  đố ư ường đ c tính thu n c a đi t.ặ ậ ủ ố

* Có dòng đi n vào c c đi u khi n (iG > 0)ệ ự ề ể

N u có dòng đi u khi n đ a vào gi a c c đi u khi n vàế ề ể ư ữ ự ề ể  cathode thì quá trình chuy n đi m làm vi c trên để ể ệ ường đ c tính thu n s  x y ra s m h n, trặ ậ ẽ ả ớ ơ ước khi 

đi n áp thu n đ t giá tr  l n nh t. Nói chung n u dòng đi u khi n l n h n thìệ ậ ạ ị ớ ấ ế ề ể ớ ơ  

đi m chuy n đ c tính làm vi c s  x y ra v i Uak nh  h n.ể ể ặ ệ ẽ ả ớ ỏ ơ

●Các thông s  k  thu tố ỹ ậ  

Dòng  đi n  thu n c c  đ iệ ậ ự ạ   Đây là tr  s  l n nh t dòng  đi n qua màị ố ớ ấ ệ  Thyristor có th  ch u đ ng liên t c, quá tr  s  này Thyristor b  h  Khi Thyristorể ị ự ụ ị ố ị ư  

đã d n đi n Vẫ ệ AKkho ng 0,7V nên dòng đi n thu n qua có th  tính theo công th cả ệ ậ ể ứ

Đi n áp ngệ ược c c đ iự ạ  Đây là đi n áp ngệ ượ ớc l n nh t có th  đ t gi a Aấ ể ặ ữ  

và K mà Thyristor ch a b  đánh th ng, n u vư ị ủ ế ượt qua tr  s  này Thyristor s  bị ố ẽ ị phá h y. Đi n áp ngủ ệ ượ ực c c đ i c a Thyristor thạ ủ ường kho ng 100V đ n 1000V.ả ế

Dòng đi n kích c c ti uệ ự ể IGmin.  Đ  Thyristor có th  d n đi n trong trể ể ẫ ệ ườ  ng

h p đi n áp Vợ ệ AK th p thì ph i có dòng đi n kích cho c c G c a Thyristor. Dòngấ ả ệ ự ủ  IGmin là tr  s  dòng kích nh  nh t đ  đ  đi u khi n Thyristor d n đi n và dòngị ố ỏ ấ ủ ể ề ể ẫ ệ  IGmin có tr  s  l n hay nh  tùy thu c công su t c a Thyristor, n u Thyristor cóị ố ớ ỏ ộ ấ ủ ế  công su t càng l n thì Iấ ớ Gmin ph i càng l n. Thông thả ớ ường IGmin t  1mA đ n vàiừ ế  

ch c mA.ụ

Th i gian m  Thyristorờ ở Là th i gian c n thi t hay đ  r ng c a xung kíchờ ầ ế ộ ộ ủ  

đ  Thyristor có th  chuy n t  tr ng thái ng ng sang tr ng thái d n, th i gian mể ể ể ừ ạ ư ạ ẫ ờ ở kho ng vài micrô giây.ả

Th i gian t tờ ắ  Theo nguyên lý Thyristor s  t  duy trì tr ng thái d n đi n sauẽ ự ạ ẫ ệ  khi được kích. Mu n Thyristor đang   tr ng thái d n chuy n sang tr ng thái ng ngố ở ạ ẫ ể ạ ư  thì ph i cho Iả G = 0 và cho đi n áp Vệ AK = 0. đ  Thyristor có th  t t để ể ắ ược thì th i gianờ  cho VAK = OV ph i đ  dài, n u không Vả ủ ế AK tăng lên cao l i ngay thì Thyristor s  d nạ ẽ ẫ  

đi n tr  l i. Th i gian t t c a Thyristor kho ng vài ch c micrô giâyệ ở ạ ờ ắ ủ ả ụ

th  coi nh  m t t  di n có đi n dung Cj2. Khi có đi n áp bi n thiên v i t c để ư ộ ụ ệ ệ ệ ế ớ ố ộ 

l n, dòng đi n c a t  có th  có giá tr  đáng k , đóng vai trò nh  dòng đi u khi n.ớ ệ ủ ụ ể ị ể ư ề ể  

K t qu  là thyristor có th  m  ra khi ch a có tín hi u đi u khi n vào c c đi uế ả ể ở ư ệ ề ể ự ề  khi n G.ể

T c đ  tăng đi n áp là m t thông s  phân bi t thyristor t n s  th p v iố ộ ệ ộ ố ệ ầ ố ấ ớ  thyristor t n s  cao.   thyristor t n s  th p, dU/dt vào kho ng 50 đ n 200 V/μs cònầ ố Ở ầ ố ấ ả ế  

v i các thyristor t n s  cao dU/dt có th  lên t i 500 đ n 2000 V/μs.ớ ầ ố ể ớ ế

(tham kh o )ả

­ T c đ  tăng dòng cho phépố ộ  dI/dt (A/μs)

Khi thyristor b t đ u m  không ph i m i đi m trên ti t di n tinh th  bán d n c aắ ầ ở ả ọ ể ế ệ ể ẫ ủ  

nó đ u d n dòng đ ng đ u. Dòng đi n s  ch y qua b t đ u   m t vài đi m, g nề ẫ ồ ề ệ ẽ ạ ắ ầ ở ộ ể ầ  

v i c c đi u khi n nh t, sau đó s  lan t a d n sang các đi m khác trên toàn b  ti tớ ự ề ể ấ ẽ ỏ ầ ể ộ ế  

di n. N u t c đ  tăng dòng đi n quá l n có th  d n t i m t đ  dòng đi n   cácệ ế ố ộ ệ ớ ể ẫ ớ ậ ộ ệ ở  

đi m d n ban đ u quá l n, s  phát nhi t c c b  quá nhanh d n đ n h ng c c b ,ể ẫ ầ ớ ự ệ ụ ộ ẫ ế ỏ ụ ộ  

t  đó d n đ n h ng toàn b  ti t di n tinh th  bán d n.ừ ẫ ế ỏ ộ ế ệ ể ẫ

T c đ  tăng dòng cho phép   các thyristor t n s  th p vào kho ng 50÷100A/μs,ố ộ ở ầ ố ấ ả  

v i các thyristor t n s  cao dI/dt vào kho ng 500÷2000A/μs. Trong các b  bi n đ iớ ầ ố ả ộ ế ổ  

ph i luôn có các bi n pháp đ m b o t c đ  tăng dòng dả ệ ả ả ố ộ ưới giá tr  cho phép. Đi uị ề  này đ t đạ ược nh  m c n i ti p các ph n t  bán d n v i các đi n kháng nh , lõiờ ắ ố ế ầ ử ẫ ớ ệ ỏ  không khí ho c đ n gi n h n là các xuy n ferit l ng lên nhau. Các xuy nặ ơ ả ơ ế ồ ế  ferit r tấ  

ph  bi n vì c u t o đ n gi n, d  thay đ i đi n c m b ng cách thay đ i s  xuy nổ ế ấ ạ ơ ả ễ ổ ệ ả ằ ổ ố ế  

l ng lên thanh d n. Xuy n ferit còn có tính ch t c a cu n c m bão hòa, khi dòngồ ẫ ế ấ ủ ộ ả  qua thanh d n còn nh  đi n kháng s  l n đ  h n ch  t c đ  tăng dòng. Khi dòngẫ ỏ ệ ẽ ớ ể ạ ế ố ộ  

đã l n ferit b  bão hòa t , đi n c m gi m g n nh  b ng không. Vì v y cu n khángớ ị ừ ệ ả ả ầ ư ằ ậ ộ  

ki u này không gây s t áp trong ch  đ  dòng đ nh m c ch y qua dây d n.ể ụ ế ộ ị ứ ạ ẫ

●Ứng d ng c a Thyristorụ ủ

Thyristor ch  y u đủ ế ượ ử ục s  d ng   nh ng  ng d ng yêu c u đi n áp và dòngở ữ ứ ụ ầ ệ  

đi n l n, và thệ ớ ường đượ ử ục s  d ng đ  đi u khi n dòng xoay chi u AC (Alternatingể ề ể ề  current), vì s  thay đ i c c tính c a dòng đi n khi n thi t b  có th  đóng m t cáchự ổ ự ủ ệ ế ế ị ể ộ  

t  đ ng(đự ộ ược bi t nh  là quá trình Zero Cross­quá trình đóng c t đ u ra t i lân c nế ư ắ ầ ạ ậ  

đi m 0 c a đi n áp hình sin).ể ủ ệ

1.2. Ngh ch l uị ư

1. 2.1. Khái ni m và phân lo i s  đ  ngh ch l u.ệ ạ ơ ồ ị ư

Khái ni m: Ngh ch l u là quá trình bi n đ i đi n áp m t chi u thành đi nệ ị ư ế ổ ệ ộ ề ệ  

áp xoay chi u m t pha ho c ba pha ề ộ ặ

* S  đ  kh i:ơ ồ ố

Hình 1.9. S  đ  kh i ơ ồ ố

­Kh i ngu n.ố ồ

       Ngu n đi n đồ ệ ượ ử ục s  d ng   đây là ngu n đi n m t chi u l y t  bình  c ở ồ ệ ộ ề ấ ừ ắquy.Th i gian s  d ng ph  thu c ch  y u vào dung lờ ử ụ ụ ộ ủ ế ượng l u tr  c a  c ư ữ ủ ắ

quy.Công th c tính công su t phát:P=U.I.ứ ấ

       Ví d : c quy 12v/100Ah thì công su t phát là:P=12.100=1200w.ụ ắ ấ

    N u ch y bóng đèn compact 20w s  đế ạ ẽ ược 60h

­ Kh i t o t n s  50hz.ố ạ ầ ố

     Nhi m v  c a kh i t o ra song dao đ ng đ a vào kh i công su t v i t n ệ ụ ủ ố ạ ộ ư ố ấ ớ ầ

s  đi n công nghi p.Sóng   đây thố ệ ệ ở ường là 2 d ng chính là hình sin ho c ạ ặ

vuông.Thường thì kh i công su t tr  kháng đ u vào r t nh  nên th c t  chúng taố ấ ở ầ ấ ỏ ự ế  

c n m t kh i khuyêch đ i đ m nhi m v   n đinh kh i phát xung dao đ ng gi mầ ộ ố ạ ệ ệ ụ ổ ố ộ ả  

tr  kháng đ u vào cho t ng công su t.ở ầ ầ ấ

­Kh i công su t.ố ấ

     T  d ng song nh n đừ ạ ậ ượ ừc t  kh i phát công su t s  khuyech đ i đ a đ n ố ấ ẽ ạ ư ế

bi n áp t o đi n áp xoay chi u.Thế ạ ệ ề ường thì kh i này s  d ng các linh ki n công ố ử ụ ệ

su t nh  thyristor,transitor ch u dòng l n nh  D718,2N3055…yêu c u cho kh i ấ ư ị ớ ư ầ ốnày ho t đ ng  t t c n có h  th ng t n nhi t làm mát.ạ ộ ố ầ ệ ố ả ệ

 ­Bi n áp ngh ch l u.Đây là thành ph n chính quy t đ nh t i công su t phát c a ế ị ư ầ ế ị ớ ấ ủ

m ch.Bi n áp đạ ế ượ ử ục s  d ng là bi n áp ngh ch l u có t  s  vòng dây c a cu n ế ị ư ỷ ố ủ ộ

th  c p l n h n r t nhi u cu n s  c p Công su t c a m ch đứ ấ ớ ơ ấ ề ộ ơ ấ ấ ủ ạ ược tính nh  ưsau:Pmax=U.I

V i I là dòng đi n bi n áp ch u đớ ệ ế ị ược.U là hi u đi n th  đ t vào cu n s  c p.ệ ệ ế ặ ộ ơ ấ

 Trong đó ngh ch l u ph  thu c là ngh ch l u có đi n áp, t n s , góc phaị ư ụ ộ ị ư ệ ầ ố  

và th  t  pha ph  thu c vào lứ ự ụ ộ ưới đi n mà đ u ra c a nó m c song song vào. ệ ầ ủ ắ

Ngh ch l u đ c l p l i đị ư ộ ậ ạ ược chia ra ngh ch l u đ c l p ngu n áp vàị ư ộ ậ ồ  ngu n dòng. Trong đó ngh ch l u đ c l p ngu n áp thì luôn đ nh ra m t đi n ápồ ị ư ộ ậ ồ ị ộ ệ  

có biên đ , t n s , góc pha và th  t  pha không ph  thu c vào lo i t i và ch  phộ ầ ố ứ ự ụ ộ ạ ả ỉ ụ thu c vào tín hi u đi u khi n, đi n áp thộ ề ề ể ệ ường có d ng hình ch nh t còn dòngạ ữ ậ  

đi n ph thu c vào t i có th  là hình ch  nh t, hình răng c a, hình sin, d ng hàmệ ụ ộ ả ể ữ ậ ư ạ  mũ

 Còn ngh ch l u đ c l p ngu n dòng thì luôn đ nh ra m t dòng đi n có biênị ư ộ ậ ồ ị ộ ệ  

đ , t n s , góc pha và th  t  pha không ph thu c vào lo i t i và ch  ph  thu cộ ầ ố ứ ự ụ ộ ạ ả ỉ ụ ộ  vào tín hi u đi u khi n, dòng đi n thề ề ể ệ ường có d ng hình ch nh t còn đi n ápạ ữ ậ ệ  

ph  thu c vào t i có th  là hình ch  nh t, hình răng c a, hình sin, d ng hàm mũụ ộ ả ể ữ ậ ư ạ

1.2.2. Các s  đ  ngh ch l u đ c l p m t pha ơ ồ ị ư ộ ậ ộ

●Thi t b  bi n đ i dòng đi n m t pha ế ị ế ổ ệ ộ

Hình 1.10: S  đ  m t pha có đi m trung tính ơ ồ ộ ể

 S  đ g m m t máy bi n áp có đi m gi a phía s  c p, hai Tiristor anôtơ ồ ồ ộ ế ể ữ ơ ấ  

n i vào c c dố ự ương c a ngu n nuôi E thông qua hai n a cu n dây s c p c a máyủ ồ ử ộ ơ ấ ủ  

bi n áp, do đó còn có tên là onduleur song song.   đ u vào c a onduleur dòng taế Ở ầ ủ  

đ u n i ti p v i m t đi n c m l n LK v a đ  gi cho dòng đi n vào đ  h nấ ố ế ớ ộ ệ ả ớ ừ ể ữ ệ ể ạ  

ch  đ nh cao c a dòng đi n Ickhi kh i đ ng. T  đi n C g i là t  đi n chuy nế ỉ ủ ệ ở ộ ụ ệ ọ ụ ệ ể  

m ch.Đ c đi m c a onduleur dòng là có dòng đi n t i d ng “Sinus ch nh t”ạ ặ ể ủ ệ ả ạ ữ ậ  còn d ng đi n áp trên t i thì do thông s  m ch t i quy t đ nh.ạ ệ ả ố ạ ả ế ị

 2n1 là t ng s  vòng dây s  c p.ổ ố ơ ấ

 n2 là s vòng dây th c p.ố ứ ấ

 i,v là dòng và áp phía th c p.ứ ấ

 Ho t đ ng c a s  đ :Gi  thi t cho xung m  T1 đi m A đạ ộ ủ ơ ồ ả ế ở ể ược T1 n i v iố ớ  

c c âm c a ngu n E. b y gi V 0 –VA= u1= E, do hi u  ng bi n áp t  ng uự ủ ồ ấ ờ ệ ứ ế ự ẫ  nênVB =Vo = u1= E.nh  v y t  đi n C đư ậ ụ ệ ược n p đi n áp b ng 2E, b n c cạ ệ ằ ả ự  

dương   bên ph i. Bây gi  n u cho xung m  T2, Tiristor này m  và đ t đi n thở ả ờ ế ở ở ặ ệ ế 

đi m B vào m ch catôt T 1 khi n T 1 b  khoá l i, t  đi n C s  b  n p ngể ạ ế ị ạ ụ ệ ẽ ị ạ ượ ạ  c l i,

s n sàng đ  khoá T2 khi ta cho xung m  T1 Phía th  c p ta nh n đẵ ể ở ứ ấ ậ ược dòng 

“Sinus ch nh t” mà t n s  c a nó ph  thu c vào nh p phát xung m T1,T2ữ ậ ầ ố ủ ụ ộ ị ở

d ng xung vuông. Khi đ a xung vào m  c p van T1,T2 , dòng đi n i = id= Id.ạ ư ở ặ ệ  

Đ ng th i dòng qua t  C tăng lên đ t bi n , t  C b t đ u n p đi n v i c c (+) ồ ờ ụ ộ ế ụ ắ ầ ạ ệ ớ ự ở bên trái và c c (­)   bên ph i.ự ở ả

Khi t  C n p đ y, dòng qua t  gi m v  không. Do i = ic = it=Id = h ng s ,ụ ạ ầ ụ ả ề ằ ố  nên lúc đ u dòng qua t i nh  và sau đó dòng qua t i tăng lên. Sau m t n a chuầ ả ỏ ả ộ ử  

k  (t = t1) ngỳ ười ta đ a xung vào m c p van T3,T4. C p T3,T4 m  t o ra quáư ở ặ ặ ở ạ  trình phóng đi n c a t  C t c c (+) v c c (­) .ệ ủ ụ ừ ự ề ự

  Dòng phóng ngược chi u v i dòng qua T1 và T2 s  làm cho T1 và T2 bề ớ ẽ ị khoá l i.Quá trình chuy n m ch g n nh  t c th i. Sau đó t C s  đạ ể ạ ầ ư ứ ờ ụ ẽ ược n p đi nạ ệ  theo chi u ngề ượ ạ ớ ực l i v i c c (+)   bên ph i và c c (­)  bên trái. Dòng ngh chở ả ự ở ị  

l u i =id=­Id (đã đ i d u). Đ n th i đi m t = t2 ngư ổ ấ ế ờ ể ười ta đ a xung vào m T1,T2ư ở  thì T3,T4 s  b  khoá l i và quá trình đẽ ị ạ ượ ặ ạc l p l i nh  trư ước. Nh  v y ch c năngư ậ ứ  

c  b n c a t  C là làm nhi m v  chuy n m ch cho các Tiristor. T i th i đi m t1ơ ả ủ ụ ệ ụ ể ạ ạ ờ ể  khi m T3 và T4 thì T1 và T2 s  b  khoá l i b i đi n áp ngở ẽ ị ạ ở ệ ược c a t  C đ t vào.ủ ụ ặ  Kho ng th i gian duy trì di n áp ngả ờ ệ ược ( t1 ­t’1 ) là c n thi t đ  duy trì qúa trìnhầ ế ể  khoá và ph c h i tính đi u khi n c a van và t’1­ t01= tk ≥ toff là th i gian khoáụ ồ ề ể ủ ờ  

c a Tiristor hay chính là th i gian ph c h i tính đi u khi n. kt     = là góc khoáủ ờ ụ ồ ề ể ω β  

c a ngh ch l u.ủ ị ư

●Ngh ch l u đi n áp 1 phaị ư ệ

S  đ  không đi u chơ ồ ề ế

Hình 1.12: S  Đ  m ch đi n ơ ồ ạ ệ

Trong đó : ­T1,T2,T3,T4: Là các thyristor có nhi m v  đ  đóng c t ho cệ ụ ể ắ ặ  

đi u ch nh thay đ i đi n áp xoay chi u ra t i.ề ỉ ổ ệ ề ả

 ­R, L: là ph  t i c a đ ng c  đi n xoay chi u. ụ ả ủ ộ ơ ệ ề

­D1,D2,D3,D4: Là các diôt d n dòng khi t i tr  năng lẫ ả ả ượng v  ngu n nuôi.ề ồ  

­is: Là dòng ngu n xoay chi u d ng răng c a. ồ ề ạ ư

Khi is > 0 thì ngu n cung c p năng lồ ấ ượng cho t i (các thyristor d n dòng)ả ẫ

Khi is < 0 thì t i năng lả ượng v  ngu n nuôi (các diôt d n dòng).ề ồ ẫ

k p m  đã b  khóa l i.ị ở ị ạ

Khi t=t1, i=0, D1 và D3 b  khóa l i, T1 và T3 s  m  l i n u còn xung đi uị ạ ẽ ở ạ ế ề  khi n tác đ ng   các c c G1, G3 dòng t i i>0 và tăng ch y theo chi u tể ộ ở ự ả ả ề ừ 

A B.Giai đo n t  t=0 cho đ n t1 là giai đo n hoàn năng l→ ạ ừ ế ạ ượng. 

Khi t=T/2 cho xung m  T2 và T4, T1 và T3 b  khóa l i, dòng ch y qua D2 vàở ị ạ ả  D4 khi n cho T2 và T4 v a k p m  đã b  khóa l i. Khi t=t3, i=0, T2 và T4 s  mế ừ ị ở ị ạ ẽ ở 

l i, i<0 ch y theo chi u B A. Dòng t i i bi n thiên theo quy lu t hàm mũ gi aạ ả ề → ả ế ậ ữ  hai giá tr  Im và –Im. Các xung đi u khi n Thyristor thị ề ể ường là xung chùm

1.2.3. Ph m vi  ng d ngạ ứ ụ  c a m ch ngh ch l uủ ạ ị ư

     ­B  ngh ch l u là b  ph n ch  y u c a các b  bi n t n,độ ị ư ộ ậ ủ ế ủ ộ ế ầ ượ ử  d ng r ng c s ụ ộrãi trong các lĩnh v c nh  cung c p đi n,các h  đi u khi nự ư ấ ệ ệ ề ể   t c đ  đ ng c  đi nố ộ ộ ơ ệ  xoay chi u, truy n t i đi n năng HVDC ( highề ề ả ệ  voltage direct curent). 

     ­Truy n t i đi n cao áp m t chi u,luy n kim,cácề ả ệ ộ ề ệ  b  bi n đ i cho các ngu n ộ ế ổ ồnăng lượng m i, làm ngu n đi n xoay chi uớ ồ ệ ề  cho nhu c u gia đình, h  th ng ầ ệ ốchi u sáng,b  chuy n đ i ngu n ế ộ ể ổ ồ ở nh ng n i không có đi n lữ ơ ệ ưới nh  trên oto ư

ph c v  cho các thi t bụ ụ ế ị qu t, ti vi, trong lĩnh v c bù nhi u công su t ph n ạ ự ễ ấ ả

kháng

      ­N u s  d ng inverter sóng vuông thì ch  s  d ng h n ch  choế ử ụ ỉ ử ụ ạ ế  máytính,TV, VCD, đèn th p sáng vì dòng đi n nó t o ra có nhi u sóngắ ệ ạ ề  hài. N u dùng cho qu tế ạ  

đi n, sóng hài t o ra ti ng kêu và nóng đ ng c ,ệ ạ ế ộ ơ  lâu dài d n đ n cháy t  kh i ẫ ế ụ ở

đ ng và các cu n dây. Đ  dùng cho qu t vàộ ộ ể ạ  các ph  t i đ ng c , bi n áp c n ụ ả ộ ơ ế ầdùng Inverter sóng sin

       ­ ng d ng trong các b  l u đi n UPS đang đỨ ụ ộ ư ệ ược ph  bi n hi nổ ế ệ  nay.UPS là 

1 ngu n đi n d  phòng , cung c p t m th i đi n năng nh mồ ệ ự ấ ạ ờ ệ ằ  duy trì ho t đ ng ạ ộ

c a các thi t b  đi n khi x y ra s  c , đ m b o an toànủ ế ị ệ ả ự ố ả ả  d  li u và an toàn h  ữ ệ ệ

th ng.ố

CHƯƠNG 2THI T K  M CH NGH CH L UẾ Ế Ạ Ị Ư

V i ngu n c p là Acquy nên ta s  d ng m ch ngh ch l u đ c l p.Nhớ ồ ấ ử ụ ạ ị ư ộ ậ ư 

v y ta có ba s  ch n l a : Ngh ch l u đ c l p ngu n áp, ngu n dòng và c ngậ ự ọ ự ị ư ộ ậ ồ ồ ộ  

Ngh ch l u đ c l p ngu n áp ba pha sau đó l y m t pha đ  s  d ng. ị ư ộ ậ ồ ấ ộ ể ử ụ

Gh ch l u đ c l p ngu n áp ba pha có d ng hình sin h n so v i ngh ch l u đ c ị ư ộ ậ ồ ạ ơ ớ ị ư ộ

l p ngu n áp m t pha, tuy nhiên v i m c đích s  d ng nh  ban đ u ta đ a ra ậ ồ ộ ớ ụ ử ụ ư ầ ưthì hoàn toàn không c n thi t ph i dùng nh  v y, b i b  ngh ch l u áp ba pha ầ ế ả ư ậ ở ộ ị ưcho chi phí cao h n và tính toán đi u khi n cũng ph c t p h n r t nhi u, trong ơ ề ể ứ ạ ơ ấ ềkhi đó ta ch  c n s  d ng m t pha cho nhu c u sinh ho t hàng ngày.ỉ ầ ử ụ ộ ầ ạ

Do v y ta s  ch n m ch ngh ch l u đ c l p ngu n áp m t pha v i các ậ ẽ ọ ạ ị ư ộ ậ ồ ộ ớthông s  và yêu c u đã đ  ra.ố ầ ề

B  bi n đ i DC/AC s  g m  hai thành ph n chính nh  sauộ ế ổ ẽ ồ ầ ư

M ch đi u khi n : Có nhi m v  phát xung vuông dao đ ng v i t n s  50 ạ ề ể ệ ụ ộ ớ ầ ố

Hz c p xung m  cho transitor, transitor d n s  làm cho mosfet d n.ấ ở ẫ ẽ ẫ

M ch l c b  ngh ch l u m t pha :có nhi m v  đ y kéo đi n áp 12V DC ạ ự ộ ị ư ộ ệ ụ ẩ ệlên 220VAC t n s  50Hz.ầ ố