1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

Thuyết trình Kỹ thuật chiếu sáng LED OLED

10 149 1

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 10
Dung lượng 850,06 KB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

1. Cấu tạo: LED (viết tắt của Light Emitting Diode, có nghĩa là điốt phát quang) là các điốt có khả năng phát ra ánh sáng hay tia hồng ngoại, tử ngoại. Cũng giống như điốt, LED được cấu tạo từ một khối bán dẫn loại p ghép với một khối bán dẫn loại n1. Cấu tạo: LED (viết tắt của Light Emitting Diode, có nghĩa là điốt phát quang) là các điốt có khả năng phát ra ánh sáng hay tia hồng ngoại, tử ngoại. Cũng giống như điốt, LED được cấu tạo từ một khối bán dẫn loại p ghép với một khối bán dẫn loại n

Trang 1

Thuyết trình

Kỹ thuật chiếu sáng

GVHD: Cô Dương Lan Hương

Nhóm thực hiện: Nhóm 5

LED & OLED

Trang 2

I LED

1 Cấu tạo:

LED (viết tắt của Light

Emitting Diode, có nghĩa là điốt phát quang) là các điốt có khả năng phát ra ánh sáng hay tia hồng ngoại, tử ngoại Cũng

giống như điốt, LED được cấu tạo từ một khối bán dẫn loại

p ghép với một khối bán dẫn

loại n

Trang 3

2 Đặc tính kĩ thuật

LED có điện áp phân cực thuận cao hơn diode thông thường trong khoảng 1.5-3 V

Dễ bị hư do dòng ngược.

Màu sắc Bước sóng [nm] Điện áp [ΔV] Vật liệu

Hồng ngoại λ > 760 ΔV < 1.63 Gallium arsenide (GaAs)

Aluminium gallium arsenide (AlGaAs)

Đỏ 610 < λ < 760 1.63 < ΔV < 2.03

Aluminium gallium arsenide (AlGaAs) Gallium arsenide phosphide (GaAsP) Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)

Gallium(III) phosphide (GaP)

Trang 4

Cam 590 < λ < 610 2.03 < ΔV < 2.10

Gallium arsenide phosphide (GaAsP) Aluminium gallium indium

phosphide (AlGaInP) Gallium(III) phosphide (GaP)

Vàng 570 < λ < 590 2.10 < ΔV < 2.18

Gallium arsenide phosphide (GaAsP) Aluminium gallium indium

phosphide (AlGaInP) Gallium(III) phosphide (GaP)

Xanh lá 500 < λ < 570 1.9 < ΔV < 4.0

Indium gallium nitride (InGaN) / Gallium(III) nitride (GaN)

Gallium(III) phosphide (GaP) Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)

Aluminium gallium phosphide (AlGaP)

Trang 5

Xanh da trời 450 < λ < 500 2.48 < ΔV < 3.7

Zinc selenide (ZnSe) Indium gallium nitride (InGaN) Silicon carbide (SiC) as substrate Silicon (Si) as substrate — under development

Tím 400 < λ < 450 2.76 < ΔV < 4.0 Indium gallium nitride (InGaN)

Đỏ tía multiple types 2.48 < ΔV < 3.7 Dual blue/red LEDs, blue with red

phosphor, or white with purple plastic

Color Wavelength range

(nm)

Typical efficacy

(lm/W)

Typical efficiency

(W/W) Red 620 < λ < 645 72 0.39

Red-orange 610 < λ < 620 98 0.29

Cyan 490 < λ < 520 75 0.26

Blue 460 < λ < 490 37 0.35

Trang 6

Ưu điểm:

-Hiệu suất phát sáng cao, tiết kiệm

năng lượng.

-Tuổi thọ từ 50.000-100.000 h

-Cấu tạo chắc chắn

-Phát ra anh sáng mong muốn

-Chỉ số màu không thay đổi theo

thời gian, phản ánh màu sắc trung

thực trong đêm.

-Không hơi thủy ngân, không phát

tia hồng ngoại và cực tím

-Phát sáng rất nhanh.

-Có thể điều chỉnh công suất LED

Nhược:

-Giá thành ban đầu cao -Phụ thuộc và nhiệt độ môi trường

-Nhạy cảm với điện áp -Phải chon màu đúng với lĩnh vực sử dụng

3 Ưu nhược điểm của đèn LED

Trang 7

LED trung

bình: 20mA

– 1000mA

LED công suất lớn: vài trăm mA đến vài A.

LED nhỏ: 1mA-20mA

4 Phân loại

Trang 8

LED

hình trụ

LED công suất (power LED)

LED dán

LED

C.O.B

(Chip on

board)

Trang 9

5 Lĩnh vực sử dụng

Dùng làm cảm biến

Dùng trong các thiết bị hiển thị

Dùng để chiếu sáng

Trong

lĩnh vực

truyền

thông

Trang 10

6 Giá cả

Cao hơn gấp 3 hoặc 5 lần so với đèn huỳnh quang hay đèn compact

Ngày đăng: 01/09/2018, 10:46

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

w