Mạch ứng dụng transistor làm nguồn dòng để tạo sóng răng cưa Mô phỏng... Kết quảDạng sóng hai đầu tụ trên XSC1.. Mạch khuếch đại tín hiệu Mô phỏng... Đo dòng IDSS... Phân cực ngược G-S
Trang 1R1 1.0kΩ
R2 100kΩ
Q1
2N2218
V1
3 V
V2
12 V
U1
DC 10MOhm 12.000V
+
-U2
DC 1e-009Ohm 0.000 A
-U3
DC 1e-009Ohm
0.000 A
-BÀI 4: TRANSISTOR BJT VÀ JFET
4.1 Transistor BJT
4.1.1 Transistor phân cực E chung
Mô phỏng:
Kết quả:
R1 1.0kΩ
R2 100kΩ
Q1
2N2218
V1
3 V
V2
12 V
U1
DC 10MOhm 12.000V
+
-U2
DC 1e-009Ohm 2.313mA
-U3
DC 1e-009Ohm
0.024mA
Trang 2BJT dẫn khuếch đại, dẫn bão hòa, vì có dòng chạy trên R2 và R1.
- SW mở: BJT ko dẫn
- VBB= -3V, BJT không dẫn
4.1.2 Mạch khuếch đại đảo (đảo xung)
Mô phỏng:
Kết quả:
- Dạng sóng ngõ vào trên XSC2:
R1 10kΩ
R2 1.0kΩ
V1
12 V
Q1
2SC1815 XFG1
XSC1
A B C D
G T
XSC2
A B C D
G T
Trang 3- Dạng sóng ngõ ra trên XSC1:
4.1.3 Mạch khuếch đại đệm xung
Mô phỏng:
Kết quả:
R1 500kΩ
R2 1.0kΩ
V1
3 V
V2
12 V
C1 1µF
XSC1
A B C D
G T
XFG1
Q1
2N3702
Q2
2SC1815
Trang 4- Dạng sóng trên XSC1:
4.1.4 Mạch ứng dụng transistor làm nguồn dòng để tạo sóng răng cưa
Mô phỏng
Trang 5Kết quả
Dạng sóng hai đầu tụ trên XSC1.
4.1.5 Mạch khuếch đại tín hiệu
Mô phỏng
Trang 6Kết quả
4.2 JFET
4.2.1 Giữa G-S, G-D như là diode
Kết quả
U1= -5.382 V
U2= 0.618 V
4.2.2 Đo dòng IDSS
Trang 7Kết quả
4.2.3 Phân cực ngược G-S
Kết quả