BÀI GIẢNG THIẾT KẾ THIẾT BỊ ĐO

Tín hi u v o là dòng địên ệ àhay điện áp, tín hi u ra là góc ệ quay của kim chỉ kèm với thang chia độ và các chỉ dẫn giúp cho người đọc được kết quả Hỡnh 4-1: Cỏc dạng thang hiển thị

GV.TS Nguy n th Lan Hươngễ ị

B môn: K thu t đo và tin h c Công nghi pộ ỹ ậ ọ ệ

Hà n i 8/2012ộ

Ví dụ

 Phương pháp đo d a vào yêu c u k thu t và ự ầ ỹ ậ

đi u ki n k thu t ề ệ ỹ ậ

 Ch n kho ng đo ọ ả

 M r ng thang đo ở ộ

◦ Không tăng kh năng phân ly: s d ng b chiaả ử ụ ộ

◦ Tăng kh năng phân ly ; s d ng phương pháp vi ả ử ụ

Điều khiển trạng thái

Định dạng

Tính toán

User Interface Hard Copy File I/O Interprocess Communication Networking

Hiện thị

 Đo dòng và áp m t chi u nhi u thang đo ộ ề ề

 Đo dòng và áp xoay chi u nhi u thang đo ề ề

 Đo đi n tr nhi u thang đo ệ ở ề

 Đo các thông s c m, dung ố ả

 Ngoài ra còn b trí đ th transitor và đi t, đo thông ố ể ử ố

Tín hi u v o là dòng địên ệ à

hay điện áp, tín hi u ra là góc ệ

quay của kim chỉ kèm với thang

chia độ và các chỉ dẫn giúp cho

người đọc được kết quả

Hỡnh 4-1: Cỏc dạng thang hiển thị tương tự

 Phần tĩnh: nam châm vĩnh cửu hoặc cuộn dây

Phần động: lá thép hoặc cuộn dây quay trong lòng

phần tĩnh

Tham khảo tài liệu [2]

Phần động: một khung dây có thể quay trong từ trường của nam châm vĩnh cửu

Mq = BSWI

B- Từ trường của nam châm vĩnh cửu (thường 0.2-0.4 Tesla)

S: tiết diện khung quay

W: Số vòng dây

I: Dòng địên qua khung dây

Khi cho dòng địên qua cuộn dây, tác động tương hỗ giữa từ trường của nam châm và dòng điện làm khung dây quay

Khi khung dây quay, lò xo sẽ sinh mômen c nả tỷ lệ với góc quay

I K

BSW

I.

=

= α

Phương trỡnh đặc tớnh thang đo

n

RccRs

3

1

2 3

3

2

1 3

2 2

1

3 2

1 1

3 2

1 3

=

−

=+

CT

CT S

CT

CT S

S S

S

I I

R R

R R

R

I I

R

R R

R

R

I I

R R

R R

R

R R

R I

I

I

14

K (Sơ đồ a)

RCT

R3 R2 R1

I3 I2 I1

VS

mA mA

A I

I I

mA

mV R

R R

V I

S CT

S S

05 , 10 10

50

10 5

, 4 45

, 0 05

, 0

50

3 2

1

= +

= +

=

= Ω +

Ω +

Ω

= +

+

=

µ

mA mA

A I

I I

mA

mV R

R

V I

S CT

S S

05 , 100 100

50

100 45

, 0 05

, 0

50

3 2

= +

= +

=

= Ω +

Ω

= +

=

µ

Cho R1=4,5 ( Ω ), R2 = 0,45 ( Ω ), R3 = 0,05( Ω ), RCT = 1(K Ω ), ICTmax=

50( µ A)

Tính 3 khoảng đo của ampemet.

+ Khi K ở tiếp điểm I1.

Khoảng đo của ampemet ≈ 10mA.

+ Khi K ở tiếp điểm I2.

VS = ICT(RCT + R1) = 50 µ A (1K Ω + 4,5 Ω ) ≈ 50mV.

Khoảng ®o cña ampemet ≈ 100mA.

VS = ICTRCT = 50 µ A 1K Ω = 50mV.

A A

A I

I

I

A

mV R

V

I

S CT

S S

1 1

50

1 05

, 0

50

3

≈ +

= +

=

= Ω

1.Tính tóan sai s phương pháp c a vi c ố ủ ệ

đo đi n áp v i các trư ng h p như ệ ở ớ ờ ợ

trong sơ đồ

17

I3

I

K (Sơ đồ a)

RCT

R3 R2 R1

I3 I2 I1

VS

  So sỏnh ưu nhược điểm của

hai sơ đồ (a) và (b)

1 n

R 1

I I

R R

R

1 n

R 1

I I

R R

R

1 n

R 1 I

I

R R

R

3 CT

CT 3

CT 3

3 S

2 CT

CT 2

CT 2

2 S

1 CT

CT 1

CT 1

1 S

 Sun có cấu tạo như điện trở 4 đầu : 2

đầu dòng và 2 đầu áp.

 Hai đầu dòng để đưa dòng IS vào, hai

đầu áp mắc vào cơ cấu chỉ thị.

2 đầu áp

2 đầu dòng

 Điện trở đo được trên hai đầu áp Điều này đảm bảo

cho điện trở mắc song song với cuộn dây RS được xác

định chính xác và điện trở tiếp xúc của các đầu ra dòng đư

ợc tách khỏi RS.

 Thường trên Sun có ghi giá trị dòng IS có thể đi qua

nó, ghi điện áp đầu ra US = ISRS = ( I - ICT)RS và ghi cấp

chính xác

Cấu tạo của sun

Sun thường được làm bằng điện trở không phụ thuộc vào nhiệt độ như maganin

Cấp chính xác của sun phải lớn hơn cấp chính xác của

cơ cấu chỉ thị ít nhất một cấp

Cấp chính xác của sun : 0,02; 0,05; 0,1; 0,2; 0,5

Cấp chính xác của ampemet từ 0,2ữ2,5

1 Rto t

1 Rcco

t R

)

γ

Sai số chủ yếu do nhiệt độ

  Làm thế nào để giảm sai

số nhiệt độ ???

 Mắc nối tiếp với cuộn dây một điện trở bù làm bằng

maganin hoặc constantan có hệ số điện trở phụ thuộc nhiệt

độ bằng 0.

 Nếu điện trở bù gấp 9 lần điện trở cuộn dây thì khi

điện trở cuộn dây thay đổi 1%, điện trở toàn phần (Rbù +

Rcuộn dây) chỉ thay đổi 0,1%

  Gi i thích và ảchọn độ lớn của Rb so

với Rcd???

24

 Yêu c u đi n tr l n và m c song song ầ ệ ở ớ ắ

Icc: dòng điện định mức của cơ cấu

Rcc : điện trở của cơ cấu

a)

yêu cầu cả 3 điện trở đều có độ chính xác đặc biệt

Sai số của volmet chủ yếu là sai số do nhiệt độ

R cc

1 1

1

) (

)

(

R

I R

R R

R R

R R

I

s T

cc

s T

cc p

+ +

Tính toán điện trở Sun như phần đo dòng điện

Tính toán điện trở phụ phải tính điện trở sun song

song với cơ cấu

a)Ampemét xoay chi u ề s d ng cơ c u t ử ụ ấ ừ

π π

ω

hd m

tb

2 T

0 mtb

I 2 I

I

dt t

I T

1 I

ω

hd

m tb

2 T

0 mtb

I 2 2 I

2 I

dt t

I T

2 I

§èi víi dng h×nh sin I hd =1.11I tb

Nếu dòng điện khác sin: sai số hình dáng

Dßng ®iÖn trung b×nh trong

m¹ch chØnh l­u 1/2 chu kú???

rms a

Cf rms a

Wf dt

t

a T

RMS = 1 ∫0T 2 ( ) ; = / ; = max /

35

Ưu nhược điểm của Ampemột xoay chi u s d ng c ề ử ụ ơ

c u t i n: ấ ừ đ ệ

Dễ dàng tạo nhiều khoảng đo

Có nhiều sai số phụ:

Sai số nhiệt độ do hệ số chỉnh lưu

Sai số về tần số vì ảnh hưởng các tụ ký sinh

Sai số phi tuyến do đặc tính Volt-ampe của các diode

Khi đo ở tần số cao người ta cũng có

thể dùng bộ biến đổi nhiệt ngẫu: ET=KI2

Đo ET ta suy ra được dòng hiệu dụng

chạy qua các dây đốt Tần số có thể lên tới

MHz

I

NhËn xÐt:

A chØnh l­u ph¶i cã ®iÖn trë rÊt nhá v× nã ®­îc m¾c trùc

tiÕp víi m¹ch cÇn ®o dßng ®iÖn  sôt ¸p trªn A chØnh l­u ph¶i

p s

p

N

N I

- Giảm dòng sơ cấp tới mức thích hợp để có thể

đo bằng cơ cấu từ điện (thường dòng qua cơ cấu

- Vì biến áp được dùng trong mạch Ampemet

nên tỷ số biến đổi dòng rất quan trọng

 Tại sao lại mắc tảI // với cuộn thứ cấp ?

So s¸nh

®iÖn trë vµo cña hai c¬ cÊu

E=10V ; T silic

Vcc= 20V

Rs+Rm=9,3 k Ω

Im=1mA toµn thang, k=100

VE= E - VBE =9,3V

IE= VE/(RS+Rm)=1mA

IB=IE/k=10àA

Điện trở vào của Vmet (a): Ra=E/IB= 1MΩ

Điện trở vào của Vmet (b) : Rb=E/IB= 10V/1mA= 10kΩ

Điện trở vào tăng  Hiệu ứng tảI giảm đi đáng kể

Nhược điểm của Vmet điện tử

áp B-E

VD: E=5V  IE=0,46mA thay vì IE=0,5mA

Điện trở toàn phần = (R3 + R4) = Vra/I4

I4 >> IB → IB không ảnh hưởng tới điện áp hồi tiếp

ứng dụng thiết kế mạch Amet ???

-Độ sụt áp nhỏ trên điện trở RS

được khuếch đại trước khi đưa vào dụng cụ đo Có thể áp dụng để đo dòng một chiều cũng như dòng xoay chiều

-Đối với dòng trung bình hoặc lớn thì không cần sử dụng các bộ khuếch đại điện tử

-Khoảng đo dòng của ampe kế

điện tử nói chung nhỏ, một dụng

cụ đo dòng điển hình có khoảng

đo dòng một chiều từ 1,5àA đến 150mA

Bố trí mặt máy

 Bộ biến đổi tương t /sè ự

 Các loại hiện thị số

 Tổ chức Volmét số

a0 bit cã träng sè nhá nhÊt LSB (least significant bit)

an-1 bit cã träng sè lín nhÊt MSB (most significant bit)

Giá trị điện áp biến đổi V là rời rạc và được nhân với một giá trị

cơ bản gọi là bước lượng tử hoá q (thực chất là giá trị điện áp tư

V= 106 mV

48

) 2 a

2 a

2 a

( q

q)12

(

Vsmax = N −

n nguyê i

, 1 - 2 i

0 với

= i q

Vs

49

A Các bộ chuyển đổi số - tương tự D/A

 Các bộ biến đổi D/A làm nhiệm vụ biến đổi một tín hiệu số biểu diễn theo một mã xác định thành một tín hiệu tương tự Ví dụ chuyển

đổi từ mã nhị phân sang một điện áp tương tự theo quan hệ:

Tín hiệu ra tương tự có thể nhận 2N giá trị khác nhau

0 1

nref1

2

n ref1

n ref

R 2

V a

R 2

V

a R

V [ R

a 2

a

a [ V

Vs = − ref n−1 + + n1−2 + n0−1

] 2 a 2

a

2 a

[ 2

a 4

a 2

a a

[ V

Vs = − ref 3 + 2 + 1 + 0

1 2

Gi¸ trÞ ®iÖn ¸p ra [0- Vsmax] hoÆc [- Vsmax-Vsmax]

Gi¸ trÞ ®iÖn ¸p vµo theo chuÈn TTL hoÆc CMOS

A2 M t số sai s c a bộ chuyển đổi D/A ộ ố ủ

Sai số offset: Vra ≠0 khi Vvào=0

Sai số khuếch đại (sai số hệ số thang đo)

Sai số KĐ thường gây ra do

ảnh hưởng của nhiệt độ Sai

số khuếch đại thường tỷ lệ thuận với điện áp ra so với

Sai sè phi tuyÕn

a

2a

(q

đổi từ một điện áp tương tự sang mã nhị phân theo quan hệ:

Nếu giữ giá trị điện áp vào cực đại và số bít N của bộ chuyển đổi không thay đổi, có thể tính được bước lượng tử q:

Về mặt lý thuyết, hàm truyền đạt của bộ chuyển đổi sẽ biểu diễn quan hệ giữa giá trị ra bằng số N và tín hiệu vào tương tự Ve dạng quan hệ bậc thang

B Các bộ chuyển đổi tương tự - số A/D

Nq-1/2q≤Ve≤Nq+1/2q

Sai số của ADC

Nguyên lý kỹ thuật của các chuyển đổi

Tốc độ lấy mẫu (Triệu mẫu trên một giây)

DELTA

ĐẾM X UNG

ĐẾM X UNG

XẤP X Ỉ DẦN XẤP X Ỉ DẦN

FLASH

Bước 1: EX so cới Eref/2

EX > Eref/2 -> B1 =1;

Bước 2: EX so với B1.(Eref/2) + Eref/4

EX < B1.(Eref/2) + Eref/4 -> B2=0

Bước 3:

EX so với B1.(Eref/2) + B2(Eref/4 )+Eref/8

EX > B1.(Eref/2) + B2(Eref/4 )+Eref/8

ta có B3 =1

1 1/8Eref

1/4Eref1/2Eref3/4Eref

Eref

EX

t

 Phương pháp tích phân m t sư n ộ ờ

◦ mã hoá t n s xungầ ố

◦ mã hoá th i gian xungờ

N

)V

RC(

Vt

t

ref

e 0

)V

RC(

66

đầu vào

tương tự

+ -

+ -

Tích phân So sánh

DAC

1 bit

Lọc số

Điều chế

 Độ phân giải: Sai số một mức lượng tử

 Sai số lượng tử

 T c độ biến đổi ố

 Đ iện trở đầu vào

 Sai số không ổn định (nhiễu loạn):

◦ Sai số mang tính chất ngẫu nhiên:

12

2

q

71

50H z

+

AD C

H

B M

VCM+

v(t) = e+ VSsin( ω t+ ϕ )

] cos )

ω ω

−

=

ϕ + ω +

T T

V e

t

v

dt t

V

e T

20

t, ms

20ms 20ms

VS

lçi b»ng 0 lçi =2/ π VS

 Lo i ki u mã hoá song song: ạ ể

◦ H chuy n đ i mã BCD: ICL 7107; 7106; MC 14 433 (motorola) ọ ể ổ

◦ H chuy n đ i mã nh phân: ICL 7109 ọ ể ổ ị

 Đèn LED ( Litgh Emiter Diod)

 Đèn LCD

 Đèn phóng đi n và Plasma ệ

74

 Nguyên lý d a trên hi n tư ng phát quang c a ự ệ ợ ủ

l p chuy n ti p pn ớ ể ế

◦ Khi dòng đi n ch y qua, đi n t t do chuy n t m c ệ ạ ệ ử ự ể ừ ứ

năng lư ng này sang m c năng lư ng khác Khi chuy n ợ ứ ợ ể

v t m c năng lư ng cao xu ng m c năng lư ng th p , ề ừ ứ ợ ố ứ ợ ấ phát ra ánh sáng ph thu c vào hi u năng gi a các m c ụ ộ ệ ữ ứ năng lư ng ợ

◦ Ví d ụ

 GaAS ( Galium arsenide) m c năng lư ng 1.37eV ánh sáng Đứ ợ ỏ

 GaP( galium Phosphoride) m c năng lư ng 2.25eV xanh lá câyứ ợ

 Dòng cung c p cho đèn thư ng 20mA ấ ờ

 Lo i đèn t ch c 7 thanh: Lo i cathod chung và ạ ổ ứ ạ

Anod chung

75

 C u t o ấ ạ

 VD:

79

Đ c tớnh k thu t c a đốn FND 357/376 –anod ặ ỹ ậ ủ chung

    240 590

    450 900

à cd

IF =20mA

∆ I0 cường độ ánh sáng theo chiều dọc, thanh

đến thanh (theo chú thích3) cường độ ánh sáng dọc một thanh  

± 33

± 20  

L0 Đ ộ rọi của các thanh

FND350, 357 FND360, 367

  26 52

  ftL

 Nguyên lý; D a vào hi n tư ng ánh sáng truy n trong môi ự ệ ợ ề

trư ng( d ng v t li u h u cơ - d ng tinh th l ng) Các ph n t ờ ạ ậ ệ ữ ạ ể ỏ ầ ử

c a tinh th l ng có d ng hình tr cho phép ánh sáng truy n qua ủ ể ỏ ạ ụ ề

d c theo ph n t (theo m t hư ng xác đ nh ọ ầ ử ộ ớ ị )

 S d ng đi n áp xoay chi u 25Hz đ n 1kHz ử ụ ệ ề ế

81

 C u trúc c a hi n th Plasma ấ ủ ệ ị

87

 Phương pháp biến đổi trực tiếp

 Phương phỏp lư ng tợ ử

 Phương phỏp đi u ch đ r ng xungề ế ộ ộ

 Phương phỏp bi n đ i ỏp th i gian ế ổ ờ

91

Q2 đóng

ngừng đếm Bắt đầu đếm

Khi xung điều khiển dương → Q1 đóng → Vi được nối với

R5 tạo thành dòng vào Ii = Vi/R5

C1 được tích điện và tạo ra một tín hiệu ra theo chiều âm của

mạch Miller Do đó bộ dò qua không có đầu ra âm → Q2 ngắt →

cho phép C1 nạp điện

Đầu ra của bộ tích phân Miller là một xung răng cưa âm

tuyến tính Biên độ xung răng cưa tỉ lệ thuận với Vi

Khi xung điều khiển âm thì Q1 ngắt → dòng chuẩn qua R5

và C1 Trở lại chu kỳ đầu

Thời gian t2 để xung răng cưa lên đến mức không tỉ lệ thuận

với Vi

t2 : bắt đầu đếm ở sườn xuống của tín hiệu vào điều khiển,

ngừng đếm ở sườn lên của bộ dò điểm không

ms 4 6 s 5 1280

t

s

5 200

1 f

1 T

6F

10

ms46A

100C

t

IV

idtC

1u

V

ItC

95

VD: Xung điều khiển có mỗi nửa chu kỳ tương đương với 1280

xung đồng hồ Tần số xung đồng hồ 200KHz Nếu 1000 xung

trong thời gian t2 phải biểu diễn đầu vào Vi = 1V Hãy xác định

mức dòng chuẩn cần thiết

A

100 k

10

V

1 I

V 1

V R

V

I

i

i 5

i i

à

= Ω

=

=

128 ms

5

F 1 0 V 4

6 t

C

V I

NÕu t2 thêi gian cña 1000 xung : t2 = 1000 x 5µs =5ms

IR lµ dßng phãng cña C1 trong thêi gian t2 :

97

 Nguyên lý : Theo nguyên t cắ

10 1

)NN

(

)NN

(

CU

1 3

1

2 x

−

−

=

 Sai s c a phương pháp ố ủ

 Như v y R ậ A ph i đ nh ả ủ ỏ

10 3

t

A ff

R

R

= γ

RA/RT < γyc RA<RT γyc

10 5

Sai s : ố γax = γEn + γRn + γRk + 2 ε /Ukn

Sai sè: γUx = γ X +nγ Ii +ε /U Kn

10 7

N k 4

3 2 1

10 8

 Muốn chế tạo một volmet vi sai

2V dùng với ICL 7107 thông số

0-200mV;

 Nn = 2000

a Tính sai số nhỏ nhất mà volmet

vi sai này có thể đạt được.

b Tính số c p bù của volmet vi sai ấ

c Tính sai số của điện trở bù và

nguồn cung cấp cho mạch bù.

d Ta muốn volmet vi sai đạt độ

chính xác là 0,001%, thành lập sơ

đồ và tính hệ số khuếch đại dùng

với ICL 7107 và tính số cấp bù.

10 9

N k 4 3 2 1

U x0

∆U

U K =N

U k0

200

x x

Hệ số khuếch đại

=200mV/40mV= 5 lần

11 1

E 3 =4.44fW 3 Sµ(I 1 W 1 -I 2 W 2 )

∆F=I1W1-I2W2 0

I 1 = W 2 /W 1 I 2

Sai sè: γI1 = γ I2 + ε F /I 1 W 1

.sin

E = B I y

11 2

m

H 1

1 H

l

IWI

lm chiều dài của mạch từ

IH dòng điện chạy trong

cảm biến Hall

Sai số: γI1 =γI2 +∆F/I 1 W 1

∆ F =(eHlm)/(k à IHK) Trong đó : k- ộ nhạy của c m biến Hall Đ ả

K- Hệ số khuếch đại của khuếch thuật toán

Cảm biến Hall

2 / 1

11 3

11 4

 Dùng bi n dòng ho c bi n áp ế ặ ế

 Sun m c song song [1-39] ắ

 Phương pháp đo thông qua t trư ng c a ừ ờ ủ

11 6

Biến đòng làm việc dựa trên nguyên tắc của các biến áp làm việc ở chế

độ ngắn mạch Trong trường hợp ấy tỷ lệ giữa 2 dòng điện sơ cấp và

thứ cấp

2 I 1

I 1

I

=

=

=

Biến điện áp là một biến áp thông thường công suất nhỏ, sơ cấp nối với

điện áp cần đo, thứ cấp nối với cơ cấu đo Do dụng cụ đo ở thứ cấp có

điện trở đầu vào lớn biến áp coi như không tải và ta có

KU Hệ số biến áp

2 U 1

U 2

1 2

1

U K U

K W

W U

U

=

=

=

11 7

Bài tập ví dụ1: Tớnh s vũng dõy trong c c u cơ cấu điện từ cuộn ố ơ ấdây tròn, để dòng điện chạy trong Voltmet là 5mA ?

Số vòng sẽ là :

W=200A.vòng/5.10-3 A= 40.000 vòng

Điện trở phụ của Voltmet được tính

Trong đó: Uđm- Điện áp định mức của Voltmet cần tạo ra

Iđm – Dòng định mức mà ta muốn chạy trong cơ cấu

Rcc - Điện trở của cơ cấu

CC dm

dm

I U

11 8

Cã thÓ ®o ë ®iÖn mét chiÒu, xoay

chiÒu vµ c¸c dßng xung khi tÇn sè

cña dßng ®o lªn trªn 10MHz

11 9

Dưới tác dụng của từ trường H sức điện động cảm ứng ở cuộn dây

đo:

Thay giá trị của HX vào:

Trong đó: f- tần số của dòng điện cần đo

Wd – Số vòng của cuộn dây đo

à - Từ thẩm của cuộn dây

d – khoảng cách từ cuộn đo đến dây dẫn điện.

Phương pháp này không chính xác vì chịu nhiều ảnh hưởng đặc

biệt khoảng cách d

SHfW

44,4

d 2

SI W

f.

44 4

X

π à

=

12 0

Id2

= 1-Hình trụ xung quanh đường dây;

2-cảm biến Hall; 3- tấm sắt từ; 4-cuộn dây cảm ứng; 5- vỏ bên ngoài

Sức điện động ra là tổng của các

sức điện động của từng cảm biến

Hall: Era= ∑ EHi

12 1

Kf b

f ) d D

( I

0

2 2

2

= γ

à

− π

=

12 2

Ta có từ c m tương ứng ở ả

trong lỗ không khí là đều

cộng hưởng từ hạt nhân ta có B=2πf/γ

f – tần số tuế sai của spin

γ - Hệ số hồi chuyển từ của hạt nhân sử dụng

γFer=2.675/3.10 -8 s c-1 Tesla -1

Đo tần số -> H

12 3

12 4

12 5

 Phương pháp thông thư ng s d ng cho vi c ờ ử ụ ệ

ch n thang đo t đ ng ọ ự ộ

 Phương pháp xây d ng vi c ch n thang đo t ự ệ ọ ự

đ ng theo sai s yêu c u ộ ố ầ

12 7

 Thông thư ng ngư i ta đ nh thang đo cách nhau 10 l n (ho c ờ ờ ị ầ ặ

theo đ phân gi i c a thang) ộ ả ủ

 Đi u ki n s d ng thang đo t đ ng ề ệ ử ụ ự ộ

 B trí sao cho sai s tương đ i c a phép đo: ố ố ố ủ

 β = γ

12 9

max dông cô

®o

U X

Nh­ vËy ta thÊy:

max dông cô

X

 B trí s n các thang đo theo sai s yêu c u ố ẵ ố ầ

 Đ đ m b o cho phép đo có sai s nh hơn sai s ể ả ả ố ỏ ố

γyeucau các thang đo s đư c phân đ nh: (X ẽ ợ ị 1min<Xdo

<X1n), (X2min<Xdo <X2n), (X3min<Xdo <X3n), tương ng ứ

v i h s khu ch đ i c a các b khu ch đ i có đi u ớ ệ ố ế ạ ủ ộ ế ạ ề

TBĐ

Có D,γ đã xác định