TRƯỜNG ĐẠI HỌC GTVT TP HỒ CHÍ MINH KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNGBỘ MÔN: ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN Lại Nguyễn Duy Bộ Môn Điện Tử Viễn Thông Email: lainguyenduy@hcmutrans.
Trang 1TRƯỜNG ĐẠI HỌC GTVT TP HỒ CHÍ MINH KHOA ĐIỆN – ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG
BỘ MÔN: ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG
CÁC LINH KIỆN
BÁN DẪN
Lại Nguyễn Duy
Bộ Môn Điện Tử Viễn Thông Email: lainguyenduy@hcmutrans.edu.vn
Trang 4Mạng tinh thể và liên kết hoá trị
Si hay Ge có 4 điện tử hoá trị
Cần liên kết ->có 8 điện tử, và trở thành bền vững
->bán dẫn thuần khiết – bán dẫn loại i
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 1: Chất bán dẫn và cơ chế
dẫn điện
Trang 5Năng lượng
Vùng 1 Vùng 2
Trang 6Năng lượng
Vùng 1 Vùng 2 Vùng hóa trị
-Lỗ trống Năng lượng to
Giản đồ năng lượng
Điện tử tự do và lỗ trống
Điện tử và lỗ trống được gọi là hạt dẫn
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 1: Chất bán dẫn và cơ chế
dẫn điện
Trang 7Dòng lỗ trống
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 1: Chất bán dẫn và cơ chế
dẫn điện
Trang 8Vùng dẫn
Khe năng lượng
Vùng hóa trị
Năng lượng
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 1: Chất bán dẫn và cơ chế
dẫn điện
Trang 9* Bán dẫn loại N
- Được tạo nên bằng cách pha chất bán dẫn tinh khiết
với As (đối với Ge) hoặc P (đối với Si)
- As/P có 5 điện tử ở lớp ngoài cùng
Điện tử thứ 5 liên kết yếu hơn với các
nguyên tử xung quanh và hạt nhân nên
dễ trở thành hạt dẫn tự do Nguyên tử
tạp chất lúc này thành ion dương
- Khi có điện trường, các hạt dẫn sẽ
chuyển động có hướng tạo thành dòng
điện Tạp chất nhóm 5 cung cấp điện tử
cho chất bán dẫn ban đầu nên được gọi
Trang 1024/09/15 10
* Bán dẫn loại P
- Được tạo nên bằng cách pha chất bán dẫn tinh khiết với In (đối với Ge) hoặc B (đối với Si)
- B/In có 3 điện tử ở lớp ngoài cùng Khi tham
gia liên kết với các nguyên tử khác, liên kết
thứ 4 bị bỏ hở Khi có kích thích 1 trong
những điện tử ở các mối liên kết hoàn chỉnh sẽ
đến thế chỗ vào liên kết nói trên Nguyên tử
tạp chất lúc này thành ion âm và lỗ trống xuất
hiện.
- Khi có điện trường, các hạt dẫn sẽ chuyển
động có hướng tạo thành dòng điện Tạp chất
nhóm 3 tiếp nhận điện tử từ chất bán dẫn ban
đầu nên được gọi là tạp chất nhận
- Trong chất bán dẫn loại P, pe > ne, lỗ trống là
hạt dẫn đa số và điện tử là hạt dẫn thiểu số
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 1: Chất bán dẫn và cơ chế
dẫn điện
Trang 11Chuyển động trôi tạo thành dòng điện trôi.
* Chuyển động khuếch tán
- Dòng chuyển động khuếch tán xảy ra khi có
sự phân bố không đều đồng nồng độ hạt dẫn trong một khối thể tích, khuếch tán từ nơi có nồng độ cao –thấp Dòng điện do chuyển động có hướng này gây ra được gọi là dòng điện khuếch tán
Trang 121 Chuyển tiếp P – N ở trạng thái cân bằng.
2 Chuyển tiếp P – N khi có điện áp ngoài & Đặc tính chỉnh lưu
3 Hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp P – N (đọc giáo trình).
Phần 2: Chuyển tiếp P – N và đặc tính chỉnh
lưu
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 2: Chuyển tiếp P – N và đặc tính
chỉnh lưu
Trang 13Chuyển tiếp P – N ở trạng thái cân bằng
- Trước tiếp xúc, mỗi khối bán dẫn cân
bằng về điện tích
- Khi tiếp xúc, do chênh lệch nồng đồ nên
lỗ trống khuếch tán từ P sang N, điện
tử khuếch tán N -> P
- Trên đường khuếch tán, các hạt dẫn trái
dấu tái hợp làm tại bề mặt ranh giới,
nồng độ hạt giảm rất thấp: bên P chỉ còn
lại các ion âm, N còn lại các ion dương
Xuât hiện hiệu điện thế và điện trường
tiếp xúc Vùng hẹp gọi là vùng nghèo
- Do tác dụng của điện trường tiếp xúc
nên lỗ trống từ N chạy sang P và điện tử
từ P chạy sang N tạo thành dòng điện
trôi, ngược chiều với dòng khuếch tán
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 2: Chuyển tiếp P – N và đặc tính
chỉnh lưu
Trang 14Chuyển tiếp P – N ở trạng thái cân bằng
(tt)
- Nồng độ hạt dẫn đa số trong 2 khối
càng chênh lệch thì hiện tượng
khuếch tán và tái hợp càng nhiều =>
điện trường tiếp xúc càng tăng nên
dòng điện trôi cũng tăng Sau 1 thời
gian dòng khuếch tán và dòng trôi cân
bằng nhau, triệt tiêu nhau và dòng
qua mặt ranh giới bằng 0 Chuyển tiếp
P – N đạt trạng thái cân bằng
- Ứng với trạng thái cân bằng thì hiệu
điện thế tiếp xúc giữa P và N có giá trị
nhất định Thông t hường là 0.3
V đối với Ge và 0.7V đối với Si Hiệu
điện thế này ngăn không cho hạt dẫn
tiếp tục chuyển động qua mặt ranh
giới, duy trì trạng thái cân bằng gọi là
“hàng rào điện thế”
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 2: Chuyển tiếp P – N và đặc tính
chỉnh lưu
Trang 15Chuyển tiếp P – N khi phân cực
nghịch
- Giả thiết điện trở chất bán dẫn ở vùng trung
hoà là không đáng kể Khi đó điện áp V gần
như đặt toàn bộ lên vùng nghèo, chồng lên
hiệu điện thế tiếp xúc Tình trạng cân bằng
không còn Điện trường E do V gây ra cùng
chiều Etx làm hạt dẫn đa số của 2 bán dẫn xa
khỏi mặt ranh giới đi về 2 phía => Vùng
nghèo bị mở rộng và điện trở vùng nghèo
tăng
- Hàng rào điện thế trở thành V + Vtx khiến
dòng khuếch tán của hạt dẫn đa số giảm
rất nhỏ còn dòng trôi của hạt dẫn tăng
theo V Nhưng nồng độ hạt dẫn thiểu số rất
nhỏ nên trị số dòng này rất thấp Nó nhanh
chóng đạt trạng thái bão hoà khi V còn rất
thấp Dòng điện qua chuyển tiếp P – N rất bé
và mang dấu âm I = -Is Is là dòng ngược
bão hoà.
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 2: Chuyển tiếp P – N và đặc tính
chỉnh lưu
Trang 16bớt nên bề dày vùng nghèo bị thu
hẹp và điện trở vùng nghèo giảm
Dòng khuếch tán tăng nhanh
theo V còn dòng điện trôi giảm
theo V Dòng điện trôi rất bé và coi
như không đổi Dòng qua chuyển
tiếp P – N lúc này là dòng điên
thuận và lớn hơn rất nhiều so với
dòng điện ngược
- Khi V càng tăng, bề dày vùng
nghèo càng giảm và hàng rào thế
càng giảm Khi V = Vtx thì dòng
thuận vô cùng lớn, phá hỏng miền
tiếp xúc Đây là hiện tượng cần
tránh
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 2: Chuyển tiếp P – N và đặc tính
chỉnh lưu
Trang 17lớn và tăng nhanh theo
điện áp Khi phân cực
ngược, điện trở rất lớn, dòng
rất nhỏ và hâu như không
thay đổi theo V
- Khi có điện áp xoay chiều
đặt vào thì nó chủ yếu dẫn
điện theo 1 chiều Đó là đặc
tính chỉnh lưu.
Trang 18Phần 3: Diode bán dẫn
1 Diode chỉnh lưu
2 Diode zener.
3 Diode biến dung (đọc giáo trình).
4 Diode tunnel (đọc giáo trình).
Trang 19-Lớp Tiếp Giáp P-N
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 3: Diode
bán dẫn
DIODE CHỈNH LƯU
Trang 21- Bộ phận cơ bản của diode là chuyển tiếp P – N,
có đặc tính chủ yếu là dẫn điện theo 1 chiều
- Ứng dụng: biến điện xoay chiều thành điện 1 chiều nên có tên là diode chỉnh lưu
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 3: Diode
bán dẫn
DIODE CHỈNH LƯU
Trang 22* Đặc tuyến Volt - Ampere
- Khi điện áp thuận nhỏ hơn V γ =
0.7V (đối với Ge là 0.3V) thì dòng
điện thuận còn bé, chưa
đáng kể Chỉ khi điện áp vượt
quá điện áp mở V γ thì dòng
điện mới tăng nhanh theo điện
áp Đoạn đặc tuyến này gần như 1
đường thẳng có độ dốc không
đổi
- Dòng điện ngược có giá trị rất
nhỏ Khi điện áp ngược thực tế
tăng dần và khi đạt đến điện áp
đánh thủng VB thì dòng điện
ngược tăng rất nhanh
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 3: Diode
bán dẫn
DIODE CHỈNH LƯU
Trang 23Các loại Diode khác
1 Diode zener
2 Diode biến dung (đọc giáo trình)
3 Diode tunnel (đọc giáo trình).
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 3: Diode
bán dẫn
Trang 24để xảy ra quá trình đánh thủng về điện (không xảy ra quá trình đánh thủng về nhiệt) vẫn không phá hỏng diode
* Đặc tuyến Volt – Ampere
- Điện áp trong quá trình đánh thủng gần
như song song với trục dòng điện nên diode zener thường được dùng để ổn định áp
Trang 25ngược tối đa cho phép, xác
định bởi công suất tiêu hao
cực đại của diode Pmax.
- Mạch ổn áp dùng zener:
Trang 263 Ba sơ đồ cơ bản của BJT
4 Đặc tuyến Volt – Ampere
5 Các tham số giới hạn của BJT
Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực
tính (BJT)
Trang 27E
Cấu tạo
Trang 28Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực
tính (BJT)
Nguyên lý hoạt động của BJT
- Ban đầu khi không có 2 nguồn E1 và E2 tác dụng, nhờ hàng rào điện thế duy trì trạng thái cân bằng của các chuyển
Trang 29đa số vẫn đến được miền N Khi đến JC, do tác dụng của
điện trường, các điện tử nói trên bị hút về phía collector tạo nên dòng điện trong mạch collector
.
α
Ic= I E + I CBO
Trang 30IB
Trang 37Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực
tính (BJT)
Dòng điện cực đại I Emax , I Bmax , I Cmax
Điện áp cực đại V CBmax , V CEmax , V BEmax
Công suất tiêu tán cực đại P C.max
Tần số giới hạn
Các tham số giới hạn của BJT
Trang 38Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực
tính (BJT)
Phần 5: Transistor trường (FET)
1 Transistor trường dùng chuyển tiếp P – N (JFET)
2 Transistor trường có cực cửa cách ly
(MOSFET) (đọc giáo trình)
Trang 40Chương 2: Các linh kiện bán dẫn – Phần 4: Transistor 2 cực
tính (BJT)
Cấu tạo JFET
Xét JFET loại N: Thỏi bán dẫn Si có nồng độ tạp
tương đối thấp, gắn với 2 sợi dây kim loại: đáy trên – cực D; đáy dưới – cực S Bao quanh hỏi bán dẫn loại N
là lớp bán dẫn loại P, hình thành chuyển tiếp P – N Phần thể tích còn lại của thỏi Si là kênh dẫn Lớp bán dẫn loại P được gắn 1 sợi dây kim loại – cực G
Trang 43m D
r
v v
g
i = +
Trang 44HỎI VÀ
TRẢ LỜI
Trang 45CHÂN THÀNH CÁM ƠN!