Điện tử học : Mạch phân cực Transistor lưỡng cực nối part 4 pot

Hệ số ổn định nhiệt trong mạch phân cực bằng cầu phân thế và RE.

5.Hệ số ổn định nhiệt S

Khi nhiệt độ thay đổi, các thông số transistor thay đổi như sau:

 I CBO tăng gaáp đôi khi nhiệt độ tăng lên

10 o C.[ 8 o C ( Si); 12 o C(Ge)].

 tăng gắp đôi khi nhiệt độ tăng 50 o C ( Si) ;

80 o C ( Ge).

 V BE giảm theo – 2,2mV / o C [ -2,5mV / o C

(Si); - 1,6mV / o C ( Ge) ].

Vậy dòng thu là hàm số:

I C = f ( I CBO , , V CE )



• Sự thay đổi dòng thu cho bởi:

• Các hệ số ổn định nhiệt:

E

CBO



C CBO C

C BE

I

V

I S

I I S

I S

V























Hệ số ổn định nhiệt trong mạch phân cực

bằng cầu phân thế và RE.

• Ta có:

V BB = R B I B + V BE + R E I E = R B I B + V BE + R E (I B+ I C )

=

= V BE + R B I B +R E I C +R E I B = V BE +

(R B +R E )I B +R E I C (1)

I C = + (2).

Thay (2) vào (1):

Hay:

B

I

I

    

        

 

 VBB VBE  RB R IE C  RB RE 1  ICBO R IE C

• Sắp xếp lại:

Hay:

Tính được:

Do : nên :

S I càng nhỏ mạch càng ổn định ( 1- 11), S I = 11 là trị số tối ưu.

 

   

 

1

B B B E

1

1

I

I S







   1  R E ? R B

1

I

E E

S

R R



 BB BE  B  1  C  B E 1 CBO

E R

• Tương tự:

• Vì trong công thức vẫn còn chứa cả ICBO, VCE,

nên ta có thể tính theo cách sau:

Suy ra:

1 1

V

S







B E B B B E B C B O C

I S

















 

1

1





   

2

1 1

I

