Trong tên gọi của vi mạch này, "complementary" bù, để nói về việc thiết kế các hàm lôgíc trong các vi mạchCMOS sử dụng cả hai loại transistor PMOS và NMOS vàtại mỗi thời điểm chỉ có một
Trang 1TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP HCM
KHOA CHẤT LƯỢNG CAO
Trang 21 Giới thiệu về Cmos
CMOS, viết tắt của "Complementary Semiconductor" là thuật ngữ chỉ một loại công nghệ dùng
Metal-Oxide-để chế tạo mạch tích hợp Công nghệ CMOS được dùng
để chế tạo vi xử lý, vi điều khiển, RAM tĩnh và các cổnglogic khác Công nghệ CMOS cũng được dùng rất nhiềutrong các mạch tương tự như cảm biến ảnh, chuyển đổikiểu dữ liệu, và các vi mạch thu phát có mật độ tích hợpcao trong lĩnh vực thông tin
Trong tên gọi của vi mạch này, "complementary" (bù),
để nói về việc thiết kế các hàm lôgíc trong các vi mạchCMOS sử dụng cả hai loại transistor PMOS và NMOS vàtại mỗi thời điểm chỉ có một loại transistor nằm ở trạngthái đóng (ON)
1.1 NMos
Logic nMOS sử dụng các transistor MOSFET Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors) để xâydựng các cổng logic và các mạch số Transistor nMOS có
(Metal-ba chế độ hoạt động: cut-off, triode, saturation
Trang 3Các transistor MOSFET loại n này được gọi là "mạngpull-down" giữa lối ra và đường điện áp thấp (tiếp đất).Điều này có nghĩa là khi transistor hoạt động thì lối rađược nối trực tiếp với đường điện áp thấp (thông thường
là 0 vôn) và khi đó xuất hiện một dòng điện giữa đườngđiện áp thấp và lối ra Một điện trở được nối giữa lối ra vàđường điện áp cao (thông thường là điện áp nguồn nuôi)
Thường chúng ta sẽ sắp xếp vào mạch nguyên lýtheo hình thức sau khi A và B AND lại với nhau thì cácnMos này sẽ được nối tiếp lại với ngược lại khi OR thì sẽđược nối song song với nhau
1.2 PMos
Logic bán dẫn kim loại-oxit loại p, viết tắt theo tiếngAnh là PMOS hay pMOS, là loại mạch kỹ thuật số đượcxây dựng bằng MOSFET (transistor hiệu ứng trường kim
Trang 4loại-oxit-bán dẫn) với kênh dẫn loại p, và cống được intrên bán dẫn loại n Khi được kích hoạt, bằng cách giảmđiện áp trên cổng, mạch kết quả cho phép dẫn các lỗtrống điện tử giữa cực nguồn và cực cống, làm cho mạch
"thông" Tương tự như nMos transistor pMOS có ba chế
độ hoạt động: cut-off, triode, saturation
PMos
Ngược lại với cổng nMos thì pMos sẽ được kết nốikhi cho các ngõ vào A và B AND bằng cách song song vàngược lại thì khi OR sẽ được nối nối tiếp lại với nhau
2 Đặc tuyến I-V của NMos và PMos
Trang 5+ Tiếp đến là triode cũng thể gọi là linear hay tuyếntính chỉ xảy ra khi 0 < Vds < Vgs – Vt
+ Cuối cùng là saturation hay là bão hòa khi Vgd < Vt
2.1.1 Sử dụng Cadence để mô phỏng các đường đặc tuyến I-V
Ở đây chúng ta thiết lập 2 nguồn một là nguồn Vgs vànguồn còn lại là Vds ngoài ra chúng ta sẽ chỉnh điện áp là3.3v
Trang 6Id vs Vgs
Đây là hình ảnh dạng sóng của Vgs lúc này Vgs đang
ở mức thấp còn Vds là mức cao
Trang 7Chúng ta sẽ đo được khoảng ước chừng được giá trịcủa Vt threshold hay còn là ngưỡng để biết được khi nàochuyển sang chế độ khác Khoảng 330mV
Id vs Vds
Trang 8Đặc tuyến I-V
Nói một cách dễ hiểu nhất đó chính là các đường Id
vs Vgs và Id vs Vds là để chúng ta xác định các chế độ
Trang 9Các vùng nằm bên tay trái của mark A chúng ta sẽbiết được nó chính là vùng triode linear và vùng bên phải
sẽ là saturation hay còn gọi là bão hòa và cuối cùng làvùng tận cùng bên phải xuất hiện do là bị ảnh hưởng nhỏcủa các kênh khác Khi Vgs càng thay đổi giá trị thì Idscũng sẽ thay đổi tỉ lệ thuận theo
2.2 Các chế độ của PMos
2.2.1 Sử dụng Cadence để mô phỏng các đường đặc tuyến I-V
Trang 10Cách kết nối không khác gì so với NMos vẫn thiết lậpđiện áp ở Vgs và Vds là 3.3v
Id vs Vgs
PMos cho ra được dạng bị ngược lại so với NMos ởtrên và Vgs sẽ ở mức thấp và Vds sẽ là modest
Trang 11Đây là mức Vt threshold khoảng 2.9v
Id vs Vds
Trang 12Đặc tuyến I-V
Trang 13Cổng OR
1 Cổng OR
Cổng OR dùng thực hiện hàm OR của 2 hay nhiềubiến Cổng OR có số ngõ vào tuỳ thuộc vào số biến và cómột ngõ ra Ngõ ra cổng là hàm OR của các biến ngõ vào
Ngõ ra cổng OR chỉ ở mức thấp khi tất cả các ngõvào xuống thấp Khi có một ngõ vào bằng 1, ngõ ra bằng
1 bất chấp các ngõ vào còn lại
Q = A + B
Trang 14Về sơ đồ nguyên lý để mình kết nối các NMos vàPMos nhằm cho việc mô phỏng ở cadence
Sơ đồ nguyên lý
Trang 152 Mô phỏng bằng Cadence OR gate
Sơ đồ nguyên lý
Sau khi đã vẽ xong sơ đồ nguyên lý chúng ta sẽ đónggói cho nó và gắn các nguồn vào các chân
Trang 16Cấp nguồn
Thiết lập các biến môi trường và các giá trị nguồn Cuối cùng chạy thu về được dạng sóng
Trang 17Ta thấy được các trường hợp đều đúng với bảngtrạng thái chỉ khi A và B đều bằng ‘0’ thì Y ngõ ra sẽ bằng
‘1’
Trang 18Sau khi có dạng sóng thì chúng ta sẽ tiếp tụcvoiwstinhs công suất ở đây là công suất tức thời khii ta lấyP= U(đường màu xanh lá)*I(đường màu đỏ) sẽ ra được Ptức thời (đường màu cam)
Và tính ra được công suất trung bình của nó 169nW
Về t delay, sẽ xuất hiện khi nó thay đổi dạng sóng từhigh sang low hay ngược lại là từ low sang high vàthường nằm ở khoảng giữa điện áp khi thay đổi
Trang 19Tphl có giá trị khoảng -5ns
Tplh
Trang 20Tplh có giá trị khoảng -44ns
Do có thể em không chỉnh được chính xác ở khoảnggiữa điện áp là 500mV nên sẽ có sai số nhất định về tdelay cũng sẽ nằm trong một khoảng nhất định
Kết luận: Sau khi tìm hiểu và mô phỏng để ta thấy rõ
hơn về các tính chất đặc tính mà cổng OR có được cũngnhư là biết cách tính toán các công suất delay…