đáp ứng tần số thấp của bjt

... 7Giới thiệu về BJT• BJT = transistor tiếp xúc lưỡng cực = transistor 2 mối nối (hay 2 tiếp xúc) • Lưỡng cực: do dòng điện chính được tạo bởi 2 hạt dẫn điện tử (-) và lỗ (+) • BJT được phát minh ... Bardeen, Brattain và Shockley Trang 8Cấu tạo và ký hiệu BJTTrang 9Cấu tạo và ký hiệu BJTC B Trang 11Schematic representation of pnp and npn BJTs Emitter is heavily doped compared to collector So, ... Trang 14BJT biasing modesTrang 15BJT Operation Characteristics• IC vs VCE graph allows us to determine operating region • Works for any IB or VCE • VBE tops out around ~0.7V Trang 16BJT Operation

Ngày tải lên: 19/05/2014, 19:52

... dòng điện của BJT ở chế độ tích cực phụ thuộc vào điện áp phân cực thuận của tiếp giáp JE • Những tỉ số của các dòng điện của BJT ở chế độ tích cực là hằng số • Chiều các dòng điện của transistor ... i i ) 2 22 1 v i ) 1 12 1 v v ) BJT khi ngõ ra ngắn mạch đối với ac với ac áp) của BJT khi hở mạch ngõ vào đối với ac Trang 61Mạch tương đương thông số h của BJT • Điện trở vào h11 (hoặc hi) ... xem là hằng số bằng 0.2 V (để đơn giản) bất chấp giá trị của iC • Lượng tăng β trong miền bão hòa thấp hơn trong miền tích Trang 21Mạch BJT npn ở chế độ DCTích cực Trang 22Mạch BJT pnp ở chế

Ngày tải lên: 03/02/2018, 08:13

... h A, b, c đều đúng 4 Thông số hib của BJT được tính theo công thức E BE I V ∆ ∆ = B BE I V ∆ ∆ = E BE I V ∆ ∆ = B BE I V ∆ ∆ = 5 Thông số hfe là hệ số khuếch đại của BJT đối với a Dòng điện xoay ... điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải a Đa số b Thiểu số c Đa số và thiểu số d Electron 12 Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì a Dòng điện chạy trong ... a Của mối nối CB khi cực E hở mạch b Của mối nối CE khi cực B hở mạch c Của mối nối BE khi cực C hở mạch Trang 2d Của transistor9 Dòng ICEO là dòng rỉ a Của mối nối CB khi cực E hở mạch b Của

Ngày tải lên: 25/12/2020, 09:12

... đều đúng 4 Thông số hib của BJT được tính theo công thức E BE ib r I V    B BE ib r I V    E BE ib r I V    B BE ib r I V    5 Thông số hfe là hệ số khuếch đại của BJT đối với a Dòng ... điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải a Đa số b Thiểu số c Đa số và thiểu số d Electron 12 Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì a Dòng điện chạy trong ... rỉ a Của mối nối CB khi cực E hở mạch b Của mối nối CE khi cực B hở mạch c Của mối nối BE khi cực C hở mạch d Của transistor 9 Dòng ICEO là dòng rỉ a Của mối nối CB khi cực E hở mạch b Của mối

Ngày tải lên: 25/12/2020, 09:15

... h A, b, c đều đúng 4 Thông số hib của BJT được tính theo công thức E BE I V ∆ ∆ = B BE I V ∆ ∆ = E BE I V ∆ ∆ = B BE I V ∆ ∆ = 5 Thông số hfe là hệ số khuếch đại của BJT đối với a Dòng điện xoay ... điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải a Đa số b Thiểu số c Đa số và thiểu số d Electron 12 Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì a Dòng điện chạy trong ... a Của mối nối CB khi cực E hở mạch b Của mối nối CE khi cực B hở mạch c Của mối nối BE khi cực C hở mạch Trang 2d Của transistor9 Dòng ICEO là dòng rỉ a Của mối nối CB khi cực E hở mạch b Của

Ngày tải lên: 01/01/2021, 06:56

... CCh A, b, c đều đúng 4 Thông số hib của BJT được tính theo công thức E BE I V    B BE I V    E BE I V    B BE I V    5 Thông số hfe là hệ số khuếch đại của BJT đối với a Dòng điện xoay ... điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải a Đa số b Thiểu số c Đa số và thiểu số d Electron 12 Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì a Dòng điện chạy trong ... rỉ a Của mối nối CB khi cực E hở mạch b Của mối nối CE khi cực B hở mạch c Của mối nối BE khi cực C hở mạch d Của transistor 9 Dòng ICEO là dòng rỉ a Của mối nối CB khi cực E hở mạch b Của mối

Ngày tải lên: 09/06/2017, 09:38

... ế ủ BJT ki u CE ể A Trang 10 Đăc tuyên BJT (E chung ) ̣ ́ Đ c tuy n ngõ vào I ặ ế B =f(VBE) Trang 11 Đăc tuyên BJT (E chung ) ̣ ́Trang 12 Đăc tuyên BJT (E chung ) ̣ ́ Vung hoat đông cua BJT ... 2Transistor hai c c tính -BJT ựE B N N N+ Trang 5 Khi BJT đã được phân c c ựThêm ngu n tín hi u nh ngồ ệ ỏ uôn ̀ Trang 8E C Ba s đ c b n c a BJT ơ ồ ơ ả ủ  C chung Trang 9 Đăc tuyên BJT (E chung ) ̣ ... transistor lo i Germani t n s cao ạ ầ ố Trang 18 Đăt tuyên BJT (E chung ) ̣ ́ Cac mach phân c c ( sách KTDT trang 132) ́ ̣ ự Trang 19 Đăt tuyên BJT (E chung ) ̣ ́ Phân tich &Thiêt kê phân c c

Ngày tải lên: 12/10/2012, 15:29

... 130 D3 D1 D2 Trang 43c IC họ TTL• Nối 2 ngõ vào A và B của cổng NAND lại với nhau ta có cổng NOT (IC họ TTL) d Đặc tính chung (chuẩn) của họ IC TTL Trang 44FAN OUTTrang 46Độ miễn nhiễu(Noise ... Rc RE Trang 7Mạch điện tương đương+ VCE - - + VCC Q RB RC RE + VBB Trang 9V I= + Trang 10Vai trò của điện trở ổn định nhiệt RE• Khi nhiệt độ T tăng , ICBO tăng ,  IC tăng  VE tăng  VBE = (VBB ... biến dạng). Trang 113.Phân cực bằng điện trở cực thu-nềnVCE + RC IC+IB Trang 12R RTrang 13Vai trò của điện trở hồi tiếp RB• Để có được sự ổn định nhiệt độ tốt hơn, cần kết hợp cả 2 điện trở RB và

Ngày tải lên: 04/07/2013, 01:25

... Stability) CHO BJT 3.1 Giới thiệu 3.2 Aûnh hưởng của E lên tĩnh điểm Q 3.3 Aûnh hưởng của nhiệt độ lên tĩnh điểm Q 3.4 Phân tích hệ số ổn định 3.5 Bổ chính nhiệt dùng Diode 3.6 Aûnh hưởng của nhiệt ... hưởng của nhiệt độ và các thông số kỹ thuật Trang 23.1 Giới thiệu 9 Tĩnh điểm Q 9 Sự thay đổi của tĩnh điểm Q: Nhiệt độ, E, nguồn cung cấp, … 3.2 Ảûnh hưởng của E lên tĩnh điểm Q Rb Rc Re VBB ... Dòng ICBO cực đại tại điện áp VCB cực đại tại 25 oC = 10 mA 6 Hệ số khuếch đại dòng E tại VCE = 4V, IC = 5A: 10 d E d 18 7 Tần số cắt CE (cutoff frequency): fE = 30 kHz

Ngày tải lên: 20/01/2014, 06:20

... Tần số cắt cao của mạch được xác định là tần số cắt thấp trong 2 tần số cắt fHi và fH0 Ngoài ra vì hfe (hay β) cũng giảm khi tần số tăng nên cũng phải được xem là một yếu tố để xác định tần số ... sự phụ thuộc vào tần số của hfe hay β. 5.7.1 Các thông số của hệ thống: - Ta xem mạch khuếch đại dùng BJT ở tần số cao như hình 5.25 Trang 9Cbe, Cbc, Cce là các tụ liên cực của BJT do chế tạo. Cwi, Cw0 là các tụ ký sin ... Hiệu ứng Miller cũng làm gia tăng điện dung ở ngõ ra, chúng phải được để ý đến khi xác định tần số ngắt cao. Trang 85.7 ÐÁP ỨNG TẦN SỐ CAO CỦA MẠCH KHUẾCH ÐẠI DÙNG BJT: - Ở vùng tần số cao, có 2 vấn đề xác định điểm -3dB: điện dung của hệ thống (ký sinh và

Ngày tải lên: 22/02/2014, 01:20

... NHỎ CỦA BJT Trang 3( ) BQ BE b CE V i r BQ C f B I i i     e V( )V Trang 4VÍ DỤ 3.1 Xác định hệ số khuyếch đại vòng hở AC của bộ khuyếch đại emitter-chung Hãy xác định điểm-Q và hệ số khuyếch ... nhiều tầng Trang 143.5 CỔNG VÀ CHUYỂN MẠCH BẰNG TRANSISTOR Trang 16Cổng bằng diode Trang 17Cổng bằng BJT Trang 18VÍ DỤ 3.11 Cổng NAND họ TTL Hãy hoàn thành bảng dưới đây để xác định hoạt động của ... bảng dưới đây để xác định hoạt động của cổng logic là cổng NAND họ TTL theo mạch ở hình 3.48 Trị số của các điện trở và điện áp là: R1 = 5,7 k; R2 = 2,2 k; R3 = 2,2 k; R4 = 1,8 k; V CC = 5 V;

Ngày tải lên: 16/03/2014, 15:20

... kiến thức: - Nêu được cấu tạo của BJT, phân biệt được hai loại BJT. - Trình bày được nguyên lý làm việc của hai loại BJT. 2 Về kỹ năng: - Phân tích được hoạt động của BJT trong các mạch điện tử. ... BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC+ ++ + + C B E Miền Collector pha tạp thấp Miền Base mỏng và pha tạp thấp Miền Emitter pha tạp nhiều Trang 18I CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰCKÝ HIỆU CỦA ... 15I CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰCTrang 16I CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA TRANSISTOR LƯỠNG CỰC + + ++ C B E Miền Collector pha tạp thấp Miền Base mỏng và pha tạp thấp Miền Emitter

Ngày tải lên: 23/03/2014, 07:20

... của Transistor 2 Lợi ích của việc ghép nối này là gia tăng hệ số khuyếch đại của mạch Với ghép nối Darlington ở hình dưới, cực E của transistor 1 được nối vào cực B của Transistor 2 Lợi ích của ... dưới, cực E của transistor 1 được nối vào cực B của Transistor 2 Lợi ích của việc ghép nối này là gia tăng hệ số khuyếch đại của mạch Với ghép nối Darlington ở hình dưới, cực E của transistor ... Hệ số truyền đạt dòng điện α của Transistor Hệ số khuếch đại dòng điện β của Transistor Ta có hệ thức: Hệ thức cơ bản về các dòng điện trong Transistor Hệ số truyền đạt dòng điện α của Transistor

Ngày tải lên: 02/07/2014, 02:20

... THẮNGĐIỆN TỬ 1 ThS Nguyễn Thy Linh Trang 2Nội dung:Chương 2: BJT 2.1 Dòng chảy trong transistor; 2.2 Khuếch đại dòng trong BJT; 2.3 Giải tích mạch BJT bằng đồ thị; 2.4 Tính toán công suất; 2.5 Tụ bypass ... 132.3 Giải tích mạch BJT bằng đồ thịđại được làm việc ở chế độ lớp A: tín hiệu tồn tại trong cả chu kỳ, méo phi tuyến nhỏ và hiệu suất thấp Trang 14CC bBB V V Trang 15Hoạt động của mạch khuếch đại ... tương đương của mối nối CB CBO E I Trang 8Ví dụ 1:Cho mạch điện như hình vẽ: α≈1, ICBO ≈ 0; VEE = 2V; Re=1k; VCC=50V; Rc = 20k; vi=1sinωt Tính iE và vCB. Trang 92.2 Khuếch đại dòng trong BJTQuan

Ngày tải lên: 07/08/2014, 15:22

... ứng ở tần số thấp của mạch là do ảnh hưởng của CS, CC, CE Tần số cắt thấp (tần số tại đó độ lợi giảm 3dB) của mạch sẽ là tần số cắt thấp cao nhất của fLS, fLC và fLE 5.5 ÐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA ... định tần số cắt thấp g/ Vẽ đáp ứng tần số Bài 2: Với mạch điện và các thông số của bài 1: a/Xác định fHi và fH0 b/ Cho Cb’e = Cbe; Cb’c = Cbc Tìm fβ và fT c/ Xác dịnh tần số cắt cao và vẽ đáp ... xem như nối tắt ở tần số của tín hiệu Ngoài ra ở dải tần số đó ảnh hưởng của các điện dung liên cực trong BJT và FET không đáng kể Dải tần số này thường được gọi là dải tần số giữa Trong chương

Ngày tải lên: 31/05/2015, 08:00

... tương đương xoay chiều của BJT:Với tín hiệu có biện độ nhỏ và tần số không cao lắm, người ta thường dùng hai kiểu mẫu sau đây: Kiểu hỗn tạp: (hybrid- π ) Với mô hình tương đương của transistor và ... (transfer curve) của transistor Đặc tuyến này giống như đặc tuyến của diode khi phân cực thuận Trang 4Người ta định nghĩa điện dẫn truyền của transistor là:Trang 5Tổng trở vào của transistor:Ta ... mang tên Ông Ông nhận xét: Ở những giá trị cao của dòng điện cực thu IC, dòng ICtăng nhanh theo VCE(đặc tuyến có dốc đứng) Ở những giá trị thấp của IC, dòng ICtăng không đáng kể khi VCE tăng

Ngày tải lên: 31/12/2015, 16:53

... từ vùng thu chạy về cực dương của nguồn VCC tạo ra dòng điện thu ICchạy vào vùng thu Mặt khác, một số ít điện tử là hạt điện thiểu số của vùng nền chạy về cực dương củanguồn VEE tạo nên dòng điện ... chạy từ cực C qua cực E của transistor khi cực B để hở Trị sốcủa ICEO cũng được nhà sản xuất cho biết Các thông số ?DC, ?DC, ICBO, ICEO rất nhạy với nhiệt độ ĐẶC TUYẾN V-I CỦA TRANSISTOR. Người ... các ứng dụng, người ta dùng điệnthế cực nền VBE làm điện thế điều khiển và cực B còn gọi là cực khiển Ảnh hưởng của nhiệt độ lên các đặc tuyến của BJT. Như ta đã thấy, các tính chất điện của

Ngày tải lên: 31/12/2015, 17:09

... tương đương tần số cao r  , C  (=C bc ): tương đương tín hiệu nhỏ của J C phân cực ngược r  , C  (=C be ): tương đương tín hiệu nhỏ của J E phân cực thuận r o : điện trở của BJT CE r x : ... m T m T Trang 7BJT có thể hoạt động như một khóa (công tắc) giữa trạng thái dòng thấp-áp cao và trạng thái dòng cao-áp thấp Trạng thái tắt (OFF) tương ứng với chế độ tắt của BJT, trái lại trạng ... điện trở của BJT CE r x : điện trở tại miền nền trung hòa (bỏ qua trong tần số trung bình) Các giá trị thực tế của các tham số: r rất lớn (có thể xem như hở mạch), C =1-5pF, C =5-50pF Trang 3thời

Ngày tải lên: 14/04/2016, 15:36

... hiệu nhỏ T của BJT có tính đến hiệu ứng Early. Trang 36Khuếch đại sử dụng BJT • Trước khi xem xét các mạch khuếch đại một tầng sử dụng BJT, chúng ta sẽ định nghĩa các thông đặc trưng của một mạch ... yêu cầu (hệ số khuếch đại điện áp, điện trở vào) Trang 30Ví dụ • Xác định hệ số khuếch đại điện áp của mạch BJT cho trên hình vẽ, giả thiết \beta = 100 Trang 31VC > VB ( ¼ 0.7V)  BJT hoạt động ... 32Điện áp đầu ra Hệ số khuếch đại điện áp Trang 34Mô hình tín hiệu nhỏ hybrid  của BJT có tính đến hiệu ứng Early. Chú ý, ở đây chúng ta thay rbe bằng r để cho phù hợp với một số ký hiệu thường

Ngày tải lên: 05/07/2016, 19:02