1. Trang chủ
  2. » Giáo Dục - Đào Tạo

thiết kế mạch đo điện tự sử dụng cảm biến tương tự THIẾT kế MẠCH KHUẾCH đại CÔNG SUÂT PA ở tần số 2 6GHz CHO 5g SUBBAND

24 54 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 24
Dung lượng 1,56 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

1.1 Yêu cầu của bộ khuếch đại● Bộ khuếch đại phải hoạt động ở tần số 2.6GHz ● Đảm bảo khuếch đại đủ công suất để truyền ra anten... 1.4Xác định S-parameters● Ma trận tán xạ S là cần thiế

Trang 1

THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUÂT

Lê Văn Tuấn 20175666

Trang 2

Phương án

thiết kế

01

Thiết kế mạch

02

Trang 3

Phương án thiết kế

01

Trang 4

1.1 Yêu cầu của bộ khuếch đại

● Bộ khuếch đại phải hoạt động ở tần số 2.6GHz

● Đảm bảo khuếch đại đủ công suất để truyền ra anten

Trang 6

1.3 Bias Network

● Mô phỏng 1 chiều cho transistor để tìm ra đường làm việc 1 chiều, từ đó quyết định chế độ làm việc cho transistor

Trang 7

1.4Xác định S-parameters

● Ma trận tán xạ S là cần thiết trong thiết PA, xác định các

hệ số phản xạ và độ lợi của thiết bị sử dụng từ đó tính toán tính ổn định (K factor) và có phương án phối hợp trở kháng phù hợp

Trang 8

1.5 Thiết kế

● Lựa chọn class sử dụng

● Quyết định điểm làm việc của transistor

● Thiết kế mạch phối hợp trở kháng phù hợp

Trang 9

Thiết kế mạch

02

Trang 10

SOURCE INPUT

MATCHING

INPUT MATCHING AMPLIFIER MATCHINGOUT LOAD

OUT MATCHING

• Lựa chọn class AB

• Trở kháng nguồn và trở kháng tải là 50

• Mô hình mạch

Trang 11

2.1 Mô phỏng 1 chiều

Trang 12

Từ mô phỏng ta sẽ có đường đặc tuyến của thiết bị như sau:

Điểm hoạt động m2 đã được tính gần đúng là điểm có dòng điện IDS cực đại từ đó có đường tải 1 chiều nối từ m2 đến m1 (điểm làm việc Q) Nhóm quyết định chọn m1 là điểm làm việc của transistor vì class AB được lựa chọn

Trang 13

2.2 Ma trận tán xạ 2 cổng S-parameters

Điện trở R1 có tác dụng ổn định thiết bị

Trang 14

S parameters của transistor

Trang 15

Kết quả các tham số S ở tần số 2.6GHz được ghi lại như sau:

Với và gần như bằng 0 có thể coi transistor là ổn định không điều kiện Từ đó có thể xác định hệ số phản xạ ở đầu vào và đầu ra của transitor :

Trang 16

Từ các thông số S của transistor giờ ta có thể thiết kế được mạch khuếch đại qua sơ đồ khối sau:

2.3 Phối hợp trở kháng

Trang 17

SmithChart cho mạch matching đầu vào

Từ sử dụng Smithchart sẽ thu được các giá trị:

TL1 : Z = 50 Ω, E = 21.24 Deg TL2 : Z = 50 Ω, E = 138.77 Deg

Trang 18

SmithChart cho mạch matching đầu ra

Từ sử dụng Smithchart sẽ thu được các giá trị:

TL1 : Z = 50 Ω, E = 153.06 Deg TL2 : Z = 50 Ω, E = 16.82 Deg

Trang 19

2.4 Thiết kế mạch

Mạch khuếch đại PA ở tần số 2.6GHz

Trang 20

● Bias circuit: Mạch phân cực gồm 2 nguồn điện 1 chiều chảy vào cự D

và cự G của transistor, 28V cho D và 2.7 V vào G Sau nguồn DC sẽ là 1 cuộn cảm và ở đầu vào và đầu ra của mạch sẽ có tụ điện ngăn nguồn 1 chiều như đã nêu ở trên

● Gain: Từ công thực tính gain ở trên ta có thể tính được gain của mạch như sau :

 GS = 1.8 = 2.55 dB

 G0 = 20 = 13 dB

 GL = 1.3 = 1.14 dB

Vậy có GT = GS + G0 + GL = 16.69 dB

Trang 21

2.5 Mô phỏng

S11 của mạch

Trang 22

S21 của mạch Công suất đầu ra

Trang 23

● Bộ PA gồm 1 tầng khuếch đại, nguồn và tải cùng với mạch phối hợp trở kháng ở đầu vào và đầu ra, mạch phân cực cho cực G và D.

● Mạch hoạt động được ở tần số 2.6 GHz.

● Mạch chưa đảm bảo được công suất đầu ra.

Kết luận

Trang 24

Thanks you

Ngày đăng: 11/01/2022, 20:05

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm

w