1.1 Yêu cầu của bộ khuếch đại● Bộ khuếch đại phải hoạt động ở tần số 2.6GHz ● Đảm bảo khuếch đại đủ công suất để truyền ra anten... 1.4Xác định S-parameters● Ma trận tán xạ S là cần thiế
Trang 1THIẾT KẾ MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUÂT
Lê Văn Tuấn 20175666
Trang 2Phương án
thiết kế
01
Thiết kế mạch
02
Trang 3Phương án thiết kế
01
Trang 41.1 Yêu cầu của bộ khuếch đại
● Bộ khuếch đại phải hoạt động ở tần số 2.6GHz
● Đảm bảo khuếch đại đủ công suất để truyền ra anten
Trang 61.3 Bias Network
● Mô phỏng 1 chiều cho transistor để tìm ra đường làm việc 1 chiều, từ đó quyết định chế độ làm việc cho transistor
Trang 71.4Xác định S-parameters
● Ma trận tán xạ S là cần thiết trong thiết PA, xác định các
hệ số phản xạ và độ lợi của thiết bị sử dụng từ đó tính toán tính ổn định (K factor) và có phương án phối hợp trở kháng phù hợp
Trang 81.5 Thiết kế
● Lựa chọn class sử dụng
● Quyết định điểm làm việc của transistor
● Thiết kế mạch phối hợp trở kháng phù hợp
Trang 9Thiết kế mạch
02
Trang 10SOURCE INPUT
MATCHING
INPUT MATCHING AMPLIFIER MATCHINGOUT LOAD
OUT MATCHING
• Lựa chọn class AB
• Trở kháng nguồn và trở kháng tải là 50
• Mô hình mạch
Trang 112.1 Mô phỏng 1 chiều
Trang 12Từ mô phỏng ta sẽ có đường đặc tuyến của thiết bị như sau:
Điểm hoạt động m2 đã được tính gần đúng là điểm có dòng điện IDS cực đại từ đó có đường tải 1 chiều nối từ m2 đến m1 (điểm làm việc Q) Nhóm quyết định chọn m1 là điểm làm việc của transistor vì class AB được lựa chọn
Trang 132.2 Ma trận tán xạ 2 cổng S-parameters
Điện trở R1 có tác dụng ổn định thiết bị
Trang 14S parameters của transistor
Trang 15Kết quả các tham số S ở tần số 2.6GHz được ghi lại như sau:
Với và gần như bằng 0 có thể coi transistor là ổn định không điều kiện Từ đó có thể xác định hệ số phản xạ ở đầu vào và đầu ra của transitor :
Trang 16Từ các thông số S của transistor giờ ta có thể thiết kế được mạch khuếch đại qua sơ đồ khối sau:
2.3 Phối hợp trở kháng
Trang 17SmithChart cho mạch matching đầu vào
Từ sử dụng Smithchart sẽ thu được các giá trị:
TL1 : Z = 50 Ω, E = 21.24 Deg TL2 : Z = 50 Ω, E = 138.77 Deg
Trang 18SmithChart cho mạch matching đầu ra
Từ sử dụng Smithchart sẽ thu được các giá trị:
TL1 : Z = 50 Ω, E = 153.06 Deg TL2 : Z = 50 Ω, E = 16.82 Deg
Trang 192.4 Thiết kế mạch
Mạch khuếch đại PA ở tần số 2.6GHz
Trang 20● Bias circuit: Mạch phân cực gồm 2 nguồn điện 1 chiều chảy vào cự D
và cự G của transistor, 28V cho D và 2.7 V vào G Sau nguồn DC sẽ là 1 cuộn cảm và ở đầu vào và đầu ra của mạch sẽ có tụ điện ngăn nguồn 1 chiều như đã nêu ở trên
● Gain: Từ công thực tính gain ở trên ta có thể tính được gain của mạch như sau :
GS = 1.8 = 2.55 dB
G0 = 20 = 13 dB
GL = 1.3 = 1.14 dB
Vậy có GT = GS + G0 + GL = 16.69 dB
Trang 212.5 Mô phỏng
S11 của mạch
Trang 22S21 của mạch Công suất đầu ra
Trang 23● Bộ PA gồm 1 tầng khuếch đại, nguồn và tải cùng với mạch phối hợp trở kháng ở đầu vào và đầu ra, mạch phân cực cho cực G và D.
● Mạch hoạt động được ở tần số 2.6 GHz.
● Mạch chưa đảm bảo được công suất đầu ra.
Kết luận
Trang 24Thanks you