Bốc bay PVD: Nhiệt điện trở Chùm điện tử, xung lazer Bay hơi phản ứng Mạ ion (ion plating)… Phún xạPVD: Dòng một chiều DC Dòng xoay chiều RF Magneton Lắng đọng từ pha hơi (CVD) Epitaxy chùm phân tử Phương pháp solgel
Trang 1Reactive evaporation process and roll to roll deposition
Trang 3Ứng dụng của màng mỏng:
application/
Trang 52 Reactive evaporation
process
5
Trang 62 Quá trình bay hơi phản ứng
Bay hơi phản ứng có kích thích (activated reactive
evaporation ARE)
Bay hơi phản ứng không có kích thích (reactive evaporation RE)
6
=> Phương pháp ARE với tốc độ lắng đọng cao hơn, nhiệt
độ lắng đọng thấp, được sử dụng và phát triển rộng rãi.
Phương pháp bốc bay gián tiếp:
Trang 72 Quá trình bay hơi phản ứng
Hình thành màng hợp chất, với độ bám dính cao hơn và tốc độ phủ nhanh hơn so với phương pháp bốc bay trực tiếp.
Vật liệu tổng hợp đa dạng hơn (với nhiệt độ nóng chảy cao hơn): Oxides (Al2O3, V2O3, TiO2, Indium- tin oxide…); carbides (TiC, ZrC, Ta2C, W2C,…);
nitrides (TiN, MoN, HFN,…).
7
=> Bay hơi phản ứng có kích thích
Trang 8Một vài ví dụ điển hình:
8
Trang 9Hình 2.1: Cấu tạo của hệ bay hơi phản ứng có kích thích (ARE).
Trang 10Hình 2.2: Cấu tạo của súng điện tử
E-beam:
Hiệu điện thế gia tốc 6-10kv
Chùm điện tử bị uốn cong 270o
bởi lực Lorenzt do từ trường
vuông góc gây ra
Trang 11Hình 2.1: Cấu tạo của hệ bay hơi phản ứng có kích thích (ARE).
Nguyên lý hoạt động của ARE:
Khi chân không đủ cao (>10-2 Torr) → bơm
khí phản ứng vào → sử dụng chùm e năng
lượng cao (được gia tốc bởi hiệu điện thế
cao) bắn vào vật liệu, làm cho vật liệu nóng
chảy, bay hơi lên vùng phản ứng → tạo ra
một vỏ bọc plasma mỏng trên vùng nóng
chảy vật liệu → điện tử thứ cấp từ plasma
năng lượng thấp bay lên bởi điện áp dương
từ điện cực làm ion hóa khí phản ứng và hơi
kim loại→ tạo ra môi trường plasma lớn phía
Trang 12Hình 2.1: Cấu tạo của hệ bay hơi phản ứng có kích thích ARE.
Môi trường plasma trong ARE:
Được tạo ra nhờ nguồn bốc bay chùm điện
tử và sự phân cực dương tại điện cực
Làm tăng cường sự tương tác giữa các chất
trong phản ứng
Tạo ra sự ion hóa cả kim loại phủ và nguyên
tử khí trong trạng thái hơi
Đối với hệ bốc bay sử dụng nguồn nhiệt sợi
đốt, electron có năng lượng thấp hơn, sử
dụng cho các kim loại dễ bốc bay (có nhiệt
Trang 13Hình 2.3: Cấu tạo của hệ bốc bay trược tiếp chùm điện tử.
với phương pháp bốc bay trực tiếp
• Đế cần được quay trong quá trình phủ
https://www.researchgate.net/figure/Schematic-Diagram-of-an-E-beam-Evaporation-System-31_fig4_309398204 13
Trang 143 Roll to Roll processing
14
Trang 15Giới thiệu Các bước chế tạo cơ bản Một số phương pháp mới Ứng dụng
15
Trang 163.1 Giới thiệu
16
Xử lý Roll-to-roll
(Web processing, reel-to-reel processing, R2R)
• Là kỹ thuật chế tạo, xử lý liên tục đế dẻo
• Bao gồm nhiều bước công nghệ Tạo ra cuộn thành phẩm
Hình 3.1: Mô hình của phương pháp xử lý Roll-to-Roll [1]
[1] A Gregg et al, ‘’Flexible Flat Panel Displays’’, Wiley, 2005 pp 410 445 ‐
Trang 173.1 Giới thiệu
Ưu điểm
• Tốc độ sản xuất cao
• Tiết kiệm chi phí
• Khối lượng sản xuất cao
Ưu điểm
• Tốc độ sản xuất cao
• Tiết kiệm chi phí
• Khối lượng sản xuất cao
• Yêu cầu về kỹ thuật
[1] A Gregg et al, ‘’Flexible Flat Panel Displays’’, Wiley, 2005 pp
Xử lý Roll-to-roll
Trang 20Laser Ablation – Cắt bỏ laze
Offset Printing Inkjet Printing – In phun
Trang 21In quay Cao 3-500 μm 100 μm Có thể* Trung Bình Rất tốt
Inkjet printing Trung
Trang 26Jeffrey D Morse, “Nanofabrication Technologies For Roll-to-roll Processing”, Report
From The 1288 NIST-NNN Workshop, September 2011.
Lắng đọng lớp nguyên tử - Atomic Layer Deposition
Sơ đồ đơn giản ứng dụng ALD vào xử lý Roll-to-Roll[1]
Trang 27Piloting R2R Atomic Layer Deposition: Status And Results With 500 Mm Wide Web System - Beneq
Philipp Maydannik And David Cameron - Lappeenranta University Of Technology
Lắng đọng lớp nguyên tử - Atomic Layer Deposition
Sơ đồ bố trí một hệ lắng đọng lớp nguyên tử[1]
Trang 28Jeffrey D Morse, “Nanofabrication Technologies For Roll-to-roll Processing”, Report
From The 1288 NIST-NNN Workshop, September 2011.
Lắng đọng lớp nguyên tử - Atomic Layer Deposition
Màng có độ đồng đều cao
Có khả năng lắng đọng màng oxit kim loại
Nhiệt độ phản ứng thấp Chi phí tiền chất thấp
Có khả năng công nghiệp hóa
Trang 29Xử lý Roll-to-Roll ở nhiệt độ cao
• Mục đích: Tạo ra các vật liệu bán dẫn tinh thể, hiệu suất cao
• Sử dụng Kim loại nhiệt độ cao/ chất nền phù hợp
Trang 30Độ dẫn tiệm cận vật liệu khối
Thiết bị, hệ thống điện tử hiệu suất cao
[1] Jeffrey D Morse, “Nanofabrication Technologies For Roll-to-roll Processing”, Report From The 1288 NIST-NNN Workshop, September 2011.
Trang 313.4 Ứng dụng
Xử lý Roll-to-Roll được ứng dụng năng lượng sạch
• Thiết bị điện tử dẻo
• Pin màng mỏng
• Thiết bị Quang điện dẻo
• Vật liệu cảm biến màng dầy
Xử lý Roll-to-Roll trong sản xuất pin điện cực [1]
Xử lý Roll-to-Roll trong sản xuất pin mặt trời hữu cơ dẻo [2]
Trang 32Cảm ơn thầy
và các bạn
đã lắng nghe!
32