Bài giảng Kiến trúc máy tính (Computer Architecture) - Chương 5: Hệ thống nhớ cung cấp cho học viên những kiến thức tổng quan về hệ thống nhớ, các đặc trưng của hệ thống nhớ, phân cấp hệ thống nhớ, bộ nhớ chính, bộ nhớ đệm, bộ nhớ ngoài,... Mời các bạn cùng tham khảo chi tiết nội dung bài giảng!
Trang 1Chương 5
HỆ THỐNG NHỚ
Trang 35.1 Tổng quan về hệ thống nhớ
Trang 45.1 Tổng quan về hệ thống nhớ
1 Các đặc trưng của hệ thống nhớ
Trang 51 Các đặc trưng của hệ thống
nhớ
Số lượng từ nhớ (Number of words)
Số byte nhớ (Number of bytes)
0 1 2
Số lượng từ nhớ
Độ dài của một từ nhớ (1, 2 hoặc 3 bytes)
Trang 71 Các đặc trưng của hệ thống
nhớ
Thời gian truy nhập (Access time):
Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (random-access memory): Access time
là thời gian từ khi phát ra địa chỉ ô nhớ cho tới khi dữ liệu được ghi/đọc vào/từ ô nhớ đó
Bộ nhớ truy cập không ngẫu nhiên (non-random-access memory): Access time là khoảng thời gian cần thiết để định vị đầu đọc/ghi ở vị trí mong muốn
Chu kỳ nhớ (Cycle time): Là khoảng thời gian ngắn nhất giữa 2 lần truy nhập kế tiếp
Trang 81 Các đặc trưng của hệ thống nhớ
Đơn vị truyền (Unit of Transfer):
Từ nhớ (Word)
Khối nhớ (Block)
Trang 91 Các đặc trưng của hệ thống nhớ (tiếp)
Phương pháp truy nhập (Access Method):
Tuần tự (Sequential)
Trực tiếp (Direct)
Ngẫu nhiên (Random)
Kết hợp (Associative)
Trang 101 Các đặc trưng của hệ thống nhớ (tiếp)
Các đặc tính vật lý (Physical Characteristics)
Khả biến/không khả biến (Volatile/nonvolatile)
Xóa được/không xóa được (Erasable/nonerasable)
Trang 111 Các đặc trưng của hệ thống nhớ
(tiếp)
Tổ chức (Organization)
Đơn vị nhớ cơ bản của bộ nhớ bán dẫn là phần tử nhớ:
Thông thường bộ nhớ được tổ chức thành module với dung
DinChọn
Phần tử
nhớ
Điều khiển đọc
DoutChọn
Trang 122 Phân cấp hệ thống nhớ
CPU
Tập thanh ghi
Bộ nhớ
Cache
Bộ nhớ chính
Bộ nhớ ngoài
Nhanh hơn Chậm
Dung lượng lớn
Dung lượng
nhỏ
Trang 135.2 Bộ nhớ chính
1 Phân loại
Trang 14ROM (Read Only Memory)
Bộ nhớ chỉ đọc
Bộ nhớ không khả biến (nonvolatile)
Lưu trữ các thông tin sau:
Thư viện các chương trình con
Các chương trình điều khiển hệ thống (BIOS)
Vi chương trình
Trang 16PROM (Programmable ROM)
PROM (Programmable ROM)
Tại những nơi giao nhau giữa dây từ và dây bit đều có các Tranzistor nối với các cầu trì (cầu trì được nối bit
nhớ có giá trị 1, cầu chì ngắt bit nhớ có giá trị 0)
Cần thiết bị chuyên dụng để ghi bằng chương trình
chỉ ghi được một lần
+E
Trang 17EPROM (Erasable PROM)
Cần thiết bị chuyên dụng để ghi bằng chương trình
Ghi được nhiều lần
Trước khi ghi lại, xóa bằng tia cực tím
N N
Floating Gate
Trang 18EEPROM (Electrically Erasable PROM)
Cửa nổi có thêm một kênh thoát
Trang 19RAM (Random Access Memory)
Bộ nhớ đọc-ghi (Read/Write Memory)
Khả biến (volatile): Mất điện mất dữ liệu
Lưu trữ thông tin tạm thời
Có hai loại:
SRAM (Static RAM)
DRAM(Dynamic RAM)
Trang 22WE: Write Enable
OE: Output Enable
Ai (i =0 ÷ n-1): Các đường địa chỉ
Dj (j =0 ÷ m-1): Các đường dữ liệu
Trang 232 Tổ chức của chip nhớ (tiếp)
Có 2 phương pháp tổ chức
Tổ chức bộ nhớ một chiều
Tổ chức bộ nhớ hai chiều
Trang 24Tổ chức bộ nhớ một chiều
Trang 25Ví dụ
Tổ chức bộ nhớ có dung lượng 256K x 8 bằng các phương pháp tổ chức bộ nhớ một chiều.
Trang 26Ví dụ
Trang 27Nhận xét
Ưu điểm: Thời gian truy nhập ngắn
Nhược điểm: Khi dung lượng bộ nhớ lớn thì kích thước bộ giải mã (số chân ra) cũng tăng theo
Áp dụng cho những bộ nhớ có dung lượng nhỏ
Trang 28Tổ chức bộ nhớ hai chiều
Trang 29 mỗi từ nhớ có độ dài m-bit
Dung lượng của chip nhớ:
[2n1 x (2n2 x m)] bit = (2n1+n2 x m) bit = (2n x m) bit
Hoạt động giải mã địa chỉ:
Bước 1: bộ giải mã hàng chọn 1 trong 2 n1 hàng.
Bước 2: bộ giải mã cột chọn 1 trong 2 n2 từ nhớ
Trang 30Ví dụ
Tổ chức bộ nhớ có dung lượng 256K x 8 bằng các phương pháp tổ chức bộ nhớ hai chiều.
Trang 31Ví dụ
Trang 32Nhận xét
Tổ chức bộ nhớ hai chiều:
Thời gian truy nhập lâu hơn
Kích thước bộ giải mã địa chỉ giảm
Áp dụng cho bộ nhớ có dung lượng lớn
Trang 33Tổ chức của DRAM
RAS: Row Address Select
Trang 34Ví dụ chip nhớ DRAM
Dung lượng của chip nhớ DRAM?
Trang 353 Thiết kế module nhớ bán dẫn
Dung lượng chip nhớ 2n x m bit
Cần thiết kế để tăng dung lượng:
Thiết kế tăng độ dài từ nhớ
Thiết kế tăng số lượng từ nhớ
Thiết kế kết hợp
Trang 36Tăng độ dài từ nhớ
Ví dụ 1:
Cho chip nhớ SRAM 4K x 4 bit
Thiết kế module nhớ 4K x 8 bit
Trang 37Tăng độ dài từ nhớ
Ví dụ 1:
Trang 38Bài toán tăng độ dài từ nhớ tổng quát
Cho chip nhớ 2n x m bit
Thiết kế module nhớ 2n x (k.m) bit
Dùng k chip nhớ
Trang 39Tăng số lượng từ nhớ
Ví dụ 2:
Cho chip nhớ SRAM 4K x 8 bit
Thiết kế module nhớ 8K x 8 bit
Trang 40Tăng số lượng từ nhớ
Ví dụ 2:
Trang 41Thiết kế kết hợp
Ví dụ 3:
Cho chip nhớ SRAM 4K x 4 bit
Thiết kế module nhớ 8K x 8 bit
Trang 42Thiết kế kết hợp
Ví dụ 3:
Bước 1: Tăng độ dài từ nhớ
2 chip 4K x 4 bit 4K x 8 bit
Trang 43Thiết kế kết hợp (tiếp)
Bước 2: Tăng số lượng từ nhớ
2 module 4K x 8 bit 8K x 8 bit
Trang 44Bài tập áp dụng
Cho chip nhớ SRAM 4K x 8 bit
Thiết kế module nhớ 16K x 16 bit
Trang 45Bài tập áp dụng
Bước 1: Tăng độ dài từ nhớ
2 chip 4K x 8 bit 4K x 16 bit
Trang 46Bài tập áp dụng
Bước 2: Tăng số lượng từ nhớ
4 module 4K x 16 bit 16K x 16 bit
Trang 475.3 Bộ nhớ đệm (Cache memory)
1 Sự cần thiết của bộ nhớ Cache
Nguyên lý cục bộ hoá tham chiếu bộ nhớ (Principle of locality):
Trong một khoảng thời gian đủ nhỏ CPU thường chỉ tham chiếu các thông tin trong một khối nhớ cục bộ
Cục bộ liên quan đến:
Thời gian: CPU có xu hướng truy xuất lại block vừa mới sử dụng
Không gian: CPU có xu hướng truy xuất đến các word gần với word vừa được truy xuất (thường trong cùng 1 block)
Trang 485.3 Bộ nhớ đệm (Cache memory)
1 Sự cần thiết của bộ nhớ Cache (tiếp)
Trang 492 Hoạt động của Cache
Khi CPU tìm một từ nhớ
CPU sẽ tìm trong Cache đầu tiên
Nếu có Cache hit, CPU nhận từ nhớ từ cache (nhanh)
Nếu không có Cache miss, đọc Block nhớ chứa từ nhớ cần tìm
Trang 502 n -1
Trang 514 Các phương pháp ánh xạ
Phương pháp xác định Block nào được đưa vào trong
Cache được gọi là phương pháp ánh xạ
Các phương pháp ánh xạ:
Ánh xạ trực tiếp (Direct mapping)
Ánh xạ liên kết toàn phần (Fully associative mapping)
Ánh xạ liên kết tập hợp (Set associative mapping)
Trang 52Ánh xạ trực tiếp
Mỗi Block của bộ nhớ chính chỉ có thể được
nạp vào một Line của cache:
Trang 53Minh hoạ ánh xạ trực tiếp
Trang 54Đặc điểm của ánh xạ trực tiếp
Mỗi một địa chỉ N bit của bộ nhớ chính gồm ba trường:
Trường Word gồm W bit xác định một từ nhớ trong Block hay
Line:
2 W = kích thước của Block hay Line
Trường Line gồm L bit xác định một trong số các Line trong
cache:
2 L = số Line trong cache
Trường Tag gồm T bit:
T = N - (W+L)
Bộ so sánh đơn giản
Xác suất cache hit thấp
Khi thay thế không cần thuật toán
Các block phải chờ nhau khi ánh xạ vào một line
Trang 55Ví dụ về ánh xạ trực tiếp
Dung lượng bộ nhớ chính 1 Mbytes
Dung lượng bộ nhớ cache là 16 Kbytes
Kích thước Line ( Block ) = 4 bytes
Xác định số bit của các trường địa chỉ cho trường hợp tổ chức ánh xạ trực tiếp
Trang 56Bài tập áp dụng
Dung lượng bộ nhớ chính 4GB
Dung lượng bộ nhớ cache là 256KB
Kích thước Line ( Block ) = 32bytes
Xác định số bit của các trường địa chỉ cho trường hợp ánh xạ trực tiếp
Trang 57Ánh xạ liên kết toàn phần
Mỗi Block có thể nạp vào bất kỳ Line nào của
cache
Địa chỉ của bộ nhớ chính bao gồm hai trường:
Trường Word giống như trường hợp ở trên
Trường Tag dùng để xác định Block của bộ nhớ chính
Tag xác định Block đang nằm ở Line đó
Trang 58Minh hoạ ánh xạ liên kết toàn phần
Trang 59Đặc điểm của ánh xạ liên kết toàn phần
So sánh đồng thời với tất cả các Tag mất
nhiều thời gian
Xác suất cache hit cao
Bộ so sánh phức tạp.
Trang 60Ví dụ về ánh xạ liên kết toàn phần
Dung lượng bộ nhớ chính 1 Mbytes
Dung lượng bộ nhớ cache là 16 Kbytes
Kích thước Line ( Block ) = 4 bytes
Xác định số bit của các trường địa chỉ cho trường hợp tổ chức ánh xạ liên kết toàn phần
Trang 61Bài tập áp dụng
Dung lượng bộ nhớ chính 4GB
Dung lượng bộ nhớ cache là 256KB
Kích thước Line ( Block ) = 32bytes
Xác định số bit của các trường địa chỉ cho trường hợp ánh xạ liên kết toàn phần
Trang 62Ánh xạ liên kết tập hợp
Cache được chia thành các Tập (Set)
Mỗi một Set chứa một số Line
Ví dụ:
4 Line/Set Liên kết tập hợp 4 đường
Ánh xạ theo nguyên tắc sau:
B0 S0
B1 S1
B2 S2
Trang 63Minh hoạ ánh xạ liên kết tập hợp
Trang 64Đặc điểm của ánh xạ liên kết tập hợp
trong Block hay Line:
trong số V = 2S Set
Tổng quát cho cả hai phương pháp trên
Thông thường 2,4,8,16 Lines/Set
Trang 65Ví dụ về ánh xạ liên kết tập hợp
Dung lượng bộ nhớ chính 1 Mbytes
Dung lượng bộ nhớ cache là 16 Kbytes
Kích thước Line ( Block ) = 4 bytes
Xác định số bit của các trường địa chỉ cho trường hợp tổ chức ánh xạ liên kết tập hợp 4 đường
Trang 66Bài tập áp dụng
Dung lượng bộ nhớ chính 4GB
Dung lượng bộ nhớ cache là 256KB
Kích thước Line ( Block ) = 32bytes
Xác định số bit của các trường địa chỉ cho trường hợp ánh xạ liên kết tập hợp 4 đường
Trang 674 Các thuật toán thay thế
Ánh xạ trực tiếp:
Mỗi Block chỉ ánh xạ vào một Line xác định
Thay thế Block ở Line đó
không cần thuật toán thay thế
Ánh xạ liên kết:
Thay thế ngẫu nhiên
FIFO (First In First Out): Thay thế Block đã ở trong
Cache trong khoảng thời gian dài nhất
LRU (Least Recently Used): Thay thế Block ở trong
Trang 685 Phương pháp ghi dữ liệu khi cache hit
Ghi xuyên qua (Write-through):
Trang 695.4 Bộ nhớ ngoài (External memory)
Đĩa từ
Đĩa quang
Flash Disk
Trang 701 Đĩa từ
Cấu tạo của một đĩa cứng
Trang 71Nhiều đĩa
Trang 72 Tốc độ quay của đĩa (vòng/phút): 3 600-15 000
Tốc độ truyền dữ liệu: Có thể đạt tới 900Mb/s
Trang 73 Redundant Array of Independent Disks: Tập các đĩa
cứng vật lý được OS coi như một ổ đĩa duy nhất
hệ thống nhớ dung lượng lớn
Dữ liệu được phân bố đều trên các ổ đĩa vật lý
truy cập song song (nhanh)
Đĩa dự phòng dùng để lưu trữ các thông tin mã lỗi
cho phép khôi phục lại thông tin trong trường hợp
đĩa bị hỏng an toàn thông tin
Trang 742 Đĩa quang
CD-ROM (Compact Disk ROM): ghi sẵn thông tin (âm
thanh được số hóa, không xóa được, chỉ đọc, dung lượng 640-700 MB
CD-R (CD - Recordable): đĩa mới chưa có thông tin, chỉ ghi một lần và đọc nhiều lần
CD-RW (CD - Rewriteable): đĩa mới chưa có thông tin, có thể ghi nhiều lần
Ổ đĩa CD:
Ổ CD-Writer
Ổ CD-RW
Tốc độ đọc chuẩn 150KByte/s
Trang 752 Đĩa quang (tiếp)
DVD
Digital Video Disk: chứa các hình ảnh video được số hóa
Digital Versatile Disk: ổ trên máy tính
Ghi một hoặc hai mặt
Dung lượng: có thể đạt tới 17GB
Trang 763 Flash Disk
Thường kết nối qua cổng USB
Bộ nhớ bán dẫn cực nhanh (flash memory)
Dung lượng tăng nhanh
Thuận tiện
Trang 77Hết chương 5
Trang 785.5 Hệ thống nhớ trên PC
• Bộ nhớ cache: tích hợp trên chip vi xử lý
• Bộ nhớ chính: Tồn tại dưới dạng các mô-đun nhớ
– SIMM – Single Inline Memory Module
• 30 chân: 8 đường dữ liệu
• 72 chân: 32 đường dữ liệu
– DIMM – Dual Inline Memory Module
• 168 chân
– DRAM - DIMM
• 184 chân
Trang 79Hệ thống nhớ trên PC (tiếp)
• ROM BIOS chứa các chương trình sau:
– Chương trình POST (Power On Self Test)
– Chương trình CMOS Setup
– Chương trình Bootstrap loader
– Các trình điều khiển vào-ra cơ bản (BIOS)
Trang 80DRAM tiên tiến thông dụng
• Synchronous DRAM (SDRAM): làm việc
được đồng bộ bởi xung clock
• DDR-SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
• DDR3, DDR4
80
Trang 81Ổ đĩa cứng HDD
chuẩn giao diện IDE)
RAID