1. Trang chủ
  2. » Luận Văn - Báo Cáo

Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

13 424 0
Tài liệu được quét OCR, nội dung có thể không chính xác
Tài liệu đã được kiểm tra trùng lặp

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Tiêu đề Mô phỏng một số đặc tính của transistor ống nano cacbon
Tác giả Dinh So Hion, Thi Tran Anh Tuan, Nguyen Thi Luong
Trường học Trường Đại học Khoa học Tự Nhiên
Thể loại bài báo
Năm xuất bản 2010
Thành phố Hồ Chí Minh
Định dạng
Số trang 13
Dung lượng 5,86 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon

Ngày đăng: 17/11/2012, 11:49

HÌNH ẢNH LIÊN QUAN

từ đó tạo ra các hình lục giác. - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
t ừ đó tạo ra các hình lục giác (Trang 2)
Mô hình CNTFET đồng trục được trình - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
h ình CNTFET đồng trục được trình (Trang 3)
2.2. Mô hình CNTFET đồng trục @)  - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
2.2. Mô hình CNTFET đồng trục @) (Trang 3)
xét CNTFET loại này (bảng 2). Bảng  2.  Độ  cao  rào  thế  Schottky  giữa  vật  liệu  (Au,  Pd,  P0  và  CNT  [4]  - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
x ét CNTFET loại này (bảng 2). Bảng 2. Độ cao rào thế Schottky giữa vật liệu (Au, Pd, P0 và CNT [4] (Trang 4)
Hình 3. Mô hình NEGF cho Transistor - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
Hình 3. Mô hình NEGF cho Transistor (Trang 4)
Mô hình thuật toán được trình bày trong - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
h ình thuật toán được trình bày trong (Trang 5)
Hình 5 trình bày ảnh hưởng của vật liệu - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
Hình 5 trình bày ảnh hưởng của vật liệu (Trang 6)
Từ hình 5, rõ ràng rằng dòng lạ của nguyên - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
h ình 5, rõ ràng rằng dòng lạ của nguyên (Trang 7)
Hình 6. Đặc trưng lạ-V„ với vật liệu công oxit thay đổi AlsO;(K = S5); ZOs(K  =  25);  TiSrO;(K  =175)  - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
Hình 6. Đặc trưng lạ-V„ với vật liệu công oxit thay đổi AlsO;(K = S5); ZOs(K = 25); TiSrO;(K =175) (Trang 8)
Hình 7. Đặc trưng lạ-V„ với nguồn - máng là Au, cổng Oxit Zr0:(K = 25), độ  dày  công  oxit  thay  đổi  lần  lượt  là  t„„=  2  nm,  t„„=  8  nm  và  tạ„=  20  nm  - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
Hình 7. Đặc trưng lạ-V„ với nguồn - máng là Au, cổng Oxit Zr0:(K = 25), độ dày công oxit thay đổi lần lượt là t„„= 2 nm, t„„= 8 nm và tạ„= 20 nm (Trang 9)
Hình 8 trình bày sự phụ thuộc của đặc có đường kinh trong khoảng tử 1 nm đến 3 nm trưng  dòng  thế  CNTFET  vào  loại  đường  kính  dựa  trên  số  liệu  thực  nghiệm  chính  là  CNT  bán  CNT - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
Hình 8 trình bày sự phụ thuộc của đặc có đường kinh trong khoảng tử 1 nm đến 3 nm trưng dòng thế CNTFET vào loại đường kính dựa trên số liệu thực nghiệm chính là CNT bán CNT (Trang 9)
nm đến 3 nm. Kết quả mô phỏng như hình 8, - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
nm đến 3 nm. Kết quả mô phỏng như hình 8, (Trang 10)
Hình II trình bày sự phụ thuộc của đặc - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
nh II trình bày sự phụ thuộc của đặc (Trang 11)
Hình 11. Họ đường cong lạ-Vạ với Vụ biến thiên từ 0.1 V-0.8 V' - Mô phỏng một số đặc tính của Transistor ống nano cacbon
Hình 11. Họ đường cong lạ-Vạ với Vụ biến thiên từ 0.1 V-0.8 V' (Trang 11)

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm

w