THỰC NGHIỆM 4 TRANSISTOR TRƯỜNG FET KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNG FET

Transistor trường FET Transistor lưỡng cực BJT - Là transistor đơn cực - Là một linh kiện lưỡng cực - Độ ổn định nhiệt tốt - Phụ thuộc vào nhiệt độ... - Kích thước nhỏ - Kích thước lớn-

CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM

ĐỘC LẬP – TỰ DO – HẠNH PHÚC

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI

TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ - -

THỰC NGHIỆM 4 TRANSISTOR TRƯỜNG FET

KHÓA CHUYỂN MẠCH DÙNG FET

Họ và tên: Nguyễn Mạnh Hà Ngày sinh: 15/02/2001

Mã sinh viên: 19021445 Lớp môn học: ELT-2035-21

Khoa: Điện tử viễn thông Trường Đại học Công Nghệ - Đại học Quốc Gia Hà Nội

II.THỰC NGHIỆM

1 Sơ đồ khuếch đại dùng JFET mắc theo kiểu cực nguồn chung CS

Mạch trên proteus

1.1 Khảo sát khuếch đại 1 chiều (DC):

Các bước làm:

Câu hỏi: Nêu đặc điểm khác biệt giữa transistor trường (yếu tố điều khiển bằng

thế) và transistor lưỡng cực (yếu tố điều khiển bằng dòng)

Transistor trường (FET) Transistor lưỡng cực (BJT)

- Là transistor đơn cực - Là một linh kiện lưỡng cực

- Độ ổn định nhiệt tốt - Phụ thuộc vào nhiệt độ

- Kích thước nhỏ - Kích thước lớn

- Không có thế offset - Có thế offset

- Trở kháng lối ra thấp (độ lợi ít) - Trở kháng lối ra cao (độ lợi cao)

- Có tốc độ chuyển mạch và tần số cắt cao

hơn

- Có tốc độ chuyển mạch và tần số cắt thấp hơn

- Công suất tiêu thụ thấp - Công suất tiêu thụ cao

- Có hệ số nhiệt độ dương - Có hệ số nhiệt độ âm

- Có 3 chân: drain, source và gate - Có 3 chân: common, emitter và base

- Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào các hạt

mang điện đa số là lỗ trống hoặc electron

- Hoạt động chủ yếu phụ thuộc vào hạt mang điện đa số cũng như thiểu số

- Trở kháng lối vào lớn - Trở kháng lối vào nhỏ (1kΩ -3kΩ)

- Là thiết bị điều khiển bằng điện áp - Là thiết bị điều khiển dòng điện

- Ít nhiễu (Do không có lớp chuyển tiếp và

tiếp giáp)

- Nhiễu hơn FET (Do có lớp tiếp giáp p-n)

Câu hỏi: Ghi giá trị dòng và thế trên của transistor trường

1.2 Khảo sát khuếch đại xoay chiều (AC):

Các bước làm:

Chú thích: Đầu ra là đường màu xanh, đầu vào là đường màu vàng.

Câu hỏi: Ghi các kết quả vào bảng A4-B3 Tính hệ số khuếch đại thế A =

Vout/Vin cho mỗi bước Ghi các kết quả vào bảng A4-3

Thay đổi sang song vào sin:

Câu hỏi: Tính hệ số khuếch đại thế A cho mỗi bước dịch tần số Ghi các kết quả

vào bảng A4-B4

F 100Hz 1kHz 10kHz 100KHz 1MHz 10MHz

Câu hỏi:Biểu diễn kết quả sự phụ thuộc hệ số khuếch đại vào tần số

-2 TH không thay đổi giá trị Vout và A nên đồ thị sẽ là đường ngang

-Sự không thay đổi này có thể là do proteus là mạch trong đk lý tưởng khác với thực tế

Câu hỏi:So sánh biên độ tín hiệu trong hai trường hợp, tính sự mất mát biên độ (%) do ảnh hưởng điện trở vào của sơ đồ

-2 TH không thay đổi giá trị Vin có thể là do proteus trong đk lý tưởng

2 Sơ đồ khóa nối tiếp dùng JFET

2.1 Khảo sát hoạt động với tín hiệu 1 chiều (DC)

Các bước làm:

+ Khi nối J1, transistor đóng vai trò như khoá đóng.

2.2 Khảo sát hoạt động với tín hiệu xoay chiều (AC):

Các bước làm:

- Khi nối với nguồn -12V: Tín hiê ̣u dao động liên tục ở phần dương của Vout.

-Ngắt chốt V khỏi nguồn -12V Nối chốt J1: Tín hiê ̣u Vout vẫn dao động liên tục nhưng biên độ trong 1 chu kì có phần lớn hơn với thí nghiệm trước ( dần thành dạng sóng Vin)

Tháo dây từ ngoài tới lối vào (IN) Nối đất lối vào IN/A

Câu hỏi:Nhận xét hiện tượng ( như trên )

-Tín hiệu không bị nhảy loạn và bé hơn so với các thí nghiệm trước

3 Sơ đồ khóa song song dùng JFET

Mạch trên proteus

Các bước làm:

Đặt nguồn 2V cho lối IN

Đặt nguồn 3V cho lối IN

Đặt nguồn 4V cho lối IN

Do đo lúc máy chưa chạy x nên đầu ra =2.13 thực tế chạy x là 2

Đặt nguồn 5V cho lối IN

Bảng A4-B6

-Nối đất với lối vào (IN), đo biên độ sóng đế truyền qua

- Cấp nguồn xoay chiều ~9V từ nguồn AC SOURCE của thiết bị chính cho lối vào IN/A sơ đồ A4-3 Chốt ~0V nối đất (50Hz và là tín hiệu sin)

+ Vàng là dòng xoay chiều mới cấp+ Đỏ là dòng máy phát

+ Xanh là tín hiệu đầu ra

Câu hỏi:Quan sát và vẽ dạng xung ra theo xung điều khiển (CTRL) và tín hiệu vào.

-Tín hiê ̣u lối ra được khuếch đại có hình dạng vuông giống tín hiê ̣u IN/A

-Tín hiệu lối ra không nhận khi dòng xoày chiều có giá trị âm

4 Các sơ đồ khuếch đại trên MOSFET

4.1 Sơ đồ source chung CS

Các bước làm:

V=0.5V

Câu hỏi: So sánh biên độ sóng để tính sự mất mát biên độ (%) do ảnh hưởng của

điện A trở vào của sơ đồ

4.2 Sơ đồ Drain chung CD

Các bước làm:

I=0.29mA V=0.59V

Bảng A4-B9

V¿ (IN) 10mV 100mV 200mV 300mV 400mV 500mVBiên độ V out 1.53mV 18.15m

V

34.85mV 56.25mV 76.75mV 92mV

Câu hỏi:Vẽ dạng tín hiệu vào và ra (đã vẽ ở trên)

4.3 Sơ đồ Gate chung CG

Các bước làm:

I= 0.01mA

V=12V

Bảng A4-B10