Nghiên cứu hệ thống phát hiện phóng điện cục bộ trong máy biến áp 500kv

CÁU TRÚC LUẬN VĂN Ngoài phần mở đầu, kết luận và kiến nghị nội dung luận văn được biên chế thành 4 chương: Chương I1: Lý thuyết về phóng điện cục bộ Chương 2: Giới thiệu về các thiết b

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

VÕ VĂN TÂM

NGHIEN CUU HE THONG PHAT HIEN

PHONG DIEN CUC BO TRONG MAY BIEN AP 500KV

Chuyên ngành: Mạng và Hệ thống điện

Mã số: 60.52.50

TOM TẮÁT LUẬN VĂN THẠC SĨ KỸ THUAT

Đà Nẵng - Năm 2012

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

Người hướng dẫn khoa học: PGS TS Đỉnh Thành Việt

Phản biện 1: TS ĐOÀN ANH TUẦN

Phan bién 2: PGS.TSKH HO DAC LOC

Luận văn được bảo về trước Hội đồng chấm Luận văn tốt

nghiệp thạc sĩ Kỹ thuật họp tại Đại học Đà Nẵng vào ngày 27 tháng 10 năm 2012

Có thể tìm hiệu luận văn tại:

- Trung tầm Thông tin - Học liệu, Đại Học Đà Nẵng

- Trung tâm Học liệu, Đại Học Đà Nẵng

3

MỞ ĐẦU

1 LÝ DO CHỌN ĐÈ TÀI

Hiện nay với xu hướng càng ngày càng phát triển nhiều công

nghệ mới trên thế giới trong lĩnh vực lưới điện, bên cạnh đó lưới điện

Việt Nam ngày càng phát triển cùng với yêu cầu cung cấp điện an

toàn hiên tục cho phụ tải được đặt lên hàng đầu trong điều kiện phụ

tải phát triển liên tục

Để đảm bảo cho MBA vận hành an toàn liên tục thì phải

theo dõi, giám sát liên tục MBA Trong vận hành thì MBA đã có các

bảo vệ chính và các bảo vệ dự phòng như bảo vệ so lệch MBA, bao

vệ nội bộ MBA và các bảo vệ dự phòng khác nhưng qua thực tế vận

hành cho thấy khi có sự cố thực bên trong MBA nhưng các bảo vệ

này đã không tác động hay khi tác động cũng không thể tránh hư

hỏng MBA như cháy MBA cấp điện áp 500kV đã xảy ra trong các

trạm biến áp 500kV của lưới truyên tải điện

Trong quản lý vận hành cũng đã có qui trình vận hành cũng

như thí nghiệm định kỳ cho MBA nhưng không phát hiện được các

tìm ấn gây ra sự cố Vì vậy giải pháp nghiên cứu phóng điện cục bộ

trực tuyến MBA để theo dõi sự phóng điện cục bộ có thé dua ra chân

đoán tình trạng MBA hiện tại để có cách phòng ngừa hư hỏng MBA

2 MỤC ĐÍCH NGHIÊN CỨU

Tìm ra nguyên nhân của hiện tượng phóng điện cục bộ để có

biện pháp đảm bảo an toàn trong vận hành MBA

Phân tích, đánh giá các hiện tượng phóng điện cục bộ trong

MBA

3 ĐÓI TƯỢNG VÀ PHẠM VI NGHIÊN CỨU

Nghiên cứu phóng điện cục bộ trong MBA, Các phần tử

mang điện như dây dẫn, các phân tử cách điện, môi trường cách điện

4

xung quanh khu vực xuất hiện phóng điện cục bộ

4 PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU

Tổng hợp các kiến thức về phóng điện cục bộ

Ứng dụng phan mềm thu thập dữ liệu trực tuyến trong MBA

cụ thể để nghiên cứu, phân tích, đánh giá hiện tượng phóng điện cục

bộ trong MBA 500kV

5 CHON TEN DE TAI

Căn cứ vào mục đích, đối tượng và nội dung nghiên cứu, dé tài luận văn được đặt tên: “Nghiên cứu hệ thống phát hiện phóng điện cục bộ trong máy biến áp 500kV”

6 CÁU TRÚC LUẬN VĂN

Ngoài phần mở đầu, kết luận và kiến nghị nội dung luận văn được biên chế thành 4 chương:

Chương I1: Lý thuyết về phóng điện cục bộ Chương 2: Giới thiệu về các thiết bị, nguyên lý làm việc của các thiết bị để phát hiện phóng điện cục bộ trong máy biến áp

Chương 3: Giới thiệu hệ thống giám sát phóng điện cục bộ

của hãng PowerPD

Chương 4: Ứng dụng hệ thống để phân tích, đánh giá phóng

điện cục bộ MBA 500kV Trạm 500kV Đà Nẵng

CHUONG 1

LY THUYET VE PHONG DIEN CUC BO 1.1 GIOL THIEU LY THUYET VE PHONG DIEN CUC BO

1.1.1 Khái niệm phóng điện cục bộ

Phóng điện cục bộ (partial discharge) là hiện tượng đánh

thủng điện môi cục bộ của một phần nhỏ trong hệ thống cách điện

răn hoặc lỏng dưới tác dụng của ứng suât điện áp cao, chỉ nôi tắt một

phân giữa các điện cực Trong thời gian xuất hiện phóng điện cục bộ,

năng lượng tiêu tán tại chỗ và thay đổi kiểu loại các tín hiệu cũng

như các xung dòng điện Điện áp rơi qua các điện cực, xuất hiện các

bức xạ điện từ, các tín hiệu quang, năng lượng âm thanh

1.1.2 Phóng điện cục bộ trong MBA

Phương pháp xác định sự phóng điện cục bộ của thiết bị

điện:

- Phương pháp phân tích tín hiệu điện do sự phóng điện cục

bộ tạo nên

- Phương pháp phát hiện sóng áp suất siêu âm do phóng

điện cục bộ tạo nên

Sơ dé thay thế cho hiện tượng phóng điện cục bộ:

4 4

——b

b

Hình 1.1 Sơ đ thay thế hiện tượng phóng điện cục bộ

Gọi U là điện áp trên các cực của đối tượng, khi

đóng khóa K dẫn tới sự biến thiên điện áp:

AU = U.(/(a+b).(b+e)) (1.1)

Trong đó a, b, c là điện dung của các tụ điện

Nêu bỏ qua b so với a và c thì:

Ở đây cho ta thấy việc đánh giá phóng điện cục bộ về mặt

định lượng, sự biến thiên điện áp AU không chỉ phụ thuộc vào điện

dung của tụ phóng điện c mà còn phụ thuộc vào tụ nối tiếp b và tụ song song a

Do truc tiép sự biến thiên của điện áp AU bằng micro vôn, kết quá phụ thuộc vào tụ điện a và b Việc đánh giá AU không phải là

đại lượng đặc trưng cho nguồn phóng điện Để khắc phục nhược điểm này IEC đưa vào phép đo điện tích biểu kiến

1.1.3 Phát hiện phóng điện cục bộ băng phương pháp điện

Thiết bị thử nghiệm gồm 3 tụ điện, việc mô phỏng cho phóng

điện được tiễn hành qua các tụ điện Cọ, C¡, C; va đo trên các cực Z:, Z¿ được các kêt quả như sau:

Hình 1.2 Sơ đồ đơn giản hóa của thiết bị thử nghiệm phóng điện

cục bộ

7

Bảng 1.1 Kết quả äo mô phỏng phóng điện cục bộ

Mô phỏng

Vi du phéng

Trong trường hợp này tính tỷ số hai phép đo có thể rút ra sự

phóng điện xảy ra ở điện dung nào Phương pháp này có thể tổng

quát hóa cho sơ đồ phức tạp hơn gồm nhiều phân tử

1.1.4 Phát hiện phóng điện cục bộ băng siêu âm

Sóng siêu âm được truyền đi trong không khí với vận tốc

khoảng 343m/s Nếu một cảm biến phát ra sóng siêu âm và thu về

các sóng phản xạ đồng thời đo được khoảng cách từ lúc phát đi tới

lúc thu về, lúc này xác định được quãng đường mà sóng truyền đi

được trong không gian Khoảng đường di chuyển của sóng sẽ bằng 2

lần khoảng cách từ cảm biến đến chướng ngại vật theo hướng phát

của sóng siêu âm hay khoảng cách từ cảm biến đến chướng ngại vật

sẽ được tính theo:

Trong đó:

- d: khoảng cách cần đo

- v: vận tốc sóng siêu âm trong môi trường truyền sóng

- t: thời gian từ lúc sóng được phát đi đến lúc sóng được ghi

nhận lại

Ta xét sơ đô truyên sóng siêu âm ở hình 1.3

yl yl |

Nguôn siêu âm

Khuéch đại

>

Bộ cảm biên điện

> Xử lý tín hiệu

Khuéch dai

Hình 1.3 Sơ đồ thu thập tín hiệu siêu âm Khi truyền qua các môi trường khác nhau thì sóng sẽ bị biến dạng Tôc độ truyên sóng và độ suy giảm của sóng âm qua các môi trường khác nhau, giá trị như trong bảng 1.2

Bảng 1.2 Truyền sóng siêu âm qua môi trường

X Tốc độ truyền sóng | Độ suy giảm so với

12 NGHIÊN CỨU PHÓNG ĐIỆN CỤC BỘ TRONG MÁY BIEN AP 500KV

1.2.1 Vị trí trong MBA có khả năng phát sinh phóng điện cục bộ

1.2.1.1 Bộ điều áp dưới tải (OLTC)

1.2.1.2 Dây quấn MPBA, các vị trí nối giữa dây quấn MBA với các đầu sứ xuyên MBA

1.2.2 Các nguyên nhân sinh ra phóng điện cục bộ trong MBA 1.2.2.1 Cách điện dây quấn MBA bị phá húy dân dân do quá trình van hanh MBA

1.2.2.2 Sự xâm nhập của không khí vào bên trong MBA

1.2.2.3 Các loạt khí sinh ra do quá trình vận hành

1.2.2.4 Tôn hao điện môi

Thử nghiệm tốn hao điện môi được đã được các nhà sản xuất

thiết bị điện tiễn hành trong phòng thí nghiệm từ năm 1900, nhằm

đánh giá cách điện trên cơ sở phân tích dòng điện tải làm hai thành

phân:

- Thanh phan tac dung

- Thành phần phản kháng

Thành phần tác dụng I, đặc trưng cho tổn hao công suất trong

điện môi cùng pha với điện áp U

Thanh phan phản kháng I, vượt trước điện áp U một góc là

90°

Thành phân phản kháng tỉ lệ với hằng số điện môi theo công

thức sau:

Trong đó:

U: điện áp thử nghiệm

œ: tần số góc

C: điện dung

A: diện tích (m”)

Eo: hang số điện môi chân không

ĐI: hằng số điện môi tương đối của vật liệu

Sự thay đổi của thành phân I, chứng tỏ rằng có sự xuống cấp

của cách điện do bị nhiễm bẩn, có một số lớp bị ngăn mạch Khi điện

môi lý tưởng thì I, = 0, góc ð là góc lệch pha giữa I, và I, gọi là góc

tôn hao điện môi, hệ số tổn hao tính theo công thức:

ò

®

Hình 1.5 Dé thi vec tơ dòng và áp của điện môi 1.2.3 Các quá trình sinh khí không phải do phóng điện

1.3 KÉT LUẬN

Trong chương này ta trình bày về lý thuyết phóng điện cục

bộ, các nghiên cứu về nguyên nhân phát sinh phóng điện cục bộ trong MBA, khi phát sinh phóng điện cục bộ làm thay đổi các thông

số của cách điện trong thiết bị, ở đây là MBA, các tiêu chuẩn từ thí

nghiệm thực tế để đưa ra tiêu chuẩn đánh giá cho thiết bị điện Để có

cơ sở cho việc nghiên cứu, theo dõi quá trình phát triển của hiện tượng phóng điện cục bộ trong máy biến áp

CHƯƠNG 2

GIỚI THIỆU VE CAC THIET BI, NGUYEN LY LÀM VIỆC CUA CAC THIET BI DE PHAT HIEN PHONG DIEN

CUC BO TRONG MAY BIEN AP 2.1 PHAN DOAN VA XU LY TIN HIEU PHONG DIEN CUC

BO

2.1.1 Phát hiện tín hiệu phóng điện cục bộ 2.1.1.1 Tín hiệu điện

2.1.1.2 Tín hiệu sóng âm 2.1.1.3 Tín hiệu khí hóa học

II

2.1.1.4 Tín hiệu quang

2.1.2 Cảm biến để thu thập tín hiệu PD

2.1.2.1 Cảm biến điện HFCT (Biến dòng tân số cao)

Hình 2.1 Hình dạng lõi từ kín hoặc hớ của biến dòng tân số cao

2.1.2.2 Cảm biến không điện

2.1.3 Phán đoán phóng điện cục bộ

2.1.3.1 Phân tích góc pha phóng điện cục bộ (Phase- Resolve

Partial Dicharge PRPD)

- Số lượng xung phóng điện cục bộ được phát hiện trong cửa

số đồ thị ứng với vị trí góc pha

- Biên độ phóng điện trung bình trong mỗi cửa số đồ thị ứng

VỚI VỊ trí góc pha

- Giá trị đỉnh phóng điện trong mỗi cửa số đô thị ứng với vị

trí góc pha

- Dòng điện phóng trung bình trong mỗi cửa số đồ thị ứng với vị trí

góc pha

2.1.3.2 Phương pháp phân tích thời gian

2.1.4 Chiết lọc các đặc điểm của phóng điện cục bộ và tiếng ồn

2.1.4.1 Tiếng ôn trong phóng điện cục bộ

a Tiéng ôn hinh sin

12

b Tiếng ôn dạng xung (tiếng ôn ngẫu nhiên hoặc lặp đi lặp lại)

2.1.4.2 Thời gian xung đến của các tín hiệu khác nhau

Phương pháp này áp dụng để đo phóng điện cục bộ trên đường dây sử dụng hai cảm biến cho một phép do được bồ trí cách

nhau ít nhất là 2m

@

———* “Tên À

PD 1eng on

Máy dò

Hình 2.4 Sơ đô bố trí 2 bộ nỗi để khử tiếng ôn

Hai đầu nối này phát hiện tín hiệu tại hai điểm với thời gian

khác nhau với tín hiệu phóng điện cục bộ như nhau Do đó bằng cách

so sánh thời gian xuất hiện xung đến hai đầu nối có thể phân biệt được tiếng ôn từ bên ngoài lưới điện

2.1.4.3 Phương pháp lọc tín hiệu số 2.1.4.4 Phương pháp xử lý tín hiệu 2.1.4.5 Phương pháp dạng xung phóng điện cục bộ

2.1.5 Phân loại mẫu phóng điện cục bộ

2.1.5.1 Mạng Neural (NN) 2.1.5.2 Phân tích dãy xung-Pulse Sequence Analysis (PSA)

Tỉ;

u, n Aĩ, =ĩ n+l Ỏ, O0<¢

: Lk op

Aø À, Hình 2.6 Nguyên lý cơ bản của PSA Au= độ lệch điện áp giữa hai xung liên tiếp

A® = Độ lệch pha giữa hai xung liên tiếp

Các yếu tố sau đặc trưng trong phương pháp phân tích dãy

xung:

- Biên độ phĩng điện

- —_ VỊ trí xung (liên quan gĩc pha và dạng sĩng hình sin)

- _ Giá trị tuyệt đối của số chu kỳ (liên quan hoạt động do)

- Điện áp tức thời trên mỗi xung

Ưu điểm của phương pháp phân tích dãy xung là làm rõ sự

khác nhau giữa các mẫu phĩng điện xác định do đặc tính vật lý của

các hoạt động phĩng điện cục bộ dựa theo nguơn phĩng điện cục bộ

2.1.6 Xử lý tín hiệu phĩng điện cục bộ

Vì các tín hiệu phĩng điện cục bộ đo được cĩ biên độ rất

nhỏ, xảy ra trong khoảng thời gian nano giây Nên cần cĩ phương

pháp xử lý tín hiệu thích hợp để cĩ thể phát hiện xung phĩng điện

2.2 GIẢI PHÁP THỰC HIỆN

2.2.1 Tổng quát

Hiện nay trên thế giới phát triển cơng nghệ giám sát phát

hiện phĩng điện cục bộ cho các thiết bị điện, cụ thể là MBA Dưới

đây là một số cơng nghệ phát hiện PD như sau:

- Sử dụng các Sensor PD điện lắp cĩ định vào chân sứ MBA

- Sử dụng các Sensor PD âm tần lắp đặt bên ngồi vỏ thùng MBA

- Sử dụng các Sensor PD siêu cao tần (UHE) lắp đặt qua các cửa số thành MBA

2.2.2 Cơng nghệ phát hiện PD sử dụng tần số UHF (của hãng QUALITROL, MỸ)

Cơng nghệ UHE PD cũng được áp dụng rộng rãi cho các thiết

bị khác như cuộn kháng dau, ti GIS, tram GIS, cap luc, v.v So dé

cầu trúc của hệ thống này như hình 2.7 \ — k+ Sensor2 -Ì- _ - !

8 ) diate = ! Sensor kiéu van ~ ` ~ us : -_ =7” Sensorkiểu

` Thùng máy biến áp : bén trong

Sensor 1 -

Sensor 4 “„ "7

Cap UHF

| ———

Máy tính PC phân tích,

Thu nhận tín hiệu với tốc độ cao xử lý dữ liệu và xác định PD

Hình 2.7 Sơ đồ bố trí lắp đặt hệ thống UHF PD

2.2.3 Cơng nghệ phát hiện PD sử dụng các Sensor PD âm tần hãng PowerPD (Mỹ)

PowerPD là một hệ thống chan đốn trực tuyến với khả năng

đị tìm, phân tích và giám sát liên tục tín hiệu phĩng điện cục bộ (PD) xảy ra trong các thiết bị điện như: Máy biến áp (MBA), trạm GIS Hệ

thơng cĩ một bộ xử lý và sơ hố các tín hiệu dị tìm từ các Sensor găn

15

trên các thiết bị điện (trên máy biến áp) Hệ thống duy trì dữ liệu

xung PD thu được và giám sát khuynh hướng phát triển của PD trên

thiết bị được giám sát

Khi PD xảy ra bên trong MBA, tín hiệu điện và tín hiệu âm

thanh được tạo ra đồng thời từ PD Hệ thống này sử dụng:

- Đầu dò siêu âm (AE Sensor) để đo sóng siêu âm của PD

- Biến dòng cao tần (HECT) để đo dòng rò xung tần số cao

2.3 KẾT LUẬN

Trong chương này ta nghiên cứu các dạng tín hiệu của phóng

điện cục bộ, khi phóng điện cục bộ thì sẽ sinh ra các dạng tín hiệu

nào, các công nghệ tiên tiến để nhận đạng tín hiệu phóng điện cục bộ,

phục vụ hữu hiệu cho việc phát hiện sự phóng điện cục bộ trong

MBA, phục vụ việc quản lý vận hành MBA nói chung và MBA của

lưới điện truyền tải nói riêng, đảm bảo an toàn và tin cậy hơn, hỗ trợ

công tác theo dõi vận hành MBA được tốt nhất

CHƯƠNG 3

GIỚI THIỆU HỆ THÓNG GIÁM SÁT PHÓNG

ĐIỆN CỤC BỘ CỦA HÃNG POWERPD

3.1 GIOI THIEU TONG QUAN HE THONG

3.1.1 Giới thiệu sơ bộ về hệ thống giám sát PowerPD

Hệ thống giám sát PowerPD theo dõi liên tục trực tuyến các

phóng điện cục bộ xảy ra bên trong MBA Nguyên lý làm việc của hệ

thống này dựa trên việc dò tìm tín hiệu siêu âm và tín hiệu điện cao

tần (tần số cao) phát ra từ nguồn của PD Các đầu dò siêu âm thu

được các tín hiệu trong dãy tần số từ 80 kHz — 300 kHz, bién dong

cao tần HFCT thu được các tín hiệu trong dãy tần s6 10kHz —

20MHz

16

3.1.2 Sơ đồ cấu trúc của hệ thống PowerPD

Máy tính với

Thiét bican _, Bộ xứ lý phân mêm phân

tín hiệu tích, hiển thị và

lưu trữ dữ liệu

giám sát Dau do

ình 3.1 Sơ đô nguyên lý của hệ thống PowerPD

ss

ee

Hình 3.2 Sơ đô các thiết bị của hệ thông PowerPD

3.2 GIOI THIEU PHAN MEM UNG DUNG

3.2.1 Giới thiệu chung giao diện phần mềm ứng dụng

3.2.2 Các chế độ đo PD của hệ thống 3.2.2.1 Chế độ bằng tay

3.2.2.2 Chế độ tự động

3.2.3 Ứng dụng của hệ thống 3.2.3.1 Tiến hành thu dụng sóng 3.2.3.2 Hiển thị dạng sóng thu được 3.2.3.3 Phân tích dạng sóng

3.2.3.4 Đặt thông số cho các AE và HFCT

3.2.5 Dò tìm vị trí

3.3 KÉT LUẬN

Trong chương này ta nghiên cứu về phần mềm của hệ thống

để cài đặt các thông số của thiết bị đo, cách đo tín hiệu PD, thu thập

và đọc các dữ liệu thu được, nhận dạng các tín hiệu PD, giúp phân

tích các PD thu được để tìm ra các vị trí xảy ra phóng điện trong thiết

bị, xác định được giá trị biên độ, chu kỳ xuất hiện tín hiệu phóng điện

cục bộ, thời gian xuất hiện PD, lưu trữ dữ các dữ liệu thu được giúp

cho việc phân tích sau này

CHƯƠNG 4

UNG DUNG HE THONG DE PHAN TICH, DANH GIA

PHONG DIEN CUC BO MBA 500KV TRAM 500KV DA NANG

4.1 GIOL THIEU TONG QUAN VE TRAM BIEN AP 500KV DA

NANG

4.2 DAC DIEM KY THUAT CUA MBA AT2

4.3 THU THAP VA PHAN TICH DU LIEU DO DUOC TU

MBA 500kV

Để thuận tiện theo dõi trong quá trình đo ta qui ước đánh số

thứ tự cho 4 mặt đo (thành MBA) như sau:

- Mặt số 1 được mặc định cho mặt ở phía sứ cao áp của MBA

(phía 500kV)

- Sau đó nhìn từ trên xuống theo chiều kim đồng hồ là theo

thứ tự là các mặt số 2, 3, 4

4.3.1 Tiến hành đo cho pha A MBA AT2

Ta tiễn hành lắp đặt các Sensor (đầu dò) vào MBA như hình

4.2 Đầu đò AEI đặt bên trái giữa mặt 1, đầu dò AE2 đặt tại gần đáy

mặt 2, đầu dò AE3 đặt tại mặt 3 (phía dưới thùng OLTC), đầu dò AE4 đặt gần đáy mặt 4, HECT lắp tai tiép dia vo MBA Sau khi đo ta

thu được đữ liệu hiển thị như trên hình 4.3, ta thấy chỉ có đầu dò AE3

có tín hiệu của PD

Sau đó ta di chuyên các đâu dò AE xung quanh thành máy biến áp để tìm vị trí PD Đến lần đo này, đầu dò AEI1 đặt bên phải

trên cao của mặt 1, đầu dò AE2 đặt lên giữa của mặt 2, đầu dò AE3

đặt tại mặt 3 (dưới thùng OLTC), đầu dò AE4 đặt lên giữa mặt 4 HECT vẫn lắp tại tiếp địa vỏ MBA

Sau khi lấy dữ liệu phát hiện tín hiệu AE2 lớn hơn AE3, đồng thời phát hiện thêm I tín hiệu PD khác từ AEI

Tiếp theo giữ nguyên vị trí AE1 di chuyển các AE còn lại xung

quanh AE2 dé do tìm vị trí tín hiệu lớn nhất Sau nhiều lần di chuyển,

vị trí AE2 được đánh dấu có tín hiệu lớn nhất Đây là vị trí năm giữa

mặt 2, khoảng cách giữa 2 nhóm xung là 3,04lms, biên độ là 17,5micro Volt như hình 4.5

Tiếp theo ta đò tìm vị trí tín hiệu PD lớn nhất tại khu vực

xung quanh AEI Sau nhiêu lần di chuyển, vị trí AE3 được đánh dau

có tín hiệu lớn nhất Giá trị biên độ là 97,1 microVolt như hình 4.7

Đây là vị trí nằm trên cao bên phải mặt 1 Tuy nhiên ở đây tín hiệu từ

HFCT vẫn còn rời rạc như trên hình 4.6

Khi MBA được tách phía 500kV (không tải), các AE được

đặt vào vị trí cũ đã đánh dau trong lần đo trước để kiểm tra lại Các

đầu dd AE1, AE2 cũng thu được mẫu giống nhau, tuy nhiên biên độ

nhỏ hơn, giá trị biên độ là 14,6 microVolt như trên hình 4.9

19

4.3.2 Tiến hành đo cho pha B MBA AT2

Đây là lần đầu tiên đo được của MBA AT2 pha B Đầu dò

AEI đặt tại bên trái giữa mặt l1, đầu dò AE2 đặt tại gan day mat 2,

dau dd AE3 dat tai mat 3 (phia dudi thùng OLTC), đầu dò AE4 dat

gân đáy mặt 4, HFCT lắp tại tiếp địa vỏ MBA Sau khi lấy dữ liệu,

đầu dò AE1 không có tín hiệu, đầu dò AE2, AE3, AE4 có tín hiệu

PD Tuy nhiên tín hiệu AE2 và AE3 lớn hơn như hình 4.11

Tiếp theo ta di chuyển các đầu dò xung quanh thành máy

biến áp để truy tìm các vị trí PD khác, đến lần đo này các đầu dò AE

lắp xung quanh thành OLTC Dữ liệu thu được cho thấy không có bắt

kỳ tín hiệu nào xuất hiện từ trong OLTC như hình 4.12

Tiếp theo, đò tìm vị trí tín hiệu PD lớn nhất tại khu vực xung

quanh AE2 (mặt 2) Sau nhiều lần di chuyền, vị trí AEI đến AE3

được phát hiện có tín hiệu lớn nhất, đây là vị trí nằm ở giữa trên cao

của mặt 2, khoáng cách giữa 2 nhóm xung là 2,64ms như hình 4.13

- Khi MBA được tách phía 500kV (không tải), các AE được

đặt vào vị trí cũ của lần đo trước để kiểm tra lại Các đầu dò AEI

cũng được thu mẫu tín hiệu giống lần đo trước, biên độ tương đương

4.3.3 Tiến hành đo cho pha C MBA AT2

Đây là lần đo đầu tiên của MBA AT2 pha C Đầu dò AEI đặt

tại bên trái giữa mặt I, đầu dò AE2 đặt tại gan day mat 2, đầu dò AE3

đặt tại mặt 3 (dưới thùng OLTC) Đầu dò AE4 đặt gần đáy mặt 4,

HFECT lắp tại tiếp địa vỏ MBA Sau khi lấy dữ liệu, đầu dò AEI

không có tín hiệu PD, đầu dò AE2, AE3, AE4 có tín hiệu PD HECT

cũng thu được tín hiệu PD rất rõ trên hình 4.18

20 Tiếp theo, dò tìm vị trí tín hiệu PD lớn nhất tại khu vực xung quanh

giữa mặt 1 (AE1) va mat 2 (AE2) Sau nhiều lần di chuyển, tín hiệu

thu được tại AEI và AE2 là lớn nhất Đây là vị năm ở góc mặt 2 và 1,

khoảng cách giữa 2 nhóm xung là 3.04ms trên hình 4.19 và biên độ là

19,9 micro Volt trên hình 4.20

Khi MBA được tách phía 500kV (không tải), các AE được

đặt vào các vị trí cũ để kiểm tra lại Dau dd AE1 cũng thu được mẫu tín hiệu giống lần đo trước, có biên độ là 18,1 microVolt trên hình

4.21, tương đương với khi mang tải

4.4 PHẦN TÍCH ĐÁNH GIÁ HIỆN TƯỢNG PHÓNG ĐIỆN

CUC BO TRONG MBA AT2

Căn cứ vào các kết quả thu được trong các lần do thi MBA này có kết quả đo được là tương đối nguy hiểm cho MBA, cần theo dõi liên tục và thường xuyên trong quá trình vận hành

- Đối với pha A:

+ Vị trí PD thứ nhất nằm giữa mặt 2 của MBA, có biên

độ 17,5 micoVolt, khoảng cách giữa 2 nhóm xung là

3,04 ms vị trí này nằm ở ngay gông từ gây ra bởi các

mạch từ

+ Vị trí PD thứ 2 nằm trên cao bên phải của mặt 1 (phía

dưới chân sứ 500kV) có biên độ 97,I microVolt Tuy

nhiên ở vị trí này mẫu tín hiệu từ HFCT còn rời rạc PD này có khả năng xảy ra ở đoạn nối từ chân sứ 500kV vào cuộn dây, khi tách phía 500kV thì xung này giảm đi rất nhiều, biên độ chỉ còn 14,6 micro Volt.