BÀI GIẢNG TÓM TẮT MÔN : ĐIỆN TỬ 2 Người soạn : TS.Phạm Hồng Liên Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC I.. Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor : 1..
Trang 1BÀI GIẢNG TÓM TẮT MÔN : ĐIỆN TỬ 2
Người soạn : TS.Phạm Hồng Liên Chương 1 : ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP CỦA MẠCH KHUẾCH
ĐẠI GHÉP RC
I Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng tranistor :
1 Tụ điện bypass emitter : H.1_1
L i
i
o ->o
->oo
E
+
i
Vcc
Cc2 Cc1
r
Re Rc
L i
Rb
1+hfe
hib
>
ie
<
ic
Rc ie Ce i
R Re
E
E 1
2 CE
R R
1
1 E
R hib hfe
Rb ri
+ +
//
b
r R
r R
( có ri,có RE1)
hfe
Rb + +
(khi không có ri)
hfe
R
+ + 1
//
(1') (khi có ri)
R
R
b b
+ + (khi không có ri)
1
//
//
hib hfe
r
R
r R
i
b
i b
+
+
( khi có ri}
Đặt biệt khi có Re1,Re2 như hình vẽ :
Trang 22
Dạng hàm truyền tổng quát : Ai=Aim (3)
2
1
ω
ω
+
+ s s
Aim
=-'
b
b
R
R
R
R
b b
+ +
(không có ri,không có RL)
1 //
//
//
hfe
r R
r R R
r
R
i b
i b b
i
b
+ +
−
1 //
//
//
1 '
E i
b
i b b
i
b
R hib hfe
r R
r R R
r
R
+ + +
−
1 //
//
//
1 '
•
+ + + +
−
= +
E i
b
i b L
C C L
C C b
i
b
R hib hfe
r R
r R R
R
R R
R
R R
r
R
(có ri, có RE1 và có cả RL)
) 5
(
1
1
E
EC
R
=
ω
) 6 ( ) ' //
(
1
2
b E E
L
R R C
=
=ω
ω
( R'b thay đổi như trên)
Aio=Aim (7)
2
1
ω
ω
Ai
Aim
1
ω
L
ω
) / (rad s
ω
A io
Trang 32 Tụ ghép Cc1 : H 1-7
i L
L i
i
->oo
+ Vbb i
Vcc
Cc2 Cc1
r
Re Rc
i b
L i
<
ic
i (1+hfe)Re
fbib
L
h
hie
r
Cc1
Rc
Đặt R'b=Rb//[hie+(1+hfe)RE] (1) ( không có tụ CE)
R'b=Rb//hie (1') (có tụ CE->∞ hoặc RE = 0 )
Dạng hàm tryền cơ bản : Ai=Aim
L
s
s
ω
+
(2)
Aim
=-E
b
i
R
hib
R
r
+
'
//
(3) ( không có tụ CE, không có RL)
Aim
=-hib
R
ri // 'b
(3') ( có tụ CE, hoặc RE=0)
Aim
=-E
b i L
C
C
R hib
R r R
R
R
+
• +
' //
(3") ( không có tụ CE, có RL)
1
Ai
Aim
Trang 44
ω 0
Ai
A im
L
ω
Aim
Ai
L
ω ω
ω1 2
L i
i
> iL
+ Vbb i
Vcc
Cc2 Cc1
r
Re Rc
ic
i l
L
L
>
ib
fe
Cc2
h
hie
r
Cc1
Rc
Hàm truyền cơ bản :
Ai=Aim
2
s s
s
(1)
Aim
=-E
b i L C
C
R hib
R r R R
R
+ +
' //
) 4 ( ) (
1
&
) 3 ( ) ' (
1
2 2
1 1
c L C c
b
ω
Trường hợp ωo =ω1 =ω2khi đó :
Ai=Aim
2 2
)
s
ω
O
ω =1,55 (6)
Trường hợp ω1 ≠ω2:
Trang 50 ω
2
6 2
2 2 1 1 2
2 2 1
4 Aûnh hưởng kết hợp của các tụ ghép và tụ bypass :
L i
i
> iL
Ce +
Vbb i
Vcc
Cc2 Cc1
r
Re Rc
B3 : Tính Cc2 và Cc1 theo :
1
) ' ( 2
1 1
Cc R r
f
b i
L Cc
+ Π
2 ) ' ( 2
1 2
Cc R r
f
b i
LCc
+ Π
II Đáp ứng tần số thấp của bộ khuếch đại dùng FET :
1 Tụ bypass cực nguồn :
L
i ->oo
o ->o
Rd VDD
Cs Rs +
-Vi
Cc2
r Cc1
R Rg
l
rds
-+
Rd R
ds
mr
g
=
R
B1 :
E b i L
L
C R r f
f
1 + Π
= tính CE B2 :
CE Cv
f
10
1 2
L
ω
A im
) 1 /( +µ
Cs
Rs ) 1 ( +µ
i
V '
Trang 66
g i
g
V V R r
R
≈
Hàm truyền cơ bản : Av=Avm
L
s
s
ϖ
Avm=-gmR// (3)
)] (
[ 1
c L
R r R
=
A V
A Vm
1
ω ω2=ωL
ω
0
Avm
L
A v
2
1 '
ω
+
+
=
=
s
s Avm V
V
Av
i
R//=rds//Rd//RL (5) ;
s
sC R
1
1 =
] ) //
( )
1 (
) //
( [
1
2
L d ds s
L d ds s
s L
R R r R
R R r R
C
+ + + +
=
=
µ
ω
Avo=Avm
2
1
ω
ω
+
+ s
s (8)
2 Tụ ghép cực máng :
L
i ->oo
->oo
>
i
+ Cc2 +
Cc1
Rd VDD
Cs Rs +
-Vi
r
R Rg
Vi
r
Vgs
g Vgsm
V
RL Rd rds +
-Rg
3 Tụ ghép cực cổng :
L i
->oo
->oo
>L
+ Cc2 +Cc1
Rd VDD
Cs Rs +
-Vi
r
R Rg
Trang 7m
>
iL
+
RL Rd rds +
-Rg
Av=Avm
L
s
s
ϖ
Avm=-gmR// (2); R//=rds//Rd//RL (3) Avm
) (
1
c
L
R r
=
Vì Rg thường rất lớn nên ϖL rất nhỏ Đối với FET méo tần số thấp chủ yếu do Cs gây ra