Slide mạch điện tử 1

KÝ HIỆU Giá trị tại tĩnh điểm Q quiescent-point: IEQ, VCEQ Giá trị một chiều DC: IE, VCE Tổng giá trị tức thời: iE, vCE Giá trị tức thời của thành phần thay đổi theo thời gian: ie, vce e

KÝ HIỆU

Giá trị tại tĩnh điểm Q (quiescent-point): IEQ, VCEQ

Giá trị một chiều (DC): IE, VCE

Tổng giá trị tức thời: iE, vCE

Giá trị tức thời của thành phần thay đổi theo thời gian: ie, vce

e E

CHƯƠNG 1: DIODE BÁN DẪN

1.1 Giới thiêu

1.2 Vật liệu bán dẫn

1.3 Diode bán dẫn thông thường

1.4 Chỉnh lưu

1.5 Phân tích mạch Diode

1.6 Mạch xén (Clippers) và mạch ghim điện áp (Clampers)

1.7 Diode Zener

1.8 Các loại Diode khác

1.9 Aûnh hưởng của nhiệt độ và các thông số kỹ thuật

1.1 GIỚI THIỆU

x Diode là một linh kiện điện tử phi tuyến đơn giản nhất

x Các loại diode: Diode chân không, Diode khí, Diode chỉnh lưu kim loại, Diode bán dẫn, vv

x Diode bán dẫn: Cấu tạo và tính chất

1.2 VẬT LIỆU BÁN DẪN

Các vật liệu bán dẫn thường dùng:

x Silicon (Si)

x Germanium (Ge)

x Gallium Arsenide (GaAs)

1.2.1 Cấu trúc nguyên tử và cấu trúc tinh thể

1.2.2 Sự dẫn điện

x Các mức năng lượng

x Sự dẫn điện trong chất bán dẫn

1.2.3 Bán dẫn loại p và bán dẫn loại n

x “Doping”: Là quá trình đưa vào chất bán dẫn các chất khác cần thiết.

x Bán dẫn loại p

9 Chất đưa vào: Chất nhận (acceptor material) Ví dụ: Boron (III)

9 Cấu trúc tinh thể và sơ đồ mức năng lượng

9 Phần tử mang điện chủ yếu: Lỗ trống (positive): p-type material

x Bán dẫn loại n

9 Chất đưa vào: Chất cho (donor material) Ví dụ: Phosphorus (V)

9 Cấu trúc tinh thể và sơ đồ mức năng lượng

9 Phần tử mang điện chủ yếu: Electron (negative): n-type material

1.3 DIODE BÁN DẪN THÔNG THƯỜNG

1.3.1 Cấu trúc của Diode bán dẫn

x Cấu trúc và ký hiệu

x Lớp tiếp xúc pn (pn junction)

x Sự phân cực của Diode (bias)

1.3.2 Quan hệ giữa dòng điện và điện áp của Diode

x Diode lý tưởng

vi

ri

vD

iD+ _

x Đặc tuyến Volt-Ampere (VA) của Diode

) 1 (

) 1

D D

mV

v o mkT

qv o

i

(reverse saturation current), A

q = 1,6E-19 C

Boltzmann

x Diode thực tế và Xấp xỉ tuyến tính hóa từng đoạn

(piecewise-linear approximation)

1.3.3 Mạch điện tương đương của Diode

<Xem Giáo trình và TLTK [3]>

1.3.4 Các phương pháp phân tích mạch dùng Diode

<Xem Giáo trình và TLTK [3]>

D i

D

R r

v v i





L i

i D

R r

v i

L i D

L L

R r

R v i

_ +

Ideal diode

x Điện áp trên tải vL (Chỉnh lưu bán sóng):

x Phân tích tín hiệu chỉnh lưu bán sóng:

Giá trị trung bình:

S

Lm T

L dc

L

V dt t

v T

cos 3

2 cos

2

1 1 )

S

Z S

Z S

x Lọc (filter) tín hiệu chỉnh lưu bán sóng:

9 Mạch lọc dùng để lọc bỏ các hài xoay chiều (harmonics) nhằm giữ

V RC

Sử dụng nguyên lý chồng chập, điện áp ngõ ra:

sin 300

1 sin

200

1 1

Z S

9 Độ gợn sóng (Ripple factor):

Thành phần DC:

S

Lm dc

200

1

t t

V

S Z

Giá trị hiệu dụng (rms) của thành phần gợn sóng:

> @

280

) 300 (

1 )

200 (

1 2

) (

1 )

2 /

1

T

r rms

r

V V

dt t

v T

,

|

dc L

rms r

V v

“Nothing is difficult to those who have the will.”

- Dutch Poet's Society

1.4.2 Chỉnh lưu toàn sóng (Full-wave rectification)

Ri 1

9 D1

vL+

_ D1

D2 D3

D4

x Phân tích tín hiệu chỉnh lưu toàn sóng

Giá trị trung bình:

S

Lm dc

cos 3

4 2

S

x Lọc tín hiệu chỉnh lưu toàn sóng

Giả sử dùng mạch lọc như ở phần chỉnh lưu bán sóng, điện áp ngõ ra:

sin 300

2 2

V

420 1

|

1.4.3 Mạch lọc (Filtering)

t

o t V e Lv

 max

) (

x Phân tích và tính toán mạch

Xấp xỉ tín hiệu ngõ ra bằng dạng sóng răng cưa (sawtooth wave)

Tụ C:

L

pR Vf

V C

'

max

Điện áp gợn sóng hiệu dụng:

3 2

) ( vr rms Vmax  Vmin

Chứng minh: <Xem Giáo trình và TLTK [3]>

1.4.4 Mạch nhân đôi điện áp (Voltage-doubling circuit)

x Ví dụ 1: (Nhân đôi điện áp một bán chu kỳ)

C1

C2 D1

D2

vS

x Ví dụ 2: (Nhân đôi điện áp hai bán chu kỳ)

C1 C2

1.4.5 Nhân tần số (Frequency multiplication)

9 Sử dụng mạch lọc thích hợp để tách lấy thành phần hài cần thiết

+ _

vS

1.5 PHÂN TÍCH MẠCH DIODE

Lưu ý: Các ví dụ trong phần này sử dụng đặc tuyến Diode thực

1.5.1 Mạch Diode đơn giản – Đường tải một chiều (DC Load Line)

x Phương pháp đồ thị

9 Phần còn lại (tuyến tính) được thay thế bằng mạch tương đương

T

T D

T

D

R

v v

của phần tuyến tính

x Điện áp tương đương Thevenin vT thay đổi (Ví dụ: vT = VTmsin Zt)

1.5.2 Phân tích tín hiệu nhỏ – Điện trở động (Dynamic resistance)

x Tín hiệu nhỏ

Thành phần thay đổi (ac) của tín hiệu là rất nhỏ so với thành phần dc

t V

V v

V

x Phương pháp kết hợp đồ thị – phân tích (graphical-analytical)

Phân tích tín hiệu nhỏ:

Tín hiệu nhỏ: Xem ab là đoạn thẳng đi qua Q và có phương trình:

d

d d

D d

i

v r

' '

x Tính giá trị điện trở động

D

mV

v o

D I e

DQ DQ

T Q

D

D Q

D

D d

I

mV m

I

mV i

v i

'

x Mạch tương đương

và các định luật Kirchhoff

9 Dùng nguyên lý xếp chồng để tìm tổng đáp ứng

x Mạch điện có thành phần điện kháng - reactive elements (LC)

1.5.3 Đường tải xoay chiều (AC Load Line - ACLL)

Xét ví dụ trên

x Tín hiệu dc

1

1

1

R r



x Tín hiệu nhỏ (ac)

L i

1 1

1.6 MẠCH XÉN VÀ MẠCH GHIM ĐIỆN ÁP

<Xem TLTK [3]>

1.6.1 Mạch xén (Clippers)

Mạch xén dùng để loại bỏ tín hiệu nằm dưới (hay trên) một mức chuẩn

(reference level)

x Ví du 1: (Giả sử Diode lý tưởng)

x Ví dụ 2: (Giả sử Diode lý tưởng)

x Ví dụ 3: (Giả sử Diode lý tưởng)

1.6.2 Mạch ghim điện áp (Clampers)

Mạch ghim điện áp thực hiện việc di chuyển tín hiệu (shifting operation) theo trục Y với độ dịch chuyển phụ thuộc vào dạng sóng ngõ vào sao cho tín hiệu ngõ ra luôn được ghim (clamped) tại một giá trị cố định

x Ví dụ: Giả sử Diode lý tưởng, RC >> T và Vm > VB

1.7 DIODE ZENER

x Diode Zener: Hoạt động chủ yếu trong vùng phân cực nghịch

x Ký hiệu và Đặc tuyến VA

9 Phân cực thuận: Như Diode thông thường

tối đa của Diode Zener

đa tiêu tán trên Diode Zener

x Ứng dụng: Thường dùng để tạo điện áp chuẩn (reference voltage)

1.7.1 Mạch ổn áp dùng Diode Zener (Zener regulator)

x Mục đích: Thiết kế mạch sao cho Diode Zener hoạt động trong vùng ổn

x Phân tích:

L Z

Z S

R

Z S

i

i i

V v

i

V v

R

V v

i

Z S

R

V V

max min

max min

max

min

Z L

Z S

i Z

L

Z S

I I

V V

R I

max min

max

min

Z L

Z S

Z L

Z S

I I

V V

I I

V

V



 t





Ÿ Chọn Diode Zener sao cho:

max min

min min

max max

) (

) (

S Z

S

Z S

L Z

S L

Z

V V

V

V V

I V

V I

x Thiết kế: Làm theo thứ tự ngược lại để xác định IZmax của Diode Zener và

Ri

x Ví dụ 1: Thiết kế mạch ổn áp dùng Diode Zener: VZ = 10 V

A V

V V

V V

I V

V I

I

S Z

S

Z S

L Z

S L

1 0 9

0

) (

) (

max min

min min

max max

và IZ max d 10 ILmin 1 A

A V

V V

V V

I V

V I

I

S Z

S

Z S

L Z

S L

1 0 9

0

) (

) (

max min

min min

max max

Không thiết kế được !!!

x Ví dụ 2: VZ = 7.2 V; vS = Vdc = 12 V; iL: 12 y 100 mA; Tìm Ri

mA V

V V

V V

I V

V I

I

S Z

S

Z S

L Z

S L

1 0 9

0

) (

) (

max min

min min

max max

Ÿ 43.5: t Ri t 40:: Chọn Ri = 43.5 : Công suất tiêu tán cực đại:

1.7.2 Diode Zener thực tế và Độ thay đổi điện áp (percent regulation)

x Diode Zener thực tế: <Xem TLTK [2]>

9 Đặc tuyến VA

9 Dùng phương pháp đồ thị để phân tích mạch

x Độ thay đổi điện áp:

Mạch tương đương:

9 Độ thay đổi điện áp:

%Reg = (11.1 – 10.1) / 10 = 10%

“Never, never, never give up.”

- Winston Churchill, Sir (1874-1965)

Ri

rd

iL

vo+

_

iZDiode Zener

lý tưởng

1.8 CÁC LOẠI DIODE KHÁC

<Xem Giáo trình và TLTK [3]>

1.9 ẢNH HƯỞNG CỦA NHIỆT ĐỘ VÀ CÁC THÔNG SỐ KỸ THUẬT

1.9.1 Aûnh hưởng của nhiệt độ

x Aûnh hưởng lên đặc tuyến VA

) (

) ( )

( T1 V To k T1 ToV

T2  1 T21

P: Công suất tiêu tán (power dissipation) tại 2 (W)

j jc c

j ca a

9 Đường suy giảm công suất (Derating Curve)

1.9.2 Thông số kỹ thuật <Xem TLTK [2], [3]>

x Diode thông thường

1 Điện áp ngược cực đại (PIV –

Peak Inverse Voltage)

2 Dòng phân cực nghịch cực đại

tại PIV

3 Điện áp phân cực thuận cực đại

4 Giá trị trung bình của chỉnh lưu bán sóng

5 Nhiệt độ cực đại chỗ tiếp giáp

8 Nhiệt độ cực đại chỗ tiếp giáp

CHƯƠNG 2: TRANSISTOR HAI LỚP TIẾP GIÁP - BJT

2.1 Giới thiệu

2.2 Dòng chảy trong BJT

2.3 Khuếch đại dòng trong BJT

2.4 Giải tích mạch BJT bằng đồ thị

2.5 Tính toán công suất

2.6 Tụ Bypass vô hạn

2.7 Tụ ghép vô hạn

2.8 Mạch Emitter Follower

2.9 Mở rộng

“We make a living by what we get, we make a life by what we give”

- Winston Churchill, Sir (1874-1965)

2.1 Giới thiệu

x 1948: Transistor đầu tiên (Bell Lab)

x Các loại transistor (TST): BJT, FET

x BJT: Bipolar Junction Transistor: Transistor hai lớp tiếp giáp

2.2 Dòng chảy trong BJT

EB: Phân cực thuận CB: Phân cực nghịch

CBO E

C B

Ÿ IB ( 1  D ) IE  ICBO

D D

C B

I I

 1

Lưu ý: Cấu hình B chung (CB – Common Base configuration)

2.2.1 Mối nối Emitter – Base (EB)

Xem mối nối EB như một Diode phân cưc thuận hoạt động độc lập (iD = iE; vD = vEB)

x DCLL và Đặc tuyến EB

DCLL:

e

EE EB

e

E

R

V v

R

x Mạch tương đương đơn giản

vE = VEBQ = VJ (0.7V: Silicon; 0.2V: Germanium)

rd = 0

e

EBQ

EE EQ

R

V V

2.2.2 Mối nối Collector – Base (CB)

Từ quan hệ: IC D IE  ICBO, mạch tương đương của mối nối CB:

VÍ du 1ï: Cho mạch điện như hình vẽ: D | 1, ICBO | 0; VEE = 2V; Re = 1k; VCC = 50V; Rc

V v

V i

e

EBQ i

EE

E c CC

C c CC

i e

c e

EBQ

EE c

CC

R

R R

V

V R V

t

vCB  24  20 sin Z (V) Hệ số khuếch đại tín hiệu xoay chiều: Av = 20

B

2.3 Khuếch đại dòng trong BJT

Quan hệ giữa iC và iB (bỏ qua ICBO): iC | E u iB với

D

D E

i i

i

'

'

 '

E

Xem gần đúng: hfe | E { hFE

Lưu ý: E của các TST cùng loại có thể thay đổi nhiều theo từng TST

Ví du 2ï: Cho mạch điện như hình vẽ Xác định hệ số khuếch đại dòng tín hiệu nhỏ

9 Cấu hình E chung (CE – Common Emitter configuration)

9 Transistor npn

1 2

3

b

BEQ i

BB

R

V v

i

i A

Đặc tuyến VA ngõ ra cấu hình E chung

x Vùng bão hòa: vCE d VCEsatQuan hệ giữa iC và iB là không tuyến tính

x Vùng chủ động: VCEsat d vCE d BVCEOQuan hệ tuyến tính:

CBO B

3 2

BE BB

B

R

V V

a) IB = 0.08mA; IC = EIB = 8mA

VCE = 2V: TST hoạt động trong vùng tích cực

b) IB = 1mA; Giả sử IC = EIB = 100mA Ÿ VCE = -90 !!! TST hoạt động trong vùng bão hòa: VCE = VCEsat = 0.1

mA K

R

V V

I

c

CE CC

1

1 0

Mạch tương đương

1

1

2.4 Giải tích mạch BJT bằng đồ thị

Mạch khuếch đại cơ bản

1 2 3 RL

Re R1

Rb

Re VBB

œ

B B

x Mạng phân cực (Mạch tương đương Thevenin):

CC

R R

R V

21

1



21

2

1

R R

R R

Rb



Thiết kế:

CC BB

b

V V

R R

/ 1

1



BB

CC b

V

V R

R 2

x Hoạt động của mạch khuếch đại (DC)

9 Ngõ ra:

e E L

C CE

b B

Bỏ qua ICBO: iB = (1- D)iE, suy ra:

b e

BE BB

b e

BE BB

E

R R

v V

R R

v V

1 (

Để loại bỏ sự thay đổi của iE do E thay đổi, chọn Re >> Rb/(1+ E).

9 Tĩnh điểm Q (ICQ, VCEQ):

e

BEQ

BB EQ

CQ

R

V

V I

CC CEQ

R

R V

V

x Giải tích bằng đồ thị

9 Tín hiệu nhỏ: ic iC  ICQ và: vce vCE  VCEQ

9 Quan hệ pha: ib tăng, ic, ie tăng, vce giảm

9 Điếu kiện để iC có thể dao động cực đại (max swing): (Giả sử VCEsat = 0 và

IC-cutoff = 0)

e L

CC CQ

R R

V I



2 / 2

/

CC

V

Ví dụ 4: Tìm Q để có max swing:

R1

R2

Re 200

RL 1k

1

DCLL: 9 | VCEQ  ICQ( 1000  200 )

Max swing: ICEQ =

e L

CC

R R

RL 1k

VBB

VBQ = VBE + VEQ = VBE + IEQ u Re | VBE + ICQ u ReChọn Re >> Rb/(1+ E), thường chọn: ( 1 )

CC BB

b

V V

R R

/ 1

1

BB

CC b

V

V R

2.5 Tính toán công suất

x Công thức tổng quát:

³

T

dt t I t

V T

P

0

) ( ) ( 1

V(t) = Vav + v(t)

I(t) = Iav + i(t)

Trong đó:Vav, Iav: Giá trị trung bình

v(t), i(t): Thành phần thay đổi theo thời gian có trung bình bằng 0

P

0

)) ( ))(

( (

1

³



T av

T

I V

P

0

) ( ) ( 1

x Công suất trung bình tiêu tán trên tải (Công suất xoay chiều)

³

T

L c ac

R I

P

MaxSwing: max(Icm) = ICQ =

) (

L CC

R R

R V

x Công suất nguồn cung cấp trung bình

c CQ

CC C

CC

T

dt i

V T

P

) (

1 1

CQ CC

P

Max Swing: ICQ =

) (

2

2

e L

CC

R R

L C

CC C

T

C e L

CC

T

C CE

T

R R

dt i

V T

dt i i R R

V T

dt i

v T

P

20

0

1 ) (

1 )

( 1

1

E L

1

0

20

CQ

T

cm CQ

T C

I I

dt t I

I T

)

e L

CQ e

L CC

C

I R R

I R R

P

TST tiêu thụ công suất cực đại khi không có tín hiệu:

max(PC) = PCC  RL  Re ICQ2

Max Swing: max(PC) =

L

CC e

L

CC

R

V R

R

V

4 ) (

L cm

R V

R

I

2 /

L CC

R V

R

V

2 /

/

4

/ )

|

L CC

L CC

ac L

C

R V

R V

P P

:

2.6 Tụ Bypass vô hạn

Re: + Tạo dòng phân cực ICQ và tăng độ ổn định phân cực (C3)

_ Giảm hiệu suất; Giảm hệ số khuếch đại đối với tín hiệu nhỏ xoay chiều (C4)

Ÿ Sử dụng tụ bypass (Giả sử Ceov, đối với tín hiệu xoay chiều: ZC = 1/(jC Z) o 0)

DC

C

R

V V

 (Gốc tọa độ Q)

“Destiny is what we make”

- Anonymous

ii

iB iC

iE

Max Swing: Q trung điểm ACLL

CQ DC

CQ

R

V R

I R

Ÿ

ac DC

CC CQ

R R

V I



ac DC

CC CEQ

R R

V V

/

1

2.7 Tụ ghép (coupling capacitor) vô hạn

Tụ ghép: Ngăn dòng DC qua tải

DCLL: RDC = Re + Rc

ACLL: Rac = Rc // RL

Max Swing:

ac DC

CC CQ

R R

V I



ac DC

CC CEQ

R R

V V

/ 1

c L

c

R R

R i

2.8 Mạch Emitter Follower

a) Mạch Emitter Follower b) Mạch tương đương

vB = vBE + vEXem vBE | VBE = 0.7

vi = vb | ve: “Follower”

VCC Cb

Re

Rb vi

vL

2.9 Mở rộng

2.9.1 Mạch phân cực Base – Injection

Xét mạch Emitter Follower với mạch phân cực Base – Injection sau:

vi

R2

Cb

Re VCC

RL Ce

x Tính toán mạch phân cực:

Ngõ vào: VCC = VR2 + VBEQ + VRe

VCC | R2(ICQ/ E) + VBEQ + ReICQ

E /

2

R R

V

V I

Ngõ ra: VCEQ = VCC - ReICQ

x Thiết kế mạch phân cực:

Chọn tĩnh điểm Q

Tính R2 =

E /

CQ

CQ e BEQ

CC

I

I R V

vL

2.9.2 Nguồn của mạch khuếch đại

Có thể thay đổi điện áp nguồn cung cấp cho mạch khuếch đại để thay đổi mức DC của ngõ ra (Vẫn bảo đảm TST phân cực đúng)

Ví dụ 6: Xét mạch CE sau

CE DC

C

R

V V

V R

ACLL: Rac = Rc + Re

Với tín hiệu ac, các nguồn một chiều (VCC, VEE) ngắn mạch: Phân tích như các phần trước

Ví dụ: Chọn RCICQ = VCC

Mức DC ngõ ra: v0-DC = 0 (Không cần dùng tụ coupling ngõ ra)

vo

CHƯƠNG 3: ỔN ĐỊNH PHÂN CỰC (Bias Stability) CHO BJT

3.1 Giới thiệu

3.2 Aûnh hưởng của E lên tĩnh điểm Q

3.3 Aûnh hưởng của nhiệt độ lên tĩnh điểm Q

3.4 Phân tích hệ số ổn định

3.5 Bổ chính nhiệt dùng Diode

3.6 Aûnh hưởng của nhiệt độ và các thông số kỹ thuật

3.1 Giới thiệu

9 Tĩnh điểm Q

9 Sự thay đổi của tĩnh điểm Q: Nhiệt độ, E, nguồn cung cấp, …

3.2 Ảûnh hưởng của E lên tĩnh điểm Q

Rb

Rc

Re VBB

VCC

Lưu ý: Phân tích có thể

dùng cho CB, CE, CC

x Tổng quát:

Khuếch đại dòng: IC E IB  ( E  1 ) ICBO D IE  ICBO

KVL mối nối BE: VBB IBRb  VBE  IERe

Ÿ

b e

b e

CBO BE

BB CQ

R R

R R

I V

V I

) 1

(

) (

x Xét ảnh hưởng của E lên tĩnh điểm Q:

Xem D | 1; VBE | 0.7(Si) và ICBO(Re + Rb) << (VBB - VBE)

Ÿ

E

/

7 0

b e

BB CQ

R R

V I

Các kỹ thuật phân cực sử dụng hồi tiếp (feedback)

x Khái niệm hồi tiếp

x Hồi tiếp dòng (current feedback)

E

/

B E

BE CC

CQ

R R

V V

BE CC

BQ

R R

V V

F BQ C

C

BE CC

CQ

R R

R

V V

C

BE CC

BQ

R R

R

V V

I





 ) (

E

3.3 Aûnh hưởng của nhiệt độ lên tĩnh điểm Q

x Aûnh hưởng của nhiệt độ:

9 Điện áp ngưỡng: ' VBE VBE2  VBE1  k ( T2  T1) với k = 2.5 mV / oC (Si)

9 Dòng phân cực nghịch bão hòa:  ( )

T

I I

T

ICBO CBO CBO CBO K T

'

 '

 '

e

BE BB

CQ

R

R I

R

V V

Ÿ

T

I R

R T

V R

T

e

b BE

'

 '

'

1 1

T

e I

R

R R

k T

CBO e

b e

R

R R

T k I

x Ví dụ: Xét mạch điện trong phần (3.2) với: Rb = 400; Re = 100; ICQ = 10 mA tại 25 oC Tìm sự thay đổi của ICQ khi nhiệt độ lên đến 55 oC với a) Silicon; b) Germanium

Tổng quát: 1

100

400 1

100

) 25 55

( 10 5



e I

1

10 75

Nhận xét: i) 'ICQ (Silicon) << 'ICQ(Germanium)

ii) Với Silicon, 'ICQ chủ yếu do 'VBE

3.4 Phân tích hệ số ổn định (stability analysis)

x Bài toán: ICQ = ICQ(ICBO, VBE, E, …) sẽ thay đổi như thế nào khi các biến phụ thuộc thay đổi

x Giả thuyết: Giả sử các biến phụ thuộc thay đổi một lượng nhỏ, sử dụng khai triển Taylor:

w

E

I dV

V

I dI

CBO

CQ CQ

x Định nghĩa: Hệ số ổn định (stability factors)

CBO

CQ CBO

CQ I

I

I I

I S

w

w

| '

'

;

BE

CQ BE

CQ V

V

I V

I S

w

w

| '

'

;

E E

E

w

w

| '

S

Lưu ý 1: Các hệ số ổn định được tính tại điểm Q danh định (nominal Q)

Với các thay đổi nhỏ: 'ICQ | dICQ; 'ICBO | dICBO; 'VBE | dVBE; 'E | dE

Suy ra:

'ICQ | SI'ICBO + SV'VBE + SE'E + …

10 0

400 1< /h3>

10 0

) 25 55

( 10



e I

1

10 75

Nhận... data-page="57">

2.9.2 Nguồn mạch khuếch đại

Có thể thay đổi điện áp nguồn cung cấp cho mạch khuếch thay đổi mức DC ngõ (Vẫn bảo đảm TST phân cực đúng)

Ví dụ 6: Xét mạch CE sau... R

T k I

x Ví dụ: Xét mạch điện phần (3.2) với: Rb = 400; Re = 10 0; ICQ = 10 mA 25 oC Tìm thay đổi ICQ