Thiết kế và lắp ráp liều kế ghi đo bức xạ sự dụng SBM 20

LỜI MỞ ĐẦUMặc dù Quốc hội đã thông qua nghị quyết tạm hoãn dự án xây dựng Nhàmáy điện Hạt nhân NMĐHN Ninh Thuận I và II vào ngày 22/11/2016, nhưngngành kỹ thuật hạt nhân, với tầm quan tr

TRƯỜNG ĐẠI HỌC ĐÀ LẠT KHOA KỸ THUẬT HẠT NHÂN

NGUYỄN CA – 1410694

THIẾT KẾ VÀ LẮP RÁP LIỀU KẾ GHI ĐO BỨC XẠ

SỬ DỤNG ỐNG ĐẾM SBM-20

KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP KỸ SƯ KỸ THUẬT HẠT NHÂN

GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN: TS ĐẶNG LÀNH

NHẬN XÉT (Của giảng viên hướng dẫn)

NHẬN XÉT (Của giảng viên phản biện)

LỜI CẢM ƠN

Được sự phân công của quý thầy cô Khoa Kỹ thuật Hạt nhân, Trường ĐạiHọc Đà Lạt, sau gần ba tháng em đã hoàn thành Khóa luận tốt nghiệp

Để hoàn thành nhiệm vụ được giao, ngoài sự nỗ lực học hỏi của bản thân còn

có sự hướng dẫn tận tình của thầy cô và các bạn

Lời đầu tiên, em xin chân thành cảm ơn thầy giáo - TS ĐẶNG LÀNH người

đã hướng dẫn cho em trong suốt thời gian hoàn thành khóa luận Một lần nữa emchân thành cảm ơn thầy và chúc thầy dồi dào sức khoẻ

Cám ơn các bạn sinh viên Trần Hồ Vân Phương, Bế Văn Tuấn, Trần ĐứcMạnh, Trần Thị Thương Thương và Phan Hà Phương đã hỗ trợ em hết mình trongsuốt quá trình thực hiện đề tài, đặc biệt là khâu mua linh kiện, lắp ráp, gia công sảnphẩm

Tuy nhiên vì kiến thức chuyên môn còn hạn chế và bản thân còn thiếu nhiềukinh nghiệm thực tiễn nên nội dung của báo cáo không tránh khỏi những thiếu xót,

em rất mong nhận sự góp ý, chỉ bảo thêm của quý thầy cô để báo cáo này được hoànthiện hơn

LỜI CAM ĐOAN

Em xin cam đoan khóa luận tốt nghiệp “Thiết kế và lắp ráp liều kế ghi đo bức xạ sự dụng SBM-20” là công trình nghiên cứu của riêng em Các số liệu và tài

liệu trong luận án là trung thực và chưa được công bố trong bất kỳ công trình nghiên

DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU

Bảng 2.1: Thông số của ống đếm SBM-20 10

Bảng 3.1: Danh sách linh kiện sử dụng trong mạch 20

Bảng 4.1: Kết quả đo tốc độ đếm nguồn 90Sr (cpm) 27

Bảng 4.2: So sánh kết quả đo của GMC với máy đo Inspector 28

DANH MỤC HÌNH ẢNH

Hình 1.1: Sơ đồ nguyên lý của detector chứa khí 4

Hình 1.2: Đường cong đặc trưng của detector chứa khí đối với hạt mang điện alpha (1) và beta (2): 4

Hình 1.3: Đặc trưng plateau của ống đếm G.M 6

Hình 1.4: Quá trình ghi nhận xung và sự tạo thành thời gian chết 8

Hình 1.5: Thời gian chết và thời gian hồi phục 8

Hình 2.1: Sơ đồ nguyên lý mô hình máy đo liều 11

Hình 2.2: Sơ đồ mạch tạo cao thế 11

Hình 2.3: Sơ đồ khối ghi nhận tín hiệu 11

Hình 2.4: Sơ đồ mạch nguyên lý 13

Hình 2.5: Bảng mạch in PCB 14

Hình 2.6: Mô phỏng hoạt động đo liều của thiết bị 17

Hình 2.7: Mô phỏng khảo sát cao thế trong ống 18

Hình 2.8: Giao tiếp với máy tính 19

Hình 2.9: Hướng dẫn giao tiếp Adruino 19

Hình 3.1: Bố trí chân linh kiện trên PCB 22

Hình 3.2: Tấm đồng với PCB được in lên 23

Hình 4.1: Mô hình thiết bị đo liều sử dụng ống SBM-20 24

Hình 4.2: Cấu tạo chi tiết 24

DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT

G.M Geiger-Muller

PIC Processing Integrated Circuit Vi xử lý tích hợp thấp

R Roengent (unit)

Đơn vị đo liều bức xạ

Sv Sievert (unit)

MỤC LỤC NHẬN XÉT (Của giảng viên hướng dẫn)

NHẬN XÉT (Của giảng viên phản biện)

LỜI CẢM ƠN

LỜI CAM ĐOAN

DANH MỤC CÁC BẢNG BIỂU

DANH MỤC HÌNH ẢNH

DANH MỤC CÁC CHỮ VIẾT TẮT

LỜI MỞ ĐẦU 1

Chương 1: CƠ SỞ LÝ THUYẾT 2

1.1 Lịch sử phát triển 2

1.2 Cấu tạo và cơ chế hoạt động 2

1.2.1 Detector chứa khí 3

1.2.2 Ống đếm GM 5

Chương 2: Ý TƯỞNG VÀ MÔ PHỎNG THIẾT BỊ 10

2.1 Ý tưởng chính 10

2.2 Phần mềm mô phỏng mạch điện tử Proteus 8 12

2.3 Kết quả mô phỏng 12

2.3.1 Sơ đồ mạch nguyên lý 13

2.3.2 PCB 14

2.3.3 Chương trình vi điều khiển 14

2.3.4 Phát triển các chức năng 18

Chương 3: LẮP RÁP THIẾT BỊ 20

3.1 Linh kiện sử dụng trong mạch 20

3.2 Bố trí các linh kiện trên PCB 22

3.3 Lắp ráp thiết bị 23

Chương 4: KẾT QUẢ 24

4.1 Sản phẩm nghiên cứu 24

TÀI LIỆU THAM KHẢO 32

LỜI MỞ ĐẦU

Mặc dù Quốc hội đã thông qua nghị quyết tạm hoãn dự án xây dựng Nhàmáy điện Hạt nhân (NMĐHN) Ninh Thuận I và II vào ngày 22/11/2016, nhưngngành kỹ thuật hạt nhân, với tầm quan trọng to lớn, vẫn được tiếp tục đẩy mạnh đàotạo vì những đóng góp của nó trên rất nhiều các lĩnh vực đời sống như công nghiệp,nông nghiệp, y học, môi trường, v.v và với tình hình cạn kiệt tài nguyên, thiếu hụtnăng lượng nghiêm trọng như hiện tại, việc tái đầu tư xây dựng NMĐHN trongtương lai gần nhất là điều cấp thiết và hoàn toàn có thể xảy ra Việc duy trì đào tạonhân lực cho ngành là thiết yếu

Để phục vụ cho việc giảng dạy, cơ sở vật chất kỹ thuật là một trong nhữngmối quan tâm hàng đầu Khoa Kỹ thuật Hạt nhân trường Đại học Đà Lạt mặc dù đãđược đầu tư khá kỹ lưỡng về mặt trang thiết bị, nhưng trong quá trình giảng dạy vẫncòn một số mặt hạn chế nhất định chưa được đáp ứng

Trong quá trình học tập chuyên ngành, sinh viên gặp phải rất nhiều khúc mắckhó giải đáp Sinh viên được tìm hiểu về nguyên lý cấu tạo cơ bản, cơ chế hoạt động

về mặt vật lý của một ống đếm G.M., được thực hành một số bài khảo sát phóng xạ

cơ bản với hệ detector G.M có tại khoa Tuy nhiên cấu tạo chi tiết bên trong, cáchthức ghi nhận xung, cơ chế về mặt điện tử, cơ chế chuyển đổi liều, sinh viên rấtkhó hình dung Để giải quyết các khúc mắc đó, em đã tiến hành mô phỏng thiết kế,lắp ráp và lập trình thành công một thiết bị đo liều sử dụng nguyên lý của ống đếmG.M., vừa có thể đo đạc với kết quả chấp nhận được, vừa cung cấp bản giải phẫutrực quan thiết bị, cho phép khai thác cấu tạo chi tiết bên trong Ngoài ra, thiết bịcòn có một số tính năng mới như: giao tiếp ngoại vi với máy tính, giao tiếp với bộphát triển Adruino, linh động thay đổi đầu dò hoặc nguồn cấp, dễ dàng cải tiến nângcấp chương trình,

Chương 1 CƠ SỞ LÝ THUYẾT

1.1 Lịch sử phát triển

Năm 1908, Hans Geiger, dưới sự giám sát của Ernest Rutherford tại Đại họcVictoria của Manchester (nay là Đại học Manchester), đã phát triển một kỹ thuật thửnghiệm để phát hiện các hạt alpha mà sau này được sử dụng trong ống Geiger-Müller

Bộ đếm sớm này chỉ có khả năng phát hiện các hạt alpha và là một phần của một thiết

bị thí nghiệm lớn hơn Cơ chế ion hóa cơ bản được John Sealy Townsend phát hiện bởimột công trình từ giữa năm 1897 và 1901, được gọi là sự phóng điện Townsend(Townsend discharge), chính là sự ion hóa các phân tử do tác động của ion

Mãi cho đến năm 1928, Geiger và Walther Müller (một nghiên cứu sinh củaGeiger) đã phát triển ống G.M kín Họ đã phát triển các nguyên tắc ion hóa cơ bảntrước đây được sử dụng thí nghiệm Chúng tương đối nhỏ, và không chỉ có thể pháthiện bức xạ alpha và beta như các mô hình trước đây, chúng còn có khả năng ghinhận bức xạ gamma Ngày nay, một thiết bị bức xạ thực tế có thể được sản xuấttương đối rẻ, và do đó bộ đếm G.M được sinh ra Khi chất lượng ống ít đòi hỏi phảigia công nhiều về mặt điện tử, một lợi thế khác biệt trong thời kỳ ion nhiệt do sốlượng van rất ít và mức tiêu thụ điện năng thấp, thiết bị này đã trở nên phổ biến nhưmột máy dò bức xạ di động

Các phiên bản hiện đại của bộ đếm Geiger sử dụng ống halogen được phátminh vào năm 1947 bởi Sidney H Liebson Nó thay thế ống Geiger trước đó vì tuổithọ dài hơn và điện áp hoạt động thấp hơn, thường là 400-900 volt

1.2 Cấu tạo và cơ chế hoạt động

Detector bức xạ là thành phần quan trọng nhất trong các thiết bị bức xạ Đó làcác dụng cụ đo đạc dựa trên sự tương tác của các hạt bức xạ với vật chất Trong lịch sửphát triển của vật lý hạt nhân, nhiều loại detector đã được phát triển và sử dụng

Các dạng detector:

Khi các hạt mang điện đi qua các khí, do ion hóa mà các điện tử và ion được tạo

ra Nếu quá trình ion hóa diễn ra trong vùng giữa hai điện cực có điện thế khác nhau,thì do các điện tử và ion chuyển động về phía các điện cực tương ứng nên xuất hiệndòng điện trong mạch Tất cả các detector ion hóa chứa khí về bản chất là các tụ điện,trong đó khoảng không gian giữa các điện cực được chứa đầy một loại khí nào đó Tùythuộc vào giá trị và sự phân bố cường độ điện trường trong khoảng khí mà các detector

đó có các tính chất khác nhau Ví dụ, khi cường độ điện trường tương

2

đối nhỏ thì dòng điện đi qua mạch không phụ thuộc vào điện áp trong tụ và bằngtích của điện tích điện tử và số cặp ion xuất hiện trong tụ trong một đơn vị thời gian.Các detector như vậy được gọi là các buồng ion hóa Khi các giá trị cường độ điệntrường cao hơn, do quá trình ion hóa thứ cấp mà xảy ra việc tăng thêm hiệu ứng ionhóa sơ cấp Khi đó dòng phụ thuộc vào điện áp trong tụ và tỷ lệ với hiệu ứng ionhóa do bức xạ tạo ra Các detector như vậy được gọi là các ống đếm tỷ lệ Cuốicùng, khi các giá trị cường độ điện trường cao hơn nữa thì trong tụ xuất hiện điệntích, nếu hạt mang điện rơi vào trong detector Các detector như vậy được gọi là cácống đếm phóng điện qua khí.

1.2.1 Detector chứa khí

Nguyên tắc chung của detector chứa khí là khi bức xạ đi qua môi trường vậtchất của detector, chúng tương tác với các nguyên tử, làm ion hóa và kích thích cácnguyên tử đó Khi đó, bên trong môi trường của detector sẽ xuất hiện các ion dương

và âm Khi đặt môi trường này vào một điện trường thì các ion sẽ chuyển động vềcác điện cực và tạo nên một dòng điện Khi đó, ở lối ra của detector xuất hiện mộttín hiệu dòng hoặc tín hiệu thế

Trong detector chứa khí, môi trường vật chất bên trong là môi trường khí.Detector gồm một hình trụ rỗng chứa đầy khí bên trong, hai điện cực dương và âmcủa một nguồn điện một chiều và mạch gồm tụ điện, điện trở để lấy tín hiệu ra.Detector thường có hai điện cực hình trụ đồng trục cách điện nhau rất tốt, điện cực ởgiữa là một dây đặc còn điện cực bên ngoài là hình trụ rỗng, không gian giữa cácđiện cực chứa đầy chất khí Trên hai điện cực đặt một hiệu điện thế từ nguồn điện

có thể điều chính được Theo cách mắc nguồn điện trong hình 1.1 thì điện cực ởgiữa mang điện dương nên được gọi là anode còn điện cực bên ngoài mang điện âmgọi là cathode Ở trạng thái bình thường, chất khí không dẫn điện và không có dòngđiện chạy giữa các điện cực Khi một bức xạ đi qua môi trường khí của detector,chất khí bị ion hóa, các electron chuyển động tới anode còn các ion dương, tức lànguyên tử bị ion hóa, chuyển đến cathode, tạo nên dòng điện tức thời có giá trị bégiữa hai điện cực Dòng điện này nạp điện cho tụ điện C tạo nên một tín hiệu lối ra

Hình 1.1: Sơ đồ nguyên lý của detector chứa khí

Hình 1.2 mô tả đường cong đặc trưng của detector chứa khí đối với hạt mangđiện alpha (1) và beta (2) Khi tăng hiệu điện thế U giữa hai điện cực thì đường đặctrưng có 5 miền: miền tái hợp, miền buồng ion hóa, miền ống đếm tỉ lệ, miền G.M.,miền phóng điện

Hình 1.2: Đường cong đặc

trưng của detector chứa

khí đối với hạt mang điện

- MIền II – miền ion hóa: Trong miền này, do điện thế lớn, các ion chuyểnđộng nhanh đến điện cực và quá trình tái hợp giảm mạnh Dòng điện ở lối ra phụ

4

thuộc vào số ion do bức xạ gây ra và hầu như không phụ thuộc vào giá trị điện thế

U Do đó, trong miền này có dòng lối ra bão hòa Đây là miền làm việc của buồngion hóa

- Miền III – miền tỉ lệ: Trong miền này các electron được gia tốc với vận tốccao nên sinh ra các ion thứ cấp do va chạm với các nguyên tử môi trường Kết quả là

lượng điện tích được nhân lên với hệ số nhân đạt đến 103 – 105 Do đó dòng lối raphụ thuộc vào điện thế U và miền này gọi là miền tỉ lệ giới hạn Đây là miền làmviệc của ống đếm tỉ lệ

- Miền IV – miền G.M.: Trong miền IV, hệ số nhân ion tăng nhanh chóngtạo nên quá trình “thác lũ” Các eletron sơ cấp và thứ cấp đều được gia tốc đủ lớn nên cóthể sinh ra một lượng lớn các eletron thứ cấp và thứ thứ cấp Dòng lối ra trong miền nàykhông đổi và miền đó gọi là miền plateau Đây là miền làm việc của detector G.M

- Miền V – miền phóng điện: Sự phát triển ồ ạt của thác lũ làm ion hóa toàn

bộ khí giữa hai điện cực Khi đó có hiện tượng phóng điện, là trang thái có hại đối vớidetector, do đó nên tránh cho detector làm việc trong miền này

Trên cơ sở phân chia các miền như trên, các detector chứa khí được phânthành ba loại là buồng ion hóa, ống đếm tỉ lệ và ống đếm G.M

1.2.2 Ống đếm GM

Khi tiếp tục tăng điện thế quá miền tỉ lệ thì số electron thứ cấp tăng nhanh dọctheo dây anode Khi các electron đập vào dây này, chúng làm phát ra các tia ánh sángcực tím Các tia cực tím lại giải phóng các eletron bổ sung từ thành ngoài ống đếm cácelectron này lại được gia tốc hướng tới dây trung tâm, và tại đó chúng lại phát ra tia cựctím khác Quá trình thác lũ này phát triển trong thể tích khí và dọc theo dây anode Sốelectron tăng rất nhanh trong ống đếm dẫn tới sự tăng nhanh biên độ tín hiệu ra.Detector khí làm việc trong chế độ thác lũ này gọi là ống đếm G.M

Trên miền IV, ta thấy, đặc trưng tốc độ đếm – điện thế đối với ống đếm G.M

có miền plateau, tại đó tốc độ đếm không thay đổi khi tăng thế nguồn nuôi Giảithích hiện tượng này như sau: khi quá trình thác lũ phát triển, các electron là các hạttương đối nhẹ, được tụ hợp lại rất nhanh, còn các ion là các hạt nặng, chuyển độngchậm, nên không được tụ hợp nhanh như vậy Do đó có một “ống” các điện tíchdương chuyển động chậm hình thành xung quanh dây dẫn trung tâm Khi đó quátrình thác lũ bị chấm dứt vì các electron rơi vào đám mây các ion dương và bị bắttrước khi đến được dây trung tâm

Khi quá trình thác lũ kết thúc thì đám mây ion này đến gần điện cực ngoài,các electron lại bị kéo ra khỏi điện cực để trung hòa chúng Một số electron rơi vàoquỹ đạo năng lượng cao của ion dương và sau đó chuyển về quỹ đạo năng lượngthấp hơn làm phát ra tia bức xạ cực tím Các tia cực tím đập vào thành ngoài củaống đếm, bứt electron ra và tạo nên quá trình thác lũ mới, quá trình phóng điện xảy

ra liên tục trong ống đếm G.M

Một trong các phương pháp chấm dứt quá trình thác lũ này là bổ sung một sốkhí đa nguyên tử vào thể tích khí cơ bản Khí cơ bản thường là argon Các khí bổsung này, chẳng hạn như hơi rượu etilen, có tác dụng tạo nên môi trường hấp thụcác bức xạ tử ngoại, làm ngăn chặn việc bứt các electron từ thành ống đếm, và do

đó làm tắt quá trình thác lũ Ống đếm G.M cấu trúc theo phương pháp này gọi là

ống đếm tự tắt.

Hình 1.3 minh họa đặc trưng plateau của ống đếm G.M Điểm bắt đầu Vs làđiện thế thấp nhất để ống đếm có thể ghi được bức xạ Khi điện thế tăng thì số đếmtăng nhanh cho đến thế ngưỡng V1, từ đó bắt đầu miền plateau của ống đếm Cuốimiền plateau là thế đánh thủng V2 của ống đếm Khi đạt đến giá trị này, khí bêntrong ống đếm bị ion hóa rất nhanh và xảy ra hiện tượng phóng điện liên tục Hiệntượng này sẽ gây hỏng detector

Hình 1.3: Đặc trưng plateau của ống đếm G.M.

6

Miền plateau có hai đặc trưng quan trọng là độ dài plateau và độ nghiêngplateau Độ dài plateau W và độ nghiêng plateau S cho biết hiệu quả hoạt động củadetector Chúng được xác định theo các công thức dưới đây:

Quá trình sử dụng lâu dài, nhất là với điện thế cao, có thể làm giảm tuổi thọ

và làm hư hỏng ống đếm Do đó, ống đếm G.M cần được vận hành ở điện thế thíchhợp (thế vận hành Vop), nằm ở gần giữa vùng plateau Vùng plateau của mỗi ốngkhác nhau nên thế vận hành của các ống cũng không giống nhau Mặc khác, thế vậnhành của ống cũng thay đổi qua quá trình sử dụng lâu dài Khi tăng số đếm tổng lêncao, thế vận hành này cũng đổi khác Do đó, nên kiểm tra thế vận hành thườngxuyên Thế vận hành của ống đếm được xác định bằng công thức:

Vop = V1 + 1/3(V2 – V1)Tốc độ đếm của ống đếm G.M được xác định bởi hai thống số có liên quanvới nhau là thời gian chết τ và thời gian hồi phục

Thời gian chết là thời gian mà ống đếm không có khả năng đếm sự kiện ionhóa tiếp theo sau sự kiện đang đếm Thời gian hồi phục là thời gian để khôi phụchoàn toàn kích thước xung như lúc mới bắt đầu thời gian chết Hình 1.4 và 1.5 mô

tả chi tiết về quá trình hình thành xung, thời gian chết và thời gian hồi phục của ốngđếm:

Hình 1.4: Quá trình ghi nhận xung và sự tạo thành thời gian chết

Hình 1.5: Thời gian chết và thời gian hồi phục

Thời gian chết của quá trình phóng điện giới hạn tốc độ đếm cực đại vì các

sự kiện xuất hiện trong khoảng thời gian chết không được đếm Gọi thời gian chết là

τ, tốc độ đếm thực là N và tốc độ đo được là N’ thì:

N = N’/(1 – N’τ)Khi N’τ << 1, công thức (1.4) được tính gần đúng như sau:

N = N’(1 + N’τ)Thời gian chết của detector G.M thường rơi vào khoảng 50 – 200 µs

8

Ống đếm G.M được dùng để đếm các hạt bức xạ ion hóa riêng biệt Với đặctrưng là ống đếm xung, tín hiệu ra có biên độ không đổi, không phụ thuộc vào nănglượng bức xạ vào nên nó chỉ ghi nhận được bức xạ dưới dạng xung và chuyển thành

số đếm chứ không thể định lượng được về mặt năng lượng chùm bức xạ Ống đếmG.M chủ yếu dùng đo hoạt độ nguồn và liều bức xạ của một đối tượng nào đó Liềubức xạ phụ thuộc vào tốc độ đếm theo công thức sau đây:

D = R × fTrong đó D là suất liều bức xạ (μSv/h), R là tốc độ đếm trên một đơn vị thờiSv/h), R là tốc độ đếm trên một đơn vị thờigian (cpm hoặc cps) và f là hệ số chuyển đổi (μSv/h), R là tốc độ đếm trên một đơn vị thờiSv/cpm.h hoặc μSv/h), R là tốc độ đếm trên một đơn vị thờiSv/cps.h)

Hệ số chuyển đổi phụ thuộc vào loại ống đếm, đặc tính chất khí bên trong ống.Với khả năng ghi nhận một lượng lớn xung, ống đếm G.M không cần sửdụng đến bộ khuếch đại tín hiệu vừa cồng kềnh, vừa đắt đỏ Cấu tạo của ống đếmG.M tương đối đơn giản Vì thế ống đếm G.M rất được ưa chuộng sử dụng

Chương 2 Ý TƯỞNG VÀ MÔ PHỎNG THIẾT BỊ

2.1 Ý tưởng chính

Dựa trên những cơ sở lý thuyết về các loại ống đếm, ống đếm G.M., detector

G.M., tham khảo một số thiết bị đo liều mượn được từ khoa vật lý và những kiến

thức đã học về Điện tử Hạt nhân, em đã thiết kế mô hình thiết bị đo liều bức xạ với

một số tính năng được phát triển riêng, thích hợp cho việc học tập chuyên ngành

Để ghi nhận bức xạ, thiết bị cần có một ống đếm G.M., một mạch tạo cao thế

cho ống hoạt động, một mạch nguồn, một khối ghi nhận xung, một mạch chuyển đổi

từ số đếm sang liều và xuất giá trị ra màn hình để người dùng có thể đọc được Ống

đếm được sử dụng ở đây có tên SBM-20, do Liên Xô sản xuất năm 1986 Hệ số

chuyển đổi từ số đếm sang liều của ống đếm SBM-20 là 0.0057 μSv/h), R là tốc độ đếm trên một đơn vị thờiSv/cpm.h Thông

số của 2 ống được cho trong bảng sau (thông số do nhà sản xuất cung cấp):

Điện thế bắt đầu ghi nhận xung ~ 260V – 320V

Thời gian chết tối thiểu

190μSv/h), R là tốc độ đếm trên một đơn vị thờis(ở 400/V)