Bài giảng môn học điện tử 2

KĐ CS, CE với tải tích cực Đáp ứng tần số cao CS... 4: KĐ CS, CE với tải tích cực  Sử dụng lý thuyết Miller  Giả thiết: bỏ qua ảnh hưởng C L , Rsig lớn và điểm cực vượt trội do thành

BÀI GIẢNG MÔN ĐIỆN TỬ 2 –

Chương 6

Đại học Thủy Lợi – Khoa Năng Lượng – Bộ môn Kỹ Thuật Điện Giảng viên : Ths Bùi Văn Đại

Email : buidai68@gmail.com

1 : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT

Tiết kiệm diện tích

- Loại bỏ trở lớn

- Loại bỏ tụ rẽ nhánh (tụ lớn)

- Giảm kích thước (chiều dài kênh dẫn)

Cmos được sử dụng rộng rãi

- Kết hợp với BJT thành Bimos

Mạch nguồn dòng và ảnh dòng

2 vùng tiếp giáp : EBJ : phát – gốc và CBJ : góp – gốc

1 : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT

 Thông số đặc trưng Mos:

Thông số Mosfet

1 : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT

Thông số BJT

1 : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT

 So sánh Mos và BJT

(xem bảng trong STHT hoặc giáo trình)

- điện trở vào là vô cùng

- thông số W/L dễ thay đổi so với Ae

- điện dẫn cao hơn

- hệ số khuếch đại tốt

1 : Lí luận thiết kế IC, so sánh Mos - BJT

2 : Phân cực Ic, các nguồn dòng

2 : Phân cực Ic, các nguồn dòng

( / ) ( / )

O

REF

2 : Phân cực Ic, các nguồn dòng

Mạch lái dòng Mos

Điều kiện :

2 2

1

( / ) ( / )

2 : Phân cực Ic, các nguồn dòng

Nguồn dòng BJT (coi β = ∞)

Io = Iref

Io = m Iref

2 : Phân cực Ic, các nguồn dòng

2 : Phân cực Ic, các nguồn dòng

3 : Đáp ứng tần số cao

Tổng quát

3 : Đáp ứng tần số cao

 Không có cực vượt trội

 Mở rộng : nhiều điểm cực và điểm zero

C R

3 : Đáp ứng tần số cao

Lý thuyết Miller

4 : KĐ CS,CE với tải tích cực

4 KĐ CS, CE với tải tích cực

Xác định điểm làm việc

4 KĐ CS, CE với tải tích cực

KĐ CE với tải tích cực

R i = r A vo = -g m r o R o = r o

4 KĐ CS, CE với tải tích cực

Đáp ứng tần số cao (CS)

4: KĐ CS, CE với tải tích cực

 Sử dụng lý thuyết Miller

 Giả thiết: bỏ qua ảnh hưởng C L , Rsig lớn và điểm cực vượt trội do thành phần Rsig và Cin tạo ra

5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích

cực

KĐ cổng chung (CG)

Ảnh hưởng của phần thân

5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích

cực

Mô hình tín hiệu nhỏ

5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích

5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích

cực

Đáp ứng tần số cao

5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích

cực

Đáp ứng tần số cao

5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích

cực

Mạch KĐ gốc chung

5: KĐ cổng chung, gốc chung với tải tích

6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát

Cascode Mos (ghép tầng Mos)

6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát

Cascode Mos

6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát

6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát

Đáp ứng tần cascode

6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát

Đáp ứng tần cascode

6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát

 Cascode BJT

6 : Khuếch đại cascade, nguồn cực phát

 Cascode BJT

Đáp ứng tần số

6 : Khuếch đại cascode

Cascode nguồn dòng

6 : Khuếch đại cascode

Cascode kép

6 : Khuếch đại cascode

Cascode gập

6 : Khuếch đại cascode

Cascode BiCmos

7 : KĐ CS, CE với điện trở

CS và Rs

t H = C gs R gs + C gd R gd + C L

7 : KĐ CS, CE với điện trở

CE và Re

R o r o (1+g m R’ e )

8 : Bộ lặp lại cực phát và cực nguồn

(KĐ CD, CC)

8 : KĐ CD, CC

9 : Các cặp trans

CD-CS, CC-CE, CD - CE

9 : Các cặp trans

Mạch ghép Darlington

9 : Các cặp trans

CC-CB, CD - CG

9 : Các cặp trans

CC-CB, CD - CG

9 : Mạch ảnh dòng

Mạch cascode Mos

R o = r o3 + [1+(g m3 +g mb3 )r o3 ]r o2

g m3 r o3 r o2

9 : Mạch ảnh dòng

Mạch BJT

9 : Mạch ảnh dòng

Mạch Wilson

9 : Mạch ảnh dòng

Mạch Wilson dùng Mos

R0 ro3 (gm3ro02+2) gm3ro3ro2

9 : Mạch ảnh dòng

Nguồn dòng Wildar

R o [1+g m (R e //r )]r o