[r]
Trang 11
Môn h c: PTTĐọ 1 GV: Vũ Xuân Đ cứ
Trang 2Căn c vào v trí đ t đi m làm vi c trên đứ ị ặ ể ệ ường đ c tuy n khu ch đ i và quan h ặ ế ế ạ ệ
d ng tín hi u đ u vào – đ u ra, b khu ch đ i có th làm vi c m t trong các ch đ ạ ệ ầ ầ ộ ế ạ ể ệ ở ộ ế ộ
c b n A,B,AB,C,D:ơ ả
Ch đ A: khu ch đ i c 2 n a chu k c a tín hi u xoay chi u vào. ế ộ ế ạ ả ử ỳ ủ ệ ề
Ch đ B: ch khuy ch đ i m t n a chu k c a tín hi u đ u vào (góc c t b ng ế ộ ỉ ế ạ ộ ử ỳ ủ ệ ầ ắ ằ
1800),
Ch đ AB: khuy ch đ i h n m t n a chu k c a tín hi u đ u vào (góc c t 180ế ộ ế ạ ơ ộ ử ỳ ủ ệ ầ ắ 0
3600)
Ch đ C: Ch khu ch đ i m t ph n đ nh c a tín hi u đ u vào (góc c t < 180ế ộ ỉ ế ạ ộ ầ ỉ ủ ệ ầ ắ 0).
Ch đ D: Góc c t b ng 180ế ộ ắ ằ 0, biên đ tín hi u đ u vào l n, đ t t i m c bão hòa ộ ệ ầ ớ ạ ớ ứ
Trang 3
Liên h ngệ ược (ph n h i) trong các b khu ch đ i là s truy n tín hi u t đ u ra ả ồ ộ ế ạ ự ề ệ ừ ầ
tr l i đ u vào khu ch đ i. ở ạ ầ ế ạ
Liên h ngệ ược dương: tín hi u đ u ra b khu ch đ i tăng lên, ệ ầ ộ ế ạ
Liên h ngệ ược âm: tín hi u đ u ra b khu ch đ i gi m xu ng, ệ ầ ộ ế ạ ả ố
Liên h ngệ ược có th để ược th c hi n trong c b khu ch đ i đi n áp và dòng đi nự ệ ả ộ ế ạ ệ ệ
H s khu ch đ i c a b khu ch đ i đi n áp khi ệ ố ế ạ ủ ộ ế ạ ệ có liên h ngệ ược:
d u + tấ ương ng v i ph n h i âm; ứ ớ ả ồ
d u – tấ ương ng v i ph n h i dứ ớ ả ồ ương;
K ph h s truy n trong m ch ph n h i.ệ ố ề ạ ả ồ
3
Liên h ng ệ ượ c theo đi n áp; ệ Liên h ng ệ ượ c Theo dòng đi n ệ
1
U
ph
K K
K K
=
Trang 4u đi m c a Ph n h i âm
•làm gi m đ méo phi tuy n, ả ộ ế
•nâng cao đ n đ nh h s khu ch đ i, ộ ổ ị ệ ố ế ạ
•làm gi m tr kháng đ u ra và tăng tr kháng đ u vào. ả ở ầ ở ầ
Nh ượ c đi m c a ph n h i âm: ể ủ ả ồ
•gi m h s khu ch đ i. ả ệ ố ế ạ
Ph n h i d ả ồ ươ đ ng ượ ử ụ c s d ng trong các máy phát đ t kích các dao đ ng ể ự ộ
đi u hòa không b suy gi m và đ m b o n đ nh t n s c a tín hi u máy phát ề ị ả ả ả ổ ị ầ ố ủ ệ
Trang 5
2.1. Gi i thi u chung v transistor lớ ệ ề ưỡng c c (Bipolar Junction Transistor)ự
a. C u t o;ấ ạ
BJT là m t linh ki n ba c c độ ệ ự ượ ạc t o nên t hai chuy n ti p PNừ ể ế
E: Phát (Emitter): có n ng đ h t d n cao nh t.ồ ộ ạ ẫ ấ
C: Thu (Collector): có n ng đ h t d n th p h n.ồ ộ ạ ẫ ấ ơ
B: N n (Base): h p nh t và có n ng đ h t d n th p nh t.ề ẹ ấ ồ ộ ạ ẫ ấ ấ
5
Trang 6
b. Các ch đ làm vi c c a BJTế ộ ệ ủ
Mu n cho tranzito làm vi c ta ph i cung c p cho các chân c c c a nó m t đi n áp ố ệ ả ấ ự ủ ộ ệ
m t chi u thích h p. ộ ề ợ
Có ba ch đ làm vi c c a tranzito là: ế ộ ệ ủ
+ Ch đ ng t: ế ộ ắ Cung c p ngu n đi n sao cho hai ti p xúc PN đ u phân c c ngấ ồ ệ ế ề ự ược. Tranzito có đi n tr r t l n và ch có m t dòng đi n r t nh ch y qua nên tranzito coi ệ ở ấ ớ ỉ ộ ệ ấ ỏ ạ
nh không d n đi n. ư ẫ ệ
+ Ch đ d n bão hòa: ế ộ ẫ Cung c p ngu n đi n sao cho c hai ti p xúc PN đ u phân ấ ồ ệ ả ế ề
c c thu n. Tranzito có đi n tr r t nh và dòng đi n qua nó là khá l n. ự ậ ệ ở ấ ỏ ệ ớ
thu n, và ti p xúc góp Jậ ế C phân c c ngự ượ Ởc. ch đ này, tranzito s khu ch đ i tín hi u ế ộ ẽ ế ạ ệ
đ u vào. Đây là ch đ thông d ng c a tranzito trong các m ch đi n t tầ ế ộ ụ ủ ạ ệ ử ương t ự
Trang 7
c. Nguyên t c làm vi c c a BJT ch đ khu ch đ i: ắ ệ ủ ở ế ộ ế ạ
Khi có dòng IB có dòng dòng IC m nh g p nhi u l n dòng IB ạ ấ ề ầ :
IC = I β B
IE = IC +IB = I β B+IB = IB (β+1)
IC , IB, IE: dòng đi n ệ ch y qua ạ c c C, B, E ự
là h s khuy ch đ i
β ệ ố ế ạ tĩnh c a Transistor ủ 7 (β=1001000)