1. Trang chủ
  2. » Hoá học lớp 12

Lý thuyết bán dẫn - Vật liệu bán dẫn và mối nối P - N

3 17 1

Đang tải... (xem toàn văn)

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 3
Dung lượng 98,59 KB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

[r]

Trang 1

BÀI 4: V T LI U BÁN D N VÀ M I N I P – N Ậ Ễ Ẫ Ố Ố

Đ có nh ng hi u bi t c b n v ch t bán d n, c n bi t m t s ki n th c v lý thuy tể ữ ể ế ơ ả ề ấ ẫ ầ ế ộ ố ế ứ ề ế nguyên t và c u trúc c a v t ch t Trong chử ấ ủ ậ ấ ương này chúng ta s h c v nh ng v t li u bánẽ ọ ề ữ ậ ệ

d n c b n đẫ ơ ả ược s d ng đ ch t o diode, transistor và các linh ki n bán d n khác mà taử ụ ể ế ạ ệ ẫ

được h c trong nh ng chọ ữ ương ti p theo Chúng ta s có m t s khái ni m quan tr ng v lýế ẽ ộ ố ệ ọ ề thuy t l p ti p xúc P – N, nó c n thi t đ hi u các ho t đ ng c a các linh ki n bán d n.ế ớ ế ầ ế ể ể ạ ộ ủ ệ ẫ

Diode r t quan tr ng trong nh ng ng d ng M t ng d ng mà không th thi u diode làấ ọ ữ ứ ụ ộ ứ ụ ể ế ngu n ch nh l u Đ c đi m c b n c a diode là cho phép dòng đi n đi qua ch m t chi u đồ ỉ ư ặ ể ơ ả ủ ệ ỉ ộ ề ể chuy n đ i AC ể ổ  DC

Nguyên t Silicon và Germanium (Si và Ge) ử

Hai lo i ch t bán d n đang đạ ấ ẫ ượ ử ục s d ng m t cách r ng rãi là Si và Ge, c hai nguyên tộ ộ ả ử

Si và Ge đ u có 4 ề e- hóa tr , trong đó Si có 14 proton và Ge có 32 proton trong h t nhân.ị ạ

Khi các nguyên t Si k t h p l i thành phân t đ hình thành nên ch t r n, chúng t s pử ế ợ ạ ử ể ấ ắ ự ắ

x p thành m t c u trúc c đ nh g i là tinh th Nh ng nguyên t trong m ng tinh th liên k tế ộ ấ ố ị ọ ể ữ ử ạ ể ế

v i nhau b ng liên k t đ ng (c ng) hóa tr , nó đớ ằ ế ồ ộ ị ượ ạc t o thành b i s k t h p c a các eở ự ế ợ ủ - hóa trị

c a các nguyên t ủ ử

Trong hình bên dưới, ta th y m i nguyên t Si k t h p v i 4 nguyên t Si k t c n Đấ ỗ ử ế ợ ớ ử ế ậ ể nguyên t có th có 8 eử ể - l p ngoài cùng thì m t nguyên t Si v i 4 eở ớ ộ ử ớ - hóa tr dùng chung 1 eị -

v i 4 nguyên t k c n.ớ ử ế ậ

I S d n trong tinh th bán d n: ự ẫ ể ẫ

28

Sơ đồ khối bộ nguồn chỉnh lưu

+14

Nhân

Lớp ngoài cùng Cấu tạo nguyên tử của Si

-Si

Si

Trang 2

-Nh ng eữ - trong nguyên t ch t n t i trong nh ng vùng có m c năng lử ỉ ồ ạ ữ ứ ượng xác đ nh M iị ỗ

l p xung quanh nhân tớ ương ng v i m t m c năng lứ ớ ộ ứ ượng và được phân chia b i nh ng kheở ữ năng lượng, trong khe này s không t n t i eẽ ồ ạ - Hình v vùng năng lẽ ượng c a nguyên t Siủ ử (không k năng lể ượng bên ngoài) Đi u này ch x y ra 0ề ỉ ả ở 0 K

Gi n đ năng lả ồ ượng

H t d n e ạ ẫ - và l tr ng: ỗ ố

Tinh th Si t i tể ạ o phòng, năng lượng to t không khí xung quanh là nguyên nhân đ các eừ ể -

trong vùng c m có đ năng lấ ủ ượng đ nh y t vùng c m sang vùng d n, tr thành eể ả ừ ấ ẫ ở - t do.ự Khi m t eộ - nh y vào vùng d n, ch tr ng mà nó đ l i trong vùng c m g i là l tr ngả ẫ ỗ ố ể ạ ấ ọ ỗ ố (hole) mang đi n tích dệ ương Do đó n u m t eế ộ - nh y lên vùng d n b i tả ẫ ở o hay ánh sáng thì s cóẽ

m t l tr ng trong vùng c m độ ỗ ố ấ ược g i là c p đi n t – l tr ng S tái h p x y ra khi eọ ặ ệ ử ỗ ố ự ợ ả - trong vùng d n b m t năng lẫ ị ấ ượng và k t h p v i l tr ng vùng c m.ế ợ ớ ỗ ố ở ấ

29

Năng lượng

Vùng 1 Vùng 2 Vùng cấm

to

Giản đồ năng lượng

Lỗ trống

e

-Sơ đồ liên

Năng lượng

to

Năng lượng

Vùng 1 Vùng 2

Vùng cấm

Vùng dẫn

Khe năng

lượng

-e

Trang 3

-Tóm l i, đ i v i ch t bán d n thu n tạ ố ớ ấ ẫ ầ ở o phòng, s đi n t t do trong vùng d n khôngố ệ ử ự ẫ

có liên k t v i h t nhân và chuy n đ ng t do, b ng v i s l tr ng trong vùng c m khi nh ngế ớ ạ ể ộ ự ằ ớ ố ỗ ố ấ ữ

e- đó nh y vào vùng d n.ả ẫ

Dòng e - và l tr ng: ỗ ố đ t đi n áp lên kh i bán d n nh hình v ặ ệ ố ẫ ư ẽ

Đi n t t do s ch y v phía c c dệ ử ự ẽ ạ ề ự ương c a ngu n dủ ồ ưới tác đ ng c a đi n trộ ủ ệ ường Sự chuy n đ ng c a eể ộ ủ - t do g i là dòng electron Còn các l tr ng s di chuy n theo hự ọ ỗ ố ẽ ể ướ ng

ngượ ạ ềc l i v phía c c âm c a ngu n g i là dòng l tr ng.ự ủ ồ ọ ỗ ố

Ch t bán d n, ch t d n và ch t cách đi n: ấ ẫ ấ ẫ ấ ệ xét v m t năng lề ặ ượng

T hình v ta th y r ng:ừ ẽ ấ ằ

 Đ i v i ch t cách đi n thì khe năng lố ớ ấ ệ ượng khá r ng nên r t ít eộ ấ - có đ năng lủ ượ ng

đ nh y vào vùng d n.ể ả ẫ

 Đ i v i ch t d n thì vùng c m và vùng d n ch ng l p lên nhau vì th luôn luônố ớ ấ ẫ ấ ẫ ồ ấ ế

có nhi u eề - t do trong vùng d n mà không c n năng lự ẫ ầ ượng kích thích t bên ngoài.ừ

 Đ i v i ch t bán d n thì khe năng lố ớ ấ ẫ ượng h p h n so v i ch t cách đi n.ẹ ơ ớ ấ ệ

II Bán d n lo i N và bán d n lo i P: ẫ ạ ẫ ạ

1 Bán d n lo i N ẫ ạ :

Đ tăng n ng đ eể ồ ộ - trong ch t bán d n trong ch t bán d n thu n, ngấ ẫ ấ ẫ ầ ười ta pha t p ch tạ ấ nhóm V (hóa tr 5) vào ch t bán d n thu n Các nguyên t có 5 eị ấ ẫ ầ ử - l p ngoài cùng là: Arsenicở ớ (Ar), phosphorus (P), antimony (Sb),…

30

V

e

-Lỗ trống Dòng

e

-Dòng

lỗ trống

Vùng dẫn

Vùng cấm

Năng lượng

Vùng dẫn Khe năng lượng Vùng cấm

Năng lượng

Vùng dẫn

Khe

năng

lượn

g

Vùng cấm

Năng lượng

Ngày đăng: 09/03/2021, 04:41

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm

w