Bài giảng Lợi thế về liều lượng bộ thu chuẩn trực bề mặt mới giấy chức năng tungsten trong liệu pháp điện tử trình bày các nội dung chính sau: Giấy Vonfram đa năng là gì, liệu pháp điện tử, thử thách của TFP trong lâm sàng.
Trang 1Lợi thế về liều lượng bộ thu chuẩn trực bề mặt
mới giấy chức năng tungsten
trong liệu pháp điện tử
6th Annual Conference of Vietnam Association of Radiological Technologists
Mikoto Tamura1, Hajime Monzen1, Yoshihiro Kawai2, Morikazu Amano2,
Kenji Matsumoto1, Masahiko Okumura3, Yasumasa Nishimura4
1. Department of Medical Physics, Graduate School of Medical Science, Kindai University
2. Department of Radiology, Fujieda Municipal Genaral Hospital
3. Department of Radiology, Kindai University Hospital
4. Department of Radiation Oncology, Faculty of Medicine, Kindai University
Kindai University
Giới thiệu
Áo chì bảo vệ khỏi phóng xạ
Chiếu xạ định hình trong
Xạ trị
Kính chắn phóng xạ
Kindai University
1. Độc hại đối với cơ thể người
2. Cản trở quá trình làm việc
3. Ô nhiễm môi trường
sử dụng chì bị cấm
Chì vẫn được sử dụng
Giấy Vonfram đa năng là gì( TFP ) ?
Đặc điểm của giấy vonfram đa năng:
Độ dày = 0.3 mm
Khả năng che chắn phóng xạ và là giấy
Kindai University
1. Không hề độc hại với cơ thể người
2. Dễ dàng sử dụng trong quá trình làm việc
( cắt, gấp, và dán vào các vật liệu khác )
3. Thân thiện môi trường nhờ tái tạo được
H. Monzen et al. J Appl Clin Med Phys 18, 325‐329, 2017
Mục đích
M ột cuộc điều tra về đặc điểm của liều tia với bề mặt chuẩn trực TFP mới
Kindai University
Liệu pháp điện tử
0
20
40
60
80
100
120
Máy phát Electron
6 MV X‐ray
6 MeV Electron Đối
tượng
Hồ sơ liều sâu Hồ sơ liều bên
Target Thực tế
“Drop‐off”
Lý tưởng
“Liều thiếu”
“Liều dư”
90
Kindai University
Chiều sâu (cm)
Liều bề mặt cao cùng với vùng bao phủ sâuvàSharp penumbra・・・Tuyệt vời!!
Đo liều phim
”Ung thư bề ngoài” ví dụ như ung thư xương và ung thư da, vv
Sq cell ca Melanoma Basal cell ca
Hồ sơ liều sâu
Hồ sơ liều bên
Hồ sơ liều bên
Hồ sơ liều sâu
C huẩn bị và P hương pháp (theo hình học)
Máy phát Electron (10×10 cm2)
SSD:
100 cm Tia Electron liều 4 và 6 MeV
Máy phát Electron (10×10 cm2)
SSD:
100 cm
Tia Electron liều 4 và 6 MeV
Linac: Infinity (Elekta AB) Linac: Infinity (Elekta AB)
Kindai University
Chuẩn trực bằng chì
Phantom
Chuẩn trực bằng vonfram (Độ dày = 1.0 cm)
6 cmφ
6 cmφ
Phantom
Trang 2Chuẩn bị và Phương pháp (Đo lường)
SSD:
100 cm
Tia Electron liều 4 và 6 MeV
Hồ sơ liều bên
200 MU
SSD:
100 cm
Tia Electron liều 4 và 6 MeV
% liều sâu
200 MU
1. Liều bề mặt, độ sâu tối đa
(d max ), 90% (d 90 ), và 50% liều (d 50)
20 0 60.0 100.0
Đường cong
dmax d90 d50
Đặc điểm liều lượng
Kindai University
TFP 6 cmφ
Nước cất
Chì
Phim EBT3 (Ashland ISP)
TFP 6 cmφ
Nước
Chì
Máy dò kim cương;
TM60019 (PTW)
2. Vùng nửa tối (P 80‐20 ) at d 90
0.0 20.0
g g PDD
0.0%
20.0%
60.0%
100.0%
‐60 ‐40 ‐20 0 20 40 60
Hồ sơ liều bên
P80‐20
K ết quả và B àn luận (PDD)
100 80 60 40
100 80 60 40
Chì TFP
Chì TFP
Kindai University
( )
Độ sâu (mm)
20 0
Độ sâu (mm)
20 0
Chì
d max: 9.0 mm
d 90: 12.0 mm
d 50: 16.2 mm
TFP
d max: 8.0 mm
d 90: 11.0 mm
d 50: 16.2 mm
Chì
d max: 14.0 mm
d 90: 19.8 mm
d 50: 25.6 mm
TFP
d max: 13.0 mm
d 90: 18.9 mm
d 50: 25.4 mm
So với Chuẩn trực bằng chì thông thường, Chuẩn trực bằng TFP tạo raliều bề mặt cao hơn
nhưng lạigần như bằng nhau ở vùng cân bằng hạt
K ết quả và B àn luận (Hồ sơ liều bên tại d90)
40 0%
60.0%
80.0%
100.0%
%
4 MeV Lead
4 MeV TFP
100
80
60
40
Chì TFP
40 0%
60.0%
80.0%
100.0%
6 MeV Lead
6 MeV TFP
100 80 60 40
Chì TFP
P 80‐20
Chì: 15.0 mm
TFP: 9.6 mm
P 80‐20
Chì: 16.4 mm
TFP: 13.0 mm
Kindai University
0.0%
20.0%
40.0%
-60 -40 -20 0 20 40 60
Lateral position (mm)
40
20
0
0.0%
20.0%
40.0%
-60 -40 -20 0 20 40 60
Lateral position (mm)
Vị tri phía bên (mm)
40 20 0
Vị tri phía bên (mm)
Những vùng được che chắn của Chuẩn trực TFP đo được thấp hơn5.4 mmvà3.4 mmso với
Chuẩn trực chì ở tia 4 and 6 MeV tương ứng
K ết quả và B àn luận (Phân bố liều 2D)
Volume >90% liều
× 2.01
Volume >90% liều Chuẩn trực TFP trên bề mặt
Chuẩn trực TFP trên bề mặt
Chuẩn trực chì
Chuẩn trực chì
Kindai University
Dung tích được xử lý (>90% liều) với Chuẩn trực TFP tăng gấp2 lần hoặc hơnso với Chuẩn trực chì
× 2.39
Volume >90% liều Volume >90% liều Chuẩn trực TFP trên bề mặt
K ết luận
C huẩn trực có bề mặt TFP có thể cung cấp sự phân chia liều một
cách tuyệt vời như là Liều bề mặt cao không bolus và sharp
Kindai University
T hử thách của TFP trong L âm sàng
Giảm phơi nhiễm cho các y sĩ trong bức xạ can thiệp (IR)
Phát triển lớp lót bảo vệ bức xạ mới
‐ Bảo vệ xung quanhCho bệnh nhân chiếu xạ vùng tiền liệt tuyến
‐ GIảm phơi nhiễm bởtia X thứ từ
M. Inada et al. J Radiat Res 59, 333‐337, 2018
Kindai University
Liệu pháp lưới Electron
v.s
bệnh nhân
‐ Phương pháp chiếu xạ mớithay thế cho phương pháp chiếu xạ thông thường
H. Monzen et al. J Appl Clin Med Phys 18, 215‐220, 2017
M. Tamura et al. Phys Med Biol 62, 878‐889, 2017
Trang 3Cảm ơn đã dành thời gian!
Kindai University
Dịch bởi sv.Trần Quang Bách