Cho maïch khueách ñaïi MOSFET nhö thí duï 1, MOSFET hoaït ñoäng trong ñieàu kieän baûo hoaø vôùi daûi ñieän theá vaøo 1V 1,9V, ta phaûi choïn ñieän theá vaøo ñieåm hoaït ñoäng taïi t[r]
Trang 1GT ĐIỆN TỬ CƠ BẢN
ÔN TẬP – CÔNG THỨC
Trang 2A Các định luật mạch điện
• Định luật Kirchhoff về thế , về dòng
• Định lý Thevenin VTH, RTH, Norton IN, RN = RTH
• Công thức cầu chia thế
• Công thức cầu chia dòng
Trang 3B Cách hoạt động và công thức linh kiện
• Nối pn- Diod
• MOSFET
• BJT
• Op.Amp.
Trang 41 MOSFET
Trang 5• Biểu thức điện thế và dòng điện
a.Biểu thức điện thế
Dựa vào lý thuyết và đặc tuyến, quỉ tích các điểm có VDSbhcho bởi:
VDSbh = VGS – VTH (1).
b Biểu thức dòng điện thoát ID.
- Trong vùng điện trở : VGS < VTH hay VDS < VGS – VTH ta có
Trang 6Transistor nối lưỡng cực-BJT
Trang 7.Biểu thức dòng điện trong BJT ( ráp CE)
• Theo định luật Kirchhoff ta có:
; 1
Trang 8.Cách ráp cực phát chung ( CE-common emitter)
vi
-QRB
RCCi
Co
RL+
Trang 9Mạch tương đương (AC)
; 1
C B
E
vce +
vbe
-+
Bib ic
-e
-vce
c + vbe
Trang 10C Phân tích các thành phần phi tuyến
Trang 12ON G
D
vGS<VTH
S OFF
D
G
iDS
Trang 13Inverter (Mạch Đảo)
V DD = 5 V
A
v out 5V
0 V T =1V 5V v in
=/A B A
Trang 14Cách hoạt động chế độ giao hoán
• Khi không có xungvào: MOSFET không dẫn
on R
Trang 15Mức điện thế logic qui định của MOSFET:
V IL max
0 V OL max 0
0 0
Không xác định Mức logic 1
Mức logic0
Mứùc logic1
Không xác định Mức logic 0
Không xác định
IH NMH
Trang 17E Khuếch đại tín hiệu lớn
Dải điện thế ngõ vào cực đại:
Dải điện áp ra cực đại:
Dải dong thoát tương ứng:
1 1 2 L S
S
L
KR V V
Trang 18Độ lợi điện thế còn gọi là hàm số truyền: Vs
vo
cutoff Biên độ của
v o vùng (v i – V TH ) độ dốc lớn
v A
Trang 20Thí dụ 2 :
Cho mạch khuếch đại MOSFET như thí dụ 1, MOSFET hoạt động trong điều kiện bảo hoà với dải điện thế vào 1V 1,9V, ta phải chọn điện thế vào điểm hoạt động tại trị số trung tâm dải động đó, gọi
V i = 1,45V Sự chọn lựa này được biểu diễn trên hình vẽ lại dưới đây:
Trang 21Tính được điện thế ngõ ra:
vo Và: 5V
Để cho mạch khuếch đại hoạt động dưới điều kiện bảo hoà.
Trang 22• Mạch SF ( Source Follower) hay DC (Drain common)
Mạch theo nguồn (SF- Source Follower)
Còn gọi là mạch đệm (buffer), mạch
hoạt động trong vùng bảo hoà.
Tại nút ngõ ra cho:
Trang 23G Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ
• Dòng điện hoạt động ngõ ra I D được tinh trực tiếp hệ thức đặc tính MOSFET như:
•
• Điện thế hoạt động ngõcung cấp ra có được bằng cách áp dụng
định luật Kirchhoff cho vòng bao gồm nguồn, MOSFET, và R L như sau:
+ - vi
iD=K(vi-VTH)2/2
RL
vo
+ - vi
ids=K(VGS-VTH)vgs ids=gmvgs RL
Trang 24• Do đó, độ lợi tín hiệu nhỏ cho:
ids=K(VGS-VTH)vgs ids=gmvgs RL
o
I TH L i
Trang 25• MOSFET
• Khi có tín hiệu vào v I = v GS :
2
2
Trang 276 5 Điện trở ngỏ vào, ngỏ ra , Độ lợi dòng điện và độ
lợi công suất
• Mạch tương đương (AC)
• Tổng trở (Điện trở) ngỏ vào:
Trang 28• Điện trở ra
Độ lợi dòng
Vì R = nên độ lợi dòng cũng bằng vô cực
Trang 29• Độ lợi công suất
• Vì Ri = nên độ lợi công suất cũng vô hạn.
• Tuy nhiên , trong mạch thực tế, điện trở ngõ vào và độ lợi công suất là hữu hạn ( xác định)
Trang 31• Sắp xếp lại cho:
Cho thấy độ lợi thế nhỏ hơn 1.
• Trường hợp đặc biệt quan trọng khi R L rất lớn, khi R L :
và khi có thêm g m Rs >>1 , cho:
Ta sẽ thấy vì sao mạch SF hữu dụng khi xét điện trở vào và điện trở ra (xem ở sau)
Trang 32• Điện trở vào và điện trở ra tín hiệu nhỏ
• Điện trở vào rất bằng vô hạn ( vô cực) vì dòng vào MOSFET
bằng không
• Điện trở ra được tính theo h :
• Áp dụng KCL tại nút a:
• Sắp sếp lại và đơn giản cho:
Do đó: g m R L , và R S rất lớn , R L +R S trở nên không đáng kể so với
g m R L R S , nên: :
vì g m rất lớn nên r o rất bé, và A i tất
Trang 33C B
E
vce +
vbe
-+
Bib ic
Trang 34• 2 Phân giải chế độ động- AC (ráp CE)
Ta c ó mạch tương đương tín hiệu nhỏ
CQ
h
V r
hfeib
ib
Trang 352 Đặc tuyến Ampe-Volt
Ta có đường biểu diễn : ID
Vz 0
0,6 V VD
Izk
IzM
Trang 36Điện trở nối pn ID
a.Điện trở tĩnh
0 V D Vb.Điện trở động:
D D
D Q
V R
Trang 37Phân cực thuận Diod dẫn
Phân cực nghịch Diod ngưng
Trang 38R V
e R
Trang 40Thiết kế phần tử nhớ
A Mạch thử lần đầu
Phần tử nhớ
v C
trị số lưu trử 5V luôn bị rĩ
V OH Độ rộng xung store >> R ON C
storage node dOUTdIN
C
=0 store
storage node dOUTdIN
OH L
Trang 41=0 store RIN
dOUT dIN
*
CM
dOUT /store
store
dIN
* CM
Trang 42Z R
Z j L
j Z
=1/jwC
Zc Vc
Ic
+
11
Trang 43+ -
Trang 44Mạch lọc
• Định nghĩa:
• Mạch lọc là mạch có nhiệm vụ cho qua hoặc loại bỏ một tần số
hoặc một dải tần số theo mong muốn.
Trang 45Mạch Op Amp.
• Cấu trúc mạch OP.Amp.
• Đặc tính mạch Op.Amp.
• Công thức cơ bản :
- Khuếch đại đảo
- Khuếch đại không đảo
I
R A
R
Trang 46Mạch làm tóan
1.Mạch nhân
vo = - kvi với k = - RF / RI
+ _
–
Trang 472 M ạch cộng ( tổng)
Áp dụng nguyên lý chồng chất, cho:
Trang 483 Mạch trừ - Mạch khuếch đại vi sai
+ _
Trang 49• Mạch khuếch đại trừ còn được thực hiện như
Trang 51ii
iF
i O
dV RC
V
dt
Trang 52L Năng lượng và công suất
• Năng lượng
• Công suất
• Công suất của MOSFET
• Công suất tiêu tán của CMOS ( công suất tĩnh = 0 )
• Công suất tiêu tán của BJT
Công suất tĩnh của MOSFET khi dẫn:
Công suất của cổng Inverter
2
S static
L ON
V P
L ON
S L L S L L dynamic
V P
R R
V R C V R C f P
Trang 53M Chuyển đổi năng lượng
Trang 54Khái niệm chuyển đổi công suất
battery
-Hiệu suất công suất của bộ chuyển đổi quan trọng thường
dùng một lô linh kiện sau: Bậc MOSFET, tụ điện, cuộn cảm,
PCC
PCC
Trang 55Các mạch diod
Trang 562.Chỉnh lưu toàn kỳ ( toàn sóng)
a Chỉnh lưu toàn kỳ 2 diod
Vip
Vipn1: n2
D1
D2
VLRL
i1i2
VLDC = 0,636 Vp
Trang 57b.Cầu chỉnh lưu ( 4Diod)
Xét mạch chỉnh lưu toàn kỳ 4 diod :
VoDC
D4
D2 D3
Trang 583.Mạch lọc
a Mạch lọc trong chỉnh lưu bán kỳ
Do tụ lọc có trị số lớn,nên dạng sóng nạp
nhanh và xã chậm , nên dạng sóng ra khá
thẳng ( phẳng)
Ta có hình vẽ sau ( với cách vẽ phóng đại):
Vcmax =Vp Vrp Vrpp
0 II Vcmin VLDC 4II
Trang 59Dạng sóng ngõ ra mạch chỉnh lưu
và lọc toàn kỳ:
V cmax = V p V rp V rpp
V LDC T 2 =T V cmin
Trang 601 0, 01
2
0, 011
Trang 61Bộ cấp điện DC
1.Bộ cấp điện đơn giản
Macïh gồm các thành phần chủ yếu sau:
Trang 622.Bộ cấp điện ổn định đơn giản
a.Mạch điện:
Rs điện trở giới hạn dòng
RL điện trở tải
Trang 642 S khởi ngưng, diod khởi dẫn, C nạp, vo tăng
3 S ngưng, , diod khởi ngưng, C giử vững vo ( xã qua tải )
Trang 65Để giử vửng vo, ta phaỉ điếu khiển thời gian S dẫn/ ngưng
T + Vref
Tp
Cách điều chế độ rộng xung (PWM) cho:
- Nếu (vo – vref) tăng thì T giảm, Vo giảm lại để giử vo không đổi
- Nếu (vo –vref) giảm thì T tăng, Vo tăng lên để giử vo không đổi
+ vo -
+ - VI
Trang 662 Mạch hạ thế