Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực nghịch.. Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận.. Qua hai chuyển tiếp p-n 1 Điện trở RE trong các mạch
Trang 1TT Câu hỏi và đáp án Đáp án
1 Transistor lưỡng cực (BJT) không có đặc điểm sau
a gồm hai chuyển tiếp p-n
b Có ba điện cực
c Có ba lớp bán dẫn khác loại xếp xen kẽ
d Gồm một chuyển tiếp p-n
2 Transistor lưỡng cực (BJT) là transistor có dòng ra
a Được điều khiển bằng áp vào
b Được điều khiển bằng dòng vào
c Được điều khiển bằng điện trường ngoài
d Không điều khiển được
3 Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
a Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch
d Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận
4 Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ tắt thì
a Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch
d Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận
5 Để phân cực cho transistor lưỡng cực (BJT) hoạt động ở chế độ bão hòa thì
a Mối nối B-E và B-C phải được phân cực nghịch
b Mối nối B-E và B-C phải được phân cực thuận
c Mối nối B-E phải được phân cực thuận và B-C phải được phân cực
nghịch
d Mối nối B-E phân cực nghịch và B-C phải được phân cực thuận
6 Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ khuếch đại thì
a I C =βI B
b V CE =0
c I C =0
d I C ≤βI B
7 Khi transistor lưỡng cực hoạt động ở chế độ tắt thì
a I C =βI B
b V CE =0
c I C =0
d I C ≤βI B
8 Dòng ICBO là dòng rỉ
a Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c Của mối nối BE khi cực C hở mạch
Trang 2d Của transistor
9 Dòng ICEO là dòng rỉ
a Của mối nối CB khi cực E hở mạch
b Của mối nối CE khi cực B hở mạch
c Của mối nối BE khi cực C hở mạch
d Của transistor
10 Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng
a Qua các chuyển tiếp p-n
b Qua kênh dẫn
c Qua bán dẫn
d Qua hai chuyển tiếp p-n
11 Dòng điện chạy trong transistor lưỡng cực là dòng tham gia của các hạt tải
a Đa số
b Thiểu số
c Đa số và thiểu số
d Electron
12 Khi nhiệt độ làm việc của transistor thay đổi thì
a Dòng điện chạy trong transistor bị thay đổi
b Dòng điện chạy trong transistor không bị thay đổi
c Dòng điện chạy trong transistor tăng khi nhiệt độ tăng
d Dòng điện chạy trong transistor giảm khi nhiệt độ tăng
13 Hình bên là cách mắc transistor
a Theo kiểu CE
b Theo kiểu CB
c Theo kiểu CC
d A, b v à c đều đúng
14 Để transistor lưỡng cực hoạt động có
a 1 cách mắc
b 2 cách mắc
c 3 cách mắc
d 4 cách mắc
15 Đường đặc tuyến vôn –ampe bên là
Trang 3a Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CE
b Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CE
c Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor npn mắc CB
d Đường đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor pnp mắc CB
16 Đường đặc tuyến vơn –ampe bên là
a Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
npn mắc CE
b Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
pnp mắc CE
c Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
npn mắc CB
d Đường đặc tuyến ngõ ra của transistor
pnp mắc CB
17 Cấu trúc của JFET khơng cĩ đặc điểm sau
a Cĩ 3 điện cực
b Cĩ một kênh dẫn
c Cĩ một chuyển tiếp p-n
d Cĩ hai chuyển tiếp p-n
18 Transistor trường (FET) là transistor cĩ dịng ra
a Được điều khiển bằng áp vào
b Được điều khiển bằng dịng vào
c Được điều khiển bằng ánh sáng
d Khơng điều khiển được
19 JFET kênh n cĩ đặc điểm
a Điện trở kênh dẫn thay đổi khi điện áp VGS thay đổi
b Điện trở kênh dẫn tăng khi điện áp VGS càng âm
c Điện trở kênh dẫn giảm khi điện áp VGS càng âm
d Điện trở kênh dẫn khơng thay đổi khi điện áp VGS thay đổi
20 JFET kênh p hoạt động khi
a VGS ≥ 0 và VDS > 0
b VGS ≤ 0 và VDS < 0
c VGS ≥ 0 và VDS < 0
0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V)
1 0
3 0
5 0
7 0
9 0
10 0
IB (µA) V
CE = 1V
VCE = 10V
VCE = 20V
0
(b)
V
CE (V )
IC (mA)
0
1
5
2
0
Vùng ngưng dẫn I
CE
O
(a)
V
CE (BH)
0 1 2 3 4 5
6 Vùng bão hòa 7
IB = 0
IB = 10
IB = 20
IB = 30
IB = 40
IB = 50
IB = 60
IB = 70
IB = 80
Vùng tích cực
Trang 4d VGS ≤ 0 và VDS > 0
21 Các điện cực của MOSFET gồm cực
a B, C, E
b D, S, G
c D, S, G, Sub
d D, S, B
22 Dòng điện chạy trong FET chủ yếu là dòng của
a Hạt tải đa số
b Hạt tải thiểu số
c Electron
d Hole
23 Transistor trường có đặc điểm sau
a Dòng vào bằng 0
b Dòng vào khác 0
c Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo phương trình Shockley
2
1
−
=
p
GS DSS
D
V
V I
I
d Quan hệ giữa dòng ra và dòng vào khi hoạt động ở chế độ tuyến tính theo phương trình I C =βI B
24 D_MOSFET là FET không có đặc điểm sau
a. Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2
b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n
c. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S
d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm
25 E_MOSFET là FET có đặc điểm sau
a. Cực cổng G hoàn toàn cách ly với kênh dẫn bằng lớp điện môi Sio2
b. Cực cổng G cách ly với kênh dẫn bằng chuyển tiếp p-n
c. Kênh dẫn được thiết lập sẵn, nối cực D với S
d. Có thể hoạt động với điện áp VGS dương hay âm
26 Công thức nào sau đây biểu diễn quan hệ giữa ngõ ra với ngõ vào của D_MOSFET
a
2
1
−
=
p
GS DSS
D
V
V I
I
b I C =βI B
th GS
d
2
1
−
=
p DSS
D
V
V I
27 Thông số nào dưới đây không phải là thông số giới hạn của BJT
a ICmax
b VCEmax
c PCmax
d ICEO
Trang 528 Thơng số nào dưới đây khơng phải là thơng số giới hạn của FET
a. IDmax
b. VDSmax
c. PCmax
d. PDmax
29 Dịng điện chạy trong transistor trường là dịng
a Qua các chuyển tiếp p-n
b Qua kênh dẫn
c Qua bán dẫn
d Qua hai chuyển tiếp p-n
1 Điện trở RE trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực (BJT) cĩ chức
năng
a Phân cực cho cực E
b Ổn định nhiệt cho trnasistor
c a và b đều đúng
d a và b đều sai
2 Tụ CE trong mạch cĩ chức năng
a ngắn mạch RE đối với nguồn tín hiệu
b hở mạch RE đối với nguồn tín hiệu
c ngắn mạch RE đối với nguồn phân cực
d Giảm hệ số khuếch đại của mạch
3 Trong các mạch phân cực của transistor lưỡng cực, mạch phân cực cĩ tính bất
ổn định nhiệt nhất là:
a mạch phân cực theo kiểu định dịng
b mạch phân cực theo kiểu phân áp
c mạch phân cực cĩ hồi tiếp từ collector
d mạch phân cực theo kiểu định dịng cĩ RE
4 Hệ số bất ổn định nhiệt của các dạng mạch phân cực dùng BJT cĩ giá trị lớn
nhất khi
e.R B /R E >(β +1)
f R B /R E <(β +1)
g R B /R E <1
h R B /R E =(β +1)
5 Hệ số bất ổn định nhiệt SI nhỏ nhất khi
Trang 6a R B /R E >(β +1)
b R B /R E <(β +1)
c R B /R E <1
d R B /R E =(β +1)
6 Sự bất ổn định nhiệt của dòng IC do thông số nào bị thay đổi của BJT theo
nhiệt độ
a. Vγ
b. β
c. ICBO
d. a, b và c
7 điện trở RS trong mạch phân cực của transistor trường có chức năng
e Phân cực cho cực S
f Ổn định nhiệt cho transistor
g a và b đều đúng
h a và b đều sai
8 Trong các dạng mạch phân cực sau đây dạng nào không phải là dạng mạch
phân cực cho transistor trường
e mạch phân cực theo kiểu định dòng
f mạch phân cực theo kiểu phân áp
g mạch tự phân cực
h mạch phân cực cố định
9 Để phân cực cho E_MOSFET kênh n không thể sử dụng dạng mạch phân cực
nào dưới đây
e mạch phân cực hồi tiếp
f mạch phân cực theo kiểu phân áp
g mạch tự phân cực
h mạch phân cực cố định
PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ
1 BJT có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
Trang 7e Một
f Hai
g Ba
h Bốn
2 Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT được sử dụng khi
a BJT hoạt động với tín hiệu nhỏ
b BJT hoạt động với tín hiệu lớn
c BJT hoạt động với tín hiệu trung bình
d A, b và c
3 Mô hình tương đương tín hiệu nhỏ của BJT mắc theo kiểu CE chỉ được sử dụng khi mạch khuếch đại dùng BJT
e Mắc theo kiểu CE
f Mắc theo kiểu CB
g Mắc theo kiểu CC
h A, b, c đều đúng
4 Thông số hib của BJT được tính theo công thức
E
BE
I
V
∆
∆
=
B
BE
I
V
∆
∆
=
E
BE
I
V
∆
∆
=
B
BE
I
V
∆
∆
=
5 Thông số hfe là hệ số khuếch đại của BJT đối với
a Dòng điện xoay chiều
b Dòng điện một chiều
c Điện áp xoay chiều
d Điện áp một chiều
6 Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thông số h được biểu diễn
e Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
f Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
g Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
h Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng ra
7 Trong các mạch khuếch đại sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp lớn nhất
e. Mạch khuếch đại mắc kiểu CE
f. Mạch khuếch đại mắc kiểu CB
g. Mạch khuếch đại mắc kiểu CC
h. A v à b
8 Mạch khuếch đại có điện trở vào bé nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
e CE
f CB
g CC
h Cả 3 đều có tổng trở vào bằng nhau
Trang 89 Mạch khuếch đại có điện trở ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a CE
b CB
c CC
d CE và CB
10 Mạch khuếch đại có điện trở vào lớn nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a CE
b CB
c CC
d CC và CE
11 Mạch khuếch đại có điện áp ra cùng pha với áp vào là mạch
a CE
b CB
c CC
d CC và CB
12 Phương trình của mạng hai cửa tuyến tính theo thông số y được biểu diễn
e Áp vào và dòng ra theo dòng vào và áp ra
f Áp vào và áp ra theo dòng vào và dòng ra
g Dòng vào và dòng ra theo áp vào và áp ra
h Dòng vào và áp ra theo áp vào và dòng ra
13 JFET có bao nhiêu mô hình tương đương tín hiệu nhỏ
e Một
f Hai
g Ba
h Bốn
14 Thông số gm của JFET được tính theo công thức
−
=
p
GS mo
m
V
V g
−
−
=
p
GS P
DSS m
V
V V
I
g
DSS
D mo
I g
g =
h cả 3 đều đúng
15 Trong các mạch khuếch đại dùng JFET sau mạch nào có hệ số khuếch đại áp nhỏ nhất
a Mạch khuếch đại mắc kiểu CD
b Mạch khuếch đại mắc kiểu CS
c Mạch khuếch đại mắc kiểu CG
d b v à c
16 Mạch khuếch đại có điện trở ngõ ra nhỏ nhất là mạch khuếch đại mắc kiểu
a CD
b CS
Trang 9c CG
d CD v à CS
17 Mạch khuếch đại có điện áp ra ngược pha với áp vào là mạch
e CD
f CS
g CG
h CC v à CG
18 Mô hình tương đương gần đúng đối với tín hiệu nhỏ
hình bên là mô hình của
e JFET
f D_MOSFET
g E_MOSFET
h a,b, c
CÁC KIỂU GHÉP TẦNG KHUẾCH ĐẠI
1 Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số
khuếch đại áp của toàn mạch
=
i V
A
1
=
= n
i V
A
1
g n
i V
A
1
=
=
h n
i V
A
1
=
=
2 Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có hệ số
khuếch đại dòng của toàn mạch
=
i i
A
1
=
= n
A
1
Trang 10c n
i i
A
1
=
=
d n
i i
A
1
=
=
3 Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ vào của mạch là
a Z i =Z i1
b Z i =Z in
=
= n
Z
1
=
i i
Z
1
4 Một mạch khuếch đại gồm n tầng khuếch đại ghép với nhau sẽ có tổng trở ngõ
ra của mạch là
e. Z O =Z O1
f. Z O =Z On
g. Z O =Z O(n+ 1 )
h. Z O =Z O(n− 1 )
5 Có bao nhiêu cách ghép tầng khuếch đại
a Một
b Hai
c Ba
d Bốn
6 Mạch khuếch đại ghép R-C có đặc điểm
a Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua tụ điện
b Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện trở
c Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp
d Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máy biến áp
7 Mạch khuếch đại ghép biến áp có đặc điểm
e Khuếch đại được cả tín hiệu DC và AC
f Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua điện trở
g Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau trực tiếp
h Các tầng khuếch đại trong mạch được liên lạc với nhau thông qua máy biến áp
Trang 118 Mạch khuếch đại ghép trực tiếp khơng cĩ đặc điểm
a Các tầng khuếch đại ghép trực tiếp
b Các tầng khuếch đại khơng cách ly về DC
c Khuếch đại được tín hiệu DC và AC
d Ổn định nhiệt
9 Dạng ghép trực tiếp đặc biệt nào cho hệ số khuếch đại dịng lớn
a Darlington
b Vi sai
c Cascode
d A, b, c đều sai
10 Mạch khuếch đại vi sai khơng cĩ đặc điểm
e Cĩ hai ngõ vào
f Ngõ ra vi sai chỉ khuếch đại đối với tín hiệu vi sai
g Ngõ ra vi sai chỉ khuếch đại đối với tín hiệu cách chung (cộng sai)
h Triệt nhiễu đồng pha tốt
11 Mạch khuếch đại ghép cascode thường được sử dụng
e Mạch khuếch đại tần số thấp
f Mạch khuếch đại tần số cao
g Mạch khuếch đại tín hiệu
h Làm mạch khuếch đại đệm
12 Mạch khuếch đại ghép cascode khơng cĩ đặc điểm sau
e. Cĩ một ngõ vào
f. Cĩ hai ngõ vào
g. Gồm mạch khuếch đại mắc CE ghép với CB
h. Hệ số khuếch đại bằng một tầng khuếch đại
13 Mạch khuếch đại ghép Darlington khơng cĩ đặc điểm
e Gồm hai transistor ghép trực tiếp
f Cĩ hệ số khuếch đại dịng điện của transistor tương đương bằng tích hệ
số khuếch đại dịng điện của hai transistor thành ph ần
g Cĩ hệ số khuếch đại dịng điện của transistor tương đương bằng tổng
hệ số khuếch đại dịng điện của hai transistor thành phần
h Cĩ tổng trở vào lớn
14 Cĩ bao nhiêu cách ghép Darlington?
e Một
f Hai
g Ba
h Bốn
Trang 1215 Mạch hình bên là mạch khuếch đại ghép
a Darlington
b Vi sai
c Cascode
d A,b,c đều sai
16 Tại sao trong mạch khuếch đại vi sai người ta thường dùng nguồn dòng thay
cho điện trở RE
e Ổn định dòng điện tại cực E
f Tăng hệ số khuếch đại dòng điện
g Tăng hệ số khuếch đại đối với tín hiệu vi sai
h Tăng tỉ số nén tín hiệu cách chung
17 Tỉ số nén tín hiệu cách chung được tính bằng công thức:
a
VC
VD
A
A CMRR=
b
VC
VD dB
A
A CMRR =20lg
c
VD
VC
A
A CMRR=
d a và b đều đúng
e Ngân hàng câu hỏi và đáp án chi tiết chương 4
+
−
VCE10µF
C2
C1
IC
RC
Ngõ vào ac
VCC
RB
Ngõ ra ac
IB
β = 50
Trang 13Đáp án
C CQ CC CEQ
B CQ
B
BE CC BQ
R I V V
I I
R
V V I
−
=
=
−
= β
Đáp án
) ( C E
CQ CC CEQ
B E
BE CC CQ
R R I V V
R R
V V I
+
−
= +
−
=
β
3 Câu hỏi Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) theo phương pháp tính chính xác 1đ
β = 50
VCC = 15V
IC
IB
RE
C2
Si
V0 C
V
i
IE
VE
IC
VCC
E
10µF
IE RE
10µF
VC
VE
VCE
Vi
Vo
β = 140
C1
Trang 14Đáp án
C CC CE
E B C
E BB
CE BB B
B B
B B BB
CC B B
B B
R R I V V
I I I
R R
V V I
R R
R R R
V R R
R V
+
−
=
≅
=
+ +
−
=
+
=
+
=
β
2 1
2 1
2 1 2
4 Câu hỏi Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) theo phương pháp tính gần đúng 1đ
Đáp án
E C CE
C C CC C
C E
E E
BE B E
CC B B
B B
V V V
R I V V
I R
V I
V V V
V R R
R V
−
=
−
=
≅
=
−
= +
=
2 1 2
VCC
+
VBB
R BB
R C
RD2
IC
VCC
E
10µF
IE RE
10µF
VC
VE
VCE
Vi
Vo
β = 140
C1
C2
Trang 155 Câu hỏi Tìm điểm tĩnh Q(ICQ, VCEQ) 1đ
Đáp án
CQ C CC CEQ
C B
BE CC CQ
BE
B CQ C CQ CC
I R V V
R R
V V I
V
R I R I V
−
=
+
−
=
→
+ +
=
β
β
Đáp án
E CQ CC CEQ
E B
BE CC CQ
E CQ BE B
CQ CC
R I V V
R R
V V I
R I V R
I V
−
=
+
−
=
→
+ +
=
β β
-R c
+
-C 2
+
R f
V c c
C 1
V i n
V o u t
C 1
V c c
R e
C 2V o u t
R b
V i n
