Giáo trình Điện tử thông tin: Phần 1 CĐ Kỹ Thuật Cao Thắng

(NB) Với 3 chương đầu tiên Giáo trình Điện tử thông tin: Phần 1 trình bày nội dung về mạch khuếch đại công suất âm tần, đáp ứng tần số của mạch khuếch đại, mạch lọc tích cực sử dụng op amp. Mời các bạn cùng tham khảo

TRƯỜNG CAO ĐẲNG KỸ THUẬT CAO THẮNG

KHOA ĐIỆN TỬ - TIN HỌC

BỘ MÔN ĐIỆN TỬ VIỄN THÔNG

NGUYỄN DUY THẮNG LẠI NGUYỄN DUY NGUYỄN PHÚ QUỚI

GIÁO TRÌNH

ĐIỆN TỬ THÔNG TIN

TP HỒ CHÍ MINH - 2018

(LƯU HÀNH NỘI BỘ)

i

MỤC LỤC

CHƯƠNG 1 1

MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN 1

1.1 KHÁI NIỆM VỀ KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT 1

1.2 KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP A 2

1.2.1 Mạch dùng cuộn chặn 2

1.2.2 Mạch ghép biến áp 8

1.3 KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP B 11

1.4 KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT DÙNG TRANSISTOR BỔ PHỤ 15

BÀI TẬP CHƯƠNG 1 17

CHƯƠNG 2 1

ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI 1

2.1 KHÁI NIỆM VỀ ĐÁP ỨNG TẦN SỐ 1

2.2 THANG ĐO DECIBEL 1

2.3 ĐỒ THỊ BODE 2

2.4 PHÂN TÍCH ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP 6

2.4.1 Mạch có tụ ngõ vào 6

2.4.2 Mạch có tụ bypass 8

2.4.3 Mạch có tụ ngõ vào và ngõ ra 9

2.4.4 Mạch có tụ hỗn hợp 13

2.5 PHÂN TÍCH ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CAO 13

2.5.1 Mạch tương đương tần số cao 13

2.5.2 Hiệu ứng Miller 16

BÀI TẬP CHƯƠNG 2 20

CHƯƠNG 3 26

MẠCH LỌC TÍCH CỰC SỬ DỤNG OP-AMP 26

3.1 Khái niệm 26

3.2 Mạch lọc tích cực thông thấp (Low Pass Filter – LPF) 27

3.2.1 Mạch lọc thông thấp bậc một 27

3.2.2 Mạch lọc thông thấp bậc cao 30

ii

3.3 Mạch lọc tích cực thông cao (High Pass Filter – HPF) 33

3.3.1 Mạch lọc tích cực thông cao bậc một 33

3.3.2 Mạch lọc thông cao bậc cao 36

3.4 Mạch lọc thông dải (Band pass filter – BPF) 39

3.4.1 BPF bằng cách kết hợp HPF và LPF 39

3.4.2 Mạch lọc thông dải BPF dùng cấu trúc đa hồi tiếp 42

3.4.3 Mạch lọc thông dải BPF dùng cấu hình Sallen-Key 43

3.5 Mạch lọc chắn dải (Notch filter hay BSF: Band stop filter) 44

BÀI TẬP CHƯƠNG 3 46

CHƯƠNG 4 52

MẠCH DAO ĐỘNG 52

4.1 NGUYÊN LÝ HÌNH THÀNH DAO ĐỘNG 52

4.2 MẠCH TƯƠNG ĐƯƠNG KHI PHÂN TÍCH MẠCH DAO ĐỘNG 53

4.3 CÁC MẠCH DAO ĐỘNG CƠ BẢN 56

4.3.1 Mạch dao động Hartley 56

4.3.2 Mạch dao động Colpitt 56

4.3.3 Mạch dao động dịch pha 57

4.3.4 Mạch dao động cầu Wien 60

4.3.5 Mạch dao động Clapp 63

4.3.6 Dao động thạch anh (Crystal OSC) 64

BÀI TẬP CHƯƠNG 4 67

CHƯƠNG 5 68

MẠCH CỘNG HƯỞNG 68

5.1 MẠCH CỘNG HƯỞNG SONG SONG 68

5.2 MẠCH CỘNG HƯỞNG NỐI TIẾP 71

5.3 TRUYỀN CÔNG SUẤT CỰC ĐẠI CHO TẢI 73

5.4 MẠCH PHỐI HỢP TRỞ KHÁNG 74

BÀI TẬP CHƯƠNG 5 76

CHƯƠNG 6 79

MẠCH ĐIỀU CHẾ TÍN HIỆU 79

6.1 KHÁI NIỆM VỀ ĐIỀU CHẾ TÍN HIỆU 79

6.2 ĐIỀU CHẾ VÀ GIẢI ĐIỀU CHẾ THEO BIÊN ĐỘ 79

iii

6.3 ĐIỀU CHẾ THEO TẦN SỐ 83

6.4 ĐIỀU CHẾ THEO GÓC PHA 88

6.5 CÁC KỸ THUẬT ĐIỀU CHẾ SỐ 89

BÀI TẬP CHƯƠNG 6 92

TÀI LIỆU THAM KHẢO 93

PHỤ LỤC 94

TỔNG QUÁT VỀ HỆ THỐNG ĐIỆN TỬ THÔNG TIN 94

1

CHƯƠNG 1 MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT ÂM TẦN

Trang bị cho sinh viên: Kiến thức về phân tích nguyên lý và tính toán các thông số công suất các của mạch khuếch đại công suất âm tần

1.1.KHÁI NIỆM VỀ KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT

Được thiết kế để cho tải có công suất lớn, không bị méo và trung thực

Hình 1.1 Sơ đồ vị trí mạch khuếch đại công suất

Phân loại: Mạch khuếch đại công suất

được phân loại theo dạng sóng hình sin

đi qua cực C của transistor

Có 4 loại chính:

Khuếch đại công suất lớp A:

Khuếch đại công suất lớp AB:

Khuếch đại công suất lớp B:

Khuếch đại công suất lớp C:

Hình 1.2 Phân loại mạch khuếch đại công suất

Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ

Mạch khuếch đại công suất R

Xét mạch khuếch đại công suất lớp A dùng cuộn chặn RFC như sau:

Hình 1.3 Mạch khuếch đại công suất lớp A dùng RFC

Phân tích mạch:

Do L→ ∞ nên xem như ngắn mạch ở DC và hở mạch ở AC

 Phân tích DC: (ngắn mạch L)

e b

BEQ BB

CQ

RR

VVI

R I

R

V I

CC CQ

RR

VR

R

VI

L ac

CQ

RR

RR

.IV

CC CQ

max LM max CM

RR

VI

II

Bỏ qua điện áp rơi trên Re: VCEQ ≈ VCC không phụ thuộc vào ICQ

Lưu ý rằng giá trị dòng iC thay đổi từ 0 đến 2ICQ và vCE sẽ thay đổi từ 2VCC đến 0

Tính toán công suất:

Ta có:

c L

CC c CQ

R

ViI

R

VI

ii

4

L c cc ce CEQ

Biên độ dòng ic là Icm đạt giá trị bằng ICQ hay Icm ≤ ICQ

Công suất nguồn cung cấp: không phụ thuộc vào dòng tín hiệu vào

L

2 CC CQ

CC CC

R

VI

RI

2 cm L 2 Lm

Công suất tiêu tán trung bình cực đại xảy ra khi Icm = ICQ

L

2 CC L

2 CQ max , L

R2

V2

RI

Công suất tiêu tán trên cực C:

2

RIR

VPP

2 cm L

2 CC L CC

PC cực tiểu khi PL đạt cực đại:

L

2 CC min

, C

R2

CC

L 2 cm

CC

L

I

I2

1I

V2

RI

5

2P

P

max , L

max ,

Do đó, để cung cấp ra tải 25W thì chọn transistor có công suất tiêu tán là 50W

Đường Hyperbol tiêu tán cực đại: Các thông số cần thiết khi chọn transistor công suất khi thiết kế

Phải chịu dòng khoảng 2ICQ

Điện áp chịu đựng VCE ≥ VCC

Tần số hoạt động không nhỏ hơn tần số tín hiệu

PC,max = VCEQ.ICQ

Hình 1.6 Đường Hyperbol công suất

Để làm việc an toàn, điểm tĩnh Q phải nằm dưới đường hyperbol Đường tải AC có độ dốc (-1/RL) giao với trục vCE ở điện áp bé hơn BVCEO và giao với trục iC ở dòng nhỏ hơn

iC cực đại Tức là:

CEO

CC BVV

C

CQ maxiI

R

P

I  và VCEQ  PC,maxRLTại điểm Q, độ dốc của đường hyperbol là:

L CEQ

CQ CE

C

R

1V

Iv

P C,max = v CE i C (sau khi suy giảm)

P C,max (trước khi suy giảm)

BVCEO

0

CE L

C   , điểm Q là giao điểm của đường này và đường PC,max =ICQ.VCEQ = 4 Từ hình vẽ, ta suy ra:

63.0104

ICQ  

3.610.4

1063.02

RIP

2 L

2 CQ max ,

0.63

1.26

PC, max = 4W

0

Q

 Atsin

1

PL,max  2 

Vì RL = 10 không đổi nên đường tải AC cũng không đổi Tuy nhiên, nếu đường tải dịch

chuyển sao cho nó giao với trục iC tại điểm max iC = 1A, điểm Q tại:

ICQ = 0.5A và VCEQ = VCC = 5V

Dòng điện iC = 0.5sint (A) và công suất tiêu tán trên tải:

   0.5 10 1.25W2

1

PL,max  2  

Ta thấy rằng công suất trên tải tính được trong hai trường hợp trên luôn nhỏ hơn 2W Đó

là bởi vì ta không thể bù sự suy giảm biên độ của dòng iC Điều này sẽ được cải tiến trong

mạch khuếch đại ghép biến áp

cực đại

Giải:

Công suất trên tải cực đại khi dòng điện trên

tải đạt cực đại Phương trình ACLL:

8

Do đó: RLICQ VCEQ VCE,sat

Để tránh hiện tượng quá công suất tiêu tán

trên collector, ta cho:

max , C L

sat , CE CQ

R2

VR

PR

max , C sat

, CE CEQ

2

VR

P2

VCC = 6.1 V Chú ý: ACLL tiếp xúc đường Hyperbol không có nghĩa là công suất tiêu tán trung bình

vượt quá PC,max, vì công suất tiêu tán cực đại trên cực C chỉ xảy ra khi không có tín hiệu

Vì Icm = 0.41A nên công suất trung bình trên tải:

0.41  10 0.84W2

1RI21

PL,max  2CQ L  2 Hiệu suất cực đại (bỏ qua tiêu tán trên Re) là:

41.01.6

84.0P

P

CC

max , L



Hệ số sử dụng (chỉ số chất lượng có ích):

98.284.0

5.2

max ,

max

L

C P P

1.2.2 Mạch ghép biến áp

Xét mạch khuếch đại công suất lớp A ghép biến áp như sau:

Hình 1.7 Mạch khuếch đại công suất lớp A dùng biến áp

L 2 c

c

'RRNi

vNi

Hình 1.8 Phương trình đường tải

Nếu chọn Re sao cho Re R'L thì dòng tĩnh để đạt maxswing là:

L

CC CQ

'R

V

Tính toán công suất:

Tính toán tương tự như phần trước, thay RL thành R’L Tín hiệu vào ii có dạng hình sin:

tsinI

Công suất nguồn cung cấp:

L

2 CC CQ

CC CC

'R

VI

.V

Công suất trên tải:

tsinI

iL  Lm 

L

2 Lm

Q

10

L

2 cm

L R'2

2 CC

2

I'R

2 CC max

,

'R

V

Hiệu suất:

%50I

I2

1

max 2

P

max , L

max ,

C 

Ví dụ 1.3: Một transistor có PC,max = 4W, BVCEO = 40, max iC = 1A với mạch ghép biến

áp đến tải 10 Thiết kế bộ khuếch đại để có công suất trên tải đạt cực đại Tính VCC, PL,

4.0R

N

PI

2 L

2 max , c

N3.6RNP

VCEQ  C,max 2 L  (V) Mạch ghép biến áp, có thể chọn điểm Q bất kỳ miễn là:

C

CQ 1 maxiN

6.12I

và 2VCEQ 12.6N40BVCEO

Những bất đẳng thức này xác định giới hạn của N: 1.26<N<3.17

Vấn đề chọn khoảng của điểm Q, trong thực tế thường chọn dòng càng nhỏ càng tốt, nếu dòng càng lớn sẽ kéo theo nguồn cung cấp, kích thước, giá cả

Thường thì nguồn cung cấp VCC đã xác định trước, còn thông số quan trọng khác là tỷ số vòng của biến áp Thường chọn N = 2:

ICQ = 0.32A và VCEQ = 12.6 V ≈ VCC

11

PL,max = (1/2).(0.32)2.22.10 = 2W

1.3 KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT LỚP B

Trong mạch khuếch đại lớp A, hiệu suất lớn nhất là 50% bởi vì giá trị đỉnh của dòng collector Icm ≤ ICQ Trong khuếch đại lớp B, dòng tĩnh ICQ < Icm vì thế công suất tiêu tán collector thấp và hiệu suất tăng lên đến 78.5%

Biến áp đảo pha cung cấp 2 tín hiệu ngược pha 1800 cho T1 và T2 Ngõ ra sẽ có dòng iC1

ILm

t0

iC2

Icm

t0

VCC

Hình 1.9 Lớp B

12

Đối với dạng mạch này, dòng tải sẽ bị méo xuyên 0, hiệu ứng này gọi là méo crossover

Do mạch phân cực, khi không có tín hiệu vào thì vBE = 0, transistor hoạt động trong vùng tuyến tính khi iB đủ dương để vBE ≈ 0.7V (đối với Si)

Để loại bỏ méo dạng này, mối nối BE được phân cực xấp xỉ 0.7V Kết quả này làm mạch trở thành loại AB hơn là loại B Trong thực tế, người ta thường cho phép méo crossover

vì chúng sẽ bị lọc mất tại ngõ ra (do bộ lọc gồm transformer và điện dung phân bố ký sinh)

C R v

= VCC và do đó NvL = 0) đến 2VCC (khi vCE1 = 0 và do đó NvL = VCC) Vì thế khi transistor tắt ACLL là đường nằm ngang iC2 = 0

Như vậy max của iC1 và iC2 là

L

CC cm

'R

T C1 C2CC

T

1VP

mà T / 2      cm

2 /

T iC1 t iC2 t dt 2 IT

CC CC max

, CC

'R

V2'

R

VV

2P

L 2 cm L

2 2 cm L

2 Lm

2

1RNI2

1RI2

, L

'R2

14

Tổng công suất tiêu tán trên T1 và T2:

2

I'RIV

2PPP2

2 cm L cm CC L

'R

V2I

Do đó, giá trị max của PC:

2 CC 2 max , C

'R

V1.0'R

V1P

CC

2 cm L CC

L

V

'RI4I

V2

I'R21P

P

Hiệu suất đạt cực đại khi

L

CC cm

'R

V

I  Khi đó:

%5.784

'R2V

'RV

2 CC

max , L

max ,

Ví dụ 1.4: Thiết kế một mạch khuếch đại lớp B để cho công suất cực đại ở tải 10, biết

PC,max = 4W Dùng hai transistor có: BVCEO = 40V, max iC = 1A Tìm VCC, N và mạch phân cực để tránh méo crossover Tính toán công suất và hiệu suất

Giải:

Công suất trên tải đạt cực đại:

2

IV'R2

V

L

2 CC max

21

VCC  CEO 

15

A1imax

2

IV

P CC cm C,maxmax

,

Điểm Q được chọn để lái transistor đến giá trị cực đại iC và BVCEO Vì thế: VCC = 20V và Icm = 1A Vậy PL,max = 10W

Tỷ số N được xác định như sau:

414.1N2NR

N

V

L 2 CC

1.4 KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT DÙNG TRANSISTOR BỔ PHỤ

Là dạng mạch đảo pha tự động nhờ vào đặc tính dẫn của một cặp transistor pnp và npn

Ưu điểm của loại này là đáp ứng tần số tốt, không dùng các biến thế đảo pha Dạng mạch này xuất hiện phổ biến trong các sơ đồ dùng vi mạch hiện nay

Hoạt động của mạch như sau: khi tín hiệu vào dương thì T1 dẫn và T2 tắt Khi tín hiệu vào

PC,max Quá công suất

L

2 CC max

,

BÀI TẬP CHƯƠNG 1

Bài 1: Bộ khuếch đại công suất như hình sau được phân cực tại ICQ = 0.5A, bỏ qua điện

trở biến áp, biến áp có n:1 = 2:1, RL=5Ω, nguồn VCC = 20V

a Xác định độ dốc của đường tải AC

b Tính giá trị đỉnh cực đại của điện áp

collector khi không bị sái dạng

c Tính công suất cực đại phân phối trên

tải trong điều kiện câu b

d Tính hiệu suất bộ khuếch đại trong

điều kiện câu b

Bài 2: Cho mạch khuếch đại công suất như hình sau:

Transistor Q1 có điện áp bão hòa

1Ω

18

b Tổng công suất cung cấp của nguồn VCC

c Công suất tiêu tán của transistor

d Hiệu suất Nhận xét kết quả

e Vai trò của L?

Có thể bỏ L được không?

Bài 4: Cho mạch điện như hình vẽ

Biết BJT là Si, β=100 Cho VCC = 12V, R1

= 10KΩ, R2 =2.2KΩ, RE =470Ω, RL =

1.5KΩ

a Viết và vẽ đường tải DC và AC

b Giá trị lớn nhất của dòng điện tải?

c Công suất tải, công suất nguồn,

công suất tiêu tán trên transistor?

d Hiệu suất sử dụng nguồn cung cấp

Bài 5: Transistor được hoạt động trong lớp A,

công suất tải yêu cầu cực đại là 2W

Bỏ qua Re tổn hao mạch phân cực

a Tìm PCC, giả sử rằng mạch khuếch đại

được thiết kế để đạt hiệu suất cao nhất

b Tìm ICQ

c Xác định iCmax, VCemax và PCmax

d Nếu RL = 6.25Ω, tìm N

e Vai trò của biến áp?

Bài 6: Cho mạch khuếch đại công suất lớp A ghép Emitter

10Ω 10V

19

a Tìm Rb, VBB và N sao cho công

suất tối đa có thể truyền đến tải

nhận được ở câu b và câu c

Bài 8: Cho mạch sau:

Mạch khuếch đại lớp B đối xứng, bỏ qua

tiêu tán trên các điện trở phân cực

Bài 10: Cho mạch khuếch đại công suất lớp B sau:

Cho Q1 và Q2 giống nhau có hfe = 50 và hie

c Tính công suất tối đa tiêu tán

trên mỗi transistor

1Ω

C → ∞

C → ∞

-10V 10 V

21

Q3, Q4 có hfe = 20, hie = 10, VBEQ =0.7V

a Tính PLmax, PCCmax trên mỗi

nguồn, PCmax trên mỗi

transistor

b

c Vẽ các đường biểu diễn PCC,

PL, PC theo Icm

Bài 13: Cho mạch điện như hình vẽ, các cặp transistor bổ phụ hoàn toàn giống nhau, các

tụ điện có giá trị rất lớn Bỏ qua tiêu tán trên mạch phân cực

a Tính công suất lớn nhất trên tải, nguồn

cung cấp và hiệu suất cực đại của mạch

khuếch đại

b Tính công suất tiêu tán cực đại trên mỗi

transistor

c Giả sử nguồn vi có biên độ là

10V Hãy tính công suất tải,

nguồn cung cấp và công suất

tiêu tán trên mỗi transistor

Biết hie = 10, hfe = 20

Bỏ qua tổn hao trên mạch phân cực

Bài 14: Cho mạch khuếch đại đẩy kéo lớp B như hình vẽ: Với N = 5

a Giải thích hoạt động của mạch

b Tính các giá trị cực đại của iC, iL, vCE, PL, PC và PCC

c Vẽ PCC, PL và PC theo iC trong khoảng 0 < iC < max iC

Bài 15: Cho mạch khuếch đại công suất như hình vẽ

+15V

C R

22

Các transistor có VBEQ = 0.7V, hie = 50Ω, hfe = 20

Biết rằng mạch đang hoạt động với công suất ra

tải là 8W Bỏ qua tiêu tán trên mạch phân cực

a Tính công suất nguồn cung cấp, hiệu

suất mạch khuếch đại

b Tính công suất tiêu tán

trên mỗi transistor

c Tính biên độ điện áp ra vi

để công suất ra tải là 8W

Bài 16: Cho mạch khuếch đại công suất lớp B như hình vẽ:

390

ra trên tải, công suất tải, công suất

nguồn và hiệu suất sử dụng nguồn

cung cấp

b Cho Vi có giá trị hiệu dụng là

5Vrms Xác định công suất tải,

công suất nguồn và hiệu suất của

f Công suất tải, công suất nguồn,

công suất tiêu tán trên mỗi BJT

g Hiệu suất sử dụng nguồn cung cấp

1

CHƯƠNG 2 ĐÁP ỨNG TẦN SỐ CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI

Trang bị cho sinh viên: Kiến thức về phân tích mạch điện tử trong các miền tần số; Cách thức xây dựng đặc tuyến biên tần, pha tần, độ lợi theo tần số của một mạch khuếch đại

2.2 THANG ĐO DECIBEL

Decibel là một đơn vị hàm loga, viết tắt là dB, được dùng trong các lĩnh vực vật lý, điện

tử Có 2 cách tính dB: một dựa trên sự so sánh về điện áp và một dựa trên sự so sánh về công suất

Dựa trên sự so sánh về điện áp:

1

2

lg20

U

U

Ví dụ 2.1: Cho tần số 1 KHz biên độ 1V RMS ở ngõ vào một Ampli và đo được 20V

RMS ở ngõ ra Sau đó, để kiểm tra bandwidth của Ampli, ta tăng tần số lên 20 KHz (vẫn giữ biên độ 1V RMS) và đo được ở ngõ ra là 10V RMS ta sẽ thấy sự thay đổi điện áp của ngõ ra tính theo dB là:

dB

20

10lg

Tần số cao

2

1

2

lg10

P

P

Ví dụ 2.2: Một Ampli cung cấp cho một loa (8 Ohm) một công suất là 50 Watt Nếu ta

đổi một loa khác và có được một công suất là 100 Watt Vậy khác biệt:

dB

50

100lg

im i

c

j

j A

j

j A i

i j

2 1 io

i

1

1A

1

1lg201

lg20lg

lg20

1 2

1

lg20lg

201

lg20

3

Độ dốc các đường tiệm cận ở tần số cao thường được diễn tả theo các tỉ số octave (2:1) hoặc decade (10:1) Do đó khi cần gia tăng 1 octave thì độ lợi sẽ gia tăng 1 lượng là:

dB A

dB

i 20lg1020

Thừa số thứ 3 sẽ vẽ tương tự như thừa số thứ 2

Ví dụ 2.3: Vẽ biểu đồ tiệm cận biên độ (BODE) cho hàm có độ lợi như sau:

10j140

10j40

Sự thay đổi góc phase: giả sử có góc pha arctg1, đường tiệm cận thường dùng là:

1 1

1

1 o

1090

1010

log145

100

(với  = 1/10, thì  = 5.70o và  = 101 thì  = 84.3o)

Ví dụ 2.4: Vẽ đường tiệm cận phase của hàm có độ lợi như ví dụ trên

Hàm truyền pha như sau:

5

hie = 1K

i

C i

i

i

A 

Giải

Mạch tương đương như sau:

Độ lợi của mạch khuếch đại:

3

i e i e e c i

c i

10.80.j1

10.j1610

.801j

101j8

600i

ii

ii

ii

iA

2 12 2

2 6

.10.801

.1016



  3  6

10.80arctg10

arctg

Điểm zero:

e e 1

CR

ChhR1

6

2.4 PHÂN TÍCH ĐÁP ỨNG TẦN SỐ THẤP

2.4.1 Mạch có tụ ngõ vào

Xét mạch khuếch đại CE có tụ ngõ vào cực B như sau:

Tụ CC1 trong mạch sau thường để ghép tín hiệu AC từ nguồn đến cực B của transistor, và cũng để ngăn chặn thành phần DC từ tầng trước sao cho điều kiện phân cực không bị phá vỡ

b i e

fe ie

fe i b b b b c i

c i

sC

1Rr

RrR

h1h

1h

i

vv

ii

ii

e ib

b i i

CRr

1s

sR

h

R//

1f







Đồ thị Bode của biên độ độ lợi dòng:

Ví dụ 1.6: Lấy mạch như hình 2.4a (có tụ

a Tìm tần số 3dB fL của bộ khuếch đại

b Giả sử Re hoàn toàn Bypass (Ce) Tần số 3 dB fL là bao nhiêu?

b e

e e

ib fe b b i

e i

c i

Chh1

R//

R

1s

CR1s

hh1R

Ri

ii

iA

9

b ie fe

ib fe b

b i

c im

R

h1

hh

h1R

Ri

iA

ib fe

b

h1

b e

2

Chh1

R//

1 im

i

Aj

jAA

2 2

2 L

L im

2 2

2 L

2 1

2 L 2 im

2 L

2 L

2 2

2 2

e ib

b i L c

c i

CRR

1s

sC

Rr

1s

sR

h

R//

rRR

b b b b L i

L i

102j

11500

1000

10j

11600

h1500i

vv

ii

ii

i

 

)10.30j1)(

10.16j1(

10.2j10j10

4 5