Xây dựng mạch điện tử mô phỏng đáp ứng của tế bào thần kinh với kích thích xung điện một chiều

Nghiên cứu xây dựng mô hình mạch điện tử của tế bào thần kinh, mô phỏng hoạt động điện của tế bào thần kinh thông qua việc thay đổi các tham số đầu vào về cường độ và tần số xung kích thích.

Trang 1

XÂY D

Từ khóa:

nhau qua m

các t

kh

nghiên c

ứng dụng m

điện thế m

ho

ban đ

đáp

mạnh, điện thế m

kinh (

Hình

ức chế (1) v

đư

XÂY D

ph

vào v

ra c

kh

định l

nh

cứu n

thông qua ho

ừ khóa:

Não ng

nhau qua m

các tế b

Kích thích dòng

khử rung tim, trong phục hồi chức năng v

nghiên c

ứng dụng m

Kích thích lên t

ện thế m

hoạt động của tế b

ban đ

đáp ứng của

ạnh, điện thế m

kinh (

Hình

ức chế (1) v

được một đáp ứng bị động Xung (3) chạm ng

XÂY D

TH

Tóm t

phỏng hoạt động điện của tế b

vào v

ra của mô h

khảo sát sự t

ịnh l

nhất thông qua mô h

ứu n

thông qua ho

ừ khóa:

Não ng

nhau qua m

ế bào th

Kích thích dòng

ử rung tim, trong phục hồi chức năng v

nghiên c

ứng dụng m

Kích thích lên t

ện thế m

ạt động của tế b

ban đầu của nó Nếu xung kích thích không đủ lớn th

ứng của

kinh (hình 1)

Hình 1.

ức chế (1) v

ợc một đáp ứng bị động Xung (3) chạm ng

XÂY DỰNG MẠCH ĐIỆN TỬ MÔ PHỎNG ĐÁP ỨNG CỦA TẾ B THẦN KINH VỚI KÍCH THÍCH XUNG ĐIỆN MỘT CHIỀU

Tóm t

ỏng hoạt động điện của tế b

vào về c

ủa mô h

ảo sát sự t

ịnh lượng tại giá trị n

ất thông qua mô h

ứu này góp ph

thông qua ho

ừ khóa: Mô hình m

Não ngư

nhau qua m

ào th

Kích thích dòng

nghiên cứu h

ứng dụng m

Kích thích lên t

ện thế màng Khi th

ầu của nó Nếu xung kích thích không đủ lớn th

ứng của

ình 1)

Thay đ

ức chế (1) v

đáp

ỰNG MẠCH ĐIỆN TỬ MÔ PHỎNG ĐÁP ỨNG CỦA TẾ B

ẦN KINH VỚI KÍCH THÍCH XUNG ĐIỆN MỘT CHIỀU

Tóm tắt:

ề cường độ v

ủa mô h

ảo sát sự t

ợng tại giá trị n

ày góp ph

thông qua ho

Mô hình m

ười có

nhau qua mạng l

ào thần kinh đệm Một n

Kích thích dòng

ứu hành vi đ

ứng dụng mà nó có th

Kích thích lên t

àng Khi th

ứng của màng cho lo

ình 1)

Thay đ

ức chế (1) và gây hưng ph

đáp ứng (3b) Xung (4) v

ắt: Nghiên c

ờng độ v

ủa mô hình mô ph

ảo sát sự thay đ

ợng tại giá trị n

ày góp ph

thông qua hoạt động của các k

Mô hình m

ời có

ạng lư

ần kinh đệm Một n

Kích thích dòng

ành vi đ

à nó có th

Kích thích lên t

àng Khi th

màng cho lo

Thay đổi điện thế m

à gây hưng ph

ứng (3b) Xung (4) v

Tạ Quốc Giáp

Nghiên c ỏng hoạt động điện của tế b

ờng độ v

ình mô ph hay đ ợng tại giá trị n

ày góp phần hiểu

ạt động của các k

Mô hình mạch điện tử

ời có 10

ưới sợi trục v

Kích thích dòng đi

ành vi đ

à nó có th

Kích thích lên tế b

àng Khi th

ạt động của tế bào Sau đáp

màng cho lo

ạnh, điện thế màng đ

ổi điện thế m

à gây hưng ph

ạ Quốc Giáp

Nghiên c ỏng hoạt động điện của tế b

ờng độ và t

ình mô ph hay đổi c ợng tại giá trị n

ần hiểu

ạch điện tử

1010-10

ới sợi trục v

điện một chiều có vai tr

ành vi động vật m

à nó có thể mang lại

ế bào s àng Khi tham s

ào Sau đáp

màng cho lo

àng đạt tới ng

à gây hưng ph

ạ Quốc Giáp

Nghiên cứu xây dựng mô h ỏng hoạt động điện của tế b

à tần số xung kích thích Qua đó, kiểm chứng giá trị điện áp đầu ình mô phỏng so với cách đáp ứng thực tế của tế b

ổi cư ợng tại giá trị nào c

ất thông qua mô hình m

ần hiểu

ạch điện tử

1011

ới sợi trục v

ện một chiều có vai tr

ộng vật m

ể mang lại

ào s

am s

ào Sau đáp

màng cho lo

ạt tới ng

à gây hưng ph

ạ Quốc Giáp

ứu xây dựng mô h ỏng hoạt động điện của tế b

ần số xung kích thích Qua đó, kiểm chứng giá trị điện áp đầu ỏng so với cách đáp ứng thực tế của tế b

ường độ v

ào c ình m

ần hiểu bi

ạch điện tử; Tế

11 tế b

ới sợi trục v

ộng vật m

ể mang lại

ào sống với một xung điện đủ lớn sẽ gây ra đáp ứng l

am số kích thích tới một ng

ào Sau đáp

màng cho loại kích thích n

ạt tới ng

ổi điện thế màng t

à gây hưng phấn (2, 3, 4) Xung (2) ch

ạ Quốc Giáp

ứu xây dựng mô h ỏng hoạt động điện của tế b

ờng độ v

ào của tham số kích thích cho ra điện thế đáp ứng l ình mạch điện tử của tế b

biết sâu h

ế bào th

ới sợi trục và đuôi gai B

ần kinh đệm Một nơron có th

ộng vật mà đáng quan tâm hơn c

ể mang lại

ống với một xung điện đủ lớn sẽ gây ra đáp ứng l

ố kích thích tới một ng

ào Sau đáp ứng n

ại kích thích n

ạt tới ngư

àng t

ấn (2, 3, 4) Xung (2) ch

ạ Quốc Giáp1*

ứu xây dựng mô h ỏng hoạt động điện của tế bào th

ờng độ và t

ủa tham số kích thích cho ra điện thế đáp ứng l ạch điện tử của tế b

ết sâu h

ạt động của các kênh ion trên màng như Na

bào thần kinh

ào th

à đuôi gai B ơron có th

à đáng quan tâm hơn c

ể mang lại

ố kích thích tới một ng ứng n

ại kích thích n ưỡng v

àng tế b

ấn (2, 3, 4) Xung (2) ch

ứng (3b) Xung (4) vượt quá ng

*

, Nguy

ứu xây dựng mô h

ào th

à tần số kích thích xung điện một chiều v

ết sâu h ênh ion trên màng như Na

ần kinh

ào thần kinh (c

ố kích thích tới một ng ứng này, đi

ại kích thích n ỡng và màng t

ế bào (B) dư

ấn (2, 3, 4) Xung (2) ch

ợt quá ng

, Nguy

ứu xây dựng mô h

ào thần kinh thông qua việc thay đổi các tham số đầu

ần số kích thích xung điện một chiều v

ết sâu hơn v ênh ion trên màng như Na

ần kinh;

1 M

ần kinh (c

ày, đi

ại kích thích n

à màng t

ào (B) dư

ấn (2, 3, 4) Xung (2) ch

ợt quá ng

, Nguyễn L

ứu xây dựng mô hình m

ần kinh thông qua việc thay đổi các tham số đầu

ơn về c ênh ion trên màng như Na

; Kích

1 MỞ ĐẦU

ần kinh (c

à đuôi gai Bản thân các n ơron có thể nhận tín hiệu từ 10

ện một chiều có vai trò quan tr

ử rung tim, trong phục hồi chức năng và gi

ày, điện thế m

ại kích thích này mang tính b

à màng t

ào (B) dư

ấn (2, 3, 4) Xung (2) ch

ợt quá ngư

ễn L

ình m

ề cơ ch ênh ion trên màng như Na

Kích thích xung đi

Ở ĐẦU

ần kinh (còn g

ản thân các n

ể nhận tín hiệu từ 10

ò quan tr

à giảm đau trong v

ện thế m

ày mang tính b

à màng tạo ra một xung điện đặc tr

ào (B) dưới tác dụng các loại xung kích thíc

ấn (2, 3, 4) Xung (2) ch

ợc một đáp ứng bị động Xung (3) chạm ngư

ưỡng, điện thế đáp ứng luôn xuất hiệ

ễn Lê Chi

ình mạch điện tử của tế b

ủa tham số kích thích cho ra điện thế đáp ứng l ạch điện tử của tế bào đ

ơ ch ênh ion trên màng như Na

thích xung đi

Ở ĐẦU

òn g

ản thân các n

ò quan tr

ảm đau trong v

ố kích thích tới một ngư

ện thế m

ày mang tính b

ạo ra một xung điện đặc tr

ới tác dụng các loại xung kích thíc

ấn (2, 3, 4) Xung (2) chưa đ

ưỡng kích thích có thể gây ra đ ỡng, điện thế đáp ứng luôn xuất hiệ

ê Chi

ạch điện tử của tế b

ủa tham số kích thích cho ra điện thế đáp ứng l

ào đ

ơ chế hoạt động điện của m ênh ion trên màng như Na

thích xung đi

Ở ĐẦU

òn gọi l

ản thân các n

ò quan trọng trong y sinh, nh

ảm đau trong v

ưỡng nhất định sẽ l

ện thế màng s

ày mang tính b

ưa đ ỡng kích thích có thể gây ra đ ỡng, điện thế đáp ứng luôn xuất hiệ

ê Chiến1

ào đã xây d

ế hoạt động điện của m ênh ion trên màng như Na

thích xung đi

ọi là các nơron) liên k

ản thân các nơron l

ọng trong y sinh, nh

ảm đau trong v

à đáng quan tâm hơn cả l

ỡng nhất định sẽ l àng s

ầu của nó Nếu xung kích thích không đủ lớn thì tế b

ày mang tính b

ưa đạt ng ỡng kích thích có thể gây ra đ ỡng, điện thế đáp ứng luôn xuất hiệ

1

, Lê K

ã xây d

ế hoạt động điện của m ênh ion trên màng như Na

thích xung điện một chiều

à các nơron) liên k ơron l

ảm đau trong v

ả là kích thích đi

ỡng nhất định sẽ l àng sẽ dần trở về giá trị điện thế nghỉ

ế bào s

ày mang tính bị động Nếu xung kích thích đủ

ạt ng ỡng kích thích có thể gây ra đ ỡng, điện thế đáp ứng luôn xuất hiệ

, Lê K

ã xây dựng Kết quả của nghi

ế hoạt động điện của m ênh ion trên màng như Na + , K

ện một chiều

à các nơron) liên k ơron lại đ

ảm đau trong vật lý trị liệu… Đặc biệt, trong

à kích thích đi

ỡng nhất định sẽ l

ẽ dần trở về giá trị điện thế nghỉ

ào s

ị động Nếu xung kích thích đủ

ạt ngưỡng kích thích n ỡng kích thích có thể gây ra đ ỡng, điện thế đáp ứng luôn xuất hiệ

, Lê Kỳ Bi

ựng Kết quả của nghi

ế hoạt động điện của m

, K + và các ion khác

ện một chiều

à các nơron) liên k

ại đư

3

-10 ọng trong y sinh, nh

ật lý trị liệu… Đặc biệt, trong

à kích thích đi

ào sẽ không đ

ỡng kích thích n ỡng kích thích có thể gây ra đ ỡng, điện thế đáp ứng luôn xuất hiệ

ỳ Biên

ần số xung kích thích Qua đó, kiểm chứng giá trị điện áp đầu ỏng so với cách đáp ứng thực tế của tế bào th

và các ion khác

ện một chiều;

ược đệm đỡ v

105 các nơron khác [ ọng trong y sinh, nh

à kích thích đi

ẽ không đ

ên2

ạch điện tử của tế bào th

ần số xung kích thích Qua đó, kiểm chứng giá trị điện áp đầu

ào th

Điện

ợc đệm đỡ v các nơron khác [ ọng trong y sinh, nh

à kích thích điện nội sọ do những

ỡng nhất định sẽ làm phát sinh đi

ẽ không đ

2

ào th

ào thần kinh Việc

ện th

ợc đệm đỡ v các nơron khác [ ọng trong y sinh, như

ện nội sọ do những

àm phát sinh đi

ẽ không được kích hoạt Sự

ạo ra một xung điện đặc trưng là xung th

ào thần kinh, mô

ần kinh Việc

ần số kích thích xung điện một chiều và đánh giá

ủa tham số kích thích cho ra điện thế đáp ứng là l

ế hoạt động điện của màng t

thế hoạt động.

à các nơron) liên kết chặt chẽ với

ợc đệm đỡ v các nơron khác [

ư ứng dụng trong

àm phát sinh đi

ợc kích hoạt Sự

ưng là xung th

ỡng kích thích nên ch ỡng kích thích có thể gây ra đư ỡng, điện thế đáp ứng luôn xuất hiệ

ần kinh, mô

ần kinh Việc

à đánh giá

à lớn nhất ựng Kết quả của nghi

àng t

ế hoạt động.

ết chặt chẽ với

ợc đệm đỡ và b các nơron khác [ ứng dụng trong

ống với một xung điện đủ lớn sẽ gây ra đáp ứng làm thay đ

àm phát sinh đi

ưng là xung th

ới tác dụng các loại xung kích thích (C) gây

ên ch ược điện thế ỡng, điện thế đáp ứng luôn xuất hiện

ần kinh, mô

ần kinh Việc

à đánh giá

ớn nhất ựng Kết quả của nghi

àng tế b

ế hoạt động.

à bổ trợ bởi các nơron khác [ ứng dụng trong

àm thay đ

àm phát sinh đi

ưng là xung th

h (C) gây

ên chỉ gây ra

ợc điện thế

n

ỰNG MẠCH ĐIỆN TỬ MÔ PHỎNG ĐÁP ỨNG CỦA TẾ BÀO

ần kinh, mô

ần kinh Việc

à đánh giá

ớn nhất ựng Kết quả của nghiên

ế bào

ế hoạt động

ổ trợ bởi các nơron khác [[10] ứng dụng trong

àm thay đ

àm phát sinh điện thế

ưng là xung th

h (C) gây

ỉ gây ra

ÀO

ần kinh, mô

ần kinh Việc

à đánh giá

ớn nhất

ên

ào

ổ trợ bởi 10]] ứng dụng trong

àm thay đổi

ện thế

ưng là xung thần

h (C) gây

ỉ gây ra

ổ trợ bởi ] ứng dụng trong

ổi

ện thế

ần

h (C) gây

ỉ gây ra

Trang 2

mặt ngo

số điện thế m

Ek

kho

ion Na

phân b

nhi

trạng thái khử cực v

theo s

mV nhưng v

tế đạt khoảng +30mV

tái c

bằng điện tích hai b

là giai đo

Hình

đư

pháp mô t

ứng của chúng Từ các luận điểm n

biết các mạch điện tử t

Đi

ặt ngo

ố điện thế m

k do ion K

khoảng

Khi t

ion Na

phân b

nhiều h

ạng thái khử cực v

theo s

mV nhưng v

ế đạt khoảng +30mV

Sau khi hưng ph

tái cực m

ằng điện tích hai b

là giai đo

Hình

đường cong c

được gọi l

có cư

Nh

pháp mô t

ết các mạch điện tử t

Điện thế m

ặt ngo

ố điện thế m

do ion K

ảng

-Khi t

ion Na+ Kênh Na

phân bố các ion hai b

ều hơn so v

theo sợi trục lan truyền tới các tế b

mV nhưng v

Sau khi hưng ph

ực m

là giai đo

Hình 2

ờng cong c

ợc gọi l

có cư

Những hiểu biết về phản ứng điện của các tế b

pháp mô t

ện thế m

ặt ngoài màng mà nguyên do là do s

ố điện thế m

do ion K

-70 mV đ

Khi tế b

Kênh Na

ố các ion hai b

ơn so v

ợi trục lan truyền tới các tế b

mV nhưng v

Sau khi hưng ph

ực màng nh

là giai đoạn tái cực (depolarization)

2 Đáp

ờng cong c

ợc gọi l

có cường độ gấp đôi ng

ững hiểu biết về phản ứng điện của các tế b

pháp mô tả gắn với các khái niệm về mạch điện tử v

ện thế m

ài màng mà nguyên do là do s

ố điện thế màng trong tr

do ion K+

70 mV đ

ế bào hưng ph

Kênh Na

ố các ion hai b

ơn so v

mV nhưng vì ở xuất phát điểm điện thế m

Sau khi hưng ph

àng nh

ạn tái cực (depolarization)

Đáp

ờng cong cư

ợc gọi là ngư

ờng độ gấp đôi ng

ả gắn với các khái niệm về mạch điện tử v

ện thế màng c

àng trong tr

quy

70 mV đ

ào hưng ph

Kênh Na

ố các ion hai b

ơn so với ở mặt ngo

ở xuất phát điểm điện thế m

Sau khi hưng ph

àng nhờ hoạt động của b

Đáp ứng của m

ường độ

à ngưỡng c

ờng độ gấp đôi ng

àng của một tế b

àng trong tr

quyết định đ

70 mV đến

ào hưng ph

Kênh Na+ đư

ố các ion hai b

ới ở mặt ngo

ạng thái khử cực và xu

Sau khi hưng phấn, m

ờ hoạt động của b ằng điện tích hai bên màng t

ứng của m ờng độ ỡng c ờng độ gấp đôi ng

ủa một tế b

àng trong tr

ết định đ

ến -90 mV [

ào hưng phấn, điện thế m

được mở ra, các ion Na

ố các ion hai bên màng: s

ới ở mặt ngo

à xu

ấn, m

ờ hoạt động của b

ên màng t

ứng của m ờng độ -ỡng cơ s ờng độ gấp đôi ng

ết các mạch điện tử tương đương v

ủa một tế b

àng trong trạng thái y

ết định đ

90 mV [

ấn, điện thế m

ợc mở ra, các ion Na

ên màng: s

ới ở mặt ngo

à xuất hiện điện thế h

ấn, màng t

ên màng t

ứng của màng t

- thời gian Mức c

ơ sở (Rheobase) Thời gian cực tiểu cần thiết cho 1 xung kích thích ờng độ gấp đôi ng

ương đương v

ủa một tế b

ạng thái y

ết định được tính theo ph

90 mV [

ên màng: s

ới ở mặt ngoài màng Lúc này, màng b

ất hiện điện thế h

àng t

ên màng t

àng t

ời gian Mức c

ở (Rheobase) Thời gian cực tiểu cần thiết cho 1 xung kích thích ờng độ gấp đôi ngư

ương đương v

ủa một tế bào đư

ạng thái y

ợc tính theo ph

90 mV [[11]

ên màng: s

ài màng Lúc này, màng b

àng tế b

ên màng tế b

àng tế b

ời gian Mức c

ở (Rheobase) Thời gian cực tiểu cần thiết cho 1 xung kích thích ưỡng c

ương đương v

ào đư

ạng thái y

ợc tính theo ph [11]]

ên màng: số l

ế bào d

ờ hoạt động của bơm Na

ế bào như trư

ế bào đ

ời gian Mức c

ở (Rheobase) Thời gian cực tiểu cần thiết cho 1 xung kích thích ỡng c

ương đương v

ào được định nghĩa l

ạng thái yên ngh

ợc tính theo ph ]

ấn, điện thế màng b

ố lượng các ion mang điện tích d

ợi trục lan truyền tới các tế bào khác Tr

ạ

ào dần trở về trạng thái ban đầu, nghĩa l

ơm Na

ào như trư

ào đối với các kích thích có c

ời gian Mức c

ở (Rheobase) Thời gian cực tiểu cần thiết cho 1 xung kích thích ỡng cơ sở để khởi động quá tr

ứng của chúng Từ các luận điểm này, chúng ta có th

ương đương về mặt vật lý cho các tế b

ợc định nghĩa l

ài màng mà nguyên do là do sự ch

ên ngh

ợc tính theo ph

= àng b

ợng các ion mang điện tích d

ất hiện điện thế hưng ph

ào khác Tr

ạ độ

ần trở về trạng thái ban đầu, nghĩa l

ơm Na

ào như trư

ối với các kích thích có c

ời gian Mức cư

ở (Rheobase) Thời gian cực tiểu cần thiết cho 1 xung kích thích

ở để khởi động quá tr (Chronaxy)

ày, chúng ta có th

ề mặt vật lý cho các tế b

ợc định nghĩa l

ự chênh l

ên nghỉ (c

ợc tính theo phương tr

àng bị thay đổi do thay đổi tính thấm của m

ợc mở ra, các ion Na+

ợng các ion mang điện tích d

ưng ph

ào khác Tr

ở xuất phát điểm điện thế màng đ

ộ

ơm Na+/K

ào như trước lúc h

ối với các kích thích có c ường độ kích thích nhỏ nhất gây ra đ

ợc định nghĩa l ênh l

ỉ (còn g ương tr

ln

ị thay đổi do thay đổi tính thấm của m

ở mặt ngo ợng các ion mang điện tích d

ưng ph

ào khác Tr àng đã có tr

=

ần trở về trạng thái ban đầu, nghĩa l /K+ trên màng t

ớc lúc h

ối với các kích thích có c ờng độ kích thích nhỏ nhất gây ra đ

ợc định nghĩa l ênh lệch giữa các ion hai b

òn g ương tr

ln( (

ưng phấn hay điện thế hoạt độn

ào khác Trị số điện thế hoạt động có thể đạt tới 120

ã có tr

.

trên màng t

ớc lúc h

ững hiểu biết về phản ứng điện của các tế bào có th

ợc định nghĩa là chênh l

ệch giữa các ion hai b

òn gọi l ương trình Nernst và th ( )

( )

ấn hay điện thế hoạt độn

ị số điện thế hoạt động có thể đạt tới 120

ã có tr

ln(

trên màng t

ớc lúc hưng ph

ở để khởi động quá tr

(Chronaxy)

ào có th

ả gắn với các khái niệm về mạch điện tử và v

à chênh l ệch giữa các ion hai b

ọi là tr ình Nernst và th ( )

( )

ở mặt ngoài màng ùa vào trong t ợng các ion mang điện tích d

ài màng Lúc này, màng bị đổi cực từ trạng thái phân cực sang

ã có trị số l

( (

trên màng t ưng ph

ào có th

à với các công thức biểu diễn các

ày, chúng ta có thể tiến h

à chênh l ệch giữa các ion hai b

à trạng thái phân cực ình Nernst và th )

)

ài màng ùa vào trong t ợng các ion mang điện tích d

ị đổi cực từ trạng thái phân cực sang

ị số là

trên màng tế b ưng phấn [

ào có thể kích thích đ

ới các công thức biểu diễn các

ể tiến h

à chênh lệch điện thế giữa mặt trong v ệch giữa các ion hai b

ạng thái phân cực ình Nernst và th

à -90 mV nên đi

) )

ế bào, làm tái l

ấn [[2]

ở để khởi động quá trình kh

ể kích thích đ

ể tiến h

ề mặt vật lý cho các tế bào có kh

ệch điện thế giữa mặt trong v ệch giữa các ion hai b

90 mV nên đi

ào, làm tái l [2]] Giai đo

ối với các kích thích có cường độ thay đổi (B) theo ờng độ kích thích nhỏ nhất gây ra đ

ình kh

ể kích thích đ

ể tiến hành các phương pháp nh

ào có kh

ệch điện thế giữa mặt trong v ệch giữa các ion hai b

ài màng ùa vào trong t ợng các ion mang điện tích dương

90 mV nên đi

ào, làm tái l ] Giai đo

ờng độ thay đổi (B) theo ờng độ kích thích nhỏ nhất gây ra đ

ình khử cực gọi l

ể kích thích đ

ành các phương pháp nh

ào có kh

ệch điện thế giữa mặt trong v ệch giữa các ion hai bên màng t

ạng thái phân cực ình Nernst và thường dao động trong

ài màng ùa vào trong t

ương

90 mV nên đi

ào, làm tái l ] Giai đo

ử cực gọi l

ể kích thích đư

ào có khả năng kích thích

ệch điện thế giữa mặt trong v

ên màng t ạng thái phân cực

ờng dao động trong

ài màng ùa vào trong t

ương ở mặt trong m

ấn hay điện thế hoạt động Đi

90 mV nên đi

ần trở về trạng thái ban đầu, nghĩa là di

ào, làm tái lập trạng thái cân ] Giai đoạn n

ử cực gọi l

ược v

ả năng kích thích

ên màng t ạng thái phân cực - pola

ờng dao động trong

ài màng ùa vào trong tế b

ở mặt trong m

g Điện thế n

90 mV nên điện thế tr

à diễn ra quá tr

ập trạng thái cân

ạn n

ờng độ thay đổi (B) theo ờng độ kích thích nhỏ nhất gây ra đư

ử cực gọi là th

ợc và các phương

ên màng tế b pola ờng dao động trong

ế bào làm tái

ở mặt trong m

ện thế n

ện thế tr

ễn ra quá tr

ạn này đư

ờng độ thay đổi (B) theo ờng độ kích thích nhỏ nhất gây ra được đáp ứng

à thời trị

à các phương

ế bào Tr polarization) ờng dao động trong

ị thay đổi do thay đổi tính thấm của màng v

ào làm tái

ở mặt trong m

ện thế n

ện thế trên th

ễn ra quá tr

ày đư

ờng độ thay đổi (B) theo

ợc đáp ứng

ời trị

à các phương

ào Tr rization) ờng dao động trong

àng v

ào làm tái

ở mặt trong màng

ện thế này s

ên th

ễn ra quá tr

ày được gọi

ợc đáp ứng

ời trị

à các phương

ới các công thức biểu diễn các ph

ệch điện thế giữa mặt trong và

ào Trị rization) ờng dao động trong

àng với

ào làm tái àng

ày sẽ

ên thực

ễn ra quá trình

ợc gọi

ợc đáp ứng

à các phương

phản ành các phương pháp nhận

à

ị rization) ờng dao động trong

ới

ào làm tái àng

ẽ

ực

ình

ợc gọi

ợc đáp ứng

à các phương

ản

ận

Trang 3

tử nh

các nghiên c

của Lewis [

và mô hình

Maki

dễ d

mạch n

dựn

xung đi

kinh và đáp

giá đáp

chi

cho m

Hodgkin

kh

ch

hai bóng bán d

hình hóa b

có nhi

hình hóa b

ngu

xác đ

và K

dạng tín hiệu

Đã có nhi

ử nh

các nghiên c

ủa Lewis [

và mô hình

Maki

ễ dàng thay đ

ạch n

ựng m

xung đi

kinh và đáp

giá đáp

chiều đ

Maeda và Makino ch

cho m

Hodgkin

khử hoạt động

chậm đ

hai bóng bán d

Trong m

hình hóa b

có nhi

hình hóa b

nguồn DC 0,04V Khi có tín hiệu kích thích l

xác đ

và K+

ạng tín hiệu

ã có nhi

ử như mô h

các nghiên c

ủa Lewis [

và mô hình

Makino mang nhi

àng thay đ

ạch này Xu

g mạch điện mô phỏng hoạt động điện của m

xung điện một chiều

kinh và đáp

giá đáp

ều đã

MÔ HÌNH MAEDA VÀ MAKINO B

Maeda và Makino ch

cho một tế b

Hodgkin

ử hoạt động

ậm đơn thu

hai bóng bán d

Trong m

hình hóa b

có nhiệm vụ khuếch đại tín hiệu k

hình hóa b

ồn DC 0,04V Khi có tín hiệu kích thích l

xác định th

+ đư

ạng tín hiệu

ã có nhi

ư mô h

các nghiên c

ủa Lewis [

và mô hình

no mang nhi

àng thay đ

ày Xu

ạch điện mô phỏng hoạt động điện của m

ện một chiều

kinh và đáp

giá đáp ứng h

ã đư

Maeda và Makino ch

ột tế b

Hodgkin-Huxley) FitzHugh

Hodgkin-Huxley v

ử hoạt động

ơn thu

hai bóng bán d

Trong m

hình hóa bởi 02 transitor (Q1

ệm vụ khuếch đại tín hiệu k

hình hóa b

ịnh thì các transitor

được mở v

ạng tín hiệu

Hình

ã có nhiều nghi

ư mô hình

các nghiên cứu kế tiếp phát triển v

ủa Lewis [[8]

và mô hình đi

no mang nhi

àng thay đ

ày Xu

kinh và đáp ứng kích thích của tế b

ứng hành vi trên đ

được mô phỏng

Maeda và Makino ch

ột tế bào th

Huxley) FitzHugh

Huxley v

ử hoạt động

ơn thuần Bằng cách th

hai bóng bán d

Trong mạch điện tr

ởi 02 transitor (Q1

hình hóa bởi transitor ng

ì các transitor

ợc mở v

ạng tín hiệu

Hình

ều nghi

ình đi

ứu kế tiếp phát triển v

8]], mô hì

điện n

no mang nhi

àng thay đổi các tham số của mạch điện v

ày Xuất phát từ những vấn đề tr

ứng kích thích của tế b

ành vi trên đ

ợc mô phỏng

2 MÔ PH

Maeda và Makino ch

ào th

Huxley) FitzHugh

Huxley v

ử hoạt động Na

ần Bằng cách th

hai bóng bán dẫn, chúng có thể tạo ra một n

ạch điện tr

ởi transitor ng

ì các transitor

ợc mở v

Hình 3

ều nghi

điện tế b

], mô hì

ện nơron c

no mang nhiều

ổi các tham số của mạch điện v

ất phát từ những vấn đề tr

ành vi trên đ

ợc mô phỏng

2 MÔ PH

Maeda và Makino ch

ào thần kinh FitzHugh

Huxley) FitzHugh

Huxley với quá tr

Na+ ch

ẫn, chúng có thể tạo ra một n

ạch điện tr

ởi transitor ng

ì các transitor

ợc mở và đóng nhanh ho

3 Mô hình

ều nghiên c

ện tế b

], mô hình đi

ơron c

ều ưu đi

ện một chiều, từ đó giải thích các c

ành vi trên đ

ợc mô phỏng

2 MÔ PH

Maeda và Makino ch

ần kinh FitzHugh Huxley) FitzHugh

ới quá tr chậm v

ạch điện trên

ởi transitor ng

ì các transitor

à đóng nhanh ho

Mô hình

ên cứu, đề xuất mô h

ện tế bào c

nh đi ơron của Maeda v

ưu điểm do mô phỏng đ

ừ đó giải thích các c ứng kích thích của tế b

ành vi trên đ

ợc mô phỏng

2 MÔ PH

Maeda và Makino chỉ ra ph

ần kinh FitzHugh Huxley) FitzHugh

ới quá tr

ậm v

ên hình 4

ởi transitor ngư

ì các transitor đư

à đóng nhanh ho

Mô hình

ứu, đề xuất mô h

ào của

nh điện n

ủa Maeda v

ểm do mô phỏng đ

ành vi trên động vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

2 MÔ PHỎNG CÁC THAM SỐ KÍCH THÍCH TR

ỉ ra ph

ần kinh FitzHugh Huxley)

FitzHugh-ới quá trình kh

ậm và làm ch

hình 4

ược Q3

được mở hoặc đóng nhanh hay chậm t

à đóng nhanh ho

Mô hình đi

và lý thuy

ủa Hodgkin và Huxley [

ện nơron

ủa Maeda v

ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ỎNG CÁC THAM SỐ KÍCH THÍCH TR

ỉ ra phương th

ần kinh FitzHugh

-Nagumo ình kh

à làm ch

ần Bằng cách thêm m

hình 4

ởi 02 transitor (Q1 – transitor ngư

ợc Q3

ợc mở hoặc đóng nhanh hay chậm t

à đóng nhanh ho

điện tế b

và lý thuy

Hodgkin và Huxley [

ứu kế tiếp phát triển và đ

ơron

ủa Maeda v

ừ đó giải thích các c ứng kích thích của tế bào th

ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ương th

ần kinh

FitzHugh-Nagumo ình khử cực nhanh, khử cực, kích hoạt v

à làm ch

êm m

hình 4 gồm 2 th transitor ngư

ệm vụ khuếch đại tín hiệu kênh Na

ợc Q3 xác đ

à đóng nhanh hoặc chậm Điện áp đầu ra đ

ện tế b

và lý thuy

à đề xuất các mô h ơron c

ủa Maeda và Makino [

ừ đó giải thích các c

ào th ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ương th -Nagumo (FHN) [ Nagumo

ử cực nhanh, khử cực, kích hoạt v

à làm chậm, tái phân cực,

êm một quá t

ồm 2 th transitor ngư ênh Na xác đ

ặc chậm Điện áp đầu ra đ

ện tế bào th

và lý thuyết

ứu, đề xuất mô hình hóa màng t

ề xuất các mô h của Harmon [

à Makino [

ất phát từ những vấn đề trên, nghiên c

ừ đó giải thích các c

ào thần kinh với xung điện một chiều L ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ương thức mô h Nagumo (FHN) [

đề xuất thay thế d

ậm, tái phân cực,

ột quá t

ồm 2 th transitor ngư ênh Na xác định ng

ào th

ết điện thế hoạt động.

ình hóa màng t Hodgkin và Huxley [

ề xuất các mô h

ủa Harmon [

à Makino [

ểm do mô phỏng đư

ên, nghiên c

ừ đó giải thích các cơ ch

ần kinh với xung điện một chiều L ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ức mô h Nagumo (FHN) [

ề xuất thay thế d

ột quá t

ẫn, chúng có thể tạo ra một nơron đi

ồm 2 thành ph transitor ngư ênh Na+ đư ịnh ng

ào thần kinh của

ện thế hoạt động.

ủa Harmon [

à Makino [ ược điện thế mạng neuron theo thời gian thực,

ổi các tham số của mạch điện và có th

ên, nghiên c

ơ chế tạo ra điện thế hoạt động của tế b

MÔ HÌNH MAEDA VÀ MAKINO BẰNG PHẦN MỀM NI MULTISIM

ức mô hình hóa Nagumo (FHN) [

ột quá trình tái phân c ơron đi

ành ph transitor ngược, Q2

được nối với nguồn DC 5V; k ịnh ngư

ồn DC 0,04V Khi có tín hiệu kích thích là xung đi

ần kinh của

ủa Harmon [

à Makino [[

ợc điện thế mạng neuron theo thời gian thực,

à có th

ên, nghiên c

ạch điện mô phỏng hoạt động điện của màng t

ế tạo ra điện thế hoạt động của tế b

ẰNG PHẦN MỀM NI MULTISIM

ình hóa Nagumo (FHN) [

rình tái phân c ơron đi

ành phần dao động c

ợc, Q2

ợc nối với nguồn DC 5V; k ưỡng tín hiệu kích thích v

à xung đi

ần kinh của

ình hóa màng t Hodgkin và Huxley [[

ủa Harmon [[4]

[7]] Trong đó, mô h

à có thể xây dựng đ

ên, nghiên cứu đ

àng t

ình hóa Nagumo (FHN) [[

rình tái phân c ơron điện với đáp ứng “b

ần dao động c

ợc, Q2 –

ợc nối với nguồn DC 5V; k ỡng tín hiệu kích thích v

à xung đi

ần kinh của

ình hóa màng tế b

[5]

ề xuất các mô hình

4]], mô hình ] Trong đó, mô h

ể xây dựng đ

ứu đ

àng tế b

ình hóa m [3]] (đư

ậm, tái phân cực, K+

rình tái phân c

ện với đáp ứng “b

ần dao động c – transitor thu

à xung điện 1 chiều có c

ần kinh của Hodgkin và Huxley

ế bào tương t 5]] Đây c ình đi

mô hình ] Trong đó, mô h

ể xây dựng đ

ứu được tiến h

ế bào th

một n ] (đư

ề xuất thay thế dòng

bằng một quá tr rình tái phân cực h

ần dao động c transitor thu

ện 1 chiều có c

Hodgkin và Huxley

ện thế hoạt động

ào tương t ] Đây c điện n

mô hình ] Trong đó, mô h

ể xây dựng đ

ợc tiến h

ào th

ột nơron s ] (được đ òng

ằng một quá tr

ực h

ần dao động c transitor thu

ặc chậm Điện áp đầu ra đư

ào tương t ] Đây cũng l

ện nơron:

mô hình đi ] Trong đó, mô h

ể xây dựng đ

ợc tiến h

ào thần kinh ứng với kích thích

ơron s

ợc đơn gi òng Na

ằng một quá tr

ực hơn, đư

ần dao động cơ b transitor thu

ợc mở hoặc đóng nhanh hay chậm tương

ược biểu diễn tr

ào tương t ũng l ơron:

điện n ] Trong đó, mô h

ể xây dựng được mô h

ợc tiến hành v

ần kinh ứng với kích thích

ơron sử dụng 3 bóng bán dẫn

ơn gi

Na+

ằng một quá tr

ơn, đư

ện với đáp ứng “bùng n

ơ bản, k transitor thuận) mắc kiểu Dalington

ện 1 chiều có c ương

ợc biểu diễn tr

ào tương tự nh ũng là mô hình c ơron: mô hình

ện nơron c ] Trong đó, mô h

ợc mô h ành v

ỎNG CÁC THAM SỐ KÍCH THÍCH TRÊN

ử dụng 3 bóng bán dẫn

ơn giản hóa từ công thức nhanh c

ử cực nhanh, khử cực, kích hoạt và thay th

ằng một quá tr

ơn, được mô h ùng n

ản, k ận) mắc kiểu Dalington

ện 1 chiều có c ương ứng với các k

ự như m

à mô hình c

mô hình ơron c ] Trong đó, mô hình c

ợc mô h ành với mục đích

ÊN ẰNG PHẦN MỀM NI MULTISIM

ản hóa từ công thức nhanh c

à thay th ằng một quá trình kh

ợc mô h ùng nổ”

ản, kênh Na ận) mắc kiểu Dalington

ợc nối với nguồn DC 5V; kênh K ỡng tín hiệu kích thích v

ện 1 chiều có cường độ v

ứng với các k

ư một mạch điện

à mô hình c

mô hình ơron c ình của Maeda v

ợc mô hình toán h

ới mục đích

ần kinh với xung điện một chiều Là cơ s ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ÊN ẰNG PHẦN MỀM NI MULTISIM

ản hóa từ công thức nhanh c

à thay th ình kh

ợc mô h ổ”

ênh Na ận) mắc kiểu Dalington ênh K

ỡng tín hiệu kích thích và đư

ờng độ v ứng với các k

ợc biểu diễn trên đ

ột mạch điện

à mô hình c

mô hình đi ơron của Roy [

ủa Maeda v

ình toán h

ới mục đích

à cơ sở để ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ản hóa từ công thức nhanh của mô h

à thay thế quá tr ình khử hoạt tính

ợc mô hình hoá b

ênh Na+ ận) mắc kiểu Dalington ênh K+

à được nối với ờng độ v

ứng với các k

ên đ

ột mạch điện

à mô hình cơ b

điện n

ủa Roy [

ủa Maeda v

ình toán h

ới mục đích

ế tạo ra điện thế hoạt động của tế bào th

ở để ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ản hóa từ công thức

ủa mô h

ế quá tr

ử hoạt tính ình hoá b đư ận) mắc kiểu Dalington

+ đư

ợc nối với ờng độ và t ứng với các kênh Na

ên độ lớn v

ột mạch điện

ơ bản để

ện nơron

ủa Roy [[

ủa Maeda v

ình toán học từ

ới mục đích xây

ào th

ở để đánh ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ủa mô h

ế quá tr

ử hoạt tính ình hoá b được mô ận) mắc kiểu Dalington

được mô

ợc nối với

à tần số ênh Na

ộ lớn v

ột mạch điện

ản để ơron [6]]

ủa Maeda và

ọc từ

ới mục đích xây

ào thần đánh ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ủa mô hình

ế quá trình

ử hoạt tính ình hoá bởi

ợc mô ận) mắc kiểu Dalington

ợc mô

ợc nối với

ần số ênh Na+

ộ lớn và

ột mạch điện

ản để ơron ]

à

ọc từ

xây

ần đánh ộng vật thực nghiệm đối với tín hiệu kích thích xung điện một

ình ình

ử hoạt tính

ởi

ợc mô ận) mắc kiểu Dalington

ợc mô

ợc nối với

ần số

+

à

Trang 4

màng t

cũ

định đáp ứng của mạch Xung để mở transistor có y

yêu c

vuông); đ

trong kích thích đi

rộng xung không đ

mặt điện cực

thích b

0,3ms (

của tế b

Trong báo cáo này, nhóm nghiên c

- M

màng t

- M

- Các ph

ũng như khu

- S

ịnh đáp ứng của mạch Xung để mở transistor có y

yêu c

vuông); đ

ộng xung không đ

ặt điện cực

Mô ph

Với mô h

thích b

0,3ms (

Qua các báo cáo đ

ủa tế b

Hình

Mô hình m

màng tế b

Một số tham số của mạch nguy

Các ph

ng như khu

Sử dụng chuỗi xung với các tham số xác định kích thích v

yêu cầu transistor mở tức th

vuông); đ

ặt điện cực

Mô ph

ới mô h

thích bằng chuỗi xung kích thích kéo d

0,3ms (hình 5

ủa tế bào th

Hình

ô hình m

ế bào;

ột số tham số của mạch nguy

Các ph

ng như khu

ử dụng chuỗi xung với các tham số xác định kích thích v

ầu transistor mở tức th

vuông); đủ độ rộng (độ rộng xung lớn h

ặt điện cực

Mô phỏng các tham số kích thích bằng phần mềm NI Multisim

ới mô h

ằng chuỗi xung kích thích kéo d

hình 5

ào th

Hình 4.

ô hình m

ào;

Các phần tử transistor đóng vai tr

ng như khuếch đại tín hiệu điện;

ủ độ rộng (độ rộng xung lớn h

ặt điện cực

ỏng các tham số kích thích bằng phần mềm NI Multisim

ới mô hình

hình 5), có t

ào thần kinh tr

Mô hình

ô hình mạch điện đ

ần tử transistor đóng vai tr

ếch đại tín hiệu điện;

ình đi

), có t

Hình

ần kinh tr

Mô hình

ạch điện đ

trong kích thích điện v

ộng xung không đư

điện tế b ằng chuỗi xung kích thích kéo d

), có tần số v

Hình

ần kinh tr

Mô hình

ạch điện đ

ện vào mô sinh h ược quá lớn để giảm thiểu

3 K

ện tế b ằng chuỗi xung kích thích kéo d

ần số v

Hình 5.

Qua các báo cáo đã

ần kinh trên chu

Mô hình điện tế b

ạch điện đ

ào mô sinh h

ợc quá lớn để giảm thiểu

3 KẾT QUẢ MÔ PHỎNG

ện tế bào th ằng chuỗi xung kích thích kéo d

ần số v

Dạng xung kích thích 1 chiều với tham số xác định

ã đư

ên chu

ện tế b

ạch điện đơn gi

ầu transistor mở tức thì khi có xung

ào mô sinh h

ẾT QUẢ MÔ PHỎNG

ào th ằng chuỗi xung kích thích kéo d

ần số và cư

ạng xung kích thích 1 chiều với tham số xác định

được công bố tr

ên chuột nhắt có c

ện tế b

ơn giản nh

ì khi có xung

ào mô sinh h

ào thần ằng chuỗi xung kích thích kéo d

à cường độ

ợc công bố tr

ột nhắt có c

ện tế bào th bằng xung điện 1 chiều.

ản nh

ì khi có xung

ào mô sinh h

ần kinh đư ằng chuỗi xung kích thích kéo d

ờng độ

ợc công bố tr

ột nhắt có c

ào thần kinh của Maeda v ằng xung điện 1 chiều.

Trong báo cáo này, nhóm nghiên cứu áp dụng lý thuyết, mô h

ản nhưng có kh

ột số tham số của mạch nguyên lý

ì khi có xung

ào mô sinh học nói chung, tế b

kinh đư ằng chuỗi xung kích thích kéo d

ờng độ có th

ợc công bố tr

ột nhắt có c

ần kinh của Maeda v ằng xung điện 1 chiều.

ứu áp dụng lý thuyết, mô h ưng có kh

ên lý đư

ần tử transistor đóng vai trò khóa

ì khi có xung

ủ độ rộng (độ rộng xung lớn hơn th

ọc nói chung, tế b

kinh được mô tả thể hiện tr ằng chuỗi xung kích thích kéo dài 0,5s g

có th

ợc công bố trư

ột nhắt có cư

được thay đổi để ph

ò khóa

ì khi có xung đi

ơn th

ợc mô tả thể hiện tr

ài 0,5s g

có thể t

ước đây ường độ trong khoảng 10

ợc thay đổi để ph

ò khóa đóng m

điều khiển (t

ơn thời gian mở của transistor); đủ công suất Song

ợc quá lớn để giảm thiểu bất kỳ phản ứng điện hóa n

ài 0,5s g

ể tùy bi

ớc đây ờng độ trong khoảng 10

ứu áp dụng lý thuyết, mô h ưng có khả năng giải thích đ

ợc thay đổi để ph đóng m

ều khiển (t

ời gian mở của transistor); đủ công suất Song

ất kỳ phản ứng điện hóa n

ẾT QUẢ MÔ PHỎNG VÀ TH

ài 0,5s gồm các xung kích thích vuông cathode

ùy biến

ớc đây [1 ờng độ trong khoảng 10

ứu áp dụng lý thuyết, mô h

ả năng giải thích đ

ợc thay đổi để ph đóng m

ịnh đáp ứng của mạch Xung để mở transistor có yêu c

ều khiển (t

ọc nói chung, tế bào th

VÀ TH

ồm các xung kích thích vuông cathode

ến

1,12 ờng độ trong khoảng 10

ợc thay đổi để ph đóng mở k

êu cầu: s

ều khiển (thư

ào th

VÀ TH

12] cho th ờng độ trong khoảng 10

ần kinh của Maeda và Makino đư

ằng xung điện 1 chiều

ợc thay đổi để ph

ở kênh ion Na

ầu: s hường gặp l

ào thần kinh nói ri

VÀ THẢO LUẬN

cho th ờng độ trong khoảng 10

à Makino đư

ợc thay đổi để phù h

ênh ion Na

ầu: sườn dốc thẳng đứng đảm bảo ờng gặp l

ần kinh nói ri

ẢO LUẬN

ợc mô tả thể hiện trên

cho thấy đáp ứng xung kích thích ờng độ trong khoảng 10

à Makino đư

ứu áp dụng lý thuyết, mô hình

ù hợp với nghi ênh ion Na

ử dụng chuỗi xung với các tham số xác định kích thích vào m

ờn dốc thẳng đứng đảm bảo ờng gặp l

ần kinh nói ri

ẢO LUẬN

ên hình 4

ấy đáp ứng xung kích thích ờng độ trong khoảng 10

à Makino đư

ình Maeda và Makino do:

ả năng giải thích được hoạt động điện thế

ợp với nghi ênh ion Na+

ào m

ờn dốc thẳng đứng đảm bảo ờng gặp là xung kim ho

ần kinh nói ri

ẢO LUẬN

hình 4

ấy đáp ứng xung kích thích ờng độ trong khoảng 10 - 120μA (

à Makino được kích thích

Maeda và Makino do:

ợc hoạt động điện thế

ợp với nghi

+

, K

ào mạch nguy

ờn dốc thẳng đứng đảm bảo

à xung kim ho

ần kinh nói riêng c

ẢO LUẬN

hình 4, các tác gi

ấy đáp ứng xung kích thích 120μA (

ợc kích thích

ợp với nghi , K+ và các ion khác, ạch nguy

à xung kim ho

êng c

ất kỳ phản ứng điện hóa nào x

, các tác gi

ạng xung kích thích 1 chiều với tham số xác định.

ấy đáp ứng xung kích thích 120μA (

ợc kích thích

ợp với nghiên c

và các ion khác, ạch nguy

à xung kim ho

êng cần giữ cho độ

ào x

, các tác gi

ấy đáp ứng xung kích thích 120μA (đáp

ợc kích thích

ên cứu;

và các ion khác, ạch nguyên lý và xác

à xung kim ho

ần giữ cho độ

ào xảy ra tr

, các tác gi

ấy đáp ứng xung kích thích

đáp ứng tối

ợc kích thích

ứu;

và các ion khác,

ên lý và xác

à xung kim hoặc xung

ảy ra tr

, các tác giả đ

ứng tối

và các ion khác,

ên lý và xác

ặc xung

ảy ra trên b

ả đã kích

ứng tối

và các ion khác,

ên lý và xác

ặc xung

ên bề

ã kích

ứng tối ưu

và các ion khác,

ên lý và xác

ặc xung

ề

ã kích

ưu

Trang 5

ứng của mạch điện đ

80Hz ho

đặt t

trên chu

ngưỡng kích thích

3.1

bằng xung điện 1 chiều khi giữ nguy

Qua k

Tuy nhiên, s

giá tr

biểu diễn mối quan hệ của c

10μA v

Qua k

áp ra bùng n

7 Đ

bùng n

Bên c

đổi chậm khi thay đổi c

khoảng 100

80Hz ho

ặt tương

trên chu

Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt ngưỡng kích thích

3.1 Đáp

Kết quả thể hiện tr

ằng xung điện 1 chiều khi giữ nguy

Qua k

Tuy nhiên, s

giá tr

ểu diễn mối quan hệ của c

10μA v

Qua k

áp ra bùng n

Đối với c

bùng n

Bên c

ổi chậm khi thay đổi c

ảng 100

80Hz ho

ương

trên chuột nhắt

Đáp

ết quả thể hiện tr

Qua kết quả n

Tuy nhiên, s

giá trị cư

10μA với 100

Qua kết quả khảo sát cho thấy c

áp ra bùng n

ối với c

bùng nổ không kiểm soát, giải thích nguy c

Bên cạnh đó, kết quả thể hiện tr

ảng 100

80Hz hoặc c

ương ứng với báo cáo của Nguyễn L

ột nhắt

Hình

Đáp ứng khi cố định tần số tại 80Hz, biến đổi c

ết quả n

Tuy nhiên, s

ường độ v

Hình

ới 100

ết quả khảo sát cho thấy c

áp ra bùng n

ối với c

ổ không kiểm soát, giải thích nguy c

ạnh đó, kết quả thể hiện tr

ảng 100 μA), t

ặc cường độ xung kích thích đ

ứng với báo cáo của Nguyễn L

ột nhắt

Hình

ứng khi cố định tần số tại 80Hz, biến đổi c

ết quả n

Tuy nhiên, sự

ờng độ v

Hình

ới 100μA

áp ra bùng nổ nhất biểu thị bằng số l

ối với cường độ lớn h

μA), t

ờng độ xung kích thích đ

ột nhắt

Hình 6.

ết quả này cho th

ự biến thi

ờng độ v

Hình 7

μA

ổ nhất biểu thị bằng số l

ờng độ lớn h

μA), tần số trong khoảng 10

Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt ngưỡng kích thích (ở tần số

Dạng điện áp đáp ứng của mô h

ày cho th

ến thi ờng độ vào kho

7 S

μA hình 8

ờng độ lớn h

ần số trong khoảng 10 ứng của mạch điện được khảo sát trong các điều kiệ

Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

ở tần số

ạng điện áp đáp ứng của mô h

ết quả thể hiện trên

ày cho th

ến thiên này là không tuy

ào kho

Sự thay đổi điện áp theo c

hình 8

ờng độ lớn h

ần số trong khoảng 10

ợc khảo sát trong các điều kiệ ờng độ xung kích thích đ

ở tần số

ên hình 7 ằng xung điện 1 chiều khi giữ nguy

ày cho thấy điện áp đáp ứng tăng l

ên này là không tuy

ào khoảng 5

ự thay đổi điện áp theo c

ên hình 8

hình 8.B); 110μA v

ờng độ lớn hơn

ổi chậm khi thay đổi cường độ kích thích v

ở tần số 80

hình 7 ằng xung điện 1 chiều khi giữ nguy

ấy điện áp đáp ứng tăng l

ên này là không tuy ảng 5

hình 8

ểu diễn mối quan hệ của cư

.B); 110μA v

ơn

ờng độ kích thích v

80Hz và cường độ

hình 7 bi ằng xung điện 1 chiều khi giữ nguy

ên này là không tuy ảng 5-10μA

hình 8 ường độ kích thích t B); 110μA v

ết quả khảo sát cho thấy cư

100μA th

ạnh đó, kết quả thể hiện trên

ờng độ kích thích v

Hz và cường độ

biểu thị thay đổi của xung điện áp đáp ứng với kích thích ằng xung điện 1 chiều khi giữ nguy

10μA

cho th ờng độ kích thích t B); 110μA v

ường độ xung điện tr

100μA th

ên hình 7 ờng độ kích thích v

ểu thị thay đổi của xung điện áp đáp ứng với kích thích ằng xung điện 1 chiều khi giữ nguyên t

10μA

cho th ờng độ kích thích t B); 110μA với 100

ờng độ xung điện tr

ổ nhất biểu thị bằng số lượng xung ở h

100μA th

hình 7 ờng độ kích thích v

ợc khảo sát trong các điều kiệ ờng độ xung kích thích được cố định ở mức 70

ứng với báo cáo của Nguyễn Lê Chi

ểu thị thay đổi của xung điện áp đáp ứng với kích thích

ên tần số tại 80Hz, thay đổi c

cho thấy đáp ứng điện áp tr ờng độ kích thích t

ới 100 ờng độ xung điện tr ợng xung ở h 100μA thì số xung nhỏ h

hình 7 ờng độ kích thích v

ần số trong khoảng 10 –

ợc khảo sát trong các điều kiệ

ợc cố định ở mức 70

ê Chi Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

ần số tại 80Hz, thay đổi c

ên này là không tuyến tính với khoảng “b

ấy đáp ứng điện áp tr ờng độ kích thích t

ới 100μA ( ờng độ xung điện tr ợng xung ở h

ố xung nhỏ h

ổ không kiểm soát, giải thích nguy cơ đánh th

và ờng độ kích thích và đáp

120Hz (đáp

ê Chiến v Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

Hz và cường độ 70

ến tính với khoảng “b

ự thay đổi điện áp theo cường độ kích thích tại tần số 80Hz

ấy đáp ứng điện áp tr ờng độ kích thích t

μA ( ờng độ xung điện tr ợng xung ở h

ố xung nhỏ h

ơ đánh th

và hình 8

à đáp

120Hz (đáp

ến v Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

70μ

ạng điện áp đáp ứng của mô hình khi kích thích v

ờng độ kích thích tại tần số 80Hz

ấy đáp ứng điện áp tr ờng độ kích thích tương

μA (hình 8 ờng độ xung điện tr ợng xung ở h

ố xung nhỏ h

ơ đánh th ình 8

à đáp ứng lớn nhất ở

120Hz (đáp

ợc khảo sát trong các điều kiện c

ến và cs [ Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

μA)

ình khi kích thích v

ấy điện áp đáp ứng tăng lên tương

ấy đáp ứng điện áp tr

ương ình 8 ờng độ xung điện trong kho ợng xung ở hình 8C và

ố xung nhỏ h

ơ đánh th ình 8 còn cho th ứng lớn nhất ở

120Hz (đáp

n cố định tần số xung kích thích ở mức

à cs [ Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

) được thể hiện trên hình

ứng khi cố định tần số tại 80Hz, biến đổi cường độ d

ên tương

ương ứng 10 ình 8.C) và 100 ong kho ình 8C và

ố xung nhỏ hơn (h

ơ đánh thủng các k

còn cho th ứng lớn nhất ở

120Hz (đáp ứng tối

ố định tần số xung kích thích ở mức

à cs [10] trong m Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

được thể hiện trên hình

ờng độ d

ên tương

ứng 10 .C) và 100 ong kho ình 8C và

ơn (h ủng các k còn cho th ứng lớn nhất ở

ứng tối

ợc cố định ở mức 70 μA C

] trong m Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

ờng độ d

ên tương ứng với c

ấy đáp ứng điện áp trên cùng m

ứng 10 μA so v C) và 100 ong khoảng 100 ình 8C và đi

ơn (hình 8C) và ủng các k còn cho thấy các đáp ứng điện áp biến ứng lớn nhất ở

ứng tối

μA C ] trong m Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

ờng độ dòng

ứng với c

ến tính với khoảng “bùng n

ên cùng m

μA so v C) và 100 ảng 100 điện áp ghi đo đ ình 8C) và ủng các kênh d

ấy các đáp ứng điện áp biến ứng lớn nhất ở kho

ứng tối ưu kho

μA Các đi ] trong một khảo sát t Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

òng

ần số tại 80Hz, thay đổi cường độ với b

ứng với c ùng n

ên cùng m

μA so v C) và 100μA v ảng 100

ện áp ghi đo đ ình 8C) và ênh d

ấy các đáp ứng điện áp biến khoảng c

ưu kho

ác đi

ột khảo sát t Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

ình khi kích thích vượt ng

òng điện

ờng độ với b ứng với cường độ kích thích ùng nổ” điện áp đáp ứng từ

ên cùng một đ

μA so với 20

μA với 90 ảng 100μA cho

ện áp ghi đo đ ình 8C) và đi ênh dẫn điện trong tế b

ấy các đáp ứng điện áp biến ảng c

ưu khoảng 100Hz) Đáp

ác điều kiện n

ợt ng

ện

ờng độ với b ờng độ kích thích ổ” điện áp đáp ứng từ

ột đ

ới 20

ới 90

μA cho

ện áp ghi đo đ điện áp đáp ứng lại

ẫn điện trong tế b

ấy các đáp ứng điện áp biến ảng cư

ảng 100Hz) Đáp

ều kiện n

được thể hiện trên hình 6

ợt ngưỡng

ờng độ với b ờng độ kích thích ổ” điện áp đáp ứng từ

ột đơn v

ới 20μA (

ới 90μA

μA cho đáp

ện áp ghi đo đ

ện áp đáp ứng lại

ấy các đáp ứng điện áp biến

ường độ 100

ảng 100Hz) Đáp

ều kiện n

6

ỡng.

ờng độ với bư ờng độ kích thích ổ” điện áp đáp ứng từ

ơn vị thời gian

μA (hình 8

μA hình 8 đáp

ện áp ghi đo được tại

ờng độ 100

ảng 100Hz) Đáp

ều kiện này đư

ương Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

ước 10 ờng độ kích thích ổ” điện áp đáp ứng từ

ị thời gian hình 8 hình 8 đáp ứng điện

ợc tại

ờng độ 100

ảng 100Hz) Đáp

ày đư ương ứng Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

ớc 10μA ờng độ kích thích ổ” điện áp đáp ứng từ

ị thời gian hình 8.A); hình 8.D) ứng điện

ợc tại hình

ờng độ 100μA

ảng 100Hz) Đáp

ày được ứng Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

μA ờng độ kích thích ổ” điện áp đáp ứng từ

ị thời gian .A); .D) ứng điện hình

ẫn điện trong tế bào

μA

ảng 100Hz) Đáp

ợc ứng Chùm xung điện áp khi đáp ứng với xung kích thích có cường độ và tần số vượt

μA ờng độ kích thích ổ” điện áp đáp ứng từ

ị thời gian .A); .D) ứng điện hình

ào

μA

Trang 6

3.2 Đáp

có xu hư

hư

3.2 Đáp

Kết quả tr

có xu hư

hướng giảm ở tần số lớn h

Hình

3.2 Đáp

ết quả tr

có xu hư

ớng giảm ở tần số lớn h

Hình

3.2 Đáp ứng khi cố định c

Hình

ết quả tr

có xu hướng tăng nhanh v

Hình 8 Kích thích b

ứng khi cố định c

Hình

ết quả trên

ớng tăng nhanh v

Kích thích b

Hình 9

ên hình

ớng tăng nhanh v

Kích thích b

9 Thay đ

hình ớng tăng nhanh v

Kích thích b

Thay đ

hình 9 ớng tăng nhanh v

Kích thích bằng xung điện 1chiều ở tần số tại 80Hz, c

Thay đ

cho th ớng tăng nhanh v

ớng giảm ở tần số lớn hơn

ằng xung điện 1chiều ở tần số tại 80Hz, c

ứng khi cố định cường độ, thay đổi tần số d

Thay đổi điện áp theo tần số kích thích, giữ c

cho th ớng tăng nhanh và đ

ơn

ờng độ, thay đổi tần số d

ổi điện áp theo tần số kích thích, giữ c

cho thấy khi thay đổi giá trị tần số từ 0

à đạt giá trị cực đại tại khoảng tần số 100Hz v

ấy khi thay đổi giá trị tần số từ 0

ạt giá trị cực đại tại khoảng tần số 100Hz v

ờng độ, thay đổi tần số dòng

òng đi

điện

ện

ổi điện áp theo tần số kích thích, giữ cư

ấy khi thay đổi giá trị tần số từ 0 –

ằng xung điện 1chiều ở tần số tại 80Hz, cư

ường độ 80

110Hz, đi

ường độ thay đổi

ờng độ 80

110Hz, đi

ờng độ thay đổi

ờng độ 80

110Hz, đi

ờng độ 80μA

110Hz, điện áp đáp ứng

ạt giá trị cực đại tại khoảng tần số 100Hz và th

μA

ện áp đáp ứng

à thể h

ể h

ể hiện xu

ện xu

Trang 7

biểu diễn mối quan hệ của tần số kích thích t

áp so v

0,5s (

(hình 10

0,5s s

với 110Hz (

100Hz bi

áp hi

100Hz thì

hơn), đi

tần số kích thích của xung điện một chiề

của xung điện kích thích l

kích thích xung đi

thực nghiệm tr

chi

tiếp theo

[1]

[2]

ểu diễn mối quan hệ của tần số kích thích t

áp so v

0,5s (

hình 10

0,5s s

ới 110Hz (

100Hz bi

áp hiển thị tr

100Hz thì

hơn), đi

Trong bài báo này, chúng tôi quan tâm đ

ần số kích thích của xung điện một chiề

ủa xung điện kích thích l

ực nghiệm tr

chiều đ

ếp theo

[1]

[2]

Hình

áp so với 10Hz có đáp ứng chậm, không có đáp ứng x

0,5s (hình 10

hình 10

0,5s số l

ới 110Hz (

100Hz bi

ển thị tr

100Hz thì

hơn), điện áp trung b

ực nghiệm tr

ều đã kh

ếp theo

Carlezon Jr WA & Chartoff EH

study the neurobiology of motivation

Gulrajani RM

neuron with a field

Hình

ới 10Hz có đáp ứng chậm, không có đáp ứng x

hình 10

hình 10.B); t

ố lượng xung ít h

ới 110Hz (

100Hz biểu thị bằng số l

ển thị tr

100Hz thì đáp

ện áp trung b

ực nghiệm tr

ã kh

ếp theo

Gulrajani RM

Hình 10.

hình 10.A); t

.B); tại 90Hz đáp ứng xung chậm h

ợng xung ít h

ới 110Hz (hình

ểu thị bằng số l

ển thị trên thi

đáp

ện áp trung b

ực nghiệm tr

ã khảo sát trong mô phỏng sẽ đ

Gulrajani RM

Kích thích b

.A); t

ại 90Hz đáp ứng xung chậm h

ợng xung ít h

hình

ên thi

đáp ứng điện thế hoạt động chậm

ện áp trung b

ực nghiệm trên đ

ảo sát trong mô phỏng sẽ đ

Gulrajani RM

Kích thích b

.A); tại 20Hz đáp ứng xung chậm h

ợng xung ít h

hình 10.D) Đi

ên thiết bị ghi đo điện thế l

ứng điện thế hoạt động chậm

ện áp trung b

kích thích xung điện một chiều với c

ên động vật t

Gulrajani RM,

Kích thích b

ợng xung ít hơn so v

.D) Đi

ết bị ghi đo điện thế l ứng điện thế hoạt động chậm

ện áp trung bình hi

ện một chiều với c ộng vật t

, Roberge FA

Kích thích b

ên h

ơn so v D) Đi

ểu thị bằng số lư

ình hi

ện một chiều với c ộng vật t

Roberge FA

neuron with a field-effect transistor analog

Kích thích bằng xung điện 1 chiều c

hình 10

ơn so v D) Điện áp ra b ượng xung đáp ứng lớn nhất trong c

ết bị ghi đo điện thế l ứng điện thế hoạt động chậm ình hiển thị tr

ủa xung điện kích thích là t

ện một chiều với c ộng vật tương

Roberge FA

effect transistor analog

ằng xung điện 1 chiều c

ình 10

ơn so với 100Hz (

ện áp ra b ợng xung đáp ứng lớn nhất trong c

ển thị tr

à tối ưu Đó là cơ s

ện một chiều với c

ơng

TÀI LI

Roberge FA

ình 10 cho th

ới 100Hz (

ện áp ra b ợng xung đáp ứng lớn nhất trong c

ển thị trên thi

ưu Đó là cơ s

ện một chiều với c

ơng ứng với giá trị tham số c

TÀI LI

Roberge FA, Mathieu PA

cho th

ới 100Hz (

ện áp ra bùng n ợng xung đáp ứng lớn nhất trong c

ên thi

4 K

ưu Đó là cơ s

ện một chiều với cường độ v

ứng với giá trị tham số c

TÀI LI

Mathieu PA

cho thấy đáp ứng điện áp tr

ới 100Hz (hình 10 ùng n ợng xung đáp ứng lớn nhất trong c

ết bị ghi đo điện thế là l ứng điện thế hoạt động chậm

ên thiết bị đo điện thế l

4 K

ần số kích thích của xung điện một chiều phù h

ưu Đó là cơ s ờng độ v ứng với giá trị tham số c

ảo sát trong mô phỏng sẽ được các tác giả sớm công bố trong các nghi

TÀI LIỆU THAM KHẢO

Carlezon Jr WA & Chartoff EH “Intracranial self

Mathieu PA

hình 10 ùng nổ nhất v ợng xung đáp ứng lớn nhất trong c

à lớn nhất Với các tần số nhỏ h ứng điện thế hoạt động chậm

ết bị đo điện thế l

4 KẾT LUẬN

Trong bài báo này, chúng tôi quan tâm đến khảo sát các tham số c

u phù h

ưu Đó là cơ s ờng độ v ứng với giá trị tham số c

ợc các tác giả sớm công bố trong các nghi

ỆU THAM KHẢO

Intracranial self study the neurobiology of motivation” Nat prot., 2 (11), 2987

Mathieu PA

ểu diễn mối quan hệ của tần số kích thích tương

ại 90Hz đáp ứng xung chậm hơn và trong cùng kho

hình 10

ổ nhất v ợng xung đáp ứng lớn nhất trong c

ớn nhất Với các tần số nhỏ h hơn (hay đ

ẾT LUẬN

ến khảo sát các tham số c

u phù h

ưu Đó là cơ sở đề xuất xây dựng mô h ờng độ và t

ứng với giá trị tham số c

Intracranial self

Nat prot., 2 (11), 2987 Mathieu PA

ấy đáp ứng điện áp tr ương

ại 20Hz đáp ứng xung chậm hơn nhi

ơn và trong cùng kho hình 10.C) và 100Hz s

ổ nhất v ợng xung đáp ứng lớn nhất trong c

ẾT LUẬN

u phù hợp v

ở đề xuất xây dựng mô h

à tần số tối ứng với giá trị tham số c

Intracranial self

Nat prot., 2 (11), 2987

Mathieu PA “

effect transistor analog”,

ằng xung điện 1 chiều cường độ tại 80

ấy đáp ứng điện áp tr ương ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện

ơn nhi

ơn và trong cùng kho C) và 100Hz s

ổ nhất và đáp ợng xung đáp ứng lớn nhất trong c

ẾT LUẬN

ợp và

ần số tối ứng với giá trị tham số c

Intracranial self

Nat prot., 2 (11), 2987

“The mode

, Biol Cybern

ờng độ tại 80

ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện

ới 10Hz có đáp ứng chậm, không có đáp ứng xung trong kho

ơn nhiều v

à đáp ợng xung đáp ứng lớn nhất trong c

ớn nhất Với các tần số nhỏ h hơn (hay độ trễ đáp ứng với các tần số đó lớn

à ở giá trị n

ần số tối ứng với giá trị tham số c

Intracranial self

Nat prot., 2 (11), 2987

The mode

Biol Cybern

ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện ung trong kho

ều v

à đáp ứng nhanh nhất ở khoảng tần số ợng xung đáp ứng lớn nhất trong c

ớn nhất Với các tần số nhỏ h

ộ trễ đáp ứng với các tần số đó lớn

ết bị đo điện thế là nh

ở giá trị n

ần số tối ưu đ ứng với giá trị tham số cường độ v

Intracranial self-stimulation (ICSS) in rodents

Nat prot., 2 (11), 2987

The mode

Biol Cybern

ấy đáp ứng điện áp trên cùng m

ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện ung trong kho

ều và số xung ít h

ứng nhanh nhất ở khoảng tần số ợng xung đáp ứng lớn nhất trong cùng đơn v

à nhỏ h

ở giá trị n

ưu đối với tế b ờng độ v

stimulation (ICSS) in rodents

Nat prot., 2 (11), 2987

The modelling of a burst

Biol Cybern

ờng độ tại 80μA, thay

ên cùng m ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện ung trong kho

ố xung ít h

ơn và trong cùng kho C) và 100Hz số xung “b

ứng nhanh nhất ở khoảng tần số ùng đơn v

ỏ hơn

ở giá trị nào c

ối với tế b ờng độ v

Nat prot., 2 (11), 2987

lling of a burst

Biol Cybern 25(4):227

μA, thay

ên cùng m ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện ung trong khoảng thời gian từ 0 đến

ố xung ít h

ơn và trong cùng khoảng thời gian từ 0 đến

ố xung “b ứng nhanh nhất ở khoảng tần số ùng đơn v

ơn

ào của c

ối với tế b ờng độ và t

Nat prot., 2 (11), 2987-2995 2007

lling of a burst

25(4):227

μA, thay

ên cùng một đ ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện

ảng thời gian từ 0 đến

ố xung ít h ảng thời gian từ 0 đến

ố xung “b ứng nhanh nhất ở khoảng tần số ùng đơn v

ến khảo sát các tham số cường độ d

ủa c

ối với tế b

à tần số xung điện một

2995 2007

lling of a burst

25(4):227

μA, thay đ

ột đ ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện

ố xung ít hơn so v ảng thời gian từ 0 đến

ố xung “bùng n ứng nhanh nhất ở khoảng tần số ùng đơn vị thời gian v

ớn nhất Với các tần số nhỏ hơn ho

ờng độ d

ủa cường độ v

ở đề xuất xây dựng mô hình và thu

ối với tế bào th

ần số xung điện một

2995 2007

lling of a burst

25(4):227-

đổi tần số

ột đơn v ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện

ơn so v ảng thời gian từ 0 đến ùng n

ứng nhanh nhất ở khoảng tần số

ị thời gian v

ơn ho

ờng độ d ờng độ v ình và thu

ào thần kinh đ

2995 2007

lling of a burst

40 1977

ổi tần số

ơn vị thời gian ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện

ơn so v ảng thời gian từ 0 đến ùng nổ” nhiều so ứng nhanh nhất ở khoảng tần số

ị thời gian v

ơn hoặc lớn h

ờng độ dòng ờng độ v ình và thu

ần kinh đ

2995 2007

lling of a burst-generating

40 1977

ổi tần số

ị thời gian ứng 0Hz không có đáp ứng xung điện

ơn so với 100Hz ảng thời gian từ 0 đến

ổ” nhiều so ứng nhanh nhất ở khoảng tần số

ị thời gian v

ặc lớn h

òng đi ờng độ và t ình và thuật toán

ần kinh đ

ợc các tác giả sớm công bố trong các nghiên c

generating

40 1977

ổi tần số

ới 100Hz ảng thời gian từ 0 đến

ị thời gian và đi

ặc lớn h

điện v

à tần số

ật toán

ần kinh đư

ên c

generating

40 1977

à điện

ặc lớn hơn

ện và

ần số

ật toán ược

ên cứu

stimulation (ICSS) in rodents to

generating

ện

ơn

à

ần số

ật toán

ợc

ứu

to generating

Trang 8

[3] FitzHugh, R “Impulses and physiological states in theoretical models of nerve

membrane” Biophys J 1, 445–466 1961

[4] Harmon L D., “Problems in neural modeling” In: Neural theory and modeling, edit

by R.F REISS Stanford: Stanford University Press 1964

[5] Hodgkin AL, Huxley AF “A quantitative description of membrane current and its

application to conduction and excitation in nerve” J Physiol 117: 500– 554.1952

[6] Roy, Guy, “A simple electronic analog of the squid axon membrane”, IEEE Trans

Biomed Eng 19(1):60-3; 1972 Jan

[7] Maeda, Y and Makino H, “A pulse-type hardware neuron model with beating,

bursting excitation and plateau potential”, BioSystems 58 (2000) 93-100

[8] Lewis E.R “An Electronic Model of Neuroelectric Point Processes”, 1968

[9] Wise RA “Addictive drugs and brain stimulation reward” Annu Rev Neurosci

19: 319-40 1996

[10] Nunez PL & Srinivasan R “Electric fields of the brain: the neurophysics of EEG”

2nd ed Oxford university press The Oxford, USA 1981

[11] Bộ môn Sinh lý học, Học viện Quân y “Những khái niệm cơ bản trong Sinh lý học”

Trong: Giáo trình Sinh lý học, tập I (Tái bản lần thứ nhất) NXB QĐND, Hà Nội,

2007, trang 31-34

[12] Nguyễn Lê Chiến, Trần Hải Anh (2012) “Mô hình Gompertz’s và hành vi tự kích

thích nội sọ” Tạp chí Sinh lý học, 16(2)

ABSTRACT

BUILDING UP A CIRCUIT SIMULATION FOR NEURONAL RESPONSES TO DC PULSE

To build up a circuit simulation for neuronal network, this study investigated responses of the circuit with changes in intensity and frequency of stimulation pulses The circuit would have been accessed for the highest voltage responses as consequences of stimulation parameters changed The results contributed to understanding of membrane electrical activities via membrane sodium and potassium channels

Keywords: Circuit simulation; Neuron; DC stimulation; Action potentials

Nhận bài ngày 01 tháng 7 năm 2018 Hoàn thiện ngày 10 tháng 9 năm 2018 Chấp nhận đăng ngày 20 tháng 9 năm 2018

Địa chỉ: 1Học viện Quân y;

2Viện Điện tử - Viện Khoa học và Công nghệ quân sự

*

Email: tqgiaphvqy@gmail.com

Định dạng
Số trang	8
Dung lượng	2,25 MB