1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

Nghiên cứu ảnh hưởng của hiện tượng bóng che lên đặc tính làm việc của pin quang điện sử dụng phần mềm matlab/simulink simscape

11 113 1

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 11
Dung lượng 1,64 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

Bài báo này sẽ tập trung nghiên cứu ảnh hưởng của hiện tượng bóng che lên đặc tính làm việc của pin quang điện sử dụng phần mềm matlab/simulink simscape. Và tập trung nghiên cứu vai trò của bypass diode, vị trí module quang điện bị phủ bóng và nhiệt độ tới đặc tính đầu ra của hệ thống quang điện.

Trang 1

NGHIÊN CỨU ẢNH HƯỞNG CỦA HIỆN TƯỢNG BÓNG CHE

LÊN ĐẶC TÍNH LÀM VIỆC CỦA PIN QUANG ĐIỆN

SỬ DỤNG PHẦN MỀM MATLAB/SIMULINK SIMSCAPE

A STUDY ON IMPACTS OF PARTIAL SHADING ON SOLAR PHOTOVOLTAIC

ARRAYS USING MATLAB/SIMULINK SIMSCAPE SOFTWARE

Nguyễn Xuân Hiếu (1) , Bùi Đăng Thảnh (2)

(1) Khoa Cơ - Điện, Học viện Nông nghiệp Việt Nam,

(2) Trường Đại học Bách khoa Hà Nội

Tóm tắt:

Mô đun quang điện được coi là bộ phận biến đổi điện năng cơ bản của hệ thống phát điện bằng năng lượng mặt trời Đặc tính làm việc của nó phụ thuộc vào điều kiện môi trường như nhiệt độ, cường độ bức xạ mặt trời và hiện tượng bóng che Thông thường hệ thống pin quang điện có thể

bị che một phần hoặc toàn bộ bởi các đám mây, tòa nhà, cột điện, cây cối… làm thay đổi đặc tính công suất phát của hệ thống này Mặt khác, tổn thất công suất và hiệu ứng điểm nóng gây ra khi pin bị che khuất cũng đem đến những vấn đề về độ tin cậy và an toàn cho cung cấp điện Nghiên cứu đặc tính làm việc của hệ thống dưới ảnh hưởng của bóng che rất tốn kém, do đó một mô hình

mô phỏng để nghiên cứu đặc tính làm việc của hệ thống quang điện dưới ảnh hưởng của hiện tượng bóng che là rất cần thiết Trong bài báo này, pin quang điện DS-100M được sử dụng làm đối tượng mô phỏng Việc nghiên cứu tập trung vào sự thay đổi đặc tính làm việc của hệ thống khi thay đổi các yếu tố như: mức độ che phủ pin quang điện, vị trí của mô đun quang điện bị che phủ cùng với thay đổi về nhiệt độ cũng như vai trò của bypass diode trong hệ thống bị che phủ Các kết quả đạt được đã chỉ rõ sự thay đổi đặc tính làm việc với ảnh hưởng của hiện tượng bóng che Các kết quả này là tích cực và sẽ hỗ trợ nhiều cho các nghiên cứu thực nghiệm tiếp theo

Từ khóa: 1

Simscape; dãy pin quang điện, hiện tượng bóng che, đặc tính P-V, đặc tính I-V, bypass diode

Abstract:

Solar photovoltaic module is the fundamental power transformation unit of photovoltaic (PV) generation system The performance of a PV array is dependent on operating environmental conditions such as temperature, solar insolation, shading and array configuration In most cases, the PV arrays may get shadowed completely or partially by passing clouds, neighboring buildings,

1

Ngày nhận bài: 17/08/2015; Ngày chấp nhận: 31/8/2015; Phản biện: TS Nguyễn Hoàng Nam.

Trang 2

poles, and trees, etc Under such shaded conditions, the P-V characteristics become more complex with multiple peaks and it is very important to predict the characteristics to obtain maximum power On the other hand, power losses and hotspot effects caused by partial shading can also bring about security and reliability problems Due to expensiveness and time consumption, it is necessary to have a simulation model to study the impacts of partial shading on output characteristics of PV arrays under practical working conditions In this article, a DS-100M solar PV panel is used for reference The study also focuses on output characteristics of solar PV arrays under shading conditions: area and varying location of shaded modules, temperature changes as well as the role of bypass diode in the system The simulation results show that PV system’s operation is significantly affected by shading and also make considerable contributions to experimental researches in future

Keywords:

Simscape, photovoltaic arrays, shading effect, P-V characteristic, I-V characteristic, bypass diode

1 GIỚI THIỆU CHUNG

Mô phỏng toán học của module quang

điện được nghiên cứu nhằm xác định đặc

tính làm việc tối ưu của nó Mô hình

mạch điện tương đương của một tế bào

quang điện bao gồm một nguồn dòng

điện lý tưởng mắc song song một (hoặc

hai) diode, một điện trở nối tiếp Rs, và

một điện trở shunt Rsh [1-2] Một hệ

quang điện bao gồm nhiều module ghép

nối tiếp hoặc song song với nhau, mỗi

module lại bao gồm nhiều tế bào quang

điện ghép nối tiếp [3] Hiện tượng bóng

che đối với pin quang điện là một hiện

tượng ngẫu nhiên và phức tạp, nghiên

cứu về nó có thể được thực hiện nhờ mô

hình mô phỏng với sự hỗ trợ của các

công cụ trong Simulink Hiện tượng phủ

bóng là một trong những yếu tố ảnh

hưởng lên công suất đầu ra của pin quang

điện cùng với nhiệt độ, cường độ bức xạ

đã được đề cập trong nghiên cứu [4].Các

phương pháp mô phỏng hệ thống quang

điện dùng mô hình để nghiên cứu về tác

động của bypass diode, của bóng che và

sự biến động của Rsh cũng được mô tả trong[5-8]

Nhìn chung, một số nghiên cứu đề cập ở trên đã đưa ra những nhận định về đặc tính làm việc của pin quang điện khi các module trong hệ thống bị che phủ cũng như vai trò của các bypass diode trong cấu trúc hệ thống Mặc dù vậy, hình dạng của đường đặc tính làm việc toàn hệ thống khi có sự thay đổi vị trí và mức độ nhận ánh sáng của các module quang điện lại chưa được nhấn mạnh Đồng thời, thực tế cũng cho thấy khi ánh sáng nhận được bởi module quang điện thấp hơn thì nhiệt độ làm việc cũng giảm, điều này ảnh hưởng đến công suất, đặc tính đầu ra của pin quang điện, nhưng nó lại chưa được đề cập đến trong các nghiên cứu trên Do đó bài báo này sẽ tập trung vào nghiên cứu vai trò của bypass diode,

vị trí module quang điện bị phủ bóng và nhiệt độ tới đặc tính đầu ra của hệ thống quang điện

Trang 3

2 MÔ PHỎNG HỆ THỐNG PIN

QUANG ĐIỆN DƯỚI ẢNH HƯỞNG

BÓNG CHE DÙNG

MATLAB/SIMULINK SIMSCAPE

2.1 Mô hình mô phỏng tế bào

quang điện trong

Matlab/Simulink Simscape

Khối mô phỏng tế bào quang điện được

phát triển sẵn trong Simulink Simscape

Nó bao gồm một nguồn dòng điện, một

diode mắc ngoài và một điện trở mắc nối

tiếp Rs Thông số đầu vào cho khối này

có thể cho dưới hai dạng [9]:

 Thông qua dòng điện ngắn mạch Isc và

điện áp hở mạch Voc;

 Thông qua thông số mạch điện tương

đương

Khối tế bào quang điện này có các cổng

như sau: cường độ bức xạ đầu vào

và đầu ra là cực (+) và (-) của tế bào

(hình 1)

Hình 1 Khối tế bào quang điện

trong Simscape [9]

Trong thực tế nhiều tế bào quang điện

được ghép nối tiếp với nhau để tạo thành

một module quang điện và một hệ thống

quang điện hoàn chỉnh sẽ bao gồm nhiều

module được ghép nối tiếp và song song

với nhau Mô hình nghiên cứu được đề

xuất ở đây sẽ bao gồm 6 module ghép

nối tiếp, mỗi module có 6 tế bào quang

điện mắc nối tiếp với nhau (hình 2, 3, 4)

Hình 2 Module quang điện mô phỏng

Hình 3 Hệ thống quang điện mô phỏng

Trang 4

Hình 4 Hệ thống mô phỏng

2.2 Đối tượng mô phỏng

Đối tượng mô phỏng là pin quang điện

DS-100M có các thông số được mô tả

trong bảng 1

Bảng 1 Thông số pin DS-100M

Mã hiệu DS-100M

Công suất cực đại (P mp) 100 W

Điện áp khi công suất cực

đại (V mp)

18 V

Dòng điện khi công suất

cực đại (I mp)

5.55 A

Điện áp hở mạch (V OC) 21.6 V

Dòng ngắn mạch (I SC) 6.11 A

Số tế bào quang điện nối

tiếp (N S)

36

Mã hiệu DS-100M

Số tế bào quang điện song song (NP)

1

Phạm vi nhiệt độ vận hành -40oC÷80oC

Các thông số này được xây dựng dưới điều kiện kiểm tra: cường độ bức xạ bằng

1000 W/m2 và nhiệt độ là 250C

2.3 Phương pháp nghiên cứu

a Ảnh hưởng của vị trí và số lượng module quang điện bị che phủ

Các trường hợp che phủ và vị trí của các module quang điện được thể hiện trên bảng 2

Trang 5

Bảng 2 Các trường hợp nghiên cứu vị trí

và số lượng module bị che phủ

TH Mô tả

1 Không module nào bị che phủ (toàn

bộ nhận bức xạ Ir=1000 W/m2)

2 Một module bị che (Ir=500 W/m2):

vị trí module bị che thay đổi từ 1

đến 6, các module khác không bị

che (Ir=1000 W/m2)

3 2 module bị che (Ir=500 W/m2), các

module còn lại có Ir=1000 W/m2

a) Module 1 và 2 bị che

b) Module 1 và 3 bị che

c) Module 2 và 3 bị che

4 3 module bị che (Ir=500 W/m2), các

module còn lại (Ir=1000 W/m2)

a) Module 1, 2, 3 bị che

b) Module 1, 2, 4 bị che

c) Module 2, 3, 6 bị che

5 3 module bị che với mức độ khác

nhau: 500, 300 và 100 W/m2

a) Module 1, 2, 3 bị che

b) Module 1, 2, 4 bị che

c) Module 2, 3, 6 bị che

b Ảnh hưởng của bóng che và

nhiệt độ làm việc

Trong thực tế khi module quang điện bị

che phủ, nhiệt độ làm việc của nó giảm

do đó gây ảnh hưởng đến công suất đầu

ra của hệ thống

Ảnh hưởng của bypass diode được xét

trên cơ sở mô hình đề xuất như hình 3

ở trên

Bảng 3 Ảnh hưởng của bóng che

và nhiệt độ

TH Mô tả

6 Module 1, 2, 3 bị che phủ (Ir=500

W/m2), các module còn lại (Ir=1000

W/m2) T=25oC

7 Module 1, 2, 3 bị che phủ (Ir=500

W/m2, T=15oC) Các module còn lại

(Ir=1000 W/m2), T=25oC

c Ảnh hưởng của bypass diode Bảng 4 Ảnh hưởng của bypass diode

TH Mô tả

8 Module 2, 3, 6 bị che phủ (Ir=500,

300 và 100 W/m2 lần lượt), T=25oC Không bypass diode cho 3 module này

9 Module 2, 3, 6 bị che phủ (Ir=500,

300 và 100 W/m2 lần lượt), T=25oC

Có bypass diode cho 3 module này

10 Tất cả các module bị che phủ

(Ir=100 W/m2), T=25oC

Tất cả đều có bypass diode

3 KẾT QUẢ 3.1 Ảnh hưởng của vị trí và số lượng module quang điện bị che phủ

Thử nghiệm với các kịch bản mô tả ở mục 2.3 a ở trên chúng tôi nhận được các kết quả mô phỏng trong trường hợp 1, 2 như sau:

Trang 6

Hình 5 Đặc tính I-V, P-V cho trường hợp 1, 2

Từ kết quả này ta thấy: Khi một module

bị che phủ sẽ xuất hiện 2 điểm công suất

cực đại (trên đường cong P-V), và giá trị

công suất lớn hơn sẽ thuộc về điểm nhận

60-65% điện áp hở mạch V oc (điểm cực

đại đầu tiên); đồng thời đường cong I-V

có 2 bậc Mặt khác, hình dạng đặc tính

làm việc của hệ thống là không thay đổi

khi vị trí của module bị che phủ thay đổi Nhận xét này cũng đúng cho trường hợp

3 (2 module bị che phủ với mức độ như nhau) (hình 6), tuy nhiên điểm công suất

cực đại sẽ dịch lên khoảng 80÷85% V oc,

và công suất đầu ra thấp hơn trường hợp

so khi chỉ 1 module bị che phủ

Hình 6 Đặc tính I-V, P-V cho trường hợp 1, 3

Trang 7

Trường hợp 4 cho kết quả như trường

hợp 3: công suất cực đại thuộc về điểm

cực đại thứ 2 (80÷5% V oc) (hình 7)

Kết quả mô phỏng khi 3 module bị che

phủ với mức độ khác nhau (trường hợp

5) được ghi nhận trong hình 8 cho thấy:

 Đường cong I-V, P-V có 4 bậc;

 Công suất đầu ra của pin thấp hơn so

với trường hợp ít module bị che phủ;

 Công suất cực đại nằm ở điểm có điện

áp bằng 60÷65% V oc

Nhận xét:

 Khi bị bóng che, công suất đầu ra hệ

thống quang điện giảm;

 Số điểm công suất cực đại tăng khi số module bị che phủ tăng lên;

 Với cùng số lượng module bị che phủ, hình dạng đặc tính làm việc hệ thống không thay đổi khi vị trí các module bị che phủ thay đổi;

 Vị trí điểm công suất cực đại không phụ thuộc vào vị trí module bị che;

 Khi các module bị che với mức độ như nhau, công suất cực đại thường ở vị

trí có điện áp 80÷85% V oc Mặt khác khi mức độ che phủ là khác nhau, giá trị này

là 60÷65% V oc

Hình 7 Đặc tính I-V, P-V cho trường hợp 1, 3, 4

3.2 Ảnh hưởng của bóng che và

nhiệt độ

Kết quả mô phỏng này nhận được với

kịch bản mô phỏng trong mục 2.3 b, ta

thấy: Hình dạng đường đặc tính làm việc khi có và không có ảnh hưởng của nhiệt

độ là giống nhau, nhưng khi nhiệt độ thấp hơn, công suất đầu ra cao hơn (hình

8, 9)

Trang 8

Hình 8 Đặc tính I-V, P-V trường hợp 6, 7

Hình 9 Công suất đầu ra trường hợp 6, 7

3.3 Ảnh hưởng của bypass

diode

Kết quả mô phỏng nhận được cho kịch

bản mô tả trong mục 2.3 c, thể hiện trên

hình 10 cho thấy:

 Khi không có bypass diode, công suất cực đại của hệ thống (bị che phủ với 3 mức độ là 500, 300 và 100 W/m2) rất thấp (trường hợp 8), tương đương công

Trang 9

suất hệ thống (có bypass diode) với mức

nhận cường độ bức xạ thấp nhất là 100

W/m2 (trường hợp 10);

 Khi có bypass diode (trường hợp 9),

công suất cực đại hệ thống cao hơn so

với hệ thống không có bypass diode

(trường hợp 8) Điều này khẳng định

rằng bypass diode giúp cải thiện sự làm

việc của hệ thống quang điện khi bị

bóng che;

 Khi có bypass diode, đường cong I-V có nhiều bậc và đường cong P-V ghi nhận nhiều điểm cực đại Số điểm cực đại không lớn hơn số bypass diode trong

hệ thống;

 Khi có bypass diode, hệ thống bị che phủ với mức độ khác nhau (trường hợp 9: 500, 300, và 100 W/m2) có công suất

và điện áp đầu ra cao hơn khi tất cả module bị che phủ với cường độ nhỏ nhất

là 100 W/m2 (trường hợp 10)

Hình 10 Đặc tính I-V, P-V trường hợp 8, 9, 10

4 KẾT LUẬN

Mô hình mô phỏng được xây dựng trên

Matlab/Simulink Simscape đã được áp

dụng để nghiên cứu ảnh hưởng của bóng

che lên đặc tính làm việc của hệ thống

quang điện Kết quả nghiên cứu đã

chỉ ra:

 Với cùng mức độ che phủ, thay đổi vị

trí của module bị che phủ không làm thay

đổi hình dạng của đường đặc tính làm

việc I-V và P-V;

 Khi bị che phủ, đặc tính I-V có nhiều

bậc, đặc tính P-V xuất hiện nhiều điểm cực đại Số điểm cực đại tăng lên khi số module bị che phủ tăng;

 Số module bị che phủ càng tăng, công suất đầu ra của hệ thống quang điện càng giảm Công suất này được ghi nhận tại

điểm có điện áp bằng 60-65% V oc (1 module bị che) và 80-85% Voc (nhiều module bị che);

 Khi nhiệt độ làm việc của module quang điện giảm, công suất đầu ra của hệ thống quang điện tăng;

Trang 10

 Bypass diode giúp tăng công suất đầu

ra của hệ thống quang điện

Với các kết luận trên, nghiên cứu đã làm

rõ mối quan hệ giữa đặc tính làm việc

của hệ thống quang điện với vị trí của

module quang điện bị che phủ cũng như

xét đồng thời tác động của nhiệt độ và

hiện tượng phủ bóng này Mặc dù vậy,

nghiên cứu này cần tiếp tục được triển

khai các nội dung sau:

 Cung cấp thêm số liệu đo đạc thực

nghiệm để có sự so sánh rõ hơn với kết

phỏng;

 Nghiên cứu ảnh hưởng của blocking diode khi hệ thống bao gồm các module mắc song song với nhau;

 Nghiên cứu ảnh hưởng của hiện tượng bóng che lên phản ứng của bộ bắt điểm công suất cực đại MPPT;

 Mô hình được đề xuất có thể kết hợp

mô hình mô phỏng bộ biến đổi công suất DC-DC, DC-AC và MPPT để tạo nên hệ thống phát điện xoay chiều hoàn chỉnh

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] N Belhaouas, M.S Ait Cheikh, "Matlab-Simulink of photovoltaic system based on a two-diode model simulator with shaded solar cells." Revue des Energies Renouvelables, Vol 16, No 1,

pp 65-73, Jan 2013

[2] Ahmed Bouraiou, Salah Lachtar, Abdelkader Hadidi, Nadir Benamira, "Matlab/Simulink Based Modeling and Simulation of Photovoltaic Array Under Partial Shading " International Conference

on Green Energy and Environmental Engineering (GEEE-2014), Sousse, Tunisia, 2014, pp 1-5 [3] Amrita Mantri, Ajay Verma, "Developed Simulated Circuit of Photovoltaic Array under Partially Shading Conditions." International Journal of Research (IJR), Vol 2, No 3, pp 468-473, Mar

2015

[4] Mohammed S Ibbini, Shadi Mansi, Mohammed Masadeh, Eid Al Hajri, "Simscape Solar Cells Model Analysis and Design." Computer Applications in Environmental Sciences and Renewable Energy, pp 97-103, 2014

[5] Ramaprabha Ramabadran, Badrilal Mathur, "A Comprehensive Review and Analysis of Solar Photovoltaic Array Configurations under Partial Shaded Conditions." International Journal of Photoenergy, Vol 3, No 10, pp 32-41, Oct 2009

[6] Sridhar Ramasamy, Jeevananthan S, S.S Dash Thamizh Selvan, "An Intelligent Differential Evolution based Maximum Power Point Tracking (MPPT) Technique for Partially Shaded Photo Voltaic (PV) Array." International Journal of Advanced Soft Computing Appllication, Vol 6, No

2, pp 1-16, Jul 2014

[7] Mohammadmehdi Seyedmahmoudian, Saad Mekhilef, Rasoul Rahmani, Rubiyah Yusof, Ehsan Taslimi Renani "Analytical Modeling of Partially Shaded Photovoltaic Systems." Energies, Vol

6, pp 128-144, 2013

Ngày đăng: 13/02/2020, 01:08

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

TÀI LIỆU CÙNG NGƯỜI DÙNG

TÀI LIỆU LIÊN QUAN

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm

w