1. Trang chủ
  2. » Kỹ Thuật - Công Nghệ

Bài giảng Điện tử số: Chương 3 - TS. Hoàng Văn Phúc

24 101 0

Đang tải... (xem toàn văn)

Tài liệu hạn chế xem trước, để xem đầy đủ mời bạn chọn Tải xuống

THÔNG TIN TÀI LIỆU

Thông tin cơ bản

Định dạng
Số trang 24
Dung lượng 1,27 MB

Các công cụ chuyển đổi và chỉnh sửa cho tài liệu này

Nội dung

Bài giảng Điện tử số: Chương 3 Vi mạch số. Sau khi học xong chương này người học có thể hiểu về: Các khái niệm cơ bản, phân loại vi mạch số, đặc tính điện của IC, đặc tính nhiệt của IC, phần tử logic cơ bản dùng IC họ 74,....

Trang 2

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 2

 Mạch tích hợp, hay vi mạch (IC: Integrated Circuit), là một miếng bán dẫn chứa các phần tử thụ động (như điện trở, tụ điện, cuộn cảm) và các phần tử tích cực (như diode, transistor) cùng với các dây nối được chế tạo trên đó theo cùng một công nghệ và đóng vỏ chung với nhau

 Mạch tích hợp tương tự: làm việc với các tín hiệu tương tự

 Mạch tích hợp số: làm việc với các tín hiệu số

 Mạch tích hợp hỗn hợp

Trang 3

1963: Bipolar TTL Logic Series 7400 1968: CMOS Logic series 4000

SSI (Small Scale Integration) : <100 transistors (1963)

MSI (Medium Scale Integration) : 100-300 transistors (1970)

LSI (Large Scale Integration) : 300-30K transistors (1975)

1974: 1K-bit RAM (4K transistors)

1978: uP Intel 8086 : (29K transistors)

VLSI (Very Large Scale Integration) : 30K-1M transistors (1980)

1986: 1M-bit RAM (>1M transistors)

1989: uP Intel 80846 (>1M transistors)

ULSI (Ultra Large Scale Integration) : >1M transistors (1990)

2000: uP Intel Pentium 4 (40 M transistors)

WSI (Wafer Scale Integration): chip IC chiếm toàn bộ wafer

GSI (Giga Scale Integration) : >1G transistors (2010)

2007: 16G-bit RAM

2008: Intel Core 2 Quad (820 M transistors)

Trang 4

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 4

 Theo bản chất linh kiện được sử dụng:

 IC sử dụng Transistor trường - FET (Field Effect Transistor)

• MOS: Metal Oxide Semiconductor

• CMOS: Complementary MOS

Trang 5

1970 1975 1.000

10.000

1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010

100.000 1.000.000 10.000.000 100.000.000 1.000.000.000

Trang 6

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 6

Trang 8

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 8

Silicon wafer

Trang 9

 Dải điện áp quy định mức logic

Dải điện

áp không xác định

Trang 10

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 10

 Thời gian truyền:

 Thời gian trễ: là thời gian trễ thông tin của đầu ra so với đầu vào

 Thời gian chuyển biến: là thời gian cần thiết để chuyển biến từ mức 0 lên mức 1 và ngược lại

– Thời gian chuyển biến từ 0 đến 1 (thời gian thiết lập sườn dương)

– Thời gian chuyển biến từ 1 đến 0 (thời gian thiết lập sườn âm)

– Trong thực tế, thời gian chuyển biến được đo bằng thời gian chuyển biến từ 10% đến 90% giá trị biên độ cực đại

Trang 11

 Thời gian truyền:

Trang 12

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 12

 Công suất tiêu thụ ở chế độ động:

Trang 13

 Là đặc tính của kết cấu vỏ bọc bên ngoài

• IC có 2 hàng chân DIP (Dual Inline Package)

• IC chân dạng lưới PGA (Pin Grid Array): vỏ vuông, chân xung quanh

Trang 14

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 14

Trang 15

 Mỗi một loại IC được chế tạo để sử dụng ở một

điều kiện môi trường khác nhau tùy theo mục

đích sử dụng nó

Trang 16

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 16

Trang 18

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 18

Trang 19

74LS00

Trang 20

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 20

Trang 22

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 22

Trang 23

 Đọc datasheet một số IC

Trang 24

Chương 3 - Bài giảng Điện tử số 2015 24

XIN CHÂN THÀNH CẢM ƠN!

Q&A!

Ngày đăng: 12/02/2020, 19:29

TỪ KHÓA LIÊN QUAN

🧩 Sản phẩm bạn có thể quan tâm

w