Giáo trình Môn đun: Kỹ thuật điện – điện tử nghề Quản trị mạng (Trình độ: Cao đẳng nghề)

Giáo trình Môn đun: Kỹ thuật điện – điện tử nghề Quản trị mạng (Trình độ: Cao đẳng nghề) được xây dựng trên cơ sở phân tích nghề, phần kỹ thuật nghề được kết cấu theo các mô đun/môn học. Để tạo điều kiện thuận lợi cho các cơ sở dạy nghề trong quá trình thực hiện, việc biên soạn giáo trình kỹ thuật nghề theo theo các mô đun/môn học đào tạo nghề là cấp thiết hiện nay. Để nắm vững rõ hơn nội dung kiến thức giáo trình mời các bạn cùng tham khảo tài liệu.

Tài li u này thu c lo i sách giáo trình nên các ngu n thông tin có th  đệ ộ ạ ồ ể ược phép dùng nguyên b n ho c trích dùng cho các m c đích v  đào t o và tham kh o.ả ặ ụ ề ạ ả

M i m c đích khác mang tính l ch l c ho c s  d ng v i m c đích kinh doanh thi uọ ụ ệ ạ ặ ử ụ ớ ụ ế  lành m nh s  b  nghiêm c m.ạ ẽ ị ấ

MàTÀI LI UỆ : MĐ 08

L I GI I THI UỜ Ớ Ệ

Trong nh ng năm qua, d y ngh  đã có nh ng bữ ạ ề ữ ước ti n vế ượ ật b c c  v  s  lả ề ố ượ  ng

và ch t lấ ượng, nh m th c hi n nhi m v  đào t o ngu n nhân l c k  thu t tr c ti p đápằ ự ệ ệ ụ ạ ồ ự ỹ ậ ự ế  

ng nhu c u xã h i. Cùng v i s  phát tri n c a khoa h c công ngh  trên th  gi i, lĩnh v c

ki n thu n l i cho các c  s  d y ngh  trong quá trình th c hi n, vi c biên so n giáo trìnhệ ậ ợ ơ ở ạ ề ự ệ ệ ạ  

k  thu t ngh  theo theo các mô đun/ môn h c đào t o ngh  là c p thi t hi n nay.ỹ ậ ề ọ ạ ề ấ ế ệ

Môn đun: K  Thu t Đi n – Đi n T  là môn h c cung c p các ki n th c c  b n vỹ ậ ệ ệ ử ọ ấ ế ứ ơ ả ề 

k  thu t đi n t , k  thu t xung s  giúp sinh viên d  dàng h n trong vi c ti p c n v i cácỹ ậ ệ ử ỹ ậ ố ễ ơ ệ ế ậ ớ  thi t b  đi n t  cũng nh  nh ng thi t b  m ng. Hi u đế ị ệ ử ư ữ ế ị ạ ể ược nguyên lý làm vi c c a nó.ệ ủ  Trong quá trình biên so n nhóm đã tham kh o các tài li u khác, t ng h p đ  đ a đ n giáoạ ả ệ ổ ợ ể ư ế  trình này

M c d u có r t nhi u c  g ng, nh ng không tránh kh i nh ng khi m khuy t,  r tặ ầ ấ ề ố ắ ư ỏ ữ ế ế ấ  mong nh n đậ ượ ực s  đóng góp ý ki n c a đ c gi  đ  giáo trình đế ủ ộ ả ể ược hoàn thi n h n.ệ ơ

M C L CỤ Ụ

MÔN ĐUN: K  THU T ĐI N ­ ĐI N TỸ Ậ Ệ Ệ Ử

­ Trình bày chính xác các khái ni m, kí hi u qui ệ ệ ước, tính ch t, nguyên lý làm vi c vàấ ệ  

hi n tệ ượng v  đi n và đi n t  và ph m vi s  d ng c a các linh ki n đi n t  thôngề ệ ệ ử ạ ử ụ ủ ệ ệ ử  

d ng;ụ

­ Trình bày chính xác các đ nh lu t, các đ i lị ậ ạ ượng c  b n c a m ch đi n;ơ ả ủ ạ ệ

­ Nh n di n, ki m tra và hi u nguyên lý ho t đ ng c a các linh ki n đi n t ;ậ ệ ể ể ạ ộ ủ ệ ệ ử

­ Ch n l a, s  d ng đúng ch ng lo i m  hàn và th c hi n hàn đọ ự ử ụ ủ ạ ỏ ự ệ ược m i hàn t t khôngố ố  gây h  h ng linh ki n đi n t ;ư ỏ ệ ệ ử

­ L p đắ ược các m ch đi n, đi n t  c  b n;ạ ệ ệ ử ơ ả

­ B  trí làm vi c khoa h c đ m b o an toàn cho ngố ệ ọ ả ả ười và phương ti n h c t p.ệ ọ ậ

6

6

12

3

7

13

3

20322292

9

2 1 2 2 2

17

4 2 3 5 3

4

22

12

48

1

BAI 1: CÁC KHÁI NI M VÀ Đ NH LU T C  B N V  M CH ĐI Ǹ Ệ Ị Ậ Ơ Ả Ề Ạ Ệ

­ Trình bày các khái ni m c  b n, đ nh lu t v  m ch đi n;ệ ơ ả ị ậ ề ạ ệ

­  ng d ng đỨ ụ ược các đ nh lu t đ  phân tích các m ch đi n c  b n;ị ậ ể ạ ệ ơ ả

­ Th c hi n các thao tác an toàn v i m ch đi n t ự ệ ớ ạ ệ ử

C u t o c a nguyên t  g m: ấ ạ ủ ử ồ

H t nhân: Tích đi n dạ ệ ương (+), chi m g n tr n kh i lế ầ ọ ố ượng c a nguyên t , ch aủ ử ứ  các h t ch  y u là proton và neutron. ạ ủ ế

L p v  đi n t : tích đi n âm (­), kh i lớ ỏ ệ ử ệ ố ượng không đáng k , ch  ch a h t electron.ể ỉ ứ ạ

Hình 1.1. C u t o nguyên tấ ạ ửBình thường s  lố ượng đi n tích dệ ương trong nhân b ng s  lằ ố ượng đi n tích âm c aệ ủ  các đi n t  bao quanh, ngệ ử ười ta nói nguyên t  trung hòa v  đi n. ử ề ệ

1.2. Đ nh lu t ị ậ Coublong v  l c tề ự ương tác gi a hai đi n tíchữ ệ

Nh ng v t nhi m đi n đữ ậ ễ ệ ược g i là đi n tích. Có 2 lo i đi n tích: đi n tích dọ ệ ạ ệ ệ ươ  ng

và đi n tích âm. Các đi n tích cùng d u thì đ y nhau và các đi n tích trái d u thì hút nhau.ệ ệ ấ ẩ ệ ấ  

Nh ng v t nhi m đi n có kích thữ ậ ễ ệ ước nh  thì ta g i chúng là đi n tích đi m.ỏ ọ ệ ể

Đ nh lu t Coublong: Đ  l n c a l c tị ậ ộ ớ ủ ự ương tác gi a hai đi n tích đi m t  l  v i tíchữ ệ ể ỉ ệ ớ  các đ  l n c a hai đi n tích đó và t  l  ngh ch v i bình phộ ớ ủ ệ ỉ ệ ị ớ ương kho ng cách gi a chúng.ả ữ  

Phương c a l c tủ ự ương tác gi a hai đi n tích đi m là đữ ệ ể ường th ng n i hai đi n tích đi mẳ ố ệ ể  

đó. Hai đi n tích đi m cùng d u thì đ y nhau, hai đi n tích đi m khác d u thì hút nhau.ệ ể ấ ẩ ệ ể ấ

  Bi u th c: ể ứ

Trong đó:

k: h  s  t  l , ph  thu c vào h  đ n v , trong h  SI:ệ ố ỉ ệ ụ ộ ệ ơ ị ệ

q1 và q2: các đi n tích (C)ệ

r: kho ng cách gi a qả ữ 1 và q2 (m2)

: H ng s  đi n môi c a môi tr ng. (Chân không có   = 1)

H ng s  đi n môi c a môi trằ ố ệ ủ ường cho bi t: khi đ t các đi n tích trong môi trế ặ ệ ườ  ng

đó thì l c tự ương gi a chúng gi m đi bao nhiêu l n so v i  khi chúng đ t trong chân không.ữ ả ầ ớ ặ

2. M ch đi n và các đ i lạ ệ ạ ượng đ c tr ngặ ư

Muc tiêu:̣   Biêt đ́ ượ c khai niêm, công th c, môi quan hê gi a cac đai ĺ ̣ ứ ́ ̣ ữ ́ ̣ ượ ng đăc ̣  

tr ng trong mach điên ư ̣ ̣

2.1.Dòng đi nệ

Dòng di n là dòng electron t  do chuy n d i theo cùng m t hệ ự ể ờ ộ ướng trong v t d nậ ẫ  

đi n do l c hút c a v t mang đi n tích dệ ự ủ ậ ệ ương và l c đ y c a v t mang đi n tích âm. Đ iự ẩ ủ ậ ệ ạ  

lượng đ c tr ng cho dòng đi n là cặ ư ệ ường đ  dòng đi n.ộ ệ

Cường đ  dòng đi nộ ệ  qua m t b  m tộ ề ặ  là lượng electron di chuy n qua b  m t đóể ề ặ  trong m t đ n v  th i gian, ộ ơ ị ờ hay nói cách khác cường đ  dòng đi n là t  s  gi a đi n tích Qộ ệ ỉ ố ữ ệ  

c a lủ ượng electron di chuy n và th i gian t. ể ờ

Trong hệ SI, cường đ  dòng đi n có đ n vộ ệ ơ ị ampe (A)

     Ta có công th c:ứ

   Q: đi n tích (culông ­ C) ệ

    I: cường đ  dòng đi n (ampe ­ A) ộ ệ

    t: th i gian (giây­ s) ờ

Tuy nhiên, trong các m ch đi n t  thì cạ ệ ử ường đ  dòng đi n có tr  s  A là khá l n nênộ ệ ị ố ớ  

người ta thường dùng ướ ố ủc s  c a A là: 

1mA  = 10­3 A

1 µA  = 10­3 mA = 10­6 A 2.2. Đi n ápệ

Khái ni m đi p áp đệ ệ ược rút ra t  khái ni m đi n th  trong v t lý, là hi u s  đi nừ ệ ệ ế ậ ệ ố ệ  

th  gi a hai đi m khác nhau c a m ch đi n. Thế ữ ể ủ ạ ệ ường m t đi m nào đó c a m ch độ ể ủ ạ ượ  c

ch n làm đi m g c có đi n th  b ng 0 (đi m n i đ t). Khi đó, đi n th  c a m i đi mọ ể ố ệ ế ằ ể ố ấ ệ ế ủ ọ ể  khác trong m ch có giá tr  dạ ị ương hay âm được mang so sánh v i đi m g c và đớ ể ố ược hi u làể  

đi n áp t i đi m tệ ạ ể ương  ng. ứ

Trong hệ SI, đi n áp có đ n vệ ơ ị voltage (V) 

1KV   =    103 V  1V      =    103 mV1mV   =    103 µA  2.3. Ngu n đi nồ ệ

Ngu n đi n m t chi u là ngu n đi n phát ra dòng đi n m t chi u, dòng đi n nàyồ ệ ộ ề ồ ệ ệ ộ ề ệ  

có chi u xác đ nh. Các ngu n đi n 1 chi u có th  là: pin,  c quy, hay các b  ch nh l u.ề ị ồ ệ ề ể ắ ộ ỉ ư

Dung lượng đi n áp đã n p và ch a trong ngu n đệ ạ ứ ồ ược g i là đi n lọ ệ ượng. Kí hi uệ  

Q, đ n v   là  Ampe  gi  (Ah).ơ ị ờ

Th i gian s   d ng c a ngu n tùy thu c cờ ử ụ ủ ồ ộ ường đ  dòng đi n tiêu th , độ ệ ụ ược tính theo công th c:       ứ

Q: đi n lệ ượng (Ah)      

I: cường đ  dòng đi n (A) ộ ệ

 t: th i gian (h)ờ

a Pin

Có nhi u lo i pin, nh ng có hai lo i pin thông d ng là pin khô (không n p l iề ạ ư ạ ụ ạ ạ  

được) và pin Nicken­ Cadmi (Ni­ Cd), là lo i pin có kh  năng n p l i nhi u l n. ạ ả ạ ạ ề ầ

Pin khô có 3 c , thỡ ường g i là: ọ

b Ắc quy 

Có hai lo i  cquy là  cquy chì và  cquy ki m: ạ ắ ắ ắ ề

cquy chì có   đi n c c là nh ng t m chì nhúng trong dung d ch axít sunfuric

Đ nh lu t: Cị ậ ường đ  dòng đi n trong m t đo n m ch t  l  thu n v i đi n áp   haiộ ệ ộ ạ ạ ỷ ệ ậ ớ ệ ở  

đ u đo n m ch và t  l  ngh ch v i đi n tr  c a đo n m ch đó.ầ ạ ạ ỷ ệ ị ớ ệ ở ủ ạ ạ

Công th c:ứ

Trong đó:

I: cường đ  dòng đi n (A)ộ ệU: hi u đi n th  gi a hai đ u đo n m ch (V)ệ ệ ế ữ ầ ạ ạR: đi n tr  c a đo n m ch ( )ệ ở ủ ạ ạ Ω

3.2. Đ nh lu t Kirchhoff 1 (Đ nh lu t Kirchhoff v  dòng đi n)ị ậ ị ậ ề ệ

M t m ch đi n g m hai hay nhi u ph n t   n i v i nhau, các ph n t  trong m chộ ạ ệ ồ ề ầ ử ố ớ ầ ử ạ  

t o thành nh ng nhánh. Giao đi m c a hai hay nhi u nhánh đạ ữ ể ủ ề ược g i là nút.  ọ

Hình 1.2

N u xem m i ph n t  trong m ch là m t nhánh m ch này g m 5 nhánh và 4 nút.  ế ỗ ầ ử ạ ộ ạ ồ

N u xem ngu n hi u th   n i ti p v i R1 là m t nhánh và 2 ph n t  L và R2 là m tế ồ ệ ế ố ế ớ ộ ầ ử ộ  nhánh (trên các ph n t  này có cùng dòng đi n ch y qua) thì m ch g m 3 nhánh và 2 nút.ầ ử ệ ạ ạ ồ  Cách này s  giúp vi c gi i m ch đ n gi n h n.ẽ ệ ả ạ ơ ả ơ

Đ nh lu t Kirchhoff 1:  T ng đ i s  các dòng đi n t i m t nút b ng không.ị ậ ổ ạ ố ệ ạ ộ ằ

Trong đó: ij: dòng đi n trên các nhánh g p nút jệ ặ

V i qui ớ ước: Dòng đi n r i kh i nút có giá tr  âm và dòng đi n hệ ờ ỏ ị ệ ướng vào nút có giá tr  dị ương (hay ngượ ạc l i). 

Đ nh lu t Kirchhoff  v  dòng đi n là h  qu  c a nguyên lý b o toàn đi n tích: T iị ậ ề ệ ệ ả ủ ả ệ ạ  

m t nút đi n tích không độ ệ ược sinh ra cũng không b  m t đi.  ị ấ

3.3. Đ nh lu t Kirchhoff 2 (Đ nh lu t Kirchhoff v  đi n th )ị ậ ị ậ ề ệ ế

Đ nh lu t Kirchhoff 2: T ng đ i s  hi u th  c a các nhánh theo m t vòng kín b ngị ậ ổ ạ ố ệ ế ủ ộ ằ  không

Đ  áp d ng đ nh lu t Kirchhoff  2, ta ch n m t chi u cho vòng và dùng qui ể ụ ị ậ ọ ộ ề ướ  c:

Hi u th  có d u (+) khi đi theo vòng theo chi u gi m c a  đi n th  (t c g p c c dệ ế ấ ề ả ủ ệ ế ứ ặ ự ươ  ng

trước) và ngượ ạc l i. 

Đ nh lu t Kirchhoff  2 v  hi u th  vi t cho vòng abcd c a hình v  sau:ị ậ ề ệ ế ế ủ ẽ

Hình 1.4

Ta cũng có th  vi t đ nh lu t Kirchhoff  2 cho m ch trên b ng cách ch n hi u thể ế ị ậ ạ ằ ọ ệ ế 

gi a 2 đi m và xác đ nh hi u th  đó theo m t đữ ể ị ệ ế ộ ường khác c a vòng: ủ

Đ nh lu t Kirchhoff   v  hi u th  là h  qu  c a nguyên lý b o toàn năng lị ậ ề ệ ế ệ ả ủ ả ượng: Công trong m t độ ường cong kín b ng không. ằ

Bài t p th c hành cua hoc viênậ ự ̉ ̣

Bài 1: Cho m ch đi n có s  đ  nh  hình v :ạ ệ ơ ồ ư ẽ

- Vi t phế ương trình dòng đi n t i các nút A,B,C,Dệ ạ

- Vi t phế ương trình đi n áp cho các vòng m ch (a),(b),(c),(d)ệ ạ

Ngu n đi n 1 (m t chi u)ồ ệ ộ ề

Ngu n đi n 2 (m t chi u)ồ ệ ộ ề

Ngu n đi n 3 (xoay chi u)ồ ệ ề

Ngu n đi n 4 (xoay chi u)ồ ệ ề

HƯƠNG DÂN TH C HIÊŃ ̃ Ự ̣

Bai 1: ̀ Tham khao muc 3, bai 1.̉ ̣ ̀

Bai 2̀ : Tham khao muc 3, bai 1.̉ ̣ ̀

Bai 3̀ : Hương dân s  dung đông hô VOḾ ̃ ử ̣ ̀ ̀

Đ ng h  v n năng VOM đồ ồ ạ ược s  d ng đ  đo đi n tr , đo đi n áp m t chi u Vử ụ ể ệ ở ệ ộ ề DC, 

đi n áp xoay chi u Vệ ề AC, và đo dòng đi n. ệ

Đ ng h  g m có 4 ph n chính:ồ ồ ồ ầ

Kh i ch  th : dùng đ  xác đ nh giá tr  đo đố ỉ ị ể ị ị ược (kim ch  th  và các v ch đ c kh c đ ).ỉ ị ạ ọ ắ ộ

Kh i l a ch n thang đo: dùng đ  l a ch n thông s  và thang đo (chuy n m ch l aố ự ọ ể ự ọ ố ể ạ ự  

Chú ý: Đ  có th  s  d ng thang đo này, chúng ta c n l p pin.ể ể ử ụ ầ ắ

Đ  đo đi n tr  ta b t chuy n m ch   thang đo đi n tr  Chúng ta ch p hai đ u que đoể ệ ở ậ ể ạ ở ệ ở ậ ầ  

l i v i nhau và ch nh tri t áo đ  kim đ ng h  báo v  trí 0 Ohm (phía ph i). Đ t que đo vàoạ ớ ỉ ế ể ồ ồ ị ả ặ  

2 đ u đi n tr , đ c tr  s  trên thang đo.ầ ệ ở ọ ị ố

Giá tr  đi n tr  = giá tr  kim ch  * giá tr  thang đoị ệ ở ị ỉ ị

Đ  ki m tra thông m ch ta b t chuy n m ch   thang đo đi n tr  Đ t 2 que đo   2 vể ể ạ ậ ể ạ ở ệ ở ặ ở ị trí c n ki m tra thông m ch. N u kim đ ng h  báo 0 Ohm, nghĩa là 2 v  trí này đã đầ ể ạ ế ồ ồ ị ượ  cthông m ch.ạ

- Đo đi p áp m t chi uệ ộ ề

Đ  đo đi p áp m t chi u chúng ta b t chuy n m ch   thang đo DC. Trong thang đoể ệ ộ ề ậ ể ạ ở  

DC ta có các thang đo DC khác nhau đ  l a ch n. Khi đo đi p áp m t chi u, chúng ta đ tể ự ọ ệ ộ ề ặ  que đ  vào c c dỏ ự ương c a ngu n, que đen vào c c âm c a ngu n, và ch n thang đo caoủ ồ ự ủ ồ ọ  

h n đi n áp c n đo 1 n c. N u ch a xác đ nh đơ ệ ầ ấ ế ư ị ược m c đi n áp c n đo thì chúng ta ch nứ ệ ầ ọ  thang đo DC l n nh t đ  xác đ nh, r i sau đó ch n thang đo phù h p thì k t qu  đo sớ ấ ể ị ồ ọ ợ ế ả ẽ chính xác h n.ơ

Giá tr  đo đị ược ta đ c trên v ch ch  s  DVC.Aọ ạ ỉ ố

- Đo đi p áp xoay chi uệ ề

Đ  đo đi p áp xoay chi u chúng ta b t chuy n m ch   thang đo AC. Trong thang đoể ệ ề ậ ể ạ ở  

AC chúng ta có các thang đo AC khác nhau đ  l a ch n, thông thể ự ọ ường khi đo chúng ta ch nọ  thang đo AC cao h n m c đi n áp c n đo 1 n c. N u ch a xác đ nh đơ ứ ệ ầ ấ ế ư ị ược m c đi n áp c nứ ệ ầ  

đo thì chúng ta ch n thang đo AC l n nh t đ  xác đ nh, r i sau đó ch n thang đo phù h pọ ớ ấ ể ị ồ ọ ợ  thì k t qu  đo s  chính xác h n.ế ả ẽ ơ

BAI 2: LINH KI N ĐI N T̀ Ệ Ệ Ử

Mã bai: MĐ 08.02̀

Gi i thi u:ớ ệ

Linh ki n đi n t  là nh ng linh ki n đệ ệ ử ữ ệ ượ ử ục s  d ng trong các m ch đi n t  vì v yạ ệ ử ậ  

ngườ ọi h c c n đầ ược trang b  nh ng ki n th c c  b n v  linh ki n đi n t  đ  có th  làmị ữ ế ứ ơ ả ề ệ ệ ử ể ể  

vi c v i các m ch đi n t ệ ớ ạ ệ ử

M c tiêu:ụ

­ Phân bi t công d ng và nguyên t c ho t đ ng c a các linh ki n đi n t ;ệ ụ ắ ạ ộ ủ ệ ệ ử

­ Ki m tra để ược các linh ki n đi n t ;ệ ệ ử

­ L p đắ ược các m ch đi n t  c  b n;ạ ệ ử ơ ả

­ Th c hi n các thao tác an toàn v i m ch đi n t ự ệ ớ ạ ệ ử

N i dung chính:ộ

1. Đi n trệ ở

Muc tiêu:̣  Bi t đ ế ượ c khai niêm, đ n vi, câu tao, phân loai, ki hiêu, hinh dang th c tế ̣ ơ ̣ ́ ̣ ̣ ́ ̣ ̀ ́ ự ́ 

va  ng dung cua linh kiên điên tr ̀ ́ư ̣ ̉ ̣ ̣ ở

1.1. Khái ni mệ

Đi n tr  là đ i lệ ở ạ ượng v t lý đ c tr ng cho tính ch t c n tr  dòng đi n c a m t v tậ ặ ư ấ ả ở ệ ủ ộ ậ  

th  d n đi n. Nó để ẫ ệ ược đ nh nghĩ là t  s  c a hi u đi n th  gi a hai đ u v t th  đó v iị ỉ ố ủ ệ ệ ế ữ ầ ậ ể ớ  

cường đ  dòng đi n đi qua nó:ộ ệ

Trong đó:

U: là hi u đi n th  gi a hai đ u v t d n đi n, đo b ngệ ệ ế ữ ầ ậ ẫ ệ ằ  voltage (V)

I: là cường đ  dòng đi n đi qua v t d n đi n, đo b ngộ ệ ậ ẫ ệ ằ  ampe (A)

R: là đi n tr  c a v t d n đi n, đo b ngệ ở ủ ậ ẫ ệ ằ  Ohm ( ).Ω

­ Đi n tr  màng kim lo i: có đ   n đ nh cao và giá thành đ t.ệ ở ạ ộ ổ ị ắ

­ Đi n tr  oxit kim lo i: ch ng nhi t, ch ng  m t t; công su t 0.5W.ệ ở ạ ố ệ ố ẩ ố ấ

­ Đi n tr  dây qu n: thệ ở ấ ường dùng khi yêu c u giá tr  đi n tr  r t th p hay dòng đi nầ ị ệ ở ấ ấ ệ  

r t cao; công su t t  1W đ n 25W.ấ ấ ừ ế

1.2.2. Bi n tr  (chi t áp)ế ở ế

Có d ng m t cung 270ạ ộ  n i v i 1 c n con ch y quay đố ớ ầ ạ ược nh  1 tr c gi a, con ch yờ ụ ữ ạ  

ti p xúc đ ng v i vành đi n tr  nh  đó giá tr  c a nó tính t  1 trong 2 đ u t i đi m conế ộ ớ ệ ở ờ ị ủ ừ ầ ớ ể  

ch y có th  bi n đ i khi quay tr c con ch y.  Ph  bi n nh t là lo i c u t o b ng than vàạ ể ế ổ ụ ạ ổ ế ấ ạ ấ ạ ằ  

b ng dây qu n, lo i than có công su t th p (1/4W đ n 1/2W), lo i dây qu n có công su tằ ấ ạ ấ ấ ế ạ ấ ấ  cao h n (thơ ường t  1W đ n 3W).ừ ế

Các giá tr  đi n tr  thị ệ ở ường dùng cho m i lo i chi t áp:ỗ ạ ế

+ Lo i than: 100, 220, 470, 1k, 2.2k, 4.7k, 10k, 22k, 47k, 100k, 220k, 470k, 1M, 2.2M,ạ  4.7M

+ Lo i dây qu n: 10, 22, 47, 100, 220, 470, 1k, 2.2k, 4.7k, 10k, 22k, 47k v i dung sai vàiạ ấ ớ  

%

1.2.3. Hình dáng th c tự ế

Hình 2.1. Hình dáng đi n tr  ệ ở1.3. Kí hi u, đ n vệ ơ ị

Kí hi u: trong s  đ  m ch đi n t  đi n tr  đệ ơ ồ ạ ệ ử ệ ở ược kí hi uệ

Trong h  SI, đi n tr  có đ n v  là Ohm (   )ệ ệ ở ơ ị Ω

Ngoài ra người ta còn dùng các b i s  c a Ohm:ộ ố ủ

­ Đi n tr  có giá tr  thay đ i (bi n tr )ệ ở ị ổ ế ở

Phân lo i theo c u t o: ạ ấ ạ

­ Đi n tr  than.ệ ở

­ Đi n tr  công su t: Là các đi n tr  có công su t l n h n t  1W, 2W, 5W, 10W.ệ ở ấ ệ ở ấ ớ ơ ừ

­ Đi n tr  s , đi n tr  nhi t: Là cách g i khác c a các đi n tr  công su t , đi n trệ ở ứ ệ ở ệ ọ ủ ệ ở ấ ệ ở này có v  b c s , khi ho t đ ng chúng to  nhi t.ỏ ọ ứ ạ ộ ả ệ

1.5.  ng d ngỨ ụ

Người ta thường dùng đi n tr  đ  h  ho c “s t” ngu n cung c p đi n m t chi u đ nệ ở ể ạ ặ ụ ồ ấ ệ ộ ề ế  

m t giá tr  theo yêu c u.Trong thộ ị ầ ường h p c  b n đ  tính toán m ch, đi n tr  thợ ơ ả ể ạ ệ ở ườ  ng

đượ ược t ng tr ng b ng m t đi n tr  t i Rư ằ ộ ệ ở ả L v i m t đi n tr  s t áp Rớ ộ ệ ở ụ D m c n i ti p nhắ ố ế ư hình (2.2)

M c đi n áp Uứ ệ 2 nh n đậ ược trên RL so v i Uớ 1 đã b  s t áp m t lị ụ ộ ượng 

U1 – U2 = UD

Đi n áp đ t trên Rệ ặ D là       UD = I*RD

Đi n áp đ t trên t i Rệ ặ ả L là        U2 = I*RL

Đi n áp cung c p là       Uệ ấ 1 = UD + U2

 C u t o c a t  đi n g m hai b n c c đ t song song,   gi a có m t l p cách đi n g iấ ạ ủ ụ ệ ồ ả ự ặ ở ữ ộ ớ ệ ọ  

là đi n môi.ệ

T  đi n không phân c c v  c  b n g m các lá kim lo i xen k  v i các lá làm b ngụ ệ ự ề ơ ả ồ ạ ẽ ớ ằ  

ch t cách đi n. ấ ệ

T  đi n đi n phân có c u t o g m 2 đi n c c tách r i nhau nh  m t màng m ng ch tụ ệ ệ ấ ạ ồ ệ ự ờ ờ ộ ỏ ấ  

đi n phân. Đây là lo i t  đi n có c c tính xác đ nh đệ ạ ụ ệ ự ị ược đánh d u trên thân t , n u n iấ ụ ế ố  

ngược c c tính thì l p đi n môi có th  b  phá h y và làm h ng t  Lo i này d  b  rò đi nự ớ ệ ể ị ủ ỏ ụ ạ ễ ị ệ  

do lượng đi n phân còn d ệ ư

Hình dáng:

Hình 2.3. Hình dáng t  đi nụ ệ2.3. Kí hi u, đ n vệ ơ ị

 Kí hi u: ệ

Đ n v  đi n dung c a t :  Fara (F), 1Fara là r t l n do đó trong th c t  thơ ị ệ ủ ụ ấ ớ ự ế ường dùng các đ n v  nh  h n nh  MicroFara (µF) , NanoFara (nF), PicoFara (pF).ơ ị ỏ ơ ư

1µF  =  10­6  F1pF  =   10­9 F1nF  =   10­12 F2.4. Phân lo iạ

 Các lo i t  đi n thạ ụ ệ ường g p   2 d ng: d ng có tr  s  c  đ nh và d ng có tr  s  có thặ ở ạ ạ ị ố ố ị ạ ị ố ể thay đ i đổ ược

m ch đi n yêu c u đ   n đ nh, đ  chính xác và đ  tin c y cao.ạ ệ ầ ộ ổ ị ộ ộ ậ

T  Polyeste gi y: có d ng tr , dùng trong các m ch đi n t , ch t đi n môiụ ấ ạ ụ ạ ệ ử ấ ệ  

là polyeste và gi y ép, có tr  s  t  1nF đ n 1ấ ị ố ừ ế F

T  đi n đi n phân: đi n áp làm vi c th p, có đi n dung l n t  0.1ụ ệ ệ ệ ệ ấ ệ ớ ừ F đ nế  

4700 F

Cho dòng đi n xoay chi u đi qua và ngăn đi n áp m t chi u l i, do đó t  đệ ề ệ ộ ề ạ ụ ược sử 

d ng đ  truy n tín hi u gi a các t ng khu ch đ i có chênh l ch v  đi n áp 1 chi u.ụ ể ề ệ ữ ầ ế ạ ệ ề ệ ề

T  l c ngu n trong các m ch ch nh l u nh m t o ra đi n áp 1 chi u b ng ph ng h n.ụ ọ ồ ạ ỉ ư ằ ạ ệ ề ằ ẳ ơ

Cu n c m có tác d ng l u tr  năng lộ ả ụ ư ữ ượng   d ng t  năng (năng lở ạ ừ ượng c a t  trủ ừ ườ  ng

t o ra b i cu n c m khi dòng đi n đi qua); và làm dòng đi n b  tr  pha so v i đi n áp m tạ ở ộ ả ệ ệ ị ễ ớ ệ ộ  góc b ng 90°.ằ

Cu n c m độ ả ược đ c tr ng b ng đ  t  c m. Cu n c m có đ  t  c m càng cao thì càngặ ư ằ ộ ự ả ộ ả ộ ự ả  

t o ra t  trạ ừ ường m nh và d  tr  nhi u năng lạ ự ữ ề ượng

Kí hi u:ệ

Trong h  SI, đ  t  c m c a cu n dây có đ n v  là  Henry (H)ệ ộ ừ ả ủ ộ ơ ị

Tuy nhiên, người ta thường hay dùng các ướ ố ủc s  c a Henry 

1mH = 10­3 H1µH  = 10­6 H3.4. Phân lo iạ

Tùy theo v t li u đ t trong lõi cu n dây, mà ta có các lo i cu n c m:ậ ệ ặ ộ ạ ộ ả  cu n dây lõiộ  không khí, cu n dây lõi s t b i, cu n dây lõi s t lá.ộ ắ ụ ộ ắ

3.5.  ng d ngỨ ụ

M t cu n dây có dòng đi n ch y qua s  sinh ra m t t  trộ ộ ệ ạ ẽ ộ ừ ường, đó là nguyên lý ho tạ  

đ ng c a m t nam châm đi n. N u giá tr  c a dòng đi n trên cu n dây thay đ i thì cộ ủ ộ ệ ế ị ủ ệ ộ ổ ườ  ng

đ  t  trộ ừ ường phát sinh t  cu n dây cũng thay đ i gây ra m t s c đi n đ ng c m  ng (từ ộ ổ ộ ứ ệ ộ ả ứ ự 

c m) trên cu n dây và có xu th  đ i l p l i dòng đi n ban đ u.ả ộ ế ố ậ ạ ệ ầ

Ngoài ra, cu n c m còn độ ả ượ ức  ng d ng trong các máy bi n áp, nh m t o ra đi n áp cóụ ế ằ ạ ệ  giá tr  cao h n (tăng áp) hay đi n áp có giá tr  nh  h n (gi m áp) so v i đi n áp ban đ u.ị ơ ệ ị ỏ ơ ả ớ ệ ầ

D a vào c u t o vùng năng lự ấ ạ ượng, tùy theo tình tr ng m c năng lạ ứ ượng trong m t vùngộ  

có b  đi n t  chi m ch  hay không mà ngị ệ ử ế ỗ ười ta phân làm 3 vùng năng lượng nh  sau:ư

- Vùng hóa tr  (mi n đ y)ị ề ầ : trong vùng này các m c năng lứ ượng đ u b  electron chi mề ị ế  

gi ữ

- Vùng d n (vùng tr ng):ẫ ố   trong vùng này các m c năng lứ ượng còn b  tr ng hay bỏ ố ị electron chi m gi  m t ph n.ế ữ ộ ầ

- Vùng c m:ấ  trong vùng này không có m c năng lứ ượng đ  electron chi m ch ể ế ỗ

Hình 2.5. C u t o vùng năng l ngấ ạ ượ

- Ed: m c năng lứ ượng vùng đáy 

- Et: m c năng lứ ượng vùng tr nầ

- G i Eọ g = Ed – Et: giá tr  năng lị ượng vùng c mấ

Hình 2.6. C u t o vùng năng l ng c a ch t cách đi n, ch t bán d n và ch t d nấ ạ ượ ủ ấ ệ ấ ẫ ấ ẫ  

đi nệ4.1.1. Ch t bán d n thu nấ ẫ ầ

Ch t bán d n thu n là ch t bán d n không pha thêm t p ch t.ấ ẫ ầ ấ ẫ ạ ấ

Có hai ch t bán d n thu n c  b n:ấ ẫ ầ ơ ả

- Silicium (Si) có Eg = 1.12eV

- Gemanium (Ge) có Eg = 0.72eV

Hình 2.7. C u trúc m ng tinh th  c a ch t bán d n thu n Siấ ạ ể ủ ấ ẫ ầ

Dưới tác đ ng năng lộ ượng bên ngoài, có th  là nhi t ho c đi n trể ệ ặ ệ ường ngoài, đ  l nủ ớ  làm b c electron ra kh i m i liên k t, electron b  b c ra kh i m i liên k t đứ ỏ ố ế ị ứ ỏ ố ế ược g i làọ  electron t  do, còn v  trí ch a nó đự ị ứ ược g i là l  tr ng, hi n tọ ỗ ố ệ ượng này được g i là s  phátọ ự  sinh c p đi n t ­l  tr ng. Đi n t  t  do di chuy n trong m ng tinh th ; khi g p l  tr ng,ặ ệ ử ỗ ố ệ ử ự ể ạ ể ặ ỗ ố  

nó có khuynh hướng nh p vào l  tr ng đó đ  tr  v  tr ng thái cân b ng ban đ u, hi nậ ỗ ố ể ở ề ạ ằ ầ ệ  

tượng này được g i là s  tái h p c p đi n t ­l  tr ng.ọ ự ợ ặ ệ ử ỗ ố

Hình 2.8. Đ  th  gi i thích c  ch  phát sinh t ng c p h t d n t  doồ ị ả ơ ế ừ ặ ạ ẫ ự

G i nọ i là s  electron   vùng d n , pố ở ẫ i là s  l  tr ng   vùng hóa trố ỗ ố ở ị

Khi m t ch t bán d n thu n độ ấ ẫ ầ ược pha thêm t p ch t thu c nhóm hóa tr  V (nh  Asenạ ấ ộ ị ư  

As, Photpho P,…) thì nó tr  thành ch t bán d n t p lo i n.ở ấ ẫ ạ ạ

Nguyên t  t p ch t liên k t v i 4 nguyên t  Si xung quanh và còn th a 1 electron ử ạ ấ ế ớ ử ừ ở vùng ngoài cùng, electron này liên k t y u đ i v i nhân và d  dàng b  ion hóa thành 1 ionế ế ố ớ ễ ị  

dương và đi n t  t  do.ệ ử ự

Hình 2.9. C  ch  phát sinh h t d n trong ch t bán d n t p ch t lo i nơ ế ạ ẫ ấ ẫ ạ ấ ạ

Goi ṇ n la s  đi n t    vùng d ǹ ố ệ ử ở ẫ , pn la s  l  tr ng   vùng hóa tr̀ố ỗ ố ở ị

Ta có:   nn  >> pn

Đ i v i ch t bán d n t p lo i n, kh  năng d n đi n ch  y u b ng đi n t  nên đi n tố ớ ấ ẫ ạ ạ ả ẫ ệ ủ ế ằ ệ ử ệ ử 

được g i là h t t i đa s  Tuy nhiên, v n t n t i c  ch  hình thành t ng c p h t d n tọ ạ ả ố ẫ ồ ạ ơ ế ừ ặ ạ ẫ ự 

do, nên l  tr ng cũng tham gia d n đi n và đỗ ố ẫ ệ ược g i là h t d n thi u s  ọ ạ ẫ ể ố

V y dòng đi n trong ch t bán d n t p ch t lo i n g m electron (là h t t i đa s ) và lậ ệ ấ ẫ ạ ấ ạ ồ ạ ả ố ỗ 

tr ng (là h t t i thi u s ) t o thành.ố ạ ả ể ố ạ

b. Ch t bán d n t p lo i pấ ẫ ạ ạ

Khi m t ch t bán d n thu n độ ấ ẫ ầ ược pha thêm m t t p ch t thu c nhóm III (nh  nhômộ ạ ấ ộ ư  

Al, Ga, B…), thì nó tr  thành ch t bán d n t p lo i p.ở ấ ẫ ạ ạ

Nguyên t  t p ch t liên k t v i 4 nguyên t  Si xung quanh và xem nh  còn th a m tử ạ ấ ế ớ ử ư ừ ộ  

l  tr ng   l p ngoài cùng, l  tr ng này d  dàng b  ion hóa thành ion âm và l  tr ng t  do.ỗ ố ở ớ ỗ ố ễ ị ỗ ố ự

M c năng lứ ượng t p ch t n m sát đ nh vùng hóa tr  t o c  h i nh y m c ào  t cho cácạ ấ ằ ỉ ị ạ ơ ộ ả ứ ạ  

đi n t  hóa tr  và hình thành m t c p ion âm t p ch t và l  tr ng (là h t d n đa s ), đi nệ ử ị ộ ặ ạ ấ ỗ ố ạ ẫ ố ệ  

t  trong c  ch  này là lo i h t d n thi u s ử ơ ế ạ ạ ẫ ể ố

Hình 2.10.C  ch  phát sinh h t d n trong ch t bán d n t p ch t lo i pơ ế ạ ẫ ấ ẫ ạ ấ ạ

Goi ṇ p la s  đi n t    vùng d n, p̀ ố ệ ử ở ẫ p la s  l  tr ng   vùng hóa tr̀ố ỗ ố ở ị

Do l  tr ng   ch t bán d n lo i p di chuy n sang ch t bán d n lo i n đỗ ố ở ấ ẫ ạ ể ấ ẫ ạ ược tái h p v iợ ớ  

đi n t , còn đi n t  t  ch t bán d n n di chuy n sang ch t bán d n p đ  tái h p v i lệ ử ệ ử ừ ấ ẫ ể ấ ẫ ể ợ ớ ỗ 

tr ng d n đ n t o ra dòng đi n g i là dòng khu ch tán Iố ẫ ế ạ ệ ọ ế kt hướng t  ch t bán d n p sangừ ấ ẫ  

ch t bán d n n. Phía ch t bán d n p g n m t ti p xúc m t đi m t s  l  tr ng nên mangấ ẫ ấ ẫ ầ ặ ế ấ ộ ố ỗ ố  

đi n tích âm, còn phía ch t bán d n n g n m t ti p xúc m t đi m t s  đi n t  nên mangệ ấ ẫ ầ ặ ế ấ ộ ố ệ ử  

đi n tích dệ ương và hình thành m t hi u đi n th  độ ệ ệ ế ược g i là hi u đi n th  ti p xúc Uọ ệ ệ ế ế tx, 

hi u đi n th  sinh ra dòng trôi Iệ ệ ế tr ngược chi u v i dòng khu ch tán.ề ớ ế

S  tái h p gi a đi n t  và l  tr ng càng nhi u thì hi u đi n th  ti p xúc càng l n nênự ợ ữ ệ ử ỗ ố ề ệ ệ ế ế ớ  dòng trôi càng l n, đ n m t lúc nào đó thì Iớ ế ộ tr = Ikt thì ta nói ti p xúc p­n   tr ng thái cânế ở ạ  

b ng đ ng. ằ ộ

4.2. C u t o, phân c cấ ạ ự

4.2.1. C u t oấ ạ

C u t o c a m t diode bao g m m t ti p xúc p­n và hai đi n c c đ a ra t  hai phía.ấ ạ ủ ộ ồ ộ ế ệ ự ư ừ  

Đi n c c đ a ra phía mi n bán d n p là c c anod, kí hi u ch  A; đi n c c đ a ra phíaệ ự ư ề ẫ ự ệ ữ ệ ự ư  

mi n bán d n n là c c catod, kí hi u ch  K.ề ẫ ự ệ ữ

4.2.2. Phân c c cho diodeự

a. Phân c c thu nự ậ

Diode được g i là phân c c thu n khi bán d n p đọ ự ậ ẫ ược n i v i dố ớ ương c c còn bán d nự ẫ  

n được n i v i âm c c c a m t ngu n bên ngoài, hay nói cách khác hi u đi n th  ti p xúcố ớ ự ủ ộ ồ ệ ệ ế ế  

ngược chi u v i đi n trề ớ ệ ường ngoài

Do hi u đi n th  ti p xúc ngệ ệ ế ế ược chi u v i đi n trề ớ ệ ường ngoài nên t ng đi n trổ ệ ườ  ng

t i l p ti p xúc gi m và l p ti p xúc b  thu h p l i, đi n t  t  bán d n n d  dàng diạ ớ ế ả ớ ế ị ẹ ạ ệ ử ừ ẫ ễ  chuy n sang bán d n p nên t o ra dòng đi n ch y qua diode.ể ẫ ạ ệ ạ

V y, diode phân c c thu n cho dòng đi n ch y qua.ậ ự ậ ệ ạ

Đ  kh o sát m i quan h  dòng đi n qua diode v i đi n áp hai đ u c a nó, ta th c hi nể ả ố ệ ệ ớ ệ ầ ủ ự ệ  

m ch thí nghi m nh  sau:ạ ệ ư

Hình 2.11. S  đ  m ch đi n và đ c tuy n c a diode khi phân c c thu nơ ồ ạ ệ ặ ế ủ ự ậ

       U : đi n th  ngệ ế ưỡng c a diode.ủ

      U  (Si) = 0.7V

      U  (Ge) = 0.3V 

Khi UAK < U : dòng qua diode không đáng k ể

Khi UAK > U : dòng qua diode r t l n.ấ ớ

Trong các m ch đi n t , khi phân c c thu n Diode thì luôn luôn có đi n tr  m c n iạ ệ ử ự ậ ệ ở ắ ố  

ti p v i Diode.ế ớ

b. Diode phân c c ngự ược

Diode được g i là phân c c ngọ ự ược khi bán d n p đẫ ược n i v i âm c c còn bán d n nố ớ ự ẫ  

được n i v i dố ớ ương c c c a m t ngu n bên ngoài, hay nói khác h n hi u đi n th  ti pự ủ ộ ồ ơ ệ ệ ế ế  xúc cùng chi u đi n trề ệ ường ngoài

Do hi u đi n th  ti p xúc cùng chi u v i đi n trệ ệ ế ế ề ớ ệ ường ngoài nên t ng đi n trổ ệ ường t iạ  

l p ti p xúc tăng làm cho l p ti p xúc r ng ra, đi n t  khó di chuy n qua l p ti p xúc nàyớ ế ớ ế ộ ệ ử ể ớ ế  nên không có dòng đi n qua diode. Nh  v y, diode phân c c ngệ ư ậ ự ược không cho dòng đi n điệ  qua

Tuy nhiên, đ i v i nhóm h t t i thi u s  thì chúng đố ớ ạ ả ể ố ược xem nh  phân c c thu n nênư ự ậ  

t n t i dòng qua diode mà ta g i là dòng đi n bão hòa ngồ ạ ọ ệ ược IS c a diode, dòng đi n nàyủ ệ  

r t nh  và ph  thu c vào nhi t đ  (Iấ ỏ ụ ộ ệ ộ S (Si) c  nA, Iỡ S (Ge) c  ỡ A)

Hình 2.12. S  đ  m ch đi n và đ c tuy n c a diode khi phân c c ng cơ ồ ạ ệ ặ ế ủ ự ượ

      UA: đi n áp Zener (đi n áp đánh th ng).ệ ệ ủ

 Khi UAK < UA: dòng qua diode là dòng đi n bão hòa ngệ ược IS c a diode.ủ

 Khi UAK > UA: dòng qua diode r t l n (h ng diode).ấ ớ ỏ

4.3. Phân lo iạ

Diode ch nh l uỉ ư

Có nhi m v  ch nh l u dòng đi n xoay chi u thành dòng đi n m t chi u, có công su tệ ụ ỉ ư ệ ề ệ ộ ề ấ  

nh , v a và l n. Diode này thỏ ừ ớ ường được ch  t o b i bán d n Si. ế ạ ở ẫ

Hình 2.13. M ch đi n đi u ch nh đi n áp dùng diode Zenerạ ệ ề ỉ ệ

N u dòng đi n Iế ệ Z n m trong kho ng (Iằ ả Zmin; IZmax) thì đi n áp ra Uệ 0 h u nh  không thayầ ư  

ch nh l u   ch  đ  luôn m  nh  hình 2.14, nghĩa là đi n áp ngỉ ư ở ế ộ ở ư ệ ược đ t lên LED có giá trặ ị 

t i đa là 0.7V đúng b ng đi n áp ngố ằ ệ ưỡng c a diode ch nh l u.ủ ỉ ư

Hình 2.14. M ch đi n ch ng đánh th ng LEDạ ệ ố ủDiode bi n dung (varicap)ế

Kí hi u: ệ

Do c u t o c a diode, phía bán d n p g n m t ti p xúc mang đi n tích âm, còn bánấ ạ ủ ẫ ầ ặ ế ệ  

d n n g n m t ti p xúc mang đi n tích dẫ ầ ặ ế ệ ương nên nó được xem nh  m t t  đi n tích đi n,ư ộ ụ ệ ệ  

l i d ng đ c tính này, ngợ ụ ặ ười ta ch  t o ra diode bi n dung.ế ạ ế

Khi phân c c thu n, l p ti p xúc gi m d n đ n đi n dung tăng còn khi phân c cự ậ ớ ế ả ẫ ế ệ ự  

ngược, l p ti p xúc r ng ra lúc này đi n dung gi m.ớ ế ộ ệ ả

Diode bi n dung thế ường s  d ng   ch  đ  phân c c ngử ụ ở ế ộ ự ược. Quan h  gi a đi n dungệ ữ ệ  

và đi n áp phân c c là phi tuy n. ệ ự ế

Hình 2.15. Đ c tuy n quan h  đi n dung­đi n áp phân c cặ ế ệ ệ ệ ự

ng d ng đi n hình c a diode bi n dung là th c hi n bi n đ i t n s  c ng h ng

riêng c a m t khung dao đ ng theo đi n áp tác đ ng lên nó.ủ ộ ộ ệ ộ

4.4. Các m ch đi n  ng d ngạ ệ ứ ụ

4.4.1. M ch ch nh l u bán kạ ỉ ư ỳ

S  đô mach điênơ ̀ ̣ ̣

Hình 2.16. M ch đi n ch nh l u bán kạ ệ ỉ ư ỳTrong đó: 

T: bi n áp bi n đ i đi n áp xoay chi u Uế ế ổ ệ ề 1 thành đi n áp xoay chi u Uệ ề 2

    D: diode ch nh l u.ỉ ư

    RT: đi n tr  t i.ệ ở ả

Hình 2.17. D ng sóng đi n áp trên cu n th  c p và đi n áp trên t i khôngạ ệ ộ ứ ấ ệ ả  

có t , đi n áp trên t i khi có tụ ệ ả ụNguyên ly hoat đônǵ ̣ ̣

 bán kì d ng c a U

Ở ươ ủ 2, diode D được phân c c thu n nên diode D d n đi n, ta cóự ậ ẫ ệ  

đi n áp trên t i Rệ ả T lúc này là Ur = U2 ­ V (D). 

 bán k  âm U

Ở ỳ 2, diode D phân c c ngự ược nên diode D t t làm cho đi n áp trên t i Rắ ệ ả T 

lúc này là Ur = 0. V y đi n áp ra trên t i   m ch ch nh l u bán k  có d ng sóng n a hìnhậ ệ ả ở ạ ỉ ư ỳ ạ ử  sin, c c tính dự ương nh  hình 2.17b.ư

Khi m c thêm t  C song song v i t i Rắ ụ ớ ả T thì đi n áp ra trên t i s  b ng ph ng h n. Doệ ả ẽ ằ ẳ ơ  khi diode D d n thì t  C n p đi n r t nhanh qua D và lúc diode D t t thì t  C phóng đi nẫ ụ ạ ệ ấ ắ ụ ệ  

r t ch m qua Rấ ậ T làm cho đi n áp trên t i gi m ch m và  n đ nh.ệ ả ả ậ ổ ị  

4.4.2. M ch ch nh l u toàn kạ ỉ ư ỳ

S  đô machơ ̀ ̣

Hình 2.18. M ch đi n ch nh l u toàn kạ ệ ỉ ư ỳTrong đo:́

T: bi n áp bi n đ i đi n áp xoay chi u Uế ế ổ ệ ề 1 thành đi n áp xoay chi u Uệ ề 2

    D1, D2: diode ch nh l u.ỉ ư

    RT: đi n tr  t i.ệ ở ả

(b)Hình 2.19.D ng sóng đi n áp trên n a cu n th  c p (a) và đi n áp trên t i khiạ ệ ử ộ ứ ấ ệ ả  

không có t  và khi có t  (b)ụ ụNguyên ly hoat đônǵ ̣ ̣

 bán k  d ng c a U

Ở ỳ ươ ủ 2, diode D1 được phân c c thu n nên Dự ậ 1 d n, còn diode Dẫ 2 phân 

c c ngự ược nên D2 t t, đi n áp ra trên t i Rắ ệ ả T là Ur = U2 ­ V (D)

 bán k  âm c a U

Ở ỳ ủ 2, diode D1 được phân c c ngự ược nên D1 t t, còn diode Dắ 2 phân c cự  thu n nên Dậ 2 d n, đi n áp ra trên t i Rẫ ệ ả T là Ur = U2 ­ V (D

Nh  v y, trong c  hai bán k  đ u t n t i đi n áp ra trên t i có c c tính dư ậ ả ỳ ề ồ ạ ệ ả ự ương. 

Khi m c song song t  C v i t i Rắ ụ ớ ả T thì s  làm cho đi n áp ra trên t i san b ng và  nẽ ệ ả ằ ổ  

đ nh h n (b t g n sóng h n).ị ơ ớ ợ ơ

4.4.3. M ch ch nh l u toàn k  d ng c uạ ỉ ư ỳ ạ ầ

S  đô machơ ̀ ̣

Hình 2.20. M ch đi n ch nh l u toàn k  d ng c uạ ệ ỉ ư ỳ ạ ầNguyên ly hoat đông      ́ ̣ ̣

5.1. Transistor lưỡng c c (BJT)ự

5.1.1. C u t oấ ạ

BJT có c u t o g m hai ti p xúc p­n n i v i nhau và đ a ra 3 mi n.ấ ạ ồ ế ố ớ ư ề

Mi n th  nh t đề ứ ấ ược g i là mi n emit , mi n này có n ng đ  t p ch t l n nh t;ọ ề ơ ề ồ ộ ạ ấ ớ ấ  

đi n c c đ a ra t  mi n này là c c emit , kí hi u ch  E (c c phát).ệ ự ư ừ ề ự ơ ệ ữ ự

Mi n th  hai đề ứ ược g i là mi n baz , mi n này có n ng đ  t p ch t nh  nh t; đi nọ ề ơ ề ồ ộ ạ ấ ỏ ấ ệ  

c c đ a ra t  mi n này là c c baz , kí hi u ch  B (c c n n).ự ư ừ ề ự ơ ệ ữ ự ề

Mi n th  ba đề ứ ược g i là mi n colect , mi n này có n ng đ  t p ch t trung bình;ọ ề ơ ề ồ ộ ạ ấ  

đi n c c đ a ra t  mi n này là c c colect , kí hi u ch  C (c c thu).ệ ự ư ừ ề ự ơ ệ ữ ự

Tùy theo trình t  s p x p c a các l p bán d n mà ta có 2 lo i BJT sau:ự ắ ế ủ ớ ẫ ạ

Ch  đ  ng ng d nế ộ ư ẫ Phân c c ngự ược Phân c c ngự ược

Ch  đ  khu ch đ iế ộ ế ạ Phân c c thu nự ậ Phân c c ngự ược

Ch  đ  bão hòaế ộ Phân c c thu nự ậ Phân c c thu nự ậ

Xét BJT lo i npn làm vi c   ch  đ  khu ch đ i:     ạ ệ ở ế ộ ế ạ

Hình 2.22. S  đ  phân c c c a BJT lo i npnơ ồ ự ủ ạ

Do ti p xúc BE phân c c thu n nên đi n t    mi n Emit  d  dàng di chuy n quaế ự ậ ệ ử ở ề ơ ễ ể  

mi n Baz  đ  tái h p v i l  tr ng, nh ng do mi n Baz  có n ng đ  t p ch t nh  nên chề ơ ể ợ ớ ỗ ố ư ề ơ ồ ộ ạ ấ ỏ ỉ 

m t ít độ ược tái h p, s  đi n t  còn l i di chuy n ti p qua mi n Colect  và ch y v  dợ ố ệ ử ạ ể ế ề ơ ạ ề ươ  ng

c c c a ngu n Uự ủ ồ CC. Lượng đi n t  khi vào mi n Emit  sinh ra dòng Iệ ử ề ơ E ra kh i mi n Emit ,ỏ ề ơ  

lượng đi n t  đi ra mi n Colect  sinh ra dòng Iệ ử ề ơ C đi vào c c C. Lự ượng l  tr ng tái h p ỗ ố ợ ở 

mi n Baz  đề ơ ược ngu n Uồ EE cung c p t o ra dòng Iấ ạ B đi vào c c B.ự

* H  th c gi a các dòng đi n và các cách m c c a BJTệ ứ ữ ệ ắ ủ

Qua vi c phân tích trên rút ra đệ ược h  th c c  b n v  các dòng đi n trong BJT nhệ ứ ơ ả ề ệ ư sau:

       IE = IB + IC       (2.1)

Đ  đánh giá quan h  gi a Iể ệ ữ E và IC, người ta đánh giá h  s  truy n đ t dòng đi n: ệ ố ề ạ ệ      (2.2) 

Đ  BJT s n sàng làm vi c v i các tín hi u xoay chi u (ví d    ch  đ  khu ch đ i)ể ẵ ệ ớ ệ ề ụ ở ế ộ ế ạ  

c n th c hi n phân c c m t chi u cho nó nh m đ a đi n áp và dòng đi n m t chi u đ nầ ự ệ ự ộ ề ằ ư ệ ệ ộ ề ế  các c c c a BJT. N u bi t trự ủ ế ế ước các giá tr  ngu n nuôi m t chi u, các đi n tr  h n chị ồ ộ ề ệ ở ạ ế dòng, h  s  khu ch đ i dòng ệ ố ế ạ  và đi n áp phân c c Uệ ự BE = 0.7V v i BJT lo i Si, ta có thớ ạ ể xác đ nh đi m làm vi c tĩnh (m t chi u) Q(Iị ể ệ ộ ề B,IC,UCE) c a BJT và qu  tích các đi m Q cóủ ỹ ể  

th  g i là để ọ ường t i tĩnh (m t chi u).ả ộ ề

Phân c c b ng dòng c  đ nhự ằ ố ị

Hình 2.23. M ch đi n phân c c BJT b ng dòng c  đ nhạ ệ ự ằ ố ịĐây là cách phân c c đ n gi n nh t. Ngu n Uự ơ ả ấ ồ B cung c p đi n áp phân c c thu n choấ ệ ự ậ  

ti p xúc Jế E đ  đ t để ạ ược UBE = 0.7V, RB dùng đ  ch n dòng Iể ọ B. Ngu n Uồ CC cung c p đi n ápấ ệ  phân c c ngự ược cho ti p xúc Jế C v i đi n tr  Rớ ệ ở C đ  h n ch  dòng Iể ạ ế C. V i BJT lo i npn taớ ạ  

c n đ t đầ ạ ược đi u ki n Uề ệ C > UB > UE, còn BJT lo i pnp thì Uạ C < UB < UE. 

T  m ch đi n hình (2.23), ta tính đừ ạ ệ ược dòng baz :ơ

      (2.5)Dòng colect  Iơ C được xác đ nh b i:ị ở

      (2.6)      

Đi n áp gi a c c C và E: ệ ữ ự

      U CE  = U CC  – I C R C   (ph ươ ng trình đ ườ ng t i tĩnh) ả        (2.7)

T  công th c (2.7), khi dòng Iừ ứ C tăng luôn làm đi n áp Uệ CE gi m và ngả ượ ạc l i dòng IC 

gi m s  làm tăng đi n áp Uả ẽ ệ CE. 

Hình 2.24. M ch đi n dùng ngu n Uạ ệ ồ CC  phân c c cho ti p xúc Jự ế E và JC  c a BJTủ

Ngoài ra, ta có th  ch  dùng m t ngu n Uể ỉ ộ ồ CC làm c  hai nhi m v  phân c c cho ti p xúcả ệ ụ ự ế  

JE và ti p xúc Jế C nh  hình (2.24).ư

Khi đó, dòng IB được xác đ nh:ị

                    (2.8)

Tương t , ta có:   ự

   U CE  = U CC  – I C R C

Ta có đường t i tĩnh (m t chi u) là t p h p t t c  các c p giá tr  có th  có c a Iả ộ ề ậ ợ ấ ả ặ ị ể ủ C 

và UCE, đây chính là đ  th  bi u di n quan h  Iồ ị ể ễ ệ C và UCE c a phủ ương trình (2.7), là phươ  ngtrình đường th ng có h  s  góc âm (hình (2.25)). Các đi m gi i h n c a đẳ ệ ố ể ớ ạ ủ ường t i tĩnh là:ả

- Ở ạ tr ng thái h  m ch c a BJT, dòng Iở ạ ủ C = 0 khi đó:

      U CE(hm)  = U CC

- Ở ạ tr ng thái ng n m ch c a BJT, đi n áp Uắ ạ ủ ệ CE = 0 khi đó:

       I C(ngm)  = U CC  / R C   

      Đ  đ m b o ch  đ  khu ch đ i t t nh t, ngể ả ả ế ộ ế ạ ố ấ ười ta thường ch n đi m làm vi cọ ể ệ  tĩnh   kho ng gi a đở ả ữ ường t i tĩnhả

       ICQ   0.5IC(ngm)        và      UCEQ   0.5UCE(hm) 

Hình 2.25. Đ  th  ph ng trình đ ng t i tĩnhồ ị ươ ườ ả

Phân c c b ng dòng emit  (m ch chia áp)ự ằ ơ ạ

Hình 2.26. M ch đi n phân c c BJT b ng dòng emit  (m ch chia áp)ạ ệ ự ằ ơ ạ

S  đ  tơ ồ ương đương 1 chi u c a m ch đi n hình 2.26       ề ủ ạ ệ

T  m ch đi n hình (2.26), ta có: ừ ạ ệ

      (2.9)và:      (2.10)    

      (2.11)Dòng colect  trong m ch:ơ ạ I C  =  I B      

Ta có:       U CC  = I C R C  + U CE  + I E R E

  U CC  = I C (R C  + R E ) + U CE      (xem IE   IC)

 đi n áp gi a hai c c C và E là:ệ ữ ự

       U CE  = U CC  – I C (R C  + R E )  (phương trình đường t i tĩnh)     (2.12)ả Các đi m gi i h n c a để ớ ạ ủ ường t i tĩnh là:ả

      U CE(hm)  = U CC

Dòng colect   ơ  I C  =  I B  = 80*0.06 = 4.8 (mA)

       U CE  = U CC  – I C. (R C  + R E ) = 8.4 (V)

V y, đi m làm vi c tĩnh Q(0.06mA; 4.8mA; 8.4V)ậ ể ệ

Phân c c b ng đi n áp h i ti pự ằ ệ ồ ế

Hình 2.27. M ch đi n phân c c BJT b ng đi n áp h i ti pạ ệ ự ằ ệ ồ ếTrên hình 2.27, đi n tr  Rệ ở B được n i tr c ti p gi a c c colect  và c c baz  S  khácố ự ế ữ ự ơ ự ơ ự  nhau c  b n gi a m ch phân c c b ng đi n áp h i ti p và b ng dòng phân c c c  đ nh là:ơ ả ữ ạ ự ằ ệ ồ ế ằ ự ố ị  trong m ch phân c c b ng đi n áp h i ti p bao hàm c  ch  dòng Iạ ự ằ ệ ồ ế ơ ế B c m bi n theo đi n ápả ế ệ  (ho c dòng đi n)   m ch ra, còn trong m ch phân c c dòng c  đ nh thì không có đi u này.ặ ệ ở ạ ạ ự ố ị ề

C  th , gi  thi t h  s  ụ ể ả ế ệ ố  tăng khi nhi t đ  tăng, đi u này làm Iệ ộ ề C tăng và do đó đi n ápệ  

đ t trên Rặ C là UR = IC.RC tăng, đi n áp Uệ CE = UCC – IC.RC gi m và đi n áp đ t trên Rả ệ ặ B gi m,ả  

do đó làm gi m dòng Iả B kéo theo IC gi m và qua m t vòng h i ti p dòng Iả ộ ồ ế C đã được bù ki uể  

ngược pha và đi m làm vi c Q nh  đó để ệ ờ ượ ổc  n đ nh t t h n so v i ki u phân c c b ngị ố ơ ớ ể ự ằ  dòng c  đ nh. Trong trố ị ường h p ngợ ượ ạc l i, gi  s  ả ử  gi m, quá trình d n t i dòng Iả ẫ ớ C tăng bù 

l i tr ng thái ban đ u Iạ ạ ầ C gi m do ả  gi m.ả

Ta có:            U CC  = (I B  + I C )R C  + U CE

 đi n áp đ t trên 2 c c C­E là:ệ ặ ự

      U CE  = U CC  – (I B  + I C )R C (2.14)5.2. Transistor trường FET

Transistor trường FET (Field Effect Transistor)là lo i linh ki n ch  d n đi n b ng m tạ ệ ỉ ẫ ệ ằ ộ  

lo i h t d n, trong khi BJT d n đi n b ng c  đi n t  và l  tr ng, nên chúng còn có tên làạ ạ ẫ ẫ ệ ằ ả ệ ử ỗ ố  transistor đ n c c. Chúng có hai nhóm khác nhau v  c u t o là nhóm có c c c a là m tơ ự ề ấ ạ ự ử ộ  

tr ng (kênh lo i p hình (2.28b)) n i thông gi a 2 c c đố ạ ố ữ ự ược đ t tên là c c máng D (Drain)ặ ự  

và c c ngu n S (Source); c c th  ba l y t i vùng bán d n đ i di n kênh d n đ t tên là c cự ồ ự ứ ấ ạ ẫ ố ệ ẫ ặ ự  

c a G (Gate), có th  có m t c c c a ho c hai c c c a.ử ể ộ ự ử ặ ự ử

Hình 2.28. C u t o  và kí hi u JFET kênh n và kênh ấ ạ ệ              

b. Nguyên lý ho t đ ngạ ộ

Xét JFET kênh n có c c D n i v i dự ố ớ ương ngu n, S n i v i âm ngu n, ta có: ồ ố ớ ồ

Khi c c G h  (Uự ở GS = 0V):

Lúc này dòng đi n s  đi qua kênh theo chi u t  c c dệ ẽ ề ừ ự ương c a ngu n vào c c D và raủ ồ ự  

c c S đ  tr  v  âm ngu n c a Uự ể ở ề ồ ủ DD, kênh có tác d ng nh  m t đi n tr  ụ ư ộ ệ ở

N u tăng đi n th  Uế ệ ế DS t  0V lên thì dòng Iừ D tăng lên nhanh nh ng sau đó đ n m t đi nư ế ộ ệ  

th  gi i h n thì dòng Iế ớ ạ D không tăng được n a g i là dòng đi n bão hòa Iữ ọ ệ DSS. Đi n th  Uệ ế DS 

có IDSS g i là đi n th  ng t Uọ ệ ế ắ p

Hình 2.29. JFET kênh n khi UGS = 0V và UDS > 0VKhi c c G có đi n th  âm (UGS < 0V):ự ệ ế

Khi c c G có đi n th  âm n i vào thì s  làm cho ti p xúc p­n phân c c ngự ệ ế ố ẽ ế ự ược, làm cho 

đi n t  trong ch t bán d n c a kênh n b  đ y và làm thu h p ti t di n kênh, nên đi n trệ ử ấ ẫ ủ ị ẩ ẹ ế ệ ệ ở kênh d n tăng lên, dòng Iẫ D gi m xu ng.ả ố

Hình 2.30. JFET kênh n khi c c G có đi n th  âmự ệ ế      Khi tăng đi n th  âm   c c G thì m c phân c c ngệ ế ở ự ứ ự ược càng l n làm dòng Iớ D càng 

gi m nh  và đ n m t giá tr  gi i h n thì dòng Iả ỏ ế ộ ị ớ ạ D g n nh  không còn. Đi n th  này   c c Gầ ư ệ ế ở ự  

g i đi n th  ng t U ọ ệ ế ắ GSoff

      Hình (2.31) là đ c tuy n ra c a JFET kênh n đ  ch  s  thay đ i c a Iặ ế ủ ể ỉ ự ổ ủ D theo UDS  ng

v i t ng đi n th  Uớ ừ ệ ế GS   c c Gở ự

Hình 2.31. Đ c tuy n ra c a JFET kênh nặ ế ủ

c.  Phân c c cho JFETự

Phân c c c  đ nhự ố ị

Hình 2.32. M ch đi n thiên áp c c c a cho JFETạ ệ ự ử

 ch  đ  tĩnh (khi ch a có tín hi u xoay chi u), ta có:

       I G    0   và     U RG  = 0V    

       U GS  = ­ U GG      và     I D  = I DSS (1 – U GS  /U GSoff ) 2        

Đi n tr  c c c a Rệ ở ự ử G làm nhi m v  d n đi n áp –Uệ ụ ẫ ệ GG t i c c c a. Đi n áp trên c cớ ự ử ệ ự  máng được xác đ nh nh  sau: ị ư

      UDS = UDD – ID.RD    và     UD = UDS 

M ch t  phân c cạ ự ự

Hình 2.33. M ch t  phân c cạ ự ựĐây là phương pháp phân c c thông d ng nh t cho JFET. Trong m ch t  phân c c taự ụ ấ ạ ự ự  

ch  dùng 1 ngu n m t chi u Vỉ ồ ộ ề DD và m c thêm đi n tr  Rắ ệ ở s   c c ngu n.ở ự ồ

 ch  đ  tĩnh (1 chi u), t  đi n có th  thay th  b ng h  m ch và đi n tr  R

ng n m ch vì Iắ ạ G = 0A, VG = 0

Dòng ch y qua Rạ S là dòng IS, mà I S  = I D nên:

       U Rs  = I D R S        

    U GS  = ­ U Rs  = ­ I D R S    và     ID = IDSS(1 – UGS /UGSoff)2       

Đi n áp trên c c máng đệ ự ược xác đ nh nh  sau: ị ư UDS = UDD – ID (RD + RS)       

        U D  = U DS  + U S  = U DD  ­ U D.    Phân c c b ng c u chia ápự ằ ầ

 ch  đ  tĩnh, I

Ở ế ộ G = 0A thì IR1 = IR2 và đi n áp đ t lên c c G lúc này là:ệ ặ ự

mà U G  = U GS  + U R s  

nên     U GS  = U G  – U Rs  = U G  – I D R S    (I S  = I D ) 

Ta có:    U DS  = U DD  – I D (R D  + R S ) 

Hình 2.35.C u t o c a DMOSFET kênh có s nấ ạ ủ ẵ

Kí hi u:ệ

       Kênh n      Kênh p      

C u t o DMOSFET trên hình (2.35) cho th y rõ hai đ c đi m quan tr ng:ấ ạ ấ ặ ể ọ

- Đã có s n m t kênh d n đi n lo i n ho c lo i p n i thông gi a hai c c D và S c aẵ ộ ẫ ệ ạ ặ ạ ố ữ ự ủ  nó

- C c c a n m cách ly v i kênh qua m t l p đi n môi SiOự ử ằ ớ ộ ớ ệ 2 m ng c  ỏ ỡ m

Nguyên lý ho t đ ngạ ộ

Xét DMOSFET kênh n có c c D n i v i dự ố ớ ương ngu n, S n i v i âm ngu n, ta có: ồ ố ớ ồ

Hình 2.36. Đ c tuy n truy n đ t c a DMOSFET kênh n.ặ ế ề ạ ủ

Hình 2.37. Đ c tuy n ra c a DMOSFET kênh nặ ế ủKhi UGS = 0V: trường h p này kênh d n đi n có tác d ng nh  m t đi n tr , khi tăngợ ẫ ệ ụ ư ộ ệ ở  

UDS thì dòng ID tăng lên đ n m t tr  s  gi i  h n là Iế ộ ị ố ớ ạ DSS (dòng ID bão hòa). Đi n áp Uệ DS   trở ị 

s  Iố DSS cũng g i là đi n áp ng t Up.ọ ệ ắ

Khi UGS < 0V: khi này c c G có đi n th  âm nên đ y các đi n tr    kênh n vào vùngự ệ ế ẩ ệ ở ở  

n n p làm thu h p ti t di n kênh d n n và dòng Iề ẹ ế ệ ẫ D gi m xu ng do đi n tr  kênh d n tăngả ố ệ ở ẫ  lên. Khi tăng đi n th  âm   c c G thì dòng Iệ ế ở ự D càng gi m nh  và đ n m t tr  s  gi i h nả ỏ ế ộ ị ố ớ ạ  dòng ID g n nh  không còn.ầ ư

Khi UGS > 0V: khi phân c c cho c c G có đi n th  dự ự ệ ế ương thì các đi n t  thi u s  ệ ử ể ố ở 

mi n p b  hút vào vùng n nên làm tăng ti t di n kênh, đi n tr  kênh b  gi m xu ng và dòngề ị ế ệ ệ ở ị ả ố  

ID tăng cao h n tr  s  bão hòa Iơ ị ố DSS. Lúc này MOSFET d  h ng nên ít đễ ỏ ượ ử ục s  d ng

Phân c c cho DMOSFETự

- Phân c c b ng c u chia đi n ápự ằ ầ ệ

Đây là d ng m ch phân c c đạ ạ ự ược dùng nhi u nh t. Trong cách phân c c này các đi nề ấ ự ệ  

tr  Rở 1, R2, Rs ph i đả ược ch n sao cho Vọ GS > 0 

Hình 2.38. M ch đi n phân c c cho DMOSFET kênh nạ ệ ự

- Phân c c b ng m ch h i ti p đi n thự ằ ạ ồ ế ệ ế

Hinh 2.39̀  Mach phân c c kiêu hôi tiêp điên thê cho DMOSFET kênh ṇ ự ̉ ̀ ́ ̣ ́

MOSFET kênh c m  ng (EMOSFET) ch a có kênh d n đi n n i c c D và S khi đi nả ứ ư ẫ ệ ố ự ệ  

áp c c c a Uự ử GS = 0V, ch  khi đ t lên c c c a m t đi n áp thích h p c c tính dỉ ặ ự ử ộ ệ ợ ự ương UGS > 0V s  xu t hi n đi n tích trái d u (đi n t ) trong vùng bán d n đ i di n v i c c G và lúcẽ ấ ệ ệ ấ ệ ử ẫ ố ệ ớ ự  này xu t hi n m t kênh d n đi n t  đ i v i EMOSFET kênh n và tấ ệ ộ ẫ ệ ử ố ớ ương t  Uự GS < 0V đ iố  

Xét EMOSFET kênh n có c c D n i v i dự ố ớ ương ngu n, S n i v i âm ngu n. Do c uồ ố ớ ồ ấ  

t o c a MOSFET kênh c m  ng nên bình thạ ủ ả ứ ường không có dòng đi n qua kênh, Iệ D = 0A và 

đi n tr  gi a D và S r t l n.ệ ở ữ ấ ớ

Khi phân c c cho G có Uự GS > 0V thì đi n tích dệ ương   c c G s  hút các đi n tích c aở ự ẽ ệ ủ  

n n p v  phía gi a c a hai vùng bán d n n và khi l c hút đ  l n thì s  đi n t  b  hút nhi uề ề ữ ủ ẫ ự ủ ớ ố ệ ử ị ề  

h n đ  đ  n i li n hai vùng bán d n n và kênh đơ ủ ể ố ề ẫ ược liên t c. Khi đó có dòng Iụ D đi t  Dừ  sang S, đi n th  phân c c cho G càng tăng thì dòng Iệ ế ự D càng l n. Đi n th  Uớ ệ ế GS đ  l n đ  t oủ ớ ể ạ  thành kênh d n đi n g i là đi n th  ngẫ ệ ọ ệ ế ưỡng UGS(Th). 

Hình 2.41. Đ c tuy n truy n đ t c a EMOSFET kênh nặ ế ề ạ ủ

Hình 2.42. Đ c tuy n ra c a EMOSFET kênh nặ ế ủPhân c c cho EMOSFETự

- Phân c c b ng h i ti p đi n thự ằ ồ ế ệ ế

Hình 2.43.M ch phân c c h i ti p cho EMOSFET kênh nạ ự ồ ế

       UJT (Unijunction Transistor) lo i n g m thanh bán d n Si lo i n có  hai l pạ ồ ẫ ạ ớ  

ti p xúc kim lo i t o thành hai c c n n Bế ạ ạ ự ề 1, B2. M i n i PN đố ố ược hình thành thường là h pợ  

ch t c a dây nhôm nh  đóng vai trò ch t bán d n lo i P. Dây nhôm đóng vai trò là c c phátấ ủ ỏ ấ ẫ ạ ự  

E. 

Hình 2.45. C u t o, kí hi u và s  đ  t ng đ ng c a  UJT lo i nấ ạ ệ ơ ồ ươ ươ ủ ạ       Giá tr  đi n tr  liên n n là đi n tr  c a thanh bán d n Si lo i n (gi a hai c cị ệ ở ề ệ ở ủ ẫ ạ ữ ự  

       Khi UE = 0 thì      nên diode D phân c c ngự ược d n đ n có dòng đi n rò Iẫ ế ệ Eo 

ch y t  A đ n E.ạ ừ ế

       Khi đi n áp vào Uệ EE tăng làm cho UE cũng tăng theo đ n khi ế  Up = UD + UA 

thì diode D phân c c thu n nên xu t hi n dòng Iự ậ ấ ệ E ch y t  R qua rạ ừ b1 đ n c c Bế ự 1. Lúc này dòng ch y qua c c n n Bạ ự ề 1 tăng làm cho đi n tr  vùng n n Bệ ở ề 1 gi m xu ng, kéo theo Uả ố A, UE 

cũng gi m theo và Uả R tăng lên khi n cho dòng qua R tăng và Iế E cũng tăng. Tương t  ta cóự  

VE gi m xu ng. Nh  v y, đi n áp gi m làm cho dòng đi n tăng lên, ta nói UJT có đ t tínhả ố ư ậ ệ ả ệ ặ  

đi n tr  âm. ệ ở

       Ta có đ c tuy n Von_Ampe (V­A) c a UJT nh  hình (2.47).ặ ế ủ ư

Hinh 2.47̀  Đ c tuy n V­A c a UJTặ ế ủ      I:   vùng ng ng d n c a UJT.ư ẫ ủ

      II:  vùng có đ c tính đi n tr  âm.ặ ệ ở

      III: vùng bão hòa. N u làm vi c lâu dài   vùng này thì UJT d  b  đánh th ng.ế ệ ở ễ ị ủ

     Trong các  ng d ng th c t  dùng UJT thì cho nó làm vi c   vùng có đ c tính đi nứ ụ ự ế ệ ở ặ ệ  

đ n giá tr  Uế ị BB. Đi n áp trên t  C Uệ ụ C = UO1 tăng đ n khi ế  Up   UJT s  d n.ẽ ẫ

Khi t1   t < t2:  t i th i đi m t = tạ ờ ể 1 thì UJT b t đ u d n, t  C x  đi n tích qua UJT đ nắ ầ ẫ ụ ả ệ ế  

R1 và xu ng mass, làm cho Uố C gi m đ n khi ả ế  Uv thì UJT t t.ắ

M ch liên t c t o xung vì m ch có th  chuy n t  tr ng thái không b n này sang tr ngạ ụ ạ ạ ể ể ừ ạ ề ạ  thái không b n th  hai mà không c n ngu n kích bên ngoài.ề ứ ầ ồ

Hình 2.49. C u t o, kí hi u và s  đ  t ng đ ng c a SCR ấ ạ ệ ơ ồ ươ ươ ủ

SCR là linh ki n g m 4 l p bán d n xen k  nhau pệ ồ ớ ẫ ẻ 1n1p2n2; trên các mi n pề 1, n2 và p2 

tương  ng l y ra các c c anod A, catod K và c c đi u khi n G.ứ ấ ự ự ề ể