Đồ án môn học Mạch điện tử Thiết kế mạch điều khiển chỉnh lưu cầu 1 pha được thuyết minh với các nội dung: Nguyên lý hoạt động của mạch, thiết kế mạch nguyên lý và mô phỏng mạch, tính chọn linh kiện sử dụng trong mạch, chế tạo mạch thực tế. Mời các bạn cùng tham khảo tài liệu.
Trang 1Đ ÁN M CH ĐI N T Ồ Ạ Ệ Ử
I. M c tiêuụ
1.1 M c tiêu chung: ụ
Sinh viên n m đắ ược quy trình thi t k m ch đi n t ng d ng.ế ế ạ ệ ử ứ ụ
Sinh viên rèn luy n k năng phân tích, thi t k , thi công m ch đi n t ệ ỹ ế ế ạ ệ ử
1.2 M c tiêu c thụ ụ ể:
Ki n th c: n m v ng nguyên lý ho t đ ng c a m ch dao đ ngế ứ ắ ữ ạ ộ ủ ạ ộ
K năng: phân tích và thi t k m ch, mô ph ng m ch b ng các ph n mi m môỹ ế ế ạ ỏ ạ ằ ầ ề
ph ng, xây d ng m ch ph n c ng.ỏ ự ạ ầ ứ
Thái đ : lên l p đúng gi , hoàn thành các ph n đ án đúng gi , có thái đ tíchộ ớ ờ ầ ồ ờ ộ
c c ch đ ng và tinh th n h p tác khi làm vi c nhóm.ự ủ ộ ầ ợ ệ
II. N i dung đ án:ộ ồ “Thi t k m ch đi u khi n ch nh l u c u 1 pha”ế ế ạ ề ể ỉ ư ầ
S n ph m c a đ án bao g m b n thuy t minh và m ch th c t ả ẩ ủ ồ ồ ả ế ạ ự ế
B n thuy t minh g m các ph n sau:ả ế ồ ầ
Chương I: Nguyên lý ho t đ ng c a m chạ ộ ủ ạ
Chương II: Thi t k m ch nguyên lý và mô ph ng m ch.ế ế ạ ỏ ạ
Chương III: Tính ch n linh ki n s d ng trong m ch.ọ ệ ử ụ ạ
Chương IV: Ch t o m ch th c t ế ạ ạ ự ế
III. Tài li u tham kh oệ ả
[1] Bài gi ng m ch đi n t TS.Lê Qu c Huy.ả ạ ệ ử ố
[2] Giáo trình Đi n t công su t – Tr n Văn Th nh (Nhà xu t b n Khoa h c và Kệ ử ấ ầ ị ấ ả ọ ỹ thu t 2009).ậ
Đà Nẵng, ngày….tháng….năm 2015
Giáo viên hướng d nẫ
Tr n Thái Anh Âuầ
Trang 2Ki m tra ti n đ th c hi n đ án c a sinh viênể ế ộ ự ệ ồ ủ :
M C L CỤ Ụ
M Đ U Ở Ầ
Đi n năng là m t ngu n năng l ệ ộ ồ ượ ng chi m v trí quan tr ng trong đ i ế ị ọ ờ
s ng s n su t. Năng l ố ả ấ ượ ng này h u nh là năng l ầ ư ượ ng đi n xoay chi u. Trong ệ ề khi đó năng l ượ ng đi u m t chi u không kém ph n quan tr ng nh : ệ ộ ề ầ ọ ư
+ Truy n đi n cho đ ng c đi n m t chi u ề ệ ộ ơ ệ ộ ề
+ Cung c p cho các m ch đi n t , s c acquy ấ ạ ệ ử ạ
Vì v y, c n bi n đ i năng l ậ ầ ế ổ ượ ng đi n xoay chi u thành năng l ệ ề ượ ng
đi n m t chi u, đ làm đ ệ ộ ề ể ượ c đi u này, ta dùng các b ch nh l u ề ộ ỉ ư
Ch nh l u là bi n đ i đi n áp xoay chi u thành đi n áp m t chi u, ỉ ư ế ổ ệ ề ệ ộ ề nghĩa là bi n đ i dòng đi n xoay chi u thành dòng đi n m t chi u trên t i. S ế ổ ệ ề ệ ộ ề ả ự
bi n đ i đó đ ế ổ ượ c th c hi n nh các thi t b bán d n. Ch cho dòng đi n đi qua ự ệ ờ ế ị ẫ ỉ ệ theo m t chi u nh t đ nh nh : Diod, Tiristor… ộ ề ấ ị ư
Trang 3NG D NG VÀ NGUYÊN LÝ HO T Đ NG C A M CH
NG D NG C A M CH ĐI U KHI N CH NH L U C U 1 PHA
Yêu c u c a m ch đi u khi n.ầ ủ ạ ề ể
M ch đi u khi n là khâu r t quan tr ng trong b bi n đ i thyristor vì nó ạ ề ể ấ ọ ộ ế ổ đóng vai trò ch đ o quan tr ng trong vi c quy t đ nh ch t l ủ ạ ọ ệ ế ị ấ ượ ng và đ tin ộ
c y c a b bi n đ i. ậ ủ ộ ế ổ
Yêu c u c a m ch đi u khi n có th tóm t t trong 6 đi m chính sau: ầ ủ ạ ề ể ế ắ ể
Đ r ng xung đi u khi nộ ộ ề ể
Đ l n xung đi u khi nộ ớ ề ể
Yêu c u v đ d c c a răngầ ề ộ ố ủ
S đ i x ng c a xung trong các kênh đi u khi nự ố ứ ủ ề ể
Yêu c u v đ tin c y:ầ ề ộ ậ
Đi n tr kênh đi u khi n ph i nh đ Thyristor không t m khi ệ ở ề ể ả ỏ ể ự ở dòng rò tăng. Xung đi u khi n ít ph thu c vào giao đ ng nhi t đ , dao đ ng ề ể ụ ộ ộ ệ ộ ộ
đi n áp ngu n. C n kh đ ệ ồ ầ ử ượ c nhi u c m ng đ tránh m nh m ề ả ứ ể ở ầ
Yêu c u v l p ráp và v n hành:ầ ề ắ ậ
Thi t b thay th d l p ráp và đi u ch nh.ế ị ế ễ ắ ề ỉ
M i kh i có kh năng làm vi c đ c l p cao.ỗ ố ả ệ ộ ậ
Nhi m v c a m ch đi u khi n.ệ ụ ủ ạ ề ể
M ch đi u khi n có nhi m v t o ra các xung vào nh ng th i đi m mongạ ề ể ệ ụ ạ ở ữ ờ ể
mu n đ m các van đ ng l c c a b ch nh l u.ố ể ở ộ ự ủ ộ ỉ ư
Trang 4Thyristor ch m cho dòng đi n ch y qua khi có đi n áp dỉ ở ệ ạ ệ ương đ t trên an tặ ố
và có xung áp dương đ t vào c c đi u khi n không còn tác d ng gì n a.ặ ự ề ể ụ ữ
Ch c năng c a m ch đi u khi n:ứ ủ ạ ề ể
+ Đi u ch nh đề ỉ ược v trí xung đi u khi n trong ph m vi n a chu k dị ề ể ạ ử ỳ ươ ng
c a đi n áp đ t trên anot – katot c a thyristor.ủ ệ ặ ủ
+ T o ra đạ ược các xung đ đi u ki n m thyristor, đ r ng xung ủ ề ệ ở ộ ộ
tx < 10µs. Bi u th c đ r ng xung: ể ứ ộ ộ
Trong đó: Idt là dòng đi n duy trì c a thyristor.ệ ủ
di/dt là t c đ tăng trố ộ ưởng c a dòng t i.ủ ả
Đ i tố ượng c n đi u ch nh đầ ề ỉ ược đ c tr ng b i đ i lặ ư ở ạ ượng đi u khi n là góc ề ể
NGUYÊN LÝ CHUNG C A M CH ĐI U KHI N.Ủ Ạ Ề Ể
M ch đi u khi n thyristor có th phân lo i theo nhi u cách. Song các m chạ ề ể ể ạ ề ạ
đi u khi n đ u d a theo nguyên lý thay đ i góc pha và theo đó ta có 2 nguyên lýề ể ề ự ổ
kh ng ch ngang và kh ng ch đ ng.ố ế ố ế ứ
Kh ng ch ngang là phố ế ương pháp t o góc thay đ i b ng cách d ch chuy nạ ổ ằ ị ể
đi n áp sang hình sin theo phệ ương ngang so v i đi n áp t a.ớ ệ ự
Nhược đi m c a phể ủ ương pháp này là góc ph thu c vào d ng đi n áp và t n sụ ộ ạ ệ ầ ố
lưới, do đó đ chính xác c a góc đi u khi n th p.ộ ủ ề ể ấ
Kh ng ch đ ng là phố ế ứ ương pháp t o góc thay đ i b ng cách d ch chuy n đi n ápạ ổ ằ ị ể ệ
ch đ o theo phủ ạ ương th ng đ ng so v i đi n áp t a.ẳ ứ ớ ệ ự
Phương pháp này có đ chính xác cao và kho ng đi u khi n r ng (0180ộ ả ề ể ộ o)
Có 2 phương pháp đi u khi n th ng đ ng là: tuy n tính và arccos:ề ể ẳ ứ ế
Trang 5 NGUYÊN T C ĐI U KHI N TH NG Đ NG TUY N TÍNH: Ắ Ề Ể Ẳ Ứ Ế
Theo nguyên t c này ng ắ ườ i ta th ườ ng dùng hai đi n áp: ệ
Đi n áp đ ng b Uệ ồ ộ s, đ ng b v i đi n áp đ t trên anod – catod c a thyristor, thồ ộ ớ ệ ặ ủ ườ ng
đ t vào đ u đ o c a khâu so sánh.ặ ầ ả ủ
Đi n áp đi u khi n Uệ ề ể đk, là đi n áp m t chi u , có th đi u ch nh đệ ộ ề ể ề ỉ ược biên đ ộ
Thường đ t vào đ u không đ o c a khâu so sánh .ặ ầ ả ủ
Do v y hi u đi n th đ u vào c a khâu so sánh là: ậ ệ ệ ế ầ ủ
Ud = Uđk – Us
Khi Us = Uđk thì khâu so sánh l t tr ng thái, ta nh n đ ậ ạ ậ ượ ườ c s ng xu ng ố
c a đi n áp đ u ra c a khâu so sánh. S ủ ệ ầ ủ ườ n xu ng này thông qua đa hài m t ố ộ
tr ng thái b n n đ nh t o ra xung đi u khi n ạ ề ổ ị ạ ề ể
Hình 1.1
Nh v y b ng cách làm bi n đ i U ư ậ ằ ế ổ đk, ta có th đi u ch nh đ ể ề ỉ ượ c th i ờ
đi m xu t hi n xung ra, t c là đi u ch nh góc ể ấ ệ ứ ề ỉ α.
Gi a ữ α và Uđk có quan h sau: ệ
Trang 6
Ng ườ i ta l y U ấ đk max = Us max
Theo nguyên t c này ng ắ ườ i ta dùng hai đi n áp: ệ
Đi n áp đ ng b Uệ ồ ộ s vượ ướt tr c UAK = Um Sinωt c a thyristor m t góc ủ ộ
Us = Um Cosωt
Đi n áp đi u khi n Uệ ề ể đk là đi n áp m t chi u, có th đi u ch nh đệ ộ ề ể ề ỉ ược biên đ theoộ hai chi u dề ương và âm. N u đ t Uế ặ s vào c ng đ o và Uổ ả đk vào c ng không đ o c aổ ả ủ khâu so sánh thì:
Khi Us = Uđk , ta s nh n đ ẽ ậ ượ c m t xung r t m nh đ u ra c a khâu so ộ ấ ả ở ầ ủ sánh khi khâu này l t tr ng thái ậ ạ
Nh v y , khi đi u ch nh U ư ậ ề ỉ cm t tr U ừ ị cm = +Um , đ n tr U ế ị cm = Um ta có
th đi u ch nh đ ể ề ỉ ượ c góc α t 0 đ n ừ ế α .
Nguyên t c đi u khi n th ng đ ng “arccos” đ ắ ề ể ẳ ứ ượ c s d ng trong các ử ụ
Trang 7Ta ch n ph ọ ươ ng pháp đi u khi n th ng đ ng tuy n tính ề ể ẳ ứ ế
THI T K M CH NGUYÊN LÝẾ Ế Ạ
S Đ KH I ĐI U KHI N THYRISTORƠ Ồ Ố Ề Ể
Đ th c hi n để ự ệ ược ý đ đã nêu trong ph n nguyên lý đi u khi n trên, m chồ ầ ề ể ở ạ
đi u khi n bao g m 3 khâu c b n:ề ể ồ ơ ả
Hình 2.1 S đ kh i đi u khi n Thyristor.ơ ồ ố ề ể
NHI M V C A CÁC KHÂU TRONG HÌNH TRÊN NH SAU:Ệ Ụ Ủ Ư
Khâu đ ng pha: ồ
T o đi n áp t a Uạ ệ ự RC (thường g p là đi n áp d ng răng c a tuy n tính) trùngặ ệ ạ ư ế pha v i đi n áp anod c a Thyristor.ớ ệ ủ
Khâu so sánh:
So sánh gi a đi n áp t a Uữ ệ ự RC v i đi n áp đi u khi n Uớ ệ ề ể đk, tìm th i đi m haiờ ể
đi n áp này b ng nhau thì phát xung đ u ra đ g i sang t ng khu ch đ i.ệ ằ ở ầ ể ử ầ ế ạ
Khâu t o xung: ạ
T o xung phù h p đ m thyristor. Xung đ m thyristor có yêu c u: sạ ợ ể ở ể ở ầ ườ n
trước d c th ng đ ng đ đ m b o yêu c u thyristor m t c th i khi có xung đi uố ẳ ứ ể ả ả ầ ở ứ ờ ề khi n (thể ường g p lo i xung này là xung kim ho c xung ch nh t), đ đ r ng v iặ ạ ặ ữ ậ ủ ộ ộ ớ
đ r ng xung l n h n th i gian m c a thyristor, đ công su t, cách ly gi a m chộ ộ ớ ơ ờ ở ủ ủ ấ ữ ạ
đi u khi n v i m ch đ ng l c (n u đi n áp đ ng l c quá l n).ề ể ớ ạ ộ ự ế ệ ộ ự ớ
Trang 8NGUYÊN LÝ HO T Đ NG C A T NG KHÂU TRONG M CH.Ạ Ộ Ủ Ừ Ạ
Nguyên lý ho t đ ng khâu đ ng pha. ạ ộ ồ
Dùng khu ch đ i thu t toán: ế ạ ậ
Hình 2.2 S đ khâu đ ng phaơ ồ ồ
Sóng UA có d ng hình sin. ạ
Đi n tr R ệ ở 1 đ h n ch dòng đi n đi vào khu ch đ i thu t toán A ể ạ ế ệ ế ạ ậ 1.
Xét n a chu kì dử ương c a Uủ A:
Khi vA > 0 thì opam A1 có v+ > v (v=0 do n i đ t) nên ta có: v ố ấ B = vsat
Vì vB không đ i trong khi v ổ B > 0 nên:
Khi vB < 0 thì diode D1 không d n, transistor Trẫ 1 d n, vòng m ch g m transistor Trẫ ạ ồ 1
và t Cụ 1 có tác d ng tri t tiêu ph n âm c a vụ ệ ầ ủ B nên vC = 0
Ta có d ng sóng U ạ RC.
Trang 9Hình 2.3 D ng sóng c a Uạ ủ A , U B , U C
Hình 2.5 D ng sóng U ạ A , U B , U C , U D
Nguyên lý ho t đ ng khâu t o xung chùmạ ộ ạ
Đ i v i s m t đ m ch, đ gi m dòng công su t cho t ng kh ch đ i vàố ớ ơ ộ ồ ạ ể ả ấ ầ ế ạ tăng s lố ượng cho xung kích m , nh m đ m b o cho thyristor m m t cách ch cở ằ ả ả ở ộ ắ
Trang 10ch n, ngắ ười ta hay phát xung chùm cho các thyristor. Nguyên t c phát xung chùm làắ
trước khi vào t ng kh ch đ i, ta đ a chèn thêm m t c ng AND (&) v i tín hi u vàoầ ế ạ ư ộ ổ ớ ệ
nh n t t ng so sánh và t b phát xung chùm nh hình v ậ ừ ầ ừ ộ ư ẽ
Ngõ ra c a c ng AND ch m c cao khi t t c các ngõ vào đ u m c cao.ủ ổ ỉ ở ứ ấ ả ề ở ứ Sau khi qua c ng AND, ta đổ ược UF
Hình 2.6 S đ ph i h p t o xung chùmơ ồ ố ợ ạ
Hình 2.7 S đ t o xung chùm đa hài b ng khu ch đ i thu t toán.ơ ồ ạ ằ ế ạ ậ
Gi s lúc đ u vả ử ầ o = vE = vsat
và cùng lúc đó t Cụ 2 n p đi n theo phạ ệ ương trình:
(hay v) tăng cho đ n khi ế
và lúc này t Cụ 2 x đi n theo phả ệ ương trình:
(hay v) gi m cho đ n khi ả ế
và lúc này t Cụ 2 l i n p đi n.ạ ạ ệ
Quá trình n p và x ti p n i luân phiên nh v y t o nên chùm xung đa hài Uạ ả ế ố ư ậ ạ E
Trang 11Hình 2.8 D ng sóng Uạ E
Nguyên lý ho t đ ng khâu khu ch đ i ạ ộ ế ạ
Hình 2.9 S đ khâu khu ch đ i ơ ồ ế ạ
Trang 12V i nhi m v t o xung phù h p đ m thyristor nh đã nêu trên, t ng ớ ệ ụ ạ ợ ể ở ư ở ầ khu ch đ i cu i cùng th ế ạ ố ườ ng đ ượ c thi t k b ng transistor công su t nh ế ế ằ ấ ư hình v Đ có xung d ng kim g i đ n thyristor, ta dùng bi n áp xung (BAX), ẽ ể ạ ử ế ế
đ có th khu ch đ i công su t ta dùng Tr ể ể ế ạ ấ 2, diode D2 và D3 b o v Tr ả ệ 2 và cu n ộ dây s c p BAX khi Tr ơ ấ 2 khóa đ t ng t ộ ộ
Trong th c t xung đi u khi n ch c n có đ r ng bé (c kho ng 10 ự ế ề ể ỉ ầ ộ ộ ỡ ả
đ n 200 ế ), mà th i gian m thông các transistor công su t dài (t i đa t i m t ờ ở ấ ố ớ ộ
n a chu kì _ 0.01 s), làm cho công su t t a nhi t d c a transistor quá l n và ử ấ ỏ ệ ư ủ ớ kích th ướ c dây qu n s c p BAX l n. Đ gi m nh công su t t a nhi t Tr và ấ ơ ấ ớ ể ả ỏ ấ ỏ ệ kích th ướ c dây s c p BAX, ta có th thêm t n i t ng C ơ ấ ể ụ ố ầ 3. Theo s đ này, ơ ồ
Tr2 ch m cho dòng đi n ch y qua trong kho ng th i gian n p t , nên dòng ỉ ở ệ ạ ả ờ ạ ụ
đi n hi u d ng c a chúng bé h n nhi u l n ệ ệ ụ ủ ơ ề ầ
S Đ M CH ĐI U KHI N.Ơ Ồ Ạ Ề Ể
Trang 13Ho t đ ng c a m ch đi u khi n hình v đ ạ ộ ủ ạ ề ể ở ẽ ượ c gi i thích nh sau: ả ư
Đi n áp vào t i đi m A (U ệ ạ ể A) có d ng hình sin, trùng pha v i anod c a ạ ớ ủ thyristor, qua khu ch đ i thu t toán A ế ạ ậ 1 cho ta chu i xung ch nh t đ i x ng ổ ữ ậ ố ứ
UB. Ph n đi n áp d ầ ệ ươ ng c a đi n áp ch nh t U ủ ệ ữ ậ B qua điode D1 t i A ớ 2 tích phân thành đi n áp t a U ệ ự rc. Ph n áp âm c a đi n áp U ầ ủ ệ B làm m thông Tranzitor ở
Trang 14Tr1, k t qu là A ế ả 2 b ng n m ch ( V i U ị ắ ạ ớ rc = 0 ) trong vùng UB âm. Trên đ u ra ầ
c a A ủ 2 ta có chu i đi n áp răng c a U ổ ệ ư rc gián đo n ạ
Đi n áp U ệ rc đ ượ c so sánh v i đi n áp đi u khi n U ớ ệ ề ể đk t i đ u vào c a A ạ ầ ủ 3.
T ng đ i s U ổ ạ ố rc + Uđk quy t đ nh d u đi n áp đ u ra c a kh ch đ i thu t toán ế ị ấ ệ ầ ủ ế ạ ậ
A3. Trong kho ng th i gian t 0 t ả ờ ừ → 1 v i U ớ đk > Urc , đi n áp U ệ D âm. Trong kho ng t ả 1 t → 2, đi n áp U ệ đk và Urc đ i ng ổ ượ ạ c l i, làm cho UD l t lên d ậ ươ ng Các kho ng th i gian ti p theo gi i thích đi n áp U ả ờ ế ả ệ D t ươ ng t ự
M ch đa hài t o xung chùm A ạ ạ 4 cho ta chu i xung t n s cao, v i đi n áp ổ ầ ố ớ ệ
UE trên hình v Dao đ ng đa hài có t n s hàng ch c kHz, đây ch mô t ẽ ộ ầ ố ụ ở ỉ ả
đ nh tính ị
Hai tín hi u U ệ D và UE cùng đ ượ c đ a t i khâu “AND ” hai c ng vào. Khi ư ớ ổ
đ ng th i có c hai tín hi u d ồ ờ ả ệ ươ ng UD , UE (Trong các kho ng t ả 1 t → 2 , t4 t → 5)
ta s có xung U ẽ F làm m thông các Tranzitor, k t qu là ta nh n đ ở ế ả ậ ượ c chu i ổ xung nh n X ọ dk trên bi n áp xung, đ đ a t i m thyristor T. ế ể ư ớ ở
Đi n áp U ệ d s su t hi n trên t i t th i đi m có xung đi u khi n đ u ẽ ấ ệ ả ừ ờ ể ề ể ầ tiên, t i các th i đi m t ạ ờ ể 2 , t4 trong chu i xung đi u khi n, c a m i chu k đi n ổ ề ể ủ ổ ỳ ệ
áp ngu n c p, cho t i cu i bán k đi n áp d ồ ấ ớ ố ỳ ệ ươ ng anôt.
Hi n nay đã có nhi u hãng ch t o các vi x lý chuyên d ng đ đi u ệ ề ế ạ ử ụ ể ề khi n các thyristor r t ti n l i. Tuy nhiên nh ng linh ki n lo i này ch a đ ể ấ ệ ợ ữ ệ ạ ư ượ c
ph bi n trên th tr ổ ế ị ườ ng.
TÍNH CH N LINH KI N S D NG TRONG M CHỌ Ệ Ử Ụ Ạ
GI I THI U CÁC LINH KI N TRONG M CH.Ớ Ệ Ệ Ạ
ĐI N TRỆ Ở
Trang 15Đi n tr là s c n tr dòng đi n c a m t v t d n đi n, n u có v t d n đi n t t thìệ ở ự ả ở ệ ủ ộ ậ ẫ ệ ế ậ ẫ ệ ố
đi n tr nh và ngệ ở ỏ ượ ạc l i, v t cách đi n có đi n tr c c l n .ậ ệ ệ ở ự ớ
Đi n tr dây d n là s ph thu c vào ch t li u và ti t di n c a dây d n đệ ở ẫ ự ụ ộ ấ ệ ế ệ ủ ẫ ược tính theo công th c:ứ
Trong đó: R là đi n tr có đ n v là Omh ( )ệ ở ơ ị Ω
L là chi u dài c a dây ề ủ
S là ti t di n c a dây d nế ệ ủ ẫ
Đi n tr th c t và trong các m ch đi n t :ệ ở ự ế ạ ệ ử
Hình dáng và kí hi u: Trong th c t đi n tr là m t lo i linh ki n đi n tệ ự ế ệ ở ộ ạ ệ ệ ử không phân c c nó là m t linh ki n quan tr ng trong các m ch đi n t , chúng đự ộ ệ ọ ạ ệ ử ượ clàm t h p ch t c a cacbon và kim lo i và đừ ợ ấ ủ ạ ược pha theo t l mà t o ra các conỉ ệ ạ
đi n tr có đi n dung khác nhau.ệ ở ệ
Hình 3.1 Hình d ng c a điên tr trong m ch đi n tạ ủ ở ạ ệ ử
Hình 3.2 Ký hi u đi n trệ ệ ở
Bi n trế ở
Trang 16Bi n tr là đi n tr có th thay đ i đế ở ệ ở ể ổ ược các giá tr và có kí hi u là VR cóị ệ hình d ng ạ
Hình 3.3 Hình d ng và kí hi u bi n trạ ệ ế ở
T đi nụ ệ
T đi n là m t linh ki n th đ ng và đụ ệ ộ ệ ụ ộ ược s d ng r t r ng rãi trong cácử ụ ấ ộ
m ch đi n t , đạ ệ ử ượ ử ục s d ng trong các m ch l c ngu n, l c nhi u, m ch truy n tínạ ọ ồ ọ ể ạ ề
hi u, m ch xoay chi u, m ch dao đ ng …ệ ạ ề ạ ộ
Khái ni m: ệ T đi n là linh ki n c n tr và phóng n p khi c n thi t và đụ ệ ệ ả ở ạ ầ ế ượ c
đ c tr ng b i dung kháng ph thu c vào t n s đi n áp:ặ ư ở ụ ộ ầ ố ệ
XC =
Kí hi u c a t ddien trong s đ nguyên lí là:ệ ủ ụ ơ ồ
Hình 3.4 Ký hi u t đi nệ ụ ệ
Trang 17Khi đã có được hai ch t bán d n là P và N, n u ghép hai ch t bán d n theoấ ẫ ế ấ ẫ
m t ti p giáp P N ta độ ế ược m t Diode, ti p giáp P Nộ ế có đ c đi m:ặ ể
T i b m t ti p xúc, các đi n t d th a trong bán d n N khuy ch tán sangạ ề ặ ế ệ ử ư ừ ẫ ế vùng bán d n P đ l p vào các l tr ng => t o thành m t l p Ionẫ ể ấ ỗ ố ạ ộ ớtrung hoà v đi n =>ề ệ l p Ion này t o thành mi n cách đi n gi aớ ạ ề ệ ữhai ch t bán d n.ấ ẫ
Hình 3.5 C u t o diode bán d nấ ạ ẫ
Hình 3.6 Ký hi u và hình dáng c a Diode bán d nệ ủ ẫ
ng d ng c a Diode bán d n.Ứ ụ ủ ẫ
Do tính ch t d n đi n m t chi u nên Diode thấ ẫ ệ ộ ề ường đượ ử ục s d ng trong các
m ch ch nh l u ngu n xoay chi u thành m t chi u, các m ch tách sóng, m ch gimạ ỉ ư ồ ề ộ ề ạ ạ
áp phân c c cho transistor ho t đ ng. trong m ch ch nh l u Diode có th đự ạ ộ ạ ỉ ư ể ược tích
h p thành Diode c u.ợ ầ