Bài giảng Trường điện từ - Lecture 5: Trường điện tĩnh cung cấp cho người học các kiến thức: Vật dẫn cô lập trong trường điện tĩnh, điện môi trong trường điện tĩnh, phương pháp ảnh điện. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
Trang 1 Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT Electromagnetics Field
Trường điện tĩnh (2)
Lecture 5
EE 2003: Trường điện từ
Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT Electromagnetics Field
Vật dẫn cô lập trong trường điện tĩnh
EE 2003: Trường điện từ
Điện môi trong trường điện tĩnh
Phương pháp ảnh điện
Trang 2 Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT Electromagnetics Field
Vật dẫn cô lập trong trường điện tĩnh
EE 2003: Trường điện từ
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Điện tích cảm ứng trên vật dẫn
Điện tích cảm ứng 0
V
V
t
t ε
0e
V
Thời hằng =/ ~ ns xác lập rất nhanh (tức thì) Vật dẫn mang cô lập đặt trong trường điện tĩnh nhanh chóng xuất hiện điện tích tự do trên bề mặt Điện tích cảm ứng
Trang 3EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Tính chất của vật dẫn trong trường điện tĩnh
Tính chất 1: Trường điện trong vật dẫn bằng 0
Tính chất 2: Điện tích khối trong vật dẫn bằng 0
Tính chất 3: Vật dẫn là đẳng thế
Tính chất 4: Trường điện bên ngoài phải vuông góc với vd
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Tính chất của vật dẫn trong trường điện tĩnh
Nhận xét: Điện tích cảm ứng tạo ra trường điện làm thay đổi trường điện ban đầu bên trong & xung quanh vật dẫn
Trang 4EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Màn chắn điện
Màn điện
0
ng
Trường hợp 1: Có điện tích (nguồn) bên ngoài vật dẫn, bên trong hốc rỗng không có điện tích
Hốc rỗng
??
tr
E
Kết luận: vật dẫn đóng vai trò là màn chắn trường bên ngoài vào bên trong hốc rỗng
0
tr
E
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Màn chắn điện
??
ng E
Trường hợp 2: Không có điện tích (nguồn) bên ngoài vật dẫn, bên trong hốc rỗng có điện tích
Hốc rỗng
0
tr
E
Kết luận: vật dẫn không chắn được trường bên trong hốc rỗng ra bên ngoài
0
ng
Trang 5EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Màn chắn điện
??
ng E
Trường hợp 3: Không có điện tích (nguồn) bên ngoài vật dẫn, bên trong hốc rỗng có điện tích, vật dẫn nối đất
Hốc rỗng
0
tr
E
Kết luận: vật dẫn đóng vai trò chắn trường bên trong hốc rỗng ra bên ngoài
0
ng
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Màn chắn điện tĩnh
Thực tế: Màn chắn điện là lưới kim loại nối đất
Trang 6EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Màn chắn điện tĩnh
Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT Electromagnetics Field
Điện môi trong trường điện tĩnh
EE 2003: Trường điện từ
Trang 7EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Điện tích phân cực
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Điện tích phân cực
Điện tích phân cực khối:
0 0
D E
0 e
D E P
0 0
0
e
PV divP
3
(C/ m )
Trang 8EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Điện tích phân cực
Điện tích phân cực mặt:
PV divP
1 2
n
PS a P P
( Tương tự mô hình điện tích tự do )
V divD
1 2
n
S a D D
Kết luận: cùng một nguồn là điện tích tự do nhưng trường điện sinh ra trong chân không sẽ khác trong điện môi Do trong điện môi các điện tích phân cực cũng sinh ra trường điện và làm thay đổi trường điện ban đầu
2
(C/ m )
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Chọc thủng điện môi
Khi trường điện ngoài E ≥ Ect: điện môi trở nên dẫn điện
Chọc thủng điện môi
Ect: cường độ trường điện chọc thủng, đặc trưng cho độ bền điện của điện môi, mỗi loại điện môi có 1 Ectxác định
Trang 9EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Chọc thủng điện môi
Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT Electromagnetics Field
EE 2003: Trường điện từ
Phương pháp ảnh điện
Trang 10EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Phương pháp ảnh điện
Vật mang điện gần mặt phân cách giữa 2 môi trường thì trường điện trong không gian được tạo bởi 2 nguồn:
Nguồn 1: vật mang điện
Nguồn 2: điện tích cảm ứng hoặc phân cực trên biên
Nhận xét: nguồn 1 là biết trước nhưng nguồn 2 là không biết trước dẫn tới các phương pháp tính trường: xếp chồng, Gauss, pt Poisson – Laplace không thể áp dụng trực tiếp được (do không đối xứng)
Phương pháp ảnh điện là phương pháp hữu dụng nhất
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Phương pháp ảnh điện
Nguyên tắc của PP ảnh điện:
Đồng nhất không gian bằng môi trường cần tính trường
Thêm vào điện tích ảnh phù hợp
Duy trì điều kiện biên
nguồn 1
nguồn 2
nguồn 1 nguồn 2 (đt ảnh) ĐKB
Trang 11EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách phẳng điện môi – vật dẫn
Điện tích q gần mặt dẫn rộng vô hạn nối đất
Bài toán:
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách phẳng điện môi – vật dẫn
Thay thế môi trường dẫn bằng điện môi & duy trì ĐKB
rq M rq'
4πεr 4πεr
φ(M)= + =0 q'= q
d'=d
Trang 12EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách phẳng điện môi – vật dẫn
Mô hình tương đương tính trường trong điện môi
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách phẳng điện môi – vật dẫn
Bức tranh trường
Trang 13EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách cầu điện môi – vật dẫn
Điện tích Q đặt gần quả cầu dẫn (bkính a) nối đất
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách cầu điện môi – vật dẫn
Thay thế môi trường dẫn bằng điện môi & duy trì ĐKB
2
b=a / d
3
1 2
Q -Q' φ(P )=0 + =0
4πεr 4πεr
2 2 1
2 2 2
r
Q d +a 2dacosθ
Q' r b +a 2bacosθ
2 2 2 2
d +a b +a
=
da ba
Q'=Qa/d
Trang 14EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách cầu điện môi – vật dẫn
Bức tranh trường
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách phẳng điện môi – điện môi
Bài toán: Điện tích q đặt gần mặt phân cách phẳng giữa
2 điện môi
Trang 15EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách phẳng điện môi – điện môi
Tính trường trong môi trường 1: thay thế toàn bộ bằng môi trường 1
1 1n 2 2
1
q q
D = sinα+ sinα
4πr 4πr
q q
E = cosα cosα 4πε r 4πε r
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách phẳng điện môi – điện môi
Tính trường trong môi trường 2: thay thế toàn bộ bằng môi trường 2
2 2n 2
2 2t 2
2
q
D = sinα
4πr q
E = cosα
4πε r
Trang 16EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách phẳng điện môi – điện môi
Duy trì điều kiện biên:
1 2
1 2
1 1 2
q+q q
q q q
=
ε ε ε
1n 2n 2t 2t
D =D
E E
1 2
1 2
1
q q
2
1 2
2 2
q q
EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Bài toán phân cách phẳng điện môi – điện môi
Bức tranh trường:
Trang 17EE 2015 : Signals & Systems Electromagnetics Field Tran Quang Viet – FEEE - HCMUT Tran Quang Viet – FEEE – HCMUT
Tổng kết
L.O.2.3 – Liệt kê và giải thích các ảnh hưởng của vật dẫn và điện môi lên các đại lượng trường điện tĩnh Mô tả nguyên lý màn chắn điện và đánh thủng điện môi.
L.O.2.4 – Dùng phương pháp ảnh điện tìm thế
và trường điện tĩnh trong các bài toán đơn giản.