Bài giảng Nhập môn điện tử - Chương 9: Linh kiện Transistors cung cấp cho người học các kiến thức: BJT (bipolar junction transistors), cấu tạo thực tế, nguyên lý hoạt động, các kiểu nối dây,... Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
Trang 1Đại Học Công Nghệ Thông Tin
ĐH QG TPHCM
Môn học : Nhập Môn Điện Tử
Trang 2BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
Cấu tạo và ký hiệu
C: Collector (cực thu)
B: Base (cực nền)
E: Emitter (cực phát)
Trang 3BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
Cấu tạo thực tế
B C E
TO-92
TO-92 MOD
B C E
E C B
TO-126 MOD
TO-126 FM
E C B
TO-3
C
B E
B C E TO-3P
B C E
TO-220AB TO-3PFM
TO-220FM
TO-220CFM
B C E
B C E
Trang 4BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
E N
I E
I B
Nguyên lý hoạt động
C
B E
Trang 5BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
E N
I C
Nguyên lý hoạt động
I CBO
C
B
Trang 6BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
E N
I B
Nguyên lý hoạt động
I B
I CBO
C
B E
Trang 7BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
Công thức dòng của BJT :
E N
I B
I B
C
B
= Số hạt tải đến được tại C
Số hạt tại phát ra tại E
I C = I E +I CBO
I E = I B +I C
= I C
I B
Hệ số khuếch tán
1 - + 1
= Quan hệ giữa và :
Trang 8BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTORS)
Trang 9BJT (Các kiểu nối dây )
Kiếu nối B chung (CB):
Z IN nhỏ (10 100) ; Z OUT lớn (50k 1M )
I B
B
I B
C
B
E
CC
I B
C
B
E
CC
I B
B
I C (mA)
7mA 6mA
5 mA 4mA 3mA 2mA 1mA
0 1 2 3 4 5 6 7
Trang 100,2 0,4 0,6 0,8 V BE (V)
10 30 50 70
90 100
CE = 1V
V CE = 10V
V CE = 20V
CE (V)
I C (mA )
Vùng ngưng dẫn
ICEO
V CE (BH)
0 1 2 3 4 5
6
Vùng bão hòa
7
IB = 0 µ A
IB = 10 µ A
IB = 20 µ A
IB = 30 µ A
IB = 40 µ A
IB = 50 µ A
IB = 60 µ A
IB = 70 µ A
IB = 80 µ A
Vùng tích cực
R L
R L
Kiểu Nối E CHUNG (CE):
Trang 11BJT (CÁC KIỂU NỐI DÂY )
Kiểu nối C chung (CC):
R R L L
Đặc tuyến gần như kiêu CE
Dạng sóng ra và vào đồng pha
Không khuếch đại Chỉ lặp đi lặp lại dùn làm mạch đệm