Tóm tắt luận văn Thạc sĩ Hóa học: Vai trò của lớp đệm Halogenua đối với sự hình thành màng đơn lớp Phorphyrin trên bề mặt đơn tinh thể đồng trong hệ điện hóa

Luận văn với mục tiêu: khảo sát ảnh hưởng của lớp đệm Halogenua đối với sự hình thành màng đơn lớp TAP trên bề mặt điện cực Cu(111) và nghiên cứu ứng dụng của chúng cho quá trình khử O2. Mời các bạn cùng tham khảo tóm tắt luận văn để nắm chi tiết nội dung.

TRƯỜNG Đ I H C QUY NH NẠ Ọ Ơ

TRƯỜNG Đ I H C QUY NH NẠ Ọ Ơ

Ngườ ưới h ng d n : ẫ 1. TS. HU NH TH  MI N TRUNGỲ Ị Ề

Có th  tìm hi u lu n văn t i:ể ể ậ ạ

­ Trung tâm Thông tin t  li u, Trư ệ ường Đ i h c Quy Nh nạ ọ ơ

­ Khoa Hóa, Trường Đ i h c Quy Nh n ạ ọ ơ

đi n ho c bán d n là m t trong nh ng y u t  then ch t cho quá trìnhệ ặ ẫ ộ ữ ế ố ố  thi t k  và ch  t o các thi t b  đi n t  kích th c nano. Cùng v i sế ế ế ạ ế ị ệ ử ướ ớ ự 

ra đ i c a kính hi n vi quét xuyên h m (STM) năm 1981 và ờ ủ ể ầ hi n vi ể  

khoa h c nghiên c u ọ ứ c u trúc b  m t v t li u   c p đ  nguyên/phân ấ ề ặ ậ ệ ở ấ ộ   tử.

Các  porphyrin  được bi t đ n là nh ng ch t màu quan tr ngế ế ữ ấ ọ  trong m t s  quá trình t  nhiên. Đ c bi t, porphyrin trong ch tộ ố ự ặ ệ ấ  

di p l c c a lá cây t n t i dệ ụ ủ ồ ạ ướ ại d ng màng và đóng vai trò chính cho s  h p th  photon ánh sáng trong quá trình quang h p c a câyự ấ ụ ợ ủ  xanh. Vì v y, lo i màng này đậ ạ ược cho là có th   ng d ng vào cácể ứ ụ  thi t b  đi n t  có kích thế ị ệ ử ước nano mô ph ng theo s  t n t i c aỏ ự ồ ạ ủ  chúng trong t  nhiên, ch ng h n làm đ u dò trong c m bi n khí vàự ẳ ạ ầ ả ế  

c m bi n sinh h c hay làm màng chuy n đ i trong pin nhiên li uả ế ọ ể ổ ệ  

và pin m t tr i.ặ ờ

Đ n th i đi m hi n t i, có ế ờ ể ệ ạ 3 h ướ ng nghiên c u chính ứ  v  màngề  

đ n l p porphyrin t  s p x p:ơ ớ ự ắ ế

+  nh h Ả ưở ng c a b  m t đ n tinh th ủ ề ặ ơ ể

+ Vai trò c a nguyên t  kim lo i liên k t   tâm các porphyrin ủ ử ạ ế ở

+ nh h Ả ưở ng c a các nhóm ch c ngo i vi ủ ứ ạ

Tuy nhiên, h u nh  ầ ư ch a có nghiên c u v   nh h ư ứ ề ả ưở ng c a ủ  

đi n tích nhóm ch c ệ ứ  lên c u trúc b  m t và tính ch t đi n hóa c aấ ề ặ ấ ệ ủ  màng porphyrin được công b ố

+ Ngoài ra, còn có m t vài nghiên c u khác v   nh hộ ứ ề ả ưởng c aủ  nhi t đ , dung môi, đ  pH, ch t pha t p, … lên s  hình thành vàệ ộ ộ ấ ạ ự  tính b n v ng c a màng đ n l p porphyrin.ề ữ ủ ơ ớ

Nh  đã trình bày   trên, màng đ n l p porphyrin đư ở ơ ớ ượ ứ  c  ng

d ng r ng rãi trong các thi t b  đi n t  kích thụ ộ ế ị ệ ử ước nano. Tuy nhiên, tính b n v ng và kh  năng ho t đ ng c a chúng trong môi trề ữ ả ạ ộ ủ ườ  ngkhông khí có đ   m cao ­ ộ ẩ môi tr ườ  ho t đ ng th c c a các thi t ng ạ ộ ự ủ ế  

b  đi n t ị ệ ử, v n là m t câu h i m  Do đó, vi c m  r ng nh ngẫ ộ ỏ ở ệ ở ộ ữ  nghiên c u v  màng đ n l p porphyrin   c p đ  phân t  trong môiứ ề ơ ớ ở ấ ộ ử  

trường th c là c n thi t. Các nghiên c u trong ự ầ ế ứ h  đi n hóa  ệ ệ đượ  cxem nh  mô hình lý tư ưởng đ  ki m ch ng kh  năng ho t đ ngể ể ứ ả ạ ộ  

c a màng đ n l p porphyrin trong đi u ki n th c.ủ ơ ớ ề ệ ự

Phân   t   5,10,15,20­tetrakis­(4­trimethyl   ammonium   phenyl)­ửporphyrin   (vi t   t t   là  ế ắ TAP)  ch a   b n   nhóm   ch cứ ố ứ   trimethyl 

ammonium phenyl [C6H5(CH3)3N]+ có tính phân c c cao   ngo i vi ự ở ạ  

S  có m t c a các nhóm này đự ặ ủ ược d  đoán s  làm thay đ i đángự ẽ ổ  

k  tính ch t c a màng đ n l p TAP so v i màng porphyrin c  b nể ấ ủ ơ ớ ớ ơ ả  

(porphin). Tuy nhiên, r t ít nghiên c u v  c u trúc màng đ n l p ấ ứ ề ấ ơ ớ   TAP   c p đ  nguyên t /phân t ở ấ ộ ử ử được công b  tính đ n th i đi mố ế ờ ể  

hi n t i. H n th  n a, các anion vô v  đệ ạ ơ ế ữ ơ ược cho là  nh hả ưở  ng

tr c ti p đ n kh  năng h p ph  c a porphyrin trong dung d ch.ự ế ế ả ấ ụ ủ ị

T  nh ng nh n đ nh khoa h c trên, tôi quy t đ nh ch n đ  tài:ừ ữ ậ ị ọ ế ị ọ ề  

“Vai trò c a l p đ m halogenua đ i v i s  hình thành màng đ nủ ớ ệ ố ớ ự ơ  

l p porphyrin trên b  m t đ n tinh th  đ ng trong h  đi n hóa”ớ ề ặ ơ ể ồ ệ ệ  cho lu n văn th c sĩ c a mình.ậ ạ ủ

2. M c tiêu nghiên c uụ ứ

Kh o sát  nh h ng c a l p đ m halogenua đ i v i s  hình thànhả ả ưở ủ ớ ệ ố ớ ự  màng đ n l p TAP trên b  m t đi n c c Cu(111) và nghiên c u  ngơ ớ ề ặ ệ ự ứ ứ  

d ng c a chúng cho quá trình kh  Oụ ủ ử 2.

3. Đ i tố ượng và ph m vi nghiên c uạ ứ

3.1. Đ i tố ượng nghiên c uứ

Màng   đ n   l p   c a   phân   t   TAP   trên   l p   đ m   halogenuaơ ớ ủ ử ớ ệ  (halogenua là clorua, bromua, iotua)

­ Kh o sát tính ch t đi n hóa, hình thái h c và c u trúc b  m tả ấ ệ ọ ấ ề ặ  

c a các h  v t li u   c p đ  nguyên t /phân t ủ ệ ậ ệ ở ấ ộ ử ử

­ Kh o sát  ng d ng kh  Oả ứ ụ ử 2 c a h  v t li u TAP/Cl/Cu(111).ủ ệ ậ ệ

5. Phương pháp nghiên c uứ

5.1. Phương pháp ch  t o v t li uế ạ ậ ệ

Các h  v t li u đ c ch  t o b ng ph ng pháp l ng đ ng đi nệ ậ ệ ượ ế ạ ằ ươ ắ ọ ệ  hóa

5.2. Phương pháp đ c tr ng v t li uặ ư ậ ệ

­ Tính ch t đi n hóa c a các h  v t li u đấ ệ ủ ệ ậ ệ ược kh o sát b ngả ằ  

phương pháp th  quét vòng tu n hoàn (CV).ế ầ

­ Hình thái h c và c u trúc b  m t c a các màng đ n l p đ c đ cọ ấ ề ặ ủ ơ ớ ượ ặ  

tr ng b ng ph ng pháp hi n vi quét xuyên h m đi n hóa (EC­STM).ư ằ ươ ể ầ ệ

­  ng d ng kh  OỨ ụ ử 2 c a h  v t li u ủ ệ ậ ệ TAP/Cl/Cu(111) được kh oả  sát b ng phằ ương pháp quét th  tuy n tính (LSV).ế ế

Các phép đo CV, LSV được th c hi n t i Phòng thí nghi mự ệ ạ ệ  Khoa Hóa và Khoa V t lý, Trậ ường Đ i h c Quy Nh n. Phép đoạ ọ ơ  EC­STM được th c hi n   KU Leuven, B ự ệ ở ỉ

CHƯƠNG I: T NG QUANỔ

1.1. Gi I THI U V  PORPHYRIN Ớ Ệ Ề

1.2. GI I THI U V  Đ NG Ớ Ệ Ề Ồ

1.3. QUÁ TRÌNH T  S P X P CÁC PHÂN T  PHÂN TỰ Ắ Ế Ử Ử 

H U C  TRÊN B  M T KIM LO IỮ Ơ Ề Ặ Ạ

2.5. KH O SÁT TÍNH CH T ĐI N HÓA C A H  V T LI UẢ Ấ Ệ Ủ Ệ Ậ Ệ  

B NG PHẰ ƯƠNG PHÁP CV

2.6. NGHIÊN C U  NG D NG KH  OXI C A MÀNG TAPỨ Ứ Ụ Ử Ủ  

B NG PHẰ ƯƠNG PHÁP QUÉT TH  TUY N TÍNH (LSV)Ế Ế

2.7. KH O SÁT C U TRÚC B  M T MÀNG Đ N L P TAPẢ Ẩ Ề Ặ Ơ Ớ  

B NG PHẰ ƯƠNG PHÁP EC­STM

CHƯƠNG 3: K T QU  VÀ TH O LU NẾ Ả Ả Ậ

3.1. S  H P PH  C A CÁC HALOGENUA TRÊN B  M TỰ Ấ Ụ Ủ Ề Ặ  Cu(111)

Hình 3.1  mô t  CV c a Cu(111) trong các dung d ch ch a cácả ủ ị ứ  halogenua là dung d ch KCl 10 mM + Hị 2SO4 5 mM, dung d ch KBrị  

10 mM + H2SO4 5mM và dung d ch KI 10 mM + Hị 2SO4 5 mM.

Hình 3.1: CV c a Cu(111) trong các dung d ch halogenua:ủ ị  

Clorua, bromua và iotuaVùng đi n ệ th  c a Cu(111) trong các dung d ch trên gi i h n b iế ủ ị ớ ạ ở  

ph n  ng ả ứ oxi hóa hòa tan Cu (CDR) và ph n  ng ả ứ kh  ử t o thành ạ khí hiđro (HER). Các c p pic thu n ngh ch t i các giá tr  đi n th  ặ ậ ị ạ ị ệ ế ­0,74 V 

và ­0,42 V đ i v i clorua và ­0,75 V và ­0,65 V ố ớ đ i v i bromua đ cố ớ ượ  cho là gây nên b i s  gi i h p và tái h p ph  c a clorua và bromua x yở ự ả ấ ấ ụ ủ ả  

ra trên b  m t Cu. ề ặ Tuy nhiên, trong trường h p c a iotua, không cóợ ủ  

s  xu t hi n c a các pic h p ph  ­ gi i h p. Có th  quá trình gi iự ấ ệ ủ ấ ụ ả ấ ể ả  

h p c a iotua x y ra trong vùng th  HER. ấ ủ ả ế

Hình 3.2: Hình thái h c b  m t và c u trúc nguyên t  c aọ ề ặ ấ ử ủ  các halogen h p ph  trên Cu(111)ấ ụ : a, b) Clorua, It = 1 nA, Ub = 50 mV; 

c, d) Bromua, It = 2 nA, Ub = 55 mV; e, f) Iotua, It = 3 nA, Ub = 40 

mV

S  gi i h p – tái h p ph  c a các halogenua làm thay đ iự ả ấ ấ ụ ủ ổ  hình thái h c b  m t c a Cu(111)  ọ ề ặ ủ C  th  làụ ể   khi có m t c aặ ủ  các halogenua, các  đường biên  (step­edge) đ nh hị ướng có tr tậ  

t ,   song   song   v i   hự ớ ướng   c a   các   hàng   ch a   các   nguyên   tủ ứ ử halogenua và chúng t o v i nhau các góc 120ạ ớ  ± 10  (Hình 3.2). Tuy nhiên, khi không có m t c a các halogenua, các nguyên tặ ủ ử 

Cu   t i   đạ ường   biên   khá   linh   đ ng   và   do   đó   các   độ ường   biên không có hình d ng rõ ràng.ạ

 c p đ  nguyên t , hình  nh EC

h p   ph   m nh   trên   b   m t   đi n   c c   Cu(111)   và   t o   thànhấ ụ ạ ề ặ ệ ự ạ  màng đ n l p có c u trúc xác đ nh: c(p × )R30 (ơ ớ ấ ị Hình 3.2). 3.2   NH   HẢ ƯỞNG   C A   CLORUA   Đ I   V I   S   HÌNHỦ Ố Ớ Ự  THÀNH   MÀNG   Đ N   L P   PORPHYRIN   TRÊN   B   M TƠ Ớ Ề Ặ  Cu(111)

3.2.1. Tính ch t đi n hóa  ấ ệ c a phân t  TAP trong dung d chủ ử ị  

CV c a Cu(111) trong dung d ch đ m c a clorua đ c đ c tr ngủ ị ệ ủ ượ ặ ư  

b i ba vùng: (i) vùng hòa tan đ ng (CDR)   đi n th  d ng, (ii) vùngở ồ ở ệ ế ươ  

h p ph  ­ gi i h p c a clorua đ c tr ng b i c p pic thu n ngh ch t iấ ụ ả ấ ủ ặ ư ở ặ ậ ị ạ  –0,42 V và –0,74 V, và (iii) vùng hiđro bay h i (HER)   đi n th  âm. ơ ở ệ ế

S  có m t c a phân t  TAP trong dung d ch đi n phân d nự ặ ủ ử ị ệ ẫ  

đ n s  xu t hi n các pic kh  Pế ự ấ ệ ử 1 t i E = −0,54 V và pic Pạ 2 t i Eạ  

=   −0,76   V   Pic   P2  x y   ra   t i   vùng   th   gi i   h p   c a   cloruaả ạ ế ả ấ ủ  

nh ng   có   cư ường   đ   l n   h n   so   v i   khi   không   có   phân   tộ ớ ơ ớ ử 

porphyrin trong dung d ch. Do đó, c  hai pic   vùng th  âm nàyị ả ở ế  

được cho là liên quan đ n quá trình kh  c a phân tế ử ủ ử TAP. Bên 

c nh đó, ph n  ng HER d ch chuy n v  vùng th  âm kho ngạ ả ứ ị ể ề ế ả  

25 mV, đi u này có nghĩa là các phân t  TAP làm ch m quáề ử ậ  trình HER. 

Hình 3.3: CV c a Cu(111) trong dung d ch đ m c a clorua vàủ ị ệ ủ  

trong dung d ch đ m ch a phân t  TAPị ệ ứ ử

Khác v i các porphyrin khác, phân t  TAP có kh  năng tan trongớ ử ả  

n c. Sau khi đ c hòa tan trong dung d ch n c có tính axit, TAPướ ượ ị ướ  tham gia quá trình proton hóa, t o thành đi­axit b n theo ph ng trình:ạ ề ươ

TAP(0) + 2H+   [H↔ 2TAP(0)] 2+ 

Khi đi n th  đệ ế ược quét v  vùng âm h n, ề ơ TAP và [H2TAP(0)]2+ 

được cho là tr i qua các quá trình kh  tả ử ương  ng v i các pic khứ ớ ử P1 và P2 (Hình 3.3) v i s  tham gia c a t ng c ng 6 electron traoớ ự ủ ổ ộ  

đ i. ổ

Pic P1  ng v i quá trình kh  đ u tiên c a TAP và [Hứ ớ ử ầ ủ 2TAP(0)] 2+ 

v i s  tham gia c a 2 electron:ớ ự ủ

Hình 3.4: Quá trình kh  th  nh t c a phân t  ử ứ ấ ủ ửTAPPic P2 tương  ng v i ứ ớ quá trình kh  th  hai c a TAP là s  traoử ứ ủ ự  

đ i c a 4 electron theo s  đ  sau:ổ ủ ơ ồ  

Hình 3.5: Quá trình kh  th  hai c a phân t  ử ứ ủ ửTAP

Có th  nh n th y r ng trong đi u ki n h p ph  c nh tranh, t cể ậ ấ ằ ề ệ ấ ụ ạ ứ  

là dung d ch ch a đ ng th i clorua và TAP thì CV c a Cu(111) v nị ứ ồ ờ ủ ẫ  

ch a các pic h p ph  và gi i h p đ c tr ng c a clorua. Đi u nàyứ ấ ụ ả ấ ặ ư ủ ề  

ch ng t  clorua h p ph  trên b  m t Cu(111) nhanh h n so v iứ ỏ ấ ụ ề ặ ơ ớ  TAP và l p halogen này đóng vai trò là l p đ m đ i v i s  h pớ ớ ệ ố ớ ự ấ  

ph  c a TAP trên b  m t Cu(111).ụ ủ ề ặ

3.2.2. C u trúc b  m t ấ ề ặ c a màng đ n l p TAP trên l p đ mủ ơ ớ ớ ệ  clorua

Nh  đã đ  c p ph n 3.2.1, khi đi n c c Cu(111) ti p xúc v iư ề ậ ầ ệ ự ế ớ  dung d ch đi n phân ch a phân t  TAP, các anion clorua h p phị ệ ứ ử ấ ụ 

trước và t o thành c u trúc  trên b  m t Cu(111).ạ ấ ề ặ

 Hình  nh EC­STM thu đả ược cho th y các phân t  TAP s p x pấ ử ắ ế  

m t cách có tr t t  bên trên l p đ m clorua, hình thành các mi nộ ậ ự ớ ệ ề  phân t  trên toàn b  b  m t c a đi n c c (ử ộ ề ặ ủ ệ ự Hình 3.6). Góc t  hìnhự  

thành t i đạ ường biên (Hình 3.6a) là 120 ± 10 ch ng t  s  h p phứ ỏ ự ấ ụ 

c a TAP trên b  m t không làm  nh hủ ề ặ ả ưởng đ n c u trúc c a l pế ấ ủ ớ  

đ m clorua phía dệ ưới. Các mi n phân t  quan sát đề ử ược s p x pắ ế  

t nh ti n (Ia và Ib, Hình 3.6a) ho c l ch nhau 120 ± 1ị ế ặ ệ 0  (Ia và Ic, Hình 3.6a). Các phân t  trong cùng m t mi n s p x p thành cácử ộ ề ắ ế  hàng song song v i đớ ường biên, nghĩa là song song v i các hàngớ  clorua   l p đ m.ở ớ ệ

 Trên c  s  các phép đo line profile (LP) (ơ ở Hình 3.6c), kho ng cáchả  

gi a các phân t  trên cùng m t hàng là ữ ử ộ 1,75   0,1 nm. Hình  nh EC­ảSTM   đ  phân gi i cao cho th y m i phân t  ở ộ ả ấ ỗ ử TAP riêng l  ẻ (Hình 3.6b) có d ng hình vuông và r ng   tâm ch ng t  các phân t  ạ ỗ ở ứ ỏ ử TAP 

n m ngang trên b  m t l p đ m. ằ ề ặ ớ ệ

Hình 3.6: a­b) Hình thái h c và c u trúc b  m t ọ ấ ề ặ c a ủ màng đ nơ  

l p ớ TAP trên l p đ m cloruaớ ệ , It = 0,3 nA, Ub = 150 mV; c) Phép đo 

LP cho th y kho ng cách gi a hai phân t  TAPấ ả ữ ử  là 1,75 ± 0,1 nm

Ô m ng c  s  c a màng đ n l p ạ ơ ở ủ ơ ớ TAP đ c mô t  b ng ma tr n (3ượ ả ằ ậ  

x 4) so v i c u trúc ớ ấ  c a l p đ m clorua. K t qu  là h ng s  m ng c aủ ớ ệ ế ả ằ ố ạ ủ  

đ n l p ơ ớ TAP đ c xác đ nh l n l t là  ượ ị ầ ượ  0,1  nm 

và    0,1 nm. Mô hình mô t  s  hình thành màng đ n l p Tả ự ơ ớ AP trên l pớ  

đ m ệ clorua đ c đ a ra   ượ ư ở hình 3.7. T  đó, m t đ  phân t  Từ ậ ộ ử AP đ cượ  xác đ nh là 2,8 x 10ị 13 phân t /cmử 2. 

Hình 3.7: M i quan h  ố ệv  s  s p x p c aề ự ắ ế ủ  đ n l p TAPơ ớ  v iớ l pớ  

đ mệ  clorua, a) It = 0,2 nA, Ub = 180 mV, b) It = 3 nA, Ub = 20 mV; c) Mô hình c u trúc c a màng đ n l p TAP hình thành trên bấ ủ ơ ớ ề 

m t ặ

3.2.3. Quá trình gi i h p và tái h p ph  c a màng đ n l pả ấ ấ ụ ủ ơ ớ  TAP trên l p đ m cloruaớ ệ

Nh  đã đ  c p   ph n 3.2.1, khi đi n th  đư ề ậ ở ầ ệ ế ược quét về 

hướng âm, phân t  TAP tr i qua hai quá trình kh  đi kèm v i sử ả ử ớ ự thay đ i v  m t đ  electron c a màng đ n l pổ ề ậ ộ ủ ơ ớ  K t qu  là khiế ả  

đi n th  đệ ế ược quét qua đ nh pic Pỉ 1, quá trình gi i h p c a các phânả ấ ủ  

t  TAP x y ra trên b  m t l p đ m clorua do tử ả ề ặ ớ ệ ương tác tĩnh đi nệ  

gi a chúng v i l p đ m gi m (Hình 3.8a­c). N u đi n th  đữ ớ ớ ệ ả ế ệ ế ượ  c

ti p t c quét qua pic Pế ụ 2, các phân t  TAP g n nh  gi i h p hoànử ầ ư ả ấ  

toàn (Hình 3.8d). Bên c nh đó, tính đ nh hạ ị ướng c a đủ ường biên 

gi m ch ng t  clorua cũng gi i h p kh i b  m t c a Cu(111).ả ứ ỏ ả ấ ỏ ề ặ ủ

Hình 3.8: Quá trình gi i h p c a TAP trên Cl/Cu(111), Iả ấ ủ t = 0,1 nA, 

Ub = 200 mVKhi đi n th  đệ ế ược quét ngược v  hề ướng dương và qua pic tái 

h p ph  c a clorua, các phân t  TAP h p ph  và t  s p x p trấ ụ ủ ử ấ ụ ự ắ ế ở 

l i trên b  m t l p đ m clorua (Hình 3.9). ạ ề ặ ớ ệ

Hình 3.9: Quá trình tái h p ph  c a TAP trên Cl/Cu(111), ấ ụ ủ

It = 0,1 nA, Ub = 200 mV3.3   NH   HẢ ƯỞNG   C A   BROMUA   Đ I   V I   S   HÌNHỦ Ố Ớ Ự  THÀNH MÀNG Đ N L P TAP TRÊN B  M T Cu(111) Ơ Ớ Ề Ặ

3.3.1  Tính ch t đi n hóaấ ệ   c a phân t  TAP trong dung d chủ ử ị  

H2SO4 5 mM) (đ ng màu xanh lá). Vùng ườ đi n ệ th  c a Cu(111) ế ủ trong dung d ch ch a TAP cũngị ứ  đ c ượ gi i h n b i ph n  ng CDR và ph nớ ạ ở ả ứ ả  

ng HER

ứ

CV c a Cuủ (111) trong dung d ch ch a phân t  ị ứ ử TAP có nhi u đi mề ể  khác bi t  ệ so v i trong dung d ch đ mớ ị ệ  Th  nh tứ ấ , pic  gi i  ả h p đ cấ ặ  

tr ng c a bromua không còn đ c quan sát trong vùng đi n th  gi iư ủ ượ ệ ế ớ  

h n. ạ Do đó, pic tái h p ph  c a bromua không xu t hi n khi đi n thấ ụ ủ ấ ệ ệ ế 

đ c quét ng c v  h ng d ng. ượ ượ ề ướ ươ Th  hai, ứ s  xu t hi n c a ự ấ ệ ủ hai pic P1 và P2 đ c cho là liên quan đ n quá trình kh  c a phân t  TAP ượ ế ử ủ ử theo 

ph ng trình ươ 3.2­3.6 trong ph n 3.2.1. ầ

Hình 3.10: CV c a Cu(111) trong ủ dung d ch đ m c a bromuaị ệ ủ  

và trong dung d ch đ m ị ệ ch a phân t  ứ ửTAP

3.3.2. C u trúc b  ấ ề m t ặ c a màng đ n l p TAP trên l p đ mủ ơ ớ ớ ệ  bromua 

K t qu  EC­STM thu đ c cho th y t ng t  nh  s  h p ph  c aế ả ượ ấ ươ ự ư ự ấ ụ ủ  TAP trên l p đ m clorua, gớ ệ óc t  hình thành t i đ ng biên c a các l pự ạ ườ ủ ớ  

Cu là 120 ± 10 (Hình 3.11a) ch ng t  ứ ỏ trong đi u ki n h p ph  c nhề ệ ấ ụ ạ  tranh t c là cùng có c  bromua và phân t  TAP trong dung d ch, bromuaứ ả ử ị  cũng h p ph  trên b  m t Cu(111) tr c, t o thành h  Br/Cu(111).ấ ụ ề ặ ướ ạ ệ  

Gi ng nh  l p clorua, l p bromua trên b  m t Cu cũng đóng vai tròố ư ớ ớ ề ặ  

nh  l p đ m đ i v i s  h p ph  c a các phân t  TAP. ư ớ ệ ố ớ ự ấ ụ ủ ử

Các phân t  TAP h p ph  trên toàn b  b  m tử ấ ụ ộ ề ặ  l p đ m ớ ệ và hình thành các mi n phânề  t  t nh ti n (Iử ị ế a và Ib , Hình 3.11b) ho c l ch nhauặ ệ  

120 ± 10 (Ia và Ic, Hình 3.11b). Trong m iỗ  mi nề , các hàng phân t  TAPử  

ch y song song v i các hàng bromua bên d i. Nh  v y, v  c  b nạ ớ ướ ư ậ ề ơ ả  

c u trúc b  m t c a màng TAP trên clorua và bromua là gi ng nhau.ấ ề ặ ủ ố

Hình 3.11: Hình thái h c và c u trúc b  m t màngọ ấ ề ặ  đ n l pơ ớ  TAP ở ấ c p đ  phân t  ộ ửtrên l p đ m ớ ệ bromua, It = 0,1 nA, Ub = 

280 mV, E = ­0,3 V