Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm – điện – từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều (siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử)

TỔNG QUAN KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử.. Như vậy, về mặt lý

ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI

KẾT QUẢ THỰC HIỆN ĐỀ TÀI KH&CN

CẤP ĐẠI HỌC QUỐC GIA

PHẦN I THÔNG TIN CHUNG

1.1 Tên đề tài : : Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ

bán dẫn một chiều và hai chiều (siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử)

1.2 Mã số: QGTĐ 12.01

1.3 Danh sách chủ trì , thành viên tham gia thực hiện đề tài/dự án

đề tài

1 GS.TS.Nguyễn Quang Báu ĐHKHTN Chủ trì Đề tài

2 PGS.TS.Nguyễn Vũ Nhân Học Viện PKKQ Thư ký,ủy viên

1.4 Đơn vị chủ trì: Trường Đại Học Khoa học Tự nhiên , ĐHQGHN

Điện thoại: 04.8584069 Fax: 84.4.8583061

E-mail:

Website:

Địa chỉ: 334 Nguyễn Trãi ,Thanh Xuân, Hà Nội

Tên tổ chức chủ quản đề tài: ĐHQGHN

1.5 Thời gian thực hiện:

1.5.1 Theo hợp đồng: 24 tháng ,từ 05 tháng 10 năm 2012 đến 05 tháng 10 năm 2014 1.5.2 Gia hạn (nếu có): đến tháng… năm…

1.5.3 Thực hiện thực tế:24 tháng ,từ 05 tháng 10 năm 2012 đến 05 tháng 10 năm 2014

1.6 Sản phẩm đã đăng ký:

1.6.1 Sản phẩm khoa học công nghệ: 14 công trình công bố (02 bài báo trong Tạp chí Quốc tế có ISI , 06 bài báo trong Tạp chí Quốc gia , 02 báo cáo khoa học ở Hội nghị KH Quốc tế , 04 báo cáo khoa học ở Hội nghị KH Quốc gia)

1.6.2 Sản phẩm đào tạo: Góp phần đào tạo 03 NCS bảo vệ luận án TS , 05 Th.S bảo vệ (ngoài ra còn góp phần đào tạo 05 cử nhân Vật lý )

1.6.3 Các sản phẩm khác:

1.7.Những thay đổi so với thuyết minh ban đầu (nếu có)

(Về mục tiêu, nội dung, phương pháp, kết quả nghiên cứu và tổ chức thực hiện; Nguyên nhân;Ý kiến của Cơ quan quản lý )

1.8 Tổng kinh phí được phê duyệt của đề tài, dự án: 350 triệu đồng

PHẦN II TỔNG QUAN KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU

Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn một

chiều và hai chiều (siêu mạng, hố lượng tử, dây lượng tử)

Investigation of the Quantum Theory of the Acoustomagnetoelectric effects in Semiconductor One- dimensional and Two-dimenional systems (Supperlattices,

quantum wells, quantum wires)

(Đề tài QGTĐ 12.01 , Chủ trì : GS.TS Nguyễn Quang Báu)

1 ĐẶT VẤN ĐỀ

Khởi đầu từ những thành công rực rỡ của vật liệu bán dẫn vào những thập niên 50-60 của thế kỷ trước, đặc biệt tìm ra dị cấu trúc bán dẫn (semiconductor heterostructure) vào thập kỷ 70 đã tạo tiền đề cho việc chế tạo hầu hết các thiết bị quang điện tử ngày nay Tầm quan trọng của các thiết bị được chế tạo trên cơ sở vật liệu dị cấu trúc của bán dẫn này được công nhận bởi giải thưởng Nobel vật lý năm 2000 do công trình nghiên cứu cơ bản về công nghệ thông tin và truyền thông Các dị cấu trúc bán dẫn là cơ sở để tạo ra bán dẫn thấp chiều Cấu trúc thấp chiều là cấu trúc mà trong đó các hạt mang điện không được chuyển động tự do trong cả ba chiều mà bị giam giữ Chúng bao gồm: cấu trúc hai chiều (2D), trong đó các hạt mang điện chuyển động tự do theo hai chiều; cấu trúc một chiều (1D), trong đó hạt mang điện chuyển động tự do theo một chiều và

hệ không chiều (0D) với sự giam giữ hạt mang điện theo cả ba chiều Cấu trúc hệ thấp chiều trong những thập niên gần đây được nhiều nhà vật lý quan tâm bởi những đặc tính mới ưu việt mà cấu trúc 3 chiều (3D) không có được Việc chuyển từ hệ 3D sang hệ thấp chiều đã làm thay đổi đáng

kể cả về mặt định tính lẫn định lượng nhiều tính chất vật lý Các vật liệu mới với cấu trúc bán dẫn thấp chiều nói trên đã giúp cho việc tạo ra các linh kiện, thiết bị dựa trên nguyên tắc hoàn toàn mới và công nghệ hiện đại có tính chất cách mạng trong khoa học kỹ thuật Đó là lý do tại sao các cấu trúc trên được nhiều nhà vật lý quan tâm nghiên cứu

Khi một sóng âm truyền dọc theo một vật dẫn có các electron dẫn thì do sự truyền năng xung lượng từ sóng âm cho các điện tử dẫn làm xuất hiện một hiệu ứng gọi là hiệu ứng âm điện, nếu mạch kín thì tạo ra dòng âm điện còn mạch hở thì tạo ra trường âm điện Tuy nhiên khi có

ứng khác gọi là hiệu ứng âm điện từ, lúc này có một dòng xuất hiện theo phương vuông góc với phương truyền sóng âm và từ trường ngoài gọi là dòng âm điện từ, nếu mạch hở thì xuất hiện trường âm điện từ.Trên phương diện lý thuyết, hiệu ứng âm điện và âm điện từ trong bán dẫn khối được xem xét dưới hai quan điểm khác nhau Trên quan điểm lý thuyết cổ điển, bài toán này đã được giải quyết chủ yếu dựa trên việc giải phương trình động cổ điển Boltzmann xem sóng âm giống như lực tác dụng Trên quan điểm lý thuyết lượng tử, bài toán liên quan đến hiệu ứng âm điện phi tuyến và âm điện từ đã được giải quyết bằng phương pháp lý thuyết hàm Green trong bán dẫn khối, phương pháp phương trình động lượng tử trong bán dẫn khối với việc xem sóng âm như một dòng phonon âm Bên cạnh đó với sự phát triển mạnh mẽ của khoa học công nghệ thì các hiệu ứng âm điện và âm điện từ đã đo được bằng thực nghiệm trong siêu mạng, hố lượng tử, ống nano cacbon Tuy nhiên, hiện nay chưa có một giải thích thỏa đáng, và chưa có một lý thuyết hoàn chỉnh cho các kết quả thực nghiệm về hiệu ứng âm điện và âm điện từ trong hệ bán dẫn thấp chiều trên Như vậy, về mặt lý thuyết bài toán liên quan đến hiệu ứng âm điện phi tuyến và âm điện từ trong hệ bán dẫn thấp chiều nói chung và trong hệ bán dẫn một chiều và hai chiều nói riêng (gồm siêu mạng , hố lượng tử ,dây lượng tử) chưa từng được thực hiện cả trong nước và trên

thế giới, và vẫn là bài toán lớn, còn bỏ ngỏ Vì vậy, đề tài lựa chọn tiêu đề “Nghiên cứu lý thuyết

lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều(siêu mạng , hố lượng tử ,dây lượng tử) ” và tập trung giải quyết bài toán còn bỏ ngỏ nói trên bằng phương pháp

phương trình động lượng tử có kết hợp với phương pháp tính số bằng phần mềm tính số Matlab Các kết quả chính thu được trong Đề tài được trình bày trong các mục 2, mục 3, mục 4, mục

5, mục 6, ở dưới và được so sánh với kết quả đã được nghiên cứu trong bán dẫn khối cho thấy sự khác biệt cả định tính lẫn định lượng[1-19]

2 HIỆU ỨNG ÂM ĐIỆN PHI TUYẾN TRONG HỐ LƯỢNG TỬ

VỚI HỐ THẾ CAO VÔ HẠN

2.1 Toán tử Hamiltonian của hệ điện tử-phonon trong hố lượng tử với hố thế cao vô hạn

Sử dụng công thức phổ năng lượng và hàm sóng của điện tử khi không có từ trường, toán

tử Hamiltonian của hệ điện tử- phonon âm trong hố lượng tử

0 e ph,

HH H (2.1) trong đó H0 là năng lượng của các điện tử và phonon không tương tác

' '

, , , ,

', ,

, , , ,

, , ,

, , ( n p ) n p n p t ,

a a f

2.3 Biểu thức dòng âm điện phi tuyến trong hố lượng tử với hố thế cao vô hạn

Dòng âm điện dọc theo chiều truyền sóng âm có dạng sau

2 2 1 ,

(2 )

ac

p n

  Chúng tôi thu được dòng

âm điện trong hố lượng tử với hố thế cao vô hạn

Hình 2.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ

dòng âm điện vào nhiệt độ và năng lượng Fermi với Hình 2.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá

(đường nét đứt)

Hình 2.3: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng

âm điện vào kích thức hố lượng tử tại những giá trị khác

nhau của tần số sóng âm, với q  32 10 (  10 s 1 ) (đường

Hình 2.4: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng

âm điện vào kích thức hố lượng tử tại những giá trị khác nhau của nhiệt độ, với T=45K (đường liền nét), T=50K (đường chấm), T=55K (đường nét đứt) Ở tần số

11 1

10 ( )

   

3.HIỆU ỨNG ÂM ĐIỆN PHI TUYẾN TRONG SIÊU MẠNG PHA TẠP

3.1 Biểu thức dòng âm điện phi tuyến trong siêu mạng pha tạp

Thực hiện những tính toán tương tự như trong phần 2, nhưng cho siêu mạng pha tạp chúng tôi thu được dòng âm điện trong siêu mạng pha tạp

n n

e n n

3.2 Kết quả tính số

Các tính toán số được thực hiện cho siêu mạng pha tạp GaAs:Si/GaAs:Be và cho các kết quả trong các Hình 3.1, Hình 3.2, Hình 3.3, Hình 3.4

Hình 3.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ

dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá

trị khác nhau của nhiệt độ, với T=45K (đường liền

nét), T=50K (đường chấm), T=55K (đường nét đứt)

Hình 3.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào tần số của sóng âm tại những giá

Hình 3.3: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ

dòng âm điện vào nhiệt độ và năng lượng Fermi với

q =3×10 11 s -1 , n D =10 23 (m -3 )

Hình 3.4: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của mật độ dòng âm điện vào nồng độ pha tạp tại những giá trị khác nhau của tần số sóng âm, với

4 HIỆU ỨNG ÂM ĐIỆN TỪ LƯỢNG TỬ TRONG

HỐ LƯỢNG TỬ VỚI HỐ THẾ PARABOL 4.1 Biểu thức trường âm điện từ lượng tử trong hố lượng tử với hố thế parabol

Bằng phương pháp phương trình động lượng tử chúng tôi thu được biểu thức giải tích trường âm điện từ lượng tử trong hố lượng tử với thế parabol:

x 10230

2 4 6 8 10 12

2 2 0

Hình 4.1: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường

âm điện từ vào tần số sóng âm tại những giá tri khác

(đường nét đứt) Ở đây T=270K

Hình 4.2: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường

âm điện từ vào tần số sóng âm tại những giá tri khác nhau nhiệt độ, với T=220K (đường liền nét), T=250K

(đường chấm), T=280K (đường nét đứt) Ở đây

0.08( )T



Hình 4.3: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường

âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ

trường mạnh, nhiệt độ thấp, với T=3K (đường liền

nét), T=4K (đường chấm), T=5K (đường nét đứt) Ở

đây q 1.5 10 (  10 s 1 )

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5x 10

Hình 4.4: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của trường

âm điện từ vào từ trường ngoài trong trường hợp từ

Với T=3K (đường liền nét), T=4K (đường chấm),

0.5 1 1.5

5.1 Biểu thức giải tích cho dòng âm – điện lượng tử phi tuyến

Bằng phương pháp phương trình động lượng tử chúng tôi thu được biểu thức giải tích cho dòng âm – điện trong dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn như sau :

2 2 2

2 / 3

2 6

2 4 2

' ,' ,

1 2 ' ,' , 6

2

2 2

2 exp

32

exp )

2

(

4

l n l

q F

s

q l

l n l n

F l

n l n q

s B

v q L B D

m v

FabL

W v e

B D

I v

T k m e

8 ) ( 2

3 ) ( 2

3 ) (

) ( 2

8 ) ( 2

3 ) ( 2

3 ) (

2 3 6 2 5

2 2 3 2 2

2 1 3 2 2

2 0 2

1 3 6 1 5

1 2 3 1 2

1 1 3 1 2

1 0 1 1

K K

e

K K

K K

) ( ) ( 3 ) ( 3 ) (

2 2 1 2 2 1 2 2 3 2 2 5 2 / 5 2

1 2 1 1 2 1 1 2 3 1 2 5 2 / 5 1 2

K K

e

K K

K K

2 2 ,

n m

ở đây kB là hằng số Boltzmann, T là nhiệt độ của hệ, εF là năng lượng Fermi và Kn(x) là hàm

Bessel loại hai

5.2.Kết quả tính số

Các tính toán số được thực hiện cho dây lượng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn GaAs/GaAsAl

Hình 5.1 Sự phụ thuộc của dòng âm điện vào chiều

dài của dây lượng tử (với n=0,±1, n’=0,±1, l=1,

l’=1)

Hình 5.2 Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào kích

n’=0,±1, l=1, l’=1)

x 10-90

Hình 5.3 Sự phụ thuộc của dòng âm – điện vào tần

số sóng âm khi nhiệt độ của hệ thay đổi (với

n=0,±1, n’=0,±1, l=1, l’=1)

Hình 5.4 Sự phụ thuộc của dòng âm–điện vào tần

số sóng âm khi chiều dài dây lượng tử thay đổi (với n=0,±1, n’=0,±1, l=1, l’=1)

6 HIỆU ỨNG ÂM – ĐIỆN LƯỢNG TỬ PHI TUYẾN TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH TRỤ VỚI HỐ THẾ CAO VÔ HẠN 6.1 Biểu thức giải tích cho dòng âm – điện lượng tử phi tuyến

Bằng phương pháp phương trình động lượng tử chúng tôi thu được biểu thức giải tích cho dòng âm – điện trong dây lượng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn như sau:

3

3 3

2

exp 2 2

e v f W m

m FSv

m R

B B

2 , 2 ' 2

2

) (

0 2 4 6

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5

x 1011-2

Các tính toán số được thực hiện cho dây lượng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn GaAs/AlAs

Hình 6.1 Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào nhiệt

độ T của hệ ứng với các giá trị số sóng khác nhau Hình 6.2 Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào bán kính ứng với các giá trị nhiệt độ khác nhau

Hình 6.3 Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào bán

kính ứng với các giá trị số sóng q khác nhau Hình 6.4 Sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào chiều dài dây dẫn ứng với giá trị nhiệt độ khác nhau

7 KẾT LUẬN

1 Lần đầu tiên bằng phương pháp phương trình động lượng tử cho điện tử trong hố lượng

tử (với hố thế cao vô hạn và hố thế parabol) và siêu mạng cho cả trường hợp không có từ trường ngoài và có từ trường ngoài , thu được các biểu thức giải tích của dòng âm điện trong hố lượng tử với thế cao vô hạn, siêu mạng pha tạp, biểu thức giải tích trường âm điện từ trong hố lượng tử với thế parabol và biểu thức giải tích dòng âm điện khi có mặt sóng điện từ ngoài trong hố lượng tử với thế cao vô hạn

Các kết quả cho thấy rằng sự lượng tử hóa do giảm kích thước trong hố lượng tử và siêu mạng ảnh hưởng rất mạnh lên mật độ dòng âm điện cũng như trường âm điện từ Sự phụ của mật

độ dòng âm điện và trường âm điện từ vào các tham số như nhiệt độ T của hệ, tần số sóng âm, từ trường ngoài và các tham số cấu trúc của hố lượng tử và siêu mạng có nhiều sự khác biệt so với bài toán tương tự trong bán dẫn khối Trong điều kiện giới hạn chuyển từ hố lượng tử về bán dẫn khối thì kết quả thu được phù hợp với kết quả trong bán dẫn khối

Các kết quả thu được chỉ ra rằng các hiệu ứng xuất hiện các đỉnh cực đại là do sự dịch chuyển năng lượng giữa các mini vùng (dịch chuyển ngoại vùng) còn dịch chuyển nội vùng

khụng gõy ra hiệu ứng, đồng thời hiệu ứng xuất hiện ngay cả khi thời gian phục hồi xung lượng xấp xỉ là hằng số Đặc biệt kết quả thu được giải thớch được kết quả thực nghiệm

Trong trường hợp cú từ trường ngoài, kết quả thu được cho thấy sự phụ thuộc của hiệu ứng vào từ trường rất mạnh, trong miền từ trường yếu nhiệt độ cao thỡ kết quả thu được giống với kết quả thu được khi sử dụng phương phỏp phương trỡnh động Boltzmann, cũn trong miền từ trường mạnh và nhiệt độ thấp thỡ xuất hiện nhiều giỏ trị cực đại thể hiện ảnh hưởng của sự lượng tử húa mức Landau từ

Kết quả tớnh toỏn số trong trường hợp cú súng điện từ bờn ngoài cho thấy súng điện từ ảnh hưởng rất mạnh cả về định tớnh lẫn định lượng lờn mật độ dũng õm điện, cỏc đỉnh cực đại khụng những thay đổi về độ lớn mà vị trớ đỉnh dịch chuyển khi thay đổi tần số súng điện từ ngoài

2 Trên cơ sở ph-ơng pháp ph-ơng trình động l-ợng tử và xuất phát từ Halmiltonian của hệ

điện tử-phonon âm trong dây l-ợng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn, trong dây l-ợng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn , tr-ờng hợp tán xạ điện tử-phonon âm đ-ợc coi là trội , lần đầu tiờn đã nhận đ-ợc biểu thức giải tích của dòng âm-điện trong dây l-ợng tử hình trụ với hố thế cao vô hạn, trong dây l-ợng tử hình chữ nhật với hố thế cao vô hạn kể trên Dòng âm-điện trong dây l-ợng tử hình chữ nhật và dõy lượng tử hỡnh trụ với hố thế cao vô hạn xuất hiện không những phụ thuộc phi

tuyến vào các thông số đặc tr-ng của dây l-ợng tử nh- chiều dài dây L, kích th-ớc hố thế (Lx và

Ly) (đối với dõy lượng tử chữ nhật) , bán kính dây R (đối với dõy lượng tử trụ) mà còn phụ thuộc phi tuyến mạnh vào nhiệt độ T của hệ, số sóng q và tần số sóng âm ngoài

Biểu thức giải tích của dòng âm-điện phi tuyến nhận đ-ợc trong dây l-ợng tử hình chữ nhật với hố thế vuông góc cao vô hạn đ-ợc tính số và vẽ đồ thị với dây l-ợng tử hình chữ nhật điển hình GaAs/GaAsAl Kết quả tính số và vẽ đồ thị cho thấy dòng âm-điện phụ thuộc mạnh và phi tuyến

vào nhiệt độ T của hệ, số sóng q, tần số sóng âm, kích th-ớc của dây l-ợng tử Kết quả khảo sát sự

phụ thuộc của dòng âm-điện vào kích th-ớc của dây l-ợng tử (kích th-ớc của hố thế) cho thấy

dòng âm-điện phụ thuộc phức tạp vào kích th-ớc hố thế (Lx và Ly) của dây l-ợng tử hình chữ nhật C-ờng độ dòng âm-điện giảm phi tuyến theo chiều tăng của kích th-ớc hố thế Kết quả khảo sát sự phụ thuộc của dòng âm-điện vào tần số sóng âm ngoài cho thấy dòng âm-điện cũng phụ thuộc mạnh và phi tuyến vào tần số sóng âm  và đạt giá trị cực đại khi tần số sóng âm có giá trị q

' ,' ,n l l n

vào các tham số nh- nhiệt độ T, bán kính và chiều dài của dây l-ợng tử hình trụ và dòng âm-điện

có một giá trị cực đại (đỉnh cực đại) Khi bán kính dây l-ợng tử hình trụ có kích th-ớc vào cỡ trên

10-6

m thì kết quả này trở lại kết quả của dòng âm-điện trong các bán dẫn khối Sự phụ thuộc của

dòng âm-điện này vào chiều dài dây l-ợng tử sẽ giảm nhanh trong vùng L có giá trị nhỏ, khi L >

1,7.10-7

m giá trị dòng âm-điện gần nh- không đổi Theo nhiệt độ T, dòng âm-điện này giảm đáng

kể trong vùng nhiệt độ thấp và lại tăng mạnh trong vùng nhiệt độ cao Tuy nhiên trong miền nhiệt

độ từ 40K đến 70K dòng âm-điện có giá trị gần nh- không đổi

3 Các kết quả thu được của Đề tài này là hoàn toàn khác biệt so với kết quả thu đ-ợc trong

bán dẫn khối vì dây l-ợng tử thuộc cấu trúc hệ một chiều còn hố l-ợng tử , siờu mạng thuộc cấu trúc hệ hai chiều và bán dẫn khối có cấu trúc ba chiều Những kết quả thu được của Đề tài này cũng đúng gúp một phần vào việc hoàn thiện lý thuyết về cỏc hiệu ứng động trong hệ thấp chiều

mà cụ thể là lý thuyết về hiệu ứng õm - điện - từ trong hệ một chiều và hai chiều Sự phụ thuộc

của các đại lượng vật lý đặc trưng cho hiệu ứng vào tham số đặc trưng cho cấu trúc hố lượng tử , siêu mạng , dây lượng tử có thể được sử dụng làm thước đo, làm tiêu chuẩn hoàn thiện công nghệ chế tạo vật liệu cấu trúc nano ứng dụng trong các thiết bị điện tử siêu nhỏ, thông minh và đa năng

hiện nay

TÀI LIỆU THAM KHẢO 1)Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu, Nguyen Vu Nhan Journal of the Korean Physical society, Vol.61, No.12 pp 2026~2031(2012) ( Tạp chí thuộc danh mục ISI)

2) Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu Superlattices and Microstructures , 63(2013), pp

121 – 130 (2013) ( Tạp chí thuộc danh mục ISI)

3) Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi Integrated Ferroelectrics,Vol.15, May 2014,

pp.39-44(2014) ( Tạp chí thuộc danh mục ISI)

4) Nguyen Van Hieu, Nguyen Dinh Nam, Nguyen Quang Bau VNU –Journal of Science,

Mathematics-Physics, Vol.28, No.1S (2012), pp 63-67

5) Nguyen Van Nghia, Nguyen Dinh Nam, Nguyen Quang Bau VNU –Journal of Science,

Mathematics-Physics, Vol.28, No.1S (2012), pp 103-108

6) Nguyễn Văn Hiếu , Nguyễn Quang Báu.The University of Danang- Journal of Science and Technology, số 12, (2013), pp.1-5

7) Nguyễn Văn Hiếu, Nguyễn Quang Báu.The University of Danang- Journal of Science and Technology, số 1(74),(2014),pp.1-5

8) Nguyễn Văn Hiếu , Nguyễn Quang Báu.The University of Danang- Journal of Science and Technology(Tạp chí Khoa học và công nghệ Đại học Đà Nẵng), số 6(79), (2014), pp.1-5

9) Nguyen Van Nghia , Nguyen Quang Bau, Nguyen Vu Nhan Tạp Chí Nghiên cứu Khoa học

12) Nguyen Van Nghia, Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu and Nguyen Vu Nhan Progress

in Electromagnetic Research Symposium Proceedings, Taipei , March 25-28 , 2013,

16) Nguyen Van Ngoc ,Nguyen Vu Nhan and Nguyen Quang Bau Kỷ yếu Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013

17) Nguyen Van Hieu , Nguyen Van Nghia and Nguyen Quang Bau Kỷ yếu Hội nghị Vật lý Chất rắn và Khoa học Vật liệu toàn quốc lần thứ 8(SPMS-2013)-Thái Nguyên 4-6/11/2013 18) Nguyễn Quang Báu , Nguyễn Đình Nam Natl Conf Theor Phys , 39(2014),p.39( Buon Ma

Thuot ,28-31 July 2014 )

19) Bui Dinh Hoi, Nguyen Thi Hang, Nguyen Quang Bau Natl Conf Theor Phys ,

39(2014),p.39( Buon Ma Thuot ,28-31 July 2014 )

Tóm tắt kết quả :

Tiếng Việt : “Nghiên cứu lý thuyết lượng tử các hiệu ứng âm-điện-từ trong các hệ bán

dẫn một chiều và hai chiều(siêu mạng , hố lượng tử ,dây lượng tử) ”

1 Mục tiêu : Phát triển và hoàn thiện lý thuyết lượng tử về các hiệu ứng âm- điện-từ trong các hệ bán dẫn một chiều và hai chiều (hố lượng tử, siêu mạng, dây lượng tử)

2 Nội dung chính và các kết quả đạt được :

+Sách mới xuất bản : 01 sách mới xuất bản

+Góp phần đào tạo : 04 Tiến sỹ , 08 Thạc sỹ và 11 Cử nhân Vật lý

effects in Semiconductor One - dimensional and Two-dimenional systems

(Supperlattices, quantum wells, quantum wires) ”

1.Objectives: Developing and improving the quantum theory on the acoustomagnetoelectric effects in Semiconductor One - dimensional and Two-dimenional

systems (Supperlattices, quantum wells, quantum wires)

2.Main contents and Results obtained:

a) Main contents:

+Calculating the Acoustomagnetoelectriccurrent and the Nonlinear Acoustoelectric current in Semiconductor two-dimensional systems (Superlattices , Quantum wells ) +Calculating the Acoustomagnetoelectriccurrent and the Nonlinear Acoustoelectric current in Semiconductor one-dimensional systems( Quantum wires )

b)Results obtained:

+New Scientific Contributions: 19 New Scientific Contributions (03 papers in the International Journals(ISI) , 07 papers in the National Journals , 03 reports in the International and 06 reports in National Physical Conferences )

+New books : 01

+Contribution to Training: 04 Doctors , 08 Masters, 11 Bacherlors

PHẦN III SẢN PHẨM , CÔNG BỐ VÀ KẾT QUẢ ĐÀO TẠO CỦA ĐỀ TÀI

1 Sản phẩm khoa học công nghệ và đào tạo

sự tài trợ của ĐHQGHN đúng quy định)

1 Công trình công bố quốc tế trên tạp chí thuộc danh mục ISI hoặc Scopus

1.1 Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu,

Nguyen Vu Nhan « Calculations of

acoustoelectric current in a quantum well

by using a quantum kinetic equation”

Journal of the Korean Physical society,

Vol.61, No.12 pp 2026~2031(2012)

( ISSN 0374-

4884, Online ISSN 1976-

8524 )

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định

1.2 Nguyen Quang Bau, Nguyen Van Hieu »

The quantum acoustoelectric curent in a

doped superlattice GaAs:Si/GaAs:Be.”

Superlattices and Microstructures ,

63(2013), pp 121 – 130 (2013)

(ISSN

0749 – 6036)

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định

1.3 Nguyen Quang Bau, Bui Dinh Hoi

« Dependence of the Hall coefficient on

doping concertration in Semiconductor

superlattices with a perpendicular

magnetic field under the influence of a

( ISSN 1058-

4587, Online ISSN

Đã in/Cảm ơn sự tài trợ của ĐHQGHN đúng qui định