Nghiên cứu và chế tạo dây hai lớp hệ thuỷ tinh cop có hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ (giant magneto impedance GMI) bằng phương pháp mạ hoá học

Danh mục các hình vẽ, đồ thị trong luận văn Hình 1.1 Cấu trúc domain của dây vô định hình bao gồm lớp vỏ và lõi Hình 1.3 Mô tả dị hướng từ giải thích hiện tượng tách đỉnh của đường cong

Bộ giáo dục và đào

tạoTrường đại học sư phạm hà nội

2

hà nội, 2009

phạm vănhào

Nghiên cứu và chế tạo dây hai lớp hệ Thủy tinh/cop

hà nội, 2009

Bộ giáo dục và đào

tạoTrường đại học sư phạm hà nội

2phạm vănhào

Nghiên cứu và chế tạo dây hai lớp hệ Thủy tinh/cop

hà nội, 2009

Bộ giáo dục và đào

tạoTrường đại học sư phạm hà nội

2

GS TS Nguyễn Hoàng Nghị

Lời cảm ơn

Luận văn này được hoàn thành tại Phòng thí nghiệm Vật liệu từ và nanô tinhthể, Viện Vật lý Kỹ thuật, trường Đại học Bách Khoa Hà Nội, Phòng thí nghiệmcủa Bộ môn Ăn mòn và Bảo vệ Kim lọai, trường Đại học Bách Khoa Hà Nộidưới sự hướng dẫn khoa học và giúp đỡ tận tình cả về tinh thần và vật chất của

GS TS Nguyễn Hoàng Nghị, của TS Mai Thanh Tùng Trước hết tôi xin bày tỏlòng kính trọng và biết ơn sâu sắc đến GS TS Nguyễn Hoàng Nghị, TS MaiThanh Tùng và tập thể các cán bộ, giáo viên Bộ môn và Phòng thí nghiệm Vật liệu

từ và nanô tinh thể, Phòng thí nghiệm Ăn mòn và Bảo vệ Kim loại đã tạo mọiđiều kiện thuận lợi cho tôi trong suốt thời gian học tập và nghiên cứu tại các phòngthí nghiệm

Tôi xin bày tỏ lòng cám ơn sâu sắc tới các đồng nghiệp trong nhóm nghiêncứu: ThS Nguyễn Văn Dũng, NCS Nguyễn Văn Dũng, KS Nguyễn Ngọc Phách,Trịnh Thị Thanh Nga, Lê Cao Cường đã tạo mọi điều kiện thuận lợi giúp đỡ tôitrong thời gian nghiên cứu tại phòng thí nghiệm Vật liệu từ và nanô tinh thể, phòngthí nghiệm Ăn mòn và Bảo vệ Kim loại

Xin cám ơn Viện Khoa học Vật liệu ITIMS Đại học Bách khoa Hà Nội, tạomọi điều kiện thuận lợi cho tôi trong quá nghiên cứu, đo đạc mẫu tại viện và cho tôinhững góp ý và thảo luận quí báu

Tôi xin chân thành cám ơn các lãnh đạo, các đồng nghiệp nơi công tácTrường THPT Nam Duyên Hà - Thái Bình, Trung tâm Hỗ trợ NCKH & CGCN,Trường Đại học Sư Phạm Hà Nội 2 đã tạo mọi điều kiện thuận lợi, động viên giúp

đỡ tôi trong quá trình thực hiện luận văn

Cuối cùng, tôi xin bày tỏ lòng biết ơn đến tới bố, mẹ, và tất cả những ngườithân yêu trong gia đình cùng bạn bè đã cổ vũ, động viên tôi rất nhiều về vật chất vàtinh thần trong thời gian thực hiện luận văn

Tác giả luận văn

Lời cam đoan

Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi Các số liệu, kếtquả nêu trong luận văn là của riêng tôi Các kết quả nêu trong luận văn là trung thực

Tác giả luận văn

Phạm Văn Hào

Mục lục

Mở đầu 7

Chương I - Tổng quan

8 1.1 Vật liệu có hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ (GMI) 8

1.1.1 Hiệu ứng từ trổng trở khổng lồ GMI .8

1.1.2 Lý thuyết từ học về hiện tượng GMI .8

1.1.2.1 Cấu trúc domain của dây vô định hình 9

1.1.2.2 Chiều sâu thấm từ  11

1.1.2.3.Hiện tượng tách đỉnh của đường GMI 13

1.1.3 Vật liệu có hiệu ứng GMI 14

1.1.3.1 Băng vô định hình (ribbons) 14

1.1.3.2 Dây (wires) 15

1.2 Mạ hóa học CoP 17

1.2.1 Mạ hoá học .17

1.2.1.1 Định nghĩa 17

1.2.1.2 Các đặc điểm mạ hoá học 18

1.2.1.2.1 Cơ chế phản ứng mạ hoá học 18

1.2.1.2.2 Các yếu tố ảnh hưởng đến phản ứng mạ hoá học 20

1.2.2 Mạ hóa học CoP .21

1.2.2.1 Cơ chế mạ 21

1.2.2.2 Các yếu tố ảnh hưởng đến lớp mạ CoP 23

1.2.2.3 Cấu trúc và tính chất vật lý của lớp mạ CoP 26

1.2.2.3.1 Cấu trúc của lớp mạ CoP 26

1.2.2.3.2 Tính chất vật lý của lớp mạ CoP 28

Chương 2 - Thực nghiệm

35

2.1 Chuẩn bị mẫu 352.1.1 Chuẩn bị:

35

2.1.2 Thành phần dung dịch và chế độ

mạ 36

Danh mục các chữ viết tắt và ký

hiệu sử dụng trong luận văn

Danh mục các hình vẽ, đồ thị trong luận

văn

Hình 1.1 Cấu trúc domain của dây vô định hình bao gồm lớp vỏ và lõi

Hình 1.3 Mô tả dị hướng từ giải thích hiện tượng tách đỉnh của đường cong GMI Hình 1.4: Một số phương pháp chế tạo vật liệu dưới dạng băng mỏng từ thể lỏngbằng phương pháp nguội nhanh

Hình 1.7 Điện thế phản ứng khử hydro trên các xúc tác kim loại khác nhau trong

Hình 1.8 Giản đồ pha của hợp kim CoP

Hình 1.9 ảnh hiển vi điện tử truyền qua (TEM)

Hình 1.10 ảnh hưởng của một giờ đốt nóng lên suất điện trở của hợp kim CoP kếttủa bằng điện chứa 1.3% P

Hình 1.11: Trạng thái ferro từ của các nguyên tử Co

Hình 1.12 Sự xuất hiện và xắp sếp các đômen cơ bản

Hình 1.13 ảnh hưởng của một giờ đốt nóng lên độ cứng của hợp kim photpho kếttủa điện hóa

Hình 1.14 Độ cứng của hợp kim và kim loại kết tủa điện hóa

Hình 2.1 Quy trình chế tạo dây

Hình 2.2 Sơ đồ mô tả nguyên lý hoạt động của phương pháp nhiễu xạ tia X

Hình 3.1 ảnh SEM các dây CoP kết tủa hóa học trong các dung dịch

Hình 3.4 Phổ nhiễu xạ tia X của dây hai lớp hệ thủy tinh CoP từ các dung dịch có

Hình 3.5 Đường cong từ trễ VSM của các dây hai lớp CoP hệ thủy tinh có nồng độ

khác nhau

gian mạ và tốc độ mạ khác nhau

tinh CoP

tủa

Mở đầuHiệu ứng từ tổng trở khổng lồ (Giant Magneto Impedance - GMI) tuy mới đượcphát hiện trong vòng hơn một thập kỷ nhưng nó đã cho thấy tiềm năng ứng dụng rấtlớn, đặc biệt trong lĩnh vực sensor từ Dạng vật liệu có hiệu ứng GMI thường đượcnhắc tới nhất là vật liệu từ vô định hình - nano tinh thể chế tạo bằng phương phápnguội nhanh (Rapid Solidification) Vật liệu dạng này có khả năng đạt được hiệu

nhiều hạn chế như: kỹ thuật phức tạp, khó ổn định hiệu ứng, vật liệu chế tạo ở dạngbăng không thích hợp cho chế tạo sensor từ, Trong 5 năm trở lại đây, đã xuất hiệndạng vật liệu dây micro có hiệu ứng GMI chế tạo bằng phương pháp mạ hóa học

mềm bằng phương pháp kết tủa điện hóa hoặc mạ hóa học Một số nghiên cứu trước

đã tập trung vào hệ dây dẫn/ vật liệu từ mềm (Cu/FeNi) Trong luận văn này, chúngtôi sẽ tập trung vào hệ dây cách điện/ vật liệu từ mềm có sử dụng phương pháp mạhóa học

Mục đích nghiên cứu:

1 Chế tạo dây hai lớp hệ thủy tinh/ CoP có hiệu ứng GMI bằng phương pháp

mạ hóa học

3 So sánh kết quả thu được với hệ dây Cu/ FeNi có hiệu ứng GMI được chếtạo bằng phương pháp điện kết tủa

Phương pháp nghiên cứu:

1 Phân tích bề mặt: SEM, AFM

2 Phân tích thành phần, cấu trúc: EDS, AAS, XRD

3 Đo từ: VSM

4 Đo hiệu ứng GMI

Nội dung của luận văn: 4 chương

Chương 1 Tổng quan Chương

2 Thực nghiệm Chương 3 Kết

quả và thảo luận Chương 4 Kết

luận

được gọi là hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ GMI (Giant Magneto Impedance) Hiệuứng GMI tuy mới được phát hiện vào khoảng năm 1994 nhưng nó đã mở ra một tiềmnăng ứng dụng rất lớn.

Impedance Ratio):

Người ta đã quan sát thấy hiệu ứng GMI trong các vật liệu từ mềm như băng vôđịnh hình và nanô tinh thể (ribbon), dây vô định hình (amorphous wire) với tỷ số

liệu có hiệu ứng từ tổng trở trong các thiết bị nhạy từ trường và các sensor đo từtrường với độ nhạy cao Trong luận văn này, vật liệu từ dây hai lớp hệ thủy tinh/CoP là đối tượng để nghiên cứu hiệu ứng từ tổng trở trong dải tần MHz

1.1.2 Lý thuyết từ học về hiện tượng GMI

Hiệu ứng từ tổng trở khổng lồ (GMI) là một dạng khác của hiệu ứng cảm ứng từ

bản chất điện từ và có thể được giải thích bằng lý thuyết động lực học cổ điển Theo

L V Panima, bản chất điện từ của hiệu ứng MI là sự kết hợp giữa hiệu ứng bề mặt

với sự chuyển động vòng của các momen từ trong cấu trúc domain đặc biệt

ef f

10

được xác định bởi hai thông số đặc trưng cơ bản là độ thẩm từ hiệu dụng

bề mặt

thuộc tính chất từ của vật liệu mà nó còn phụ thuộc vào quá trình từ hóa động củacác domain (dịch vách và quay vectơ từ độ) ở tần số cao

1.1.2.1 Cấu trúc domain của dây vô định hình

i ac

H DC

Hình 1.1 Cấu trúc domain của dây vô định hình bao gồm lớp vỏ và lõi

10

Như vậy độ thẩm từ hiệu dụng eff bao gồm hai phần:

eff ( f , H )   dw ( f , H )   rot ( f , H )

Trong đó:

(PT 1.3)

từ trường sau đó giảm nếu từ trường tăng nữa vì momen từ được ghim theo hướng

từ trường ngoài

ở vùng tần số thấp, quá trình dịch vách domain ở lớp vỏ chiếm ưu thế hơn sovới quá trình quay vectơ từ độ ở domain lõi ở tần số cao, quá trình dịch vách không

chỉ do quá trình quay vectơ từ độ trong domain lõi của dây dẫn dưới tác dụng của từtrường ngoài một chiều

bằng việc xem xét mô hình giản đơn domain Trong hệ trục tọa độ vuông góc cho ta

phương

tự

E  K sin 2   M S H ext.sin(   k )  M S H tcos(   k ) (PT 1.4)

.h.Sin(2(   k ))  Cos(2 )  1 (PT 1.5)

11

0

12

chiều, từ trường xoay chiều do dòng điện sinh ra, dị hướng từ,

chủ yếu là do quá trình dịch vách domain của lớp vỏ, còn ở tần số cao, quá trìnhquay vectơ từ độ ở lõi dây chiếm ưu thế

Đối với dòng điện một chiều, mật độ dòng điện đồng đều trên toàn bộ tiết diệncủa dây Trong khi đó, dòng điện xoay chiều tần số cao phân bố không đồng đềutrên toàn bộ tiết diện của dây, nó chủ yếu tập trung ở gần bề mặt của dây dẫn Mật

độ dòng điện giảm theo hàm số mũ từ bề mặt vật liệu vào lõi của vật dẫn Hiệntượng này được gọi là hiệu ứng bề mặt

Từ công thức (1.6) có thể thấy chiều sâu thấm từ phụ thuộc vào tần số góc 

xoay chiều, biến dạng cơ học và nhiệt độ

Trong dây từ, hiệu ứng GMI xảy ra ở tần số cao khi trong mẫu cóa dòng điện

(transverse permeability) dây từ

Hiệu ứng GMI ở tần số cao có thể giải thích thông qua sự phụ thuộc từ trườngcủa độ từ thẩm ngang tương ứng với hướng của dòng xoay chiều trong mẫu và hiệu

ứng bề mặt Bởi vì dòng xoay chiều có xu hướng tập trung ở gần bề mặt vật dẫn,

Tóm lại ta thấy trong dây và băng vô định hình, hiếu ứng từ tổng trở có nguồngốc từ sự kết hợp hiệu ứng bề mặt và sự phụ thuộc từ trường của độ từ thẩm 

dòng điện chỉ phân bố trên lớp rất mỏng bề mặt dây dẫn và dòng điện càng bị cản trở mạnh (tổng trở lớn)

vào vật liệu mà chỉ phụ thuộc vào điện trở suất  của vật liệu và từ trường ngoài ảnh hưởng rất ít đến vật liệu Như vậy tổng trở luôn luôn tăng khi tăng tần số của dòngđiện, ở đây không xuất hiện hiệu ứng MI Ngược lại, đối với dây dẫn là vật liệu từmềm tốt (vô định hình nền Co và nano tinh thể nền Fe) có độ từ thẩm rất lớn

  100000 , lực kháng từ H C  1  5 A

/ m

và thay đổi rất mạnh theo từ trường và tần

số (giảm mạnh khi tăng từ trường và tần số) Như vậy sự có mặt của từ trường ngoài và từ trường ngang do dòng cao tần làm từ hóa vật dẫn từ mềm đến gần trạng thái

dây dẫn từ mềm giảm mạnh Đây chính là nguồn gốc của hiệu ứng GMI

0 -400

-300 -200 -100 0 100 200 300 400

Trong quá trình tìm hiểu và nghiên cứu hiệu ứng GMI, một số kết quả quan sát

nhất, được gọi là hiện tượng tách đỉnh (hình 1.2) Cơ chế của hiện tượng tách đỉnh ở

theo mô hình sau:

Hình 1.3 Mô tả dị hướng từ giải thích hiện tượng tách đỉnh của đường cong GMI

14

t K

15

E  K sin 2   M S H extsin(   K )  M S H tcos(   K ) PT(1.9)

Trong đó E là năng lượng toàn phần của hệ, K là hằng số dị hướng của vật liệu

ngang

Ta có điều kiện cân bằng của hệ là:

Mặt khác ta có độ từ cảm theo phương ngang được xác định như sau:

Kết hợp với biểu thức (1.4), (1.9) và (1.10) ta xác định được:

  M sin 2 (   )/H h.sin 2 (   )  cos(2 ) (PT 1.12)

K

và t   t  1 nên t ,  t cùng dạng đồ thị

sẽ xuất hiện hai đỉnh tại

kháng từ của vật liệu

h  1 hay H ext  1H K  2K / M S  H C , H C là lực

1.1.3 Vật liệu có hiệu ứng GMI

Xét về mặt cấu hình, vật liệu có hiệu ứng GMI có thể chia ra làm 2 loại: Băng(ribbons), dây (wires)

1.1.3.1 Băng vô định hình (ribbons)

Vật liệu vô định hình/ nano tinh thể dạng băng mỏng được chế tạo bằng côngnghệ nguội nhanh (hình 1.4) Các tính chất từ học, tương tác giữa các hạt pha cũngnhư ảnh hưởng của thành phần, chế độ công nghệ, chế độ xử lí nhiệt đã được nghiêncứu và tổng kết khá toàn diện và sâu sắc trong một loạt các tài liệu trong và ngoàinước Nói chung, hiệu ứng GMI được quan sát rõ ràng nhất trong các vật liệu “siêu”

100% ở nhiệt độ phòng và rất nhạy với từ trường Điều này là do những vật liệu này

có tính chất từ mềm tốt và thuận lợi diều chỉnh dị hướng từ của chúng nhờ xử lí

tinh thể nền Fe

16

15

Hình 1.4: Một số phương pháp chế tạo vật liệu dưới dạng

băng mỏng từ thể lỏng bằng phương pháp nguội nhanh [1]

a/ Phương pháp ly tâm b/ Phương pháp đơn trục

c/ Phương pháp hai trục

kết tủa1.1.3.2 Dây (wires)

Các dây từ hiệu ứng GMI có thể chia ra làm hai loại: dây đồng thể(homogeneous wires) và dây dị thể (heterogeneous wires)

Cho đến nay, loại dây đồng thể duy nhất được biết đến là loại dây vô định hình

- nano tinh thể Về nguyên lý, dây vô định hình được chế tạo theo kỹ thuật nguộinhanh, nhưng thiết bị phức tạp hơn do yêu cầu tạo ra cấu hình dây Hệ thiết bị vànguyên lý chế tạo dây đồng thể được mô tả trên hình 1.6 Nhìn chung, về mặt vậtliệu, các dây từ thường có thành phần giống như băng vô định hình, ví dụ hệ (Fe,

băng Các hiện tượng từ trong dây được giải thích bằng mô hình và lý thuyết chung

về hiện tượng GMI (phần 1.1.1)

Bảng 1.1 Tổng kết một số vật liệu dây và các thông số vật lý của dây vô định hình

 (Mg m )

Dây dị thể:

Trong khoảng hơn 5 năm trở lại đây, các dây dị thể được quan tâm nghiên cứu

do một loạt các ưu điểm so với dây đồng thể: dễ khống chế hiệu ứng GMI hơn; độbền cơ; nhiệt, hóa cải thiện; công nghệ chế tạo dễ hơn, Cấu tạo dây dị thể baogồm nhiều lớp:

1) Lớp lõi (core): là các dây dẫn hợp kim Cu, W hoặc dây thủy tinh cách điện.2) Lớp từ: là hợp kim mềm, thường là hợp kim 2 hoặc 3 nguyên FeCoNi hoặchợp kim vô định hình CoP

3) Lớp vỏ: là lớp phủ bằng thủy tinh Các kết quả quan trọng nhất thuộc vếnhóm nghiên cứu của Vazquez và Panina

Do hiệu ứng GMI là hiệu ứng liên quan đến bề mặt và đặc trưng bởi chiều sâu

cấu trúc, các tính chất từ học và cả tính chất cơ học của màng từ này Cơ sở lý thuyếtcho hiệu ứng GMI trên dây dị thể cũng dựa trên các lý thuyết đã trình bày ở phần

tủa (electrodeposition) Các dây thường được nghiên cứu nhất là dây có lớp từ vôđịnh hình CoP, hợp kim FeNi và hợp kim FeCoNi và compozit của chúng.Nhằm

nâng cao hiệu ứng và cơ tính, các dây có thể bao gồm nhiều lớp, phối hợp cả phươngpháp bốc bay (PVD - Physical Vapour Deposition), điện kết tủa (electrodeposition),kết

cơ tính cực tốt

Tuy về mặt từ học đã có nhiều nghiên cứu đáng kể về các dây, nhưng hầu nhưchưa có các nghiên cứu liên quan đến chế độ công nghệ mạ hóa học ra màng từ, vốnảnh hưởng trực tiếp tới cấu trúc màng từ, và do đó ảnh hưởng tới hiệu ứng GMI củadây Luận văn này nhằm và mục đích làm sáng tỏ cơ chế liên hệ giữa các yếu tố,thông số mạ hóa học tới cấu trúc cấu trúc màng từ hiệu ứng GMI của vật liệu từ hailớp hệ dây thủy tinh/CoP và so sánh các kết quả đó với hệ dây Cu/FeNi chế tạo bằngphương pháp điện kết tủa

Mn+ +ne = Mo (PU 1.1)Red = OX +ne (PU 1.2)

Mạ hoá học có thể tiến hành trên bề mặt kim loại cũng như phi kim Trongnhiều trường hợp, bề mặt chi tiết quá phức tạp, nhiều rãnh sâu, kích thước hẹp, mạđiện không thể phủ hết hoặc tạo lớp mạ quá mỏng thì khi đó sử dụng biện pháp mạhoá học sẽ cho lớp mạ đồng đều đạt yêu cầu sử dụng

19

phản ứng catot và anot riêng biệt xảy ra đồng thời trên cùng một bề mặt nền

Theo cách hiểu này thì phản ứng tổng được xem là một tổ hợp đơn giản của haiphản ứng riêng phần được xác định một cách độc lập Thực ra trong quá trình mạhoá học xảy ra phức tạp nhiều hơn so với cơ chế trình bày ở trên do các phản ứngriêng phần không xảy ra một cách độc lập mà còn tương tác và phụ thuộc lẫn nhau,ngoài ra còn có các phản ứng phụ xảy ra đồng thời Do đó, các đường riêng phầntrên sẽ biến dạng và trở nên phức tạp hơn nhiều so với đường ghép đơn giản từhai phản ứng độc lập như trên hình 1.6 Mặc dù vẫn còn những hạn chế trên, thuyếtthế hỗn hợp vẫn là công cụ tốt trong việc nghiên cứu quá trình mạ hoá học

Cơ chế tổng quát:

Nhìn chung, quá trình mạ hoá học xảy ra rất phức tạp, đa dạng vì nó còn phụthuộc vào đặc điểm của từng hệ mạ và từng loại chất khử khác nhau Tuy nhiên,chúng vẫn có một số đặc điểm chung là:

1 Quá trình mạ hoá học luôn kèm theo hiện tượng thoát khí hydro

2 Các kim loại có khả năng mạ hóa học được đều có khả năng xúc tác quátrình nhận - tách hydro

3 Các chất làm ngộ độc phản ứng nhận, tách Hydro như thioure (TU),mercaptobenzotiazol (MBT) có khả năng làm ổn định dung dịch mạ hoá học

4 Phản ứng kết tủa hoá học thường được kích hoạt khi tăng pH

Từ các đặc điềm đó, người ta xây dựng thành một cơ ché tổng quát chung chomọi quá trình mạ hoá học như sau:

Trong đó:

RH là chất khử, chúng hấp phụ lên bề mặt kim loại mạ, phân ly thành gốc R vànguyên tử hydro theo (PU 1.6), e là điện tử cần thiết đẻ khử ion kim loại thành kim

nguyên tử hydro hấp phụ kết hơp lại ở (PU 1.8) và do phản ứng (PU 1.11) Sản phẩmcủa chất khử sau phản ứng (như P từ hydrophotphit, B từ dimetylamin boran ) thamgia vào thành phần lớp mạ

sẽ thích hợp với các ion kim loại khác nhau.

Tác giả Izumi Ohno, Osamu Wakabayshi qua nghiên cứu đã thiết lập được dãyhoạt tính xúc tác của các kim loại như sau (hình 1.7)

Co > Pd > Pt > Au > Ag > CuDMAB: Ni > Co > Pd > Au > Pt > Ag

Kết quả này gợi ý cho việc chọn chất khử phù hợp với kim loại mạ và chọn chấthoạt hoá xúc tác cho nền không có tính xúc tác

Hình 1.7 Điện thế phản ứng khử hydro trên các xúc tác kim loại khác nhau

Xúc tác 2 3 2

thành lớp mạ, hypophotphit bị oxy hóa thành photphit Phản ứng sinh ra axit và pHcủa bề mặt giảm đi trong quá trình mạ Khi pH của dung dịch giảm, hiệu suất khửcủa hypophotphit thấp, do vậy tốc độ phản ứng chậm xuống Khi pH hạ xuống tớimột mức nhất định sẽ diễn ra quá trình hoà tan kim loại vừa kết tủa

Co + 2HCl  CoCl2 + H2  (PU 1.14)

Để khắc phục hiện tượng pH không ổn định trong quá trình mạ, nói chung cần sửdụng chất đệm trong dung dịch mạ Với các phản ứng tổng diễn ra như (PU 1.12) và(PU 1.13), các cơ chế khác nhau đã được đề xuất Dưới đây giới thiệu một số cơ chếtiêu biểu nhất