Nghiên cứu mở rộng dải tần hoạt động của vật liệu biến hóa có độ từ thẩm và chiết suất âm (LV thạc sĩ)

Nghiên cứu mở rộng dải tần hoạt động của vật liệu biến hóa có độ từ thẩm và chiết suất âm (LV thạc sĩ)Nghiên cứu mở rộng dải tần hoạt động của vật liệu biến hóa có độ từ thẩm và chiết suất âm (LV thạc sĩ)Nghiên cứu mở rộng dải tần hoạt động của vật liệu biến hóa có độ từ thẩm và chiết suất âm (LV thạc sĩ)Nghiên cứu mở rộng dải tần hoạt động của vật liệu biến hóa có độ từ thẩm và chiết suất âm (LV thạc sĩ)Nghiên cứu mở rộng dải tần hoạt động của vật liệu biến hóa có độ từ thẩm và chiết suất âm (LV thạc sĩ)Nghiên cứu mở rộng dải tần hoạt động của vật liệu biến hóa có độ từ thẩm và chiết suất âm (LV thạc sĩ)Nghiên cứu mở rộng dải tần hoạt động của vật liệu biến hóa có độ từ thẩm và chiết suất âm (LV thạc sĩ)

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN

TRƯỜNG ĐẠI KHOA HỌC

ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN

TRƯỜNG ĐẠI KHOA HỌC

LỜI CẢM ƠN

Em xin bày tỏ lòng cảm ơn sâu sắc tới cô giáo TS Nguyễn Thị Hiền - Khoa Vật lý và Công nghệ - Trường Đại học Khoa học Thái Nguyên về sự hướng dẫn, chỉ bảo hết sức tận tình của cô trong suốt quá trình em thực hiện luận văn tốt nghiệp này.

Em xin gửi lời cảm ơn tới các thầy, cô giáo trong Khoa Vật lý và Công nghệ

- Trường Đại học Khoa học Thái Nguyên - những người thầy đã trang bị cho em những kiến thức quý báu trong thời gian em học tập, nghiên cứu tại trường.

Cuối cùng, em xin gửi lời cảm ơn chân thành đến bạn bè, người thân - những người luôn bên cạnh động viên, giúp đỡ trong thời gian em học tập và thực hiện luận văn tốt nghiệp này.

Thái Nguyên, tháng 05 năm 2018

Học viên

Nguyễn Thị Mây

MỤC LỤC

LỜI CẢM ƠN i

MỤC LỤC ii

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VIẾT TẮT v

DANH MỤC CÁC HÌNH vi

MỞ ĐẦU 1

CHƯƠNG I TỔNG QUAN………

1.1. Giới thiệu sơ lược về tình hình nghiên cứu vật liệu biến hóa có

chiết suất âm 3

1.2. Phân loại về vật liệu biến hóa 4

1.2.1 Vật liệu có độ điện thẩm âm 5

1.2.2 Vật liệu có độ từ thẩm âm 7

1.2.3 Vật liệu có chiết suất âm 10

1.3. Một số tính chất và ứng dụng của vật liệu biến hóa .12

1.3.1. Một số tính chất của vật liệu biến hóa 12

1.3.2. Một số ứng dụng của vật liệu biến hóa 12

1.4. Mô hình vật lí để mở rộng vùng có độ từ thẩm âm và chiết suất âm 14

1.4.1 Mô hình lai hoá bậc một ứng với cấu trúc CWP 14

1.4.2 Mô hình lai hóa bậc hai ứng với cấu trúc CWP hai lớp 16

1.4.3 Mô hình lai hóa bậc cao 20

1.5.Mô hình mạch LC ứng với cấu trúc cặp dây bị cắt 21

Chương 2: PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU 24

2.1. Lựa chọn cấu trúc 24

2.2. Phương pháp tính toán 28 8 2.2.1 Mô hình mạch LC ứng với cấu trúc cặp đĩa 28

Error! Bookmark not defined. 2.2.2.Mô hình mạch điện LC ứng với cấu trúc lưới đĩa cho chiết suất âm….29

2.2.2 Phương pháp tính toán dựa trên thuật toán của Chen 30

2.3. Phương pháp mô phỏng 31 1 Chương 3: KẾT QUẢ VÀ THẢO LUẬN 35 5 3.1 Nghiên cứu mở rộng vùng có độ từ thẩm âm sử dụng cấu trúc đĩa hai lớp 36 3.2 Kết quả nghiên cứu mở rộng vùng có chiết suất âm sử dụng cấu

trúc lưới đĩa hai lớp 399 3.2.1 Kết quả nghiên cứu ảnh hưởng của khoảng cách hai lớp d lưới đĩa

đến mở rộng vùng chiết suất âm 40

3.2.2 Kết quả nghiên cứu ảnh hưởng của chiều dày lớp điện môi đến mở

rộng vùng chiết suất âm 45

3.2.3 Kết quả nghiên cứu ảnh hưởng của độ rộng dây liên tục (w) đến mở

rộng vùng chiết suất âm 48

3.2.4 Kết quả nghiên cứu ảnh hưởng của bán kính đĩa đến mở rộng vùng chiết suất âm 50

3.2.5 Kết quả nghiên cứu ảnh hưởng của hằng số mạng theo phương của

điện trường E (phương y) đến mở rộng vùng chiết suất âm .52

3.2.6 Kết quả nghiên cứu ảnh hưởng của hằng số mạng theo phương của từ trường H (phương x) đến mở rộng vùng chiết suất âm 554

3.2.7 Kết quả nghiên cứu cấu trúc tối ưu 55

KẾT LUẬN CHUNG 57

HƯỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO 58

CÁC CÔNG TRÌNH ĐÃ ĐƯỢC CÔNG BỐ 59

TÀI LIỆU THAM KHẢO 60

iv

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VIẾT TẮT

Quy tắc bàn tay phải

Resonator – SRR) và các cấu trúc SRR trong dãy tuần hoàn 7Hình 1.4 Nguyên lý hoạt động của SRR để tạo ra µ < 0 8Hình 1.5 Dạng tổng quát của độ từ thẩm hiệu dụng cho mô hình SRR với

giả thiết là vật liệu không có tổn hao 9Hình 1.6 a) Cấu trúc SRR và phân cực của sóng điện từ, b) Sự biến đổi từ cấu

hóa có chiết suất âm 13Hình 1.10 Nguyên lý hoạt động của áo choàng tàng hình 14Hình 1.11 (a)Cấu trúc CWP, (b) giản đồ lai hóa, (c) phổ truyền qua của cấu trúc một

CW

và một cặp CW ( CWP) 15Hình 1.12 Phân bố của điện trường và từ trường tương ứng với cộng

hưởng a), b) đối xứng và c), d) bất đối xứng của cấu trúc CWP

có hai thanh bằng vàng chiều dài 300 nm bề dày 10 nm vàcách nhau

40

nm 15Hình 1.13 a) Ô cơ sở của cấu trúc CWP hai lớp b) mặt cắt của cấu trúc CWP

hai

lớp và c) mô hình lai hóa bậc hai đề xuất với cấu trúc này 17

Hình 1.14 Giản đồ lai hóa cho cấu trúc CWP ba lớp 20Hình 2.1 Sơ đồ quá trình nghiên cứu 24Hình 2.2.a) Cấu trúc SRR và phân cực của sóng điện từ, b) Sự biến đổi từ

cấu trúc SRR thành cấu trúc CWP 25Hình 2.3 Quá trình biến đổi vật liệu biến hóa từ cấu trúc SRR sang cấu trúc

CWP và đến cấu trúc đĩa 26Hình 2.4 a) Ô cơ sở của vật liệu biến hóa có cấu trúc cặp dây bị cắt, gồm

3 lớp: hai lớp kim loại hai bên và lớp điện môi ở giữa, b) mạch

tương đương LC của cấu trúc 21Hình 2.5 Mô hình mạch LC cho một ô cơ sở của cấu trúc CWP:(a)Hai

tấm CWP của hai ô cơ sở cạnh nhau có thể sử dụng mạch điệntương đương LC để mô tả, (b) mạch điện tương đương LC mô

tả cho một ô cơ sở; điểm 1 và 2 là tương đương do tính chấttuần hoàn, (c và (d) các mode đối song và song song tươngứng

mặt

sau năng lượng trên đĩa tròn, tại tần số fm =13.93 GHz 33Hình 3.1.(a)Ô cơ sở của cấu trúc đĩa hai lớp các tham số cấu trúc a x = 8 mm,

ay = 7.5 mm, td = 0.4 mm, tm = 0.036 mm, R =3 mm, (b) mô hình laihóa bậc hai đề xuất với cấu trúc đĩa hai lớp 36Hình 3.2 Phổ truyền qua (a) mô phỏng d thay đổi từ 0.4 mm đến 3.2 mm

(b)sự phụ thuộc của phần thực độ từ thẩm vào d, t d được giữ cốđịnh ở 0.4 mm Tất cả các tham số khác không thay đổi 37

Hình 3.3 Phổ truyền qua (a) mô phỏng td thay đổi từ 0.1 mm đến 1.0 mm,

(b) Sự phụ thuộc của phần thực độ từ thẩm vào d, giữ cố định d

= 1.6 mm trong khi td biến đổi Tất cả các tham số khác không

thay đổi 38Hình 3.4 Phổ truyền qua vật liệu cấu trúc đĩa hai lớp khi góc phân cực của

sóng điện từ thay đổi từ 00 tới 300 39Hình 3.5 Ô cơ sở của cấu trúc lưới đĩa hai lớp và cách phân cực của sóng

điện từ với các tham số cấu trúc ax = 8 mm và ay = 7.5 mm, bán kính đĩa R

=3.5mm, độ rộng thanh kim loại liên tục w = 1.0 mm Chiều dày lớpđiện môi là td = 0.4 mm 40Hình 3.6 Ảnh hưởng của khoảng cách hai lớp lưới đĩa lên a) Phổ truyền

qua mô phỏng và chiết suất b) Phần thực của độ từ thẩm và độ

điện thẩm 41Hình 3.7 Phân bố dòng trong các đĩa tại hai mode cộng hưởng a) Tại mode

tần số thấp, b) Tại mode có tần số cao 44Hình 3.8 Sự phụ thuộc của a) Phổ truyền qua mô phỏng (phía trên) và

chiết (phíasuất dưới); b) Độ từ thẩm và điện thẩm vào độ dàylớp

điện môi khi giữ cố định khoảng cách hai lớp là d = 0.8

mm Tất cả

các tham số khác không thay đổi 46Hình 3.9 Sự phụ thuộc của a) Phổ truyền qua mô phỏng; b) Độ từ thẩm và

điện thẩm vào bề rộng của dây liên tục khi giữ cố định khoảng

cách hai lớp là d = 0.8mm Tất cả các tham số khác không thay đổi

49Hình 3.10 Sự phụ thuộc của a) Phổ truyền qua mô phỏng; b) Độ từ thẩm

và

điện thẩm vào bề rộng của dây liên tục khi giữ cố địnhkhoảng cách hai lớp là d = 0.8mm Tất cả các tham số kháckhông thay

đổi

51

Hình 3.11 Sự phụ thuộc của a) Phổ truyền qua mô phỏng; b) Độ từ thẩm

và điện thẩm vào hằng số mạng ay khi giữ cố định khoảng cáchhai lớp là d = 0.8mm Tất cả các tham số khác không thay đổi 53Hình 3.12 Sự phụ thuộc của a) Phổ truyền qua mô phỏng; b) Độ từ thẩm và

điện thẩm vào hằng số mạng a x khi giữ cố định khoảng cách hailớp là d = 0.8 mm Tất cả các tham số khác không thay đổi 54Hình 3.13 Sự phụ thuộc của a) Phổ truyền qua mô phỏng vào góc phân cực

(giữ nguyên vecto k , quay E và H ; b) Độ từ thẩm, điện thẩm,chiết suất của cấu trúc tối ưu ax = ay = 8 mm, R =3.5 mm, w = 0.5

mm, td = 0.8 mm, d = 0.8 mm 55

MỞ ĐẦU

Ngày nay khoa học kỹ thuật ngày càng phát triển thì nhu cầu tạo ra vậtliệu mới tốt hơn, rẻ hơn, có tính chất ưu việt hơn để thay thế vật liệu truyềnthống là vấn đề được các nhà nghiên cứu đặc biệt quan tâm Một trong số cácvật liệu được nghiên cứu và chế tạo mà chúng ta phải kể đến đó là vật liệubiến hóa Vật liệu biến hóa là vật liệu nhân tạo, loại vật liệu biến hóa đượcnghiên cứu đầu tiên và nhiều nhất là vật liệu biến hóa có chiết suất âm(negative refraction) Dựa trên ý tưởng ban đầu của Veselago, vật liệu chiếtsuất âm là sự kết hợp hoàn hảo của hai thành phần điện và từ, tạo nên vật liệu

đồng thời có độ từ thẩm âm và độ điện thẩm âm (μ< 0, ε< 0) trên cùng một dải

tần số Từ đó dẫn đến những tính chất điện từ và quang học bất thường, trong

đó có sự nghịch đảo của định luật Snell, sự nghịch đảo trong dịch chuyểnDoppler, hay sự nghịch đảo của phát xạ Cherenkov… Nhờ vào các tính chấtbất thường này, vật liệu biến hóa có chiết suất âm hứa hẹn rất nhiều tiềm năngứng dụng như: siêu thấu kính, antenna, một trong những thành phần chế tạo

“áo khoác tàng hình” truyền năng lượng không dây…Tuy nhiên, trước khiđưa vật liệu này vào ứng dụng rộng rãi, vẫn còn rất nhiều vấn đề cần đượcnghiên cứu giải quyết Đầu tiên là tìm ra cấu trúc đơn giản, dễ dàng trong chếtạo, không phụ thuộc vào phân cực của sóng điện từ , giảm sự tiêu hao hayđiều khiển tính chất của vật liệu bằng các tác động ngoại vi (quang, nhiệt,điện, từ…) cũng như mở rộng vùng tần số hoạt động của vật liệu Trong số đóvấn đề nghiên cứu mở rộng vùng có tần số hoạt động đóng vai trò rất quantrọng, thu hút khá nhiều sự quan tâm của các nhà nghiên cứu

Với lý do đó, mục tiêu của luận văn là: Thiết kế và chế tạo được vật

liệu biến hóa có độ từ thẩm và chiết suất âm rộng

Đối tượng nghiên cứu: Nghiên cứu vật liệu biến hóa có độ từ thẩm và

chiết suất âm rộng ở vùng sóng Rada

Nội dung và phương pháp nghiên cứu: Luận văn được thực hiện dựa

trên việc kết hợp giữa mô phỏng và tính toán

Ý nghĩa khoa học và thực tiễn của luận văn: Luận văn là một công

trình nghiên cứu cơ bản Các nghiên cứu cho thấy đã tìm được cấu trúc tối ưu

cho vùng độ từ thẩm âm và chiết suất âm rộng với cấu trúc đơn giản, cho độ truyền qua cao và không phụ thuộc vào phân cực của sóng điện từ.

Nội dung luận văn gồm 3 chương:

Chương 1: Tổng quan về vật liệu biến hóa

Chương 2: Phương pháp nghiên cứu

Chương 3: Kết quả và thảo luận

Chương 1 TỔNG QUAN 1.1 Giới thiệu sơ lược về tình hình nghiên cứuvật liệu biến hóa có chiết suất âm

Vật liệu biến hóa là vật liệu có cấu trúc nhân tạo được hình thành bằngcách sắp xếp và quy luật hóa trật tự các ô cấu trúc Hình dạng cũng như kíchthước của các ô cơ sở đóng vai trò như những “nguyên tử” trong vật liệutruyền thống Nhưng tính chất của vật liệu biến hóa được quyết định chủ yếubởi hình dạng, cấu trúc hơn là thành phần vật liệu cấu tạo nên nó

Hiện nay có rất nhiều hướng nghiên cứu khác nhau về vật liệu biến hóa.Trong đó, một hướng nghiên cứu chính về vật liệu biến hóa được các nhàkhoa học quan tâm đó là vật liệu biến hóa (vật liệu biến hóa) có chiết suất âm.Vật liệu biến hóa có chiết suất âm được chế tạo thành công đầu tiên năm 2000bởi Smith [1], tính chất của nó được tiên đoán về mặt lý thuyết vào năm 1968bởi Veselago [2] Vật liệu biến hóa có chiết suất âm là sự kết hợp hoàn hảo

của hai thành phần điện và từ tạo nên vật liệu đồng thời có độ từ thẩm âm (μ< 0) và độ điện thẩm âm (ε< 0) trên cùng một dải tần số Vật liệu này sở hữu

nhiều tính chất bất thường như sự nghịch đảo của định luật Snell, sự nghịchđảo trong dịch chuyển Doppler, sự nghịch đảo của bức xạ Cherenkov, đặc biệt

là ba vector của

sóng điện từ: E , H , k tuân theo quy tắc tam diện nghịch Nhờ vào nhữngtính chất đặc biệt kể trên, vật liệu này hứa hẹn rất nhiều ứng dụng mangtính đột phá trong thực tế Một trong những ứng dụng nổi bật nhất của vậtliệu này là siêu thấu kính được đề xuất bởi Pendry vào năm 2000, sau đó

đã được Zhang và các cộng sựkiểm chứng bằng thực nghiệm vào năm

2005 Một ứng dụng độc đáo khác nữa là sử dụngvật liệu biến hóa nhưlà“áo choàng” để che chắn sóng điện từ (electromagnetic cloaking), được

đề xuất và kiểm chứng bởi Schurig và cộng sự năm 2006 [3] Bên cạnh

đó, một loạt các ứng dụng quan trọng khác của vật liệu biến hóa cũngđược các nhà khoa học quan tâm nghiên cứu như hấp thụ sóng điện từ, bộcộng hưởng cảm biến, chậm dừng ánh sáng, ăngten, bộ lọc tần

số Từ đó đến nay, đã có rất nhiều công trình nghiên cứu vật liệu biến hóa như

đi sâu giải thích các cơ chế vật lý cũng như hoàn thiện và phát triển thêm cácứng dụng

Tuy nhiên, để đưa vật liệu biến hóa có chiết suất âm vào những ứngdụng trong thực tế, còn rất nhiều vấn đề cần được làm rõ và cần nghiên cứumột cách thỏa đáng: tìm kiếm vật liệu có cấu trúc đơn giản để dễ dàng trongviệc chế tạo, hay việc tìm kiếm vật liệu đẳng hướng không phụ thuộc vào sựphân cực của sóng điện từ, vật liệu có vùng tần số làm việc rộng, điều chỉnhbằng các tác động ngoại vi, hay tối ưu hóa cấu trúc để giảm độ tổn hao điện từcủa vật liệu khi hoạt động cũng đang được quan tâm sâu sắc.Tuy nhiên, để mởrộng dải tần hoạt động của vật liệu biến hóa chiết suất âm người ta thường kếthợp vùng có độ từ thẩm âm rộng với vùng có độ điện thẩm âm rộng trên cùngmột dải tần số Vùng điện thẩm âm rộng dễ dàng đạt được bằng cách sử dụngcác lưới dây kim loại liên tục Trong khi đó, vùng từ thẩm âm rộng đang làthách thức đối với các nhà khoa học Chính vì lí do đó, luận văn tập trung đigiải quyết vấn đề này Đầu tiên, luận văn đưa ra kết quả nghiên cứumở rộngdải từ thẩm âm, sau đó sử dụng kết quả này để mở rộng vùng có chiết suất

âm Kết quả nghiên cứu được nêu ra ở chương III của luận văn

1.2 Phân loại về vật liệu biến hóa

Hình 1.1.Giản đồ biểu diễn mối liên hệ giữa ε và μ

Có nhiều cách để phân loại vật liệu biến hóa, một trong các cách màngười ta hay sử dụng nhất là dựa vào giá trị của độ từ thẩm và độ điện thẩm.

Hình 1.1 trình bày một giản đồ đơn giản cho phép ta phân loại các vật

liệu theo tham số điện từ: độ điện thẩm ε và độ từ thẩm μ Góc phần tư thứ hai của giản đồ (ε < 0, μ > 0) thể hiện tính chất của môi trường có độ điện thẩm

âm, tính chất này xuất hiện trong kim loại dưới tần số plasma Góc phần tư

thứ tư (ε > 0, μ < 0) thể hiện tính chất của môi trường có độ từ thẩm âm, tính

chất này tồn tại trong một số loại vật liệu từ tại tần số thấp (cỡ MHz) Tronghai trường hợp môi trường chỉ có một trong hai giá trị độ từ thẩm hoặc độđiện thẩm âm, giá trị còn lại dương, sóng điện từ nhanh chóng bị dập tắt khitruyền vào loại vật liệu này Trường hợp đặc biệt, độ điện thẩm và độ từ thẩm

đều có giá trị âm (ε < 0, μ < 0), môi trường được gọi là môi trường chiết suất

âm kép như biểu diễn trên góc phần tư thứ ba Giống như vật liệu chiết suấtdương, sóng điện từ cũng có thể truyền vào vật liệu này và có tổn hao Tuynhiên có một điểm khác biệt là hướng truyền sóng và hướng truyền nănglượng ngược chiều nhau trong môi trường có chiết suất âm

Dựa trên giản đồ biểu diễn trên hình 1.1 vật liệu biến hóa có thể đượcphân ra thành 3 loại chính:

- Vật liệu có độ điện thẩm âm (electric vật liệu biến hóa): ε< 0.

- Vật liệu có độ từ thẩm âm (magnetic vật liệu biến hóa): μ < 0.

- Vật liệu có chiết suất âm (left-handed vật liệu biến hóa): n< 0.

Luận văn tập trung nghiên cứu mở rộng vùng có độ từ thẩm âm (μ < 0)

sau đó kết hợp với vùng có độ điện thẩm âm để đạt được mục tiêu chính là

mở rộng vùng có chiết suất âm (n < 0).

1.2.1 Vật liệu có độ điện thẩm âm

Trong tự nhiên, chúng ta có thể thu được độ điện thẩm âm của kim loại ở

dưới tần số plasma Hàm số độ điện thẩm ε của vật liệu kim loại phụ thuộc vào tần số ω của sóng chiếu tới được biểu diễn theo bởi phương trình như sau:

Ví dụ như vùng sóng vi ba, Pendry đã đề xuất mô hình lưới dây kim loại mỏng như ở hình 1.2(a) Mô hình này bao gồm một dãy các dây kim loại mỏng,

Hình 1.2 (a) Cấu trúc lưới dây kim loại mỏng sắp xếp tuần hoàn và (b) độ

điện thẩm hiệu dụng của lưới dây bạc theo tần số với r = 5 µm,a = 40 mm

và độ dẫn của bạc là σ = 6,3×107 Sm -1 [4].

dài vô hạn, được đặt song song và cách đều nhau Môi trường lưới dây kim loại này có khả năng hạ thấp đáng kể tần số plasma

Tần số plasma hiệu dụng mới tạo bởi lưới dây kim loại mỏng được tínhnhư trong tài liệu tham khảo [4] có dạng:

Với σ là độ dẫn của kim loại, góp phần đặc trưng cho tính chất tổn

hao trong kim loại

Hình 1.2(b) trường hợp các dây kim loại được nhúng trong môi trường

khác không khí với độ điện thẩm là ε h, số hạng đầu tiên trong vế phải của

phương trình (1.4) sẽ được thay bởi ε h

1.2.2 Vật liệu có độ từ thẩm âm

Độ từ thẩm, thường được ký hiệu là μ là một đại lượng vật lý đặc trưng

cho tính thấm của từ trường vào một vật liệu, hay nói lên khả năng phản ứngcủa vật liệu dưới tác dụng của từ trường ngoài Khái niệm từ thẩm thườngmang tính chất kỹ thuật của vật liệu, nói lên quan hệ giữa cảm ứng từ (đạilượng sản sinh ngoại) và từ trường ngoài

Hình 1.3 Sơ đồ cấu trúc của vòng cộng hưởng có rãnh (Split Ring Resonator

– SRR) và các cấu trúc SRR trong dãy tuần hoàn [5].

Hầu hết các vật liệu thông thường trong tự nhiên đều có độ từ thẩmdương, chỉ có một số ít vật liệu tồn tại độ từ thẩm âm Bên cạnh đó, tính chất

từ của các vật liệu đó thường chỉ tồn tại ở tần số thấp và hầu hết bị dập tắt ởvùng tần số lớn hơn GHz

Mặc dù vậy, hiện tượng từ cũng có thể thu được từ các vật liệu phi từbằng cách kích thích các dòng điện tròn nhằm tạo ra một moment lưỡng cực.Dựa trên nguyên lý này, vào năm 1999 Pendry đã đề xuất mô hình đầu tiêntạo ra độ từ thẩm âm ở vùng tần số GHz [5] gồm một dãy tuần hoàn của 2 cấutrúc vòng cộng hưởng có rãnh (Split - Ring Resonator – SRR) đơn lồng vàonhau (hình 1.3)

Hình 1.4 Nguyên lý hoạt động của SRR để tạo ra µ < 0 [8]

Hình 1.4 trình bày nguyên lý hoạt động của SRR để tạo ra độ từ thẩm

âm Khi đặt một từ trường biến thiên hướng theo trục của SRR, vòng cộnghưởng sẽ sinh ra một dòng điện Đồng thời dòng điện này bản thân nó lại cảm

ứng ra một lưỡng cực từ Dưới tần số cộng hưởng ω 0, cường độ của lưỡng cực

từ tăng dần theo tần số và cùng pha với trường kích thích Cấu trúc SRR biểu

hiện đặc trưng thuận từ Khi tần số tiệm cận ω 0, dòng điện sinh ra trong vòngkhông thể theo kịp trường ngoài và bắt đầu bị trễ Trên tần số cộng hưởng,lưỡng cực từ càng trễ hơn cho đến khi nó hoàn toàn ngược pha so với trườngkích thích Cấu trúc SRR lúc này mang tính chất nghịch từ Trường hợp sauđược sử dụng để tạo ra độ từ thẩm âm, do tại lân cận tần số cộng hưởng, tính

nghịch từ được tăng cường một cách đáng kể đủ để tạo ra được độ từ thẩm

nhỏ hơn không (µ < 0) Lưu ý rằng, kích thước của SRR cũng như độ tuần

hoàn của chúng nhỏ hơn rất nhiều lần bước sóng của vùng tần số hoạt động vàđiều đó cho phép ta miêu tả mô hình này bằng tham số hiệu dụng µeff Độ từ

thẩm hiệu dụng của mô hình SRR được tính như sau:

Hình 1.5 Dạng tổng quát của độ từ thẩm hiệu dụng cho mô hình SRR với

giả thiết là vật liệu không có tổn hao [8].

Ngoài ra, cấu trúc này cũng có thể được sử dụng để tạo ra độ điện thẩm

âm Khi điện trường ngoài đặt vào song song với cạnh chứa rãnh, dòng điện

được cảm ứng trên mạch (hình 1.7).Tại tần số cộng hưởng, ta sẽ thu được ε <

0 Điểm khác biệt cơ bản giữa các yếu tố cộng hưởng này với mô hình lướidây kim loại được đề xuất ở trên nằm ở độ rộng của vùng điện thẩm âm Dobản

chất cộng hưởng, các cấu trúc cộng hưởng chỉ có thể tạo ra được ε < 0 trong

một dải tần số rất hẹp Trong một số trường hợp, điều này sẽ gây khó khăn

trong việc tạo ra n < 0, bởi yêu cầu vùng ε < 0

Hình 1.6 a) Cấu trúc SRR và phân cực của sóng điện từ, b) Sự biến đổi

từ cấu trúcSRR thành cấu trúc cặp dây bị cắt (cut-wire pair - CWP).

và µ < 0 phải trùng lên nhau Vì lý do này nên để tạo ra vùng có độ điện thẩm

âm rộng cơ sở để tạo chiết suất âm rộng, luận văn sử dụng cấu trúc lưới dây kimloại theo đề xuất của Pendry (Giới thiệu mục 1.2.1)

Hình 1.7 a) Cấu trúc SRR; cấu trúc dây kim loại bị cắt (CW), định hướng của

điện trường ngoài, b) Mô hình mạch điện LC tương đương.

1.2.3 Vật liệu có chiết suất âm

Ta có thể thấy rằng, chiết suất của một môi trường được tính theo côngthức n  Nếu chỉ dựa vào công thức này, giá trị của chiết suất dường như vẫn

là dương khi ε< 0 và μ< 0 Mặc dù vậy, ta phải rất thận trọng trong việc

xác định dấu khi thực hiện căn bậc hai Để xác định chính xác dấu của n, ta

cần phải dựa vào ý nghĩa vật lý của vật liệu Các vật liệu thường thể hiệntính chất thụ động, có nghĩa là sóng điện từ truyền trong vật liệu có xu

hướng tắt dần theo hàm mũ nên các đại lượng ε, μ và n đều được biểu diễn

bởi các hàm phức

Như quan sát trên giản đồ tạo ra chiết suất âm trong hình 1.8, các giá trị

ε, μ và n đều nằm trong góc phần tư thứ hai của giản đồ Hay nói cách khác,

phần thực của chiết suất thực sự âm (chiết suất âm kép) khi độ từ thẩm vàđiện thẩm đồng thời có giá trị âm

Hình 1.8 Giản đồ giải thích phần thực âm của chiết suất Các mũi tên

cho thấy vị trí của độ điện thẩm ε và độ từ thẩm μ trong mặt phẳng

phức.

Để xác định điều kiện tổng quát để đạt được vật liệu chiết suất âm thìchúng ta phải biểu diễn các giá trị độ điện thẩm, độ từ thẩm và chiết suất dướidạng phức:

chiết suất âm thành hai vùng: chiết suất âm đơn và chiết suất âm kép Trong vùng

chiết suất âm kép, cả hai giá trị phần thực  ' và  ' đều có giá trị âm còn các

giá trị phần ảo (  '',  '' ) luôn là dương Vùng chiết suất âm đơn đạt được khi chỉ

có một trong hai giá trị âm của

 ' hoặc  ' các giá trị phần ảo ( '',  '' ) trongtrường hợp này cần có giá trị dương rất lớn để thỏa mãn điều kiện (1.15) Tuy nhiên, trong vùng chiết suất âm đơn, chiết suất âm có thể đạt được nhưng các

giá trị lớn của  '' và  '' dẫn tới một tổn hao đáng kể.Do đó, các vật liệu chiếtsuất âm đơn là không khả thi trong các ứng dụng liên quan đến sự truyền qua

1.3 Một số tính chất và ứng dụng của vật liệu biến hóa

Vật liệu biến hóa có chiết suất âm là sự kết hợp của độ điện thẩm

âm và độ từ thẩm âm trên cùng một dải tần số Từ đó dẫn đến những tínhchất điện từ và quang học bất thường như hiện tượng khúc xạ âm, sựnghịch đảo trong dịch chuyển Doppler, ba vector của sóng điện từ: E , H , k

tuân theo quy tắc bàn tay trái Chi tiết các tính chất này đã được trình bàytrong các tài liệu [6, 7]

1.3.2. Một số ứng dụng của vật liệu biến hóa

Năm 2000, Pendry đã chứng minh có thể sử dụng vật liệu biến hóa cóchiết suất âm để chế tạo siêu thấu kính Điểm khác biệt cơ bản giữa siêu thấukính và thấu kính thông thường ở chỗ nó là thấu kính phẳng và nhờ vào chiếtsuất âm nên nó hoạt động giống như một thấu kính hội tụ Đặc biệt cũng nhờvào tính chiết suất âm, siêu thấu kính có thể phục hồi không chỉ thành phầntruyền qua mà cả thành phần dập tắt (evanescent wave) của sóng tới (hình1.12) Vì vậy làm tăng độ phân giải của thấu kính lên rất nhiều so với thấu kínhthông thường

Hình 1.9 Nguyên tắc hoạt động của siêu thấu kính dựa trên vật liệu biến hóa

có chiết suất âm

Hình 1.10 Nguyên lý hoạt động của áo choàng tàng hình.

Một ứng dụng thứ hai được đề xuất và kiểm chứng bởi Schurig và cáccộng sự năm 2006 là làm vật liệu tàng hình tại tần số sóng rada Đối với cácvật liệu có trong tự nhiên khi tương tác với sóng điện từ thì sự truyền qua hoàntoàn là khôngđạt được Tuy nhiên đối với “vật liệu biến hóa” khi tương tác vớisóng điện từ thì ánh sáng bị bẻ cong quanh vật thể nên sự truyền qua là hoàntoàn đạt được và khi đó vật bị tàng hình (Hình 1.10)

Ngoài những ứng dụng trên, vật liệu chiết suất âm còn rất tiềm năng trongcác lĩnh vực khác như bộ lọc tần số, cảm biến sinh học, ăngten, làm chậm hoặcdừng ánh sáng, truyền năng lượng không dây … Với các tính chất đặc biệt, vậtliệu chiết suất âm hứa hẹn sẽ có thêm nhiều ứng dụng khác trong thực tế nhưthiết bị khoa học, y tế, pin năng lượng và đặc biệt trong lĩnh vực quân sự

1.4 Mô hình vật lí để mở rộng vùng có độ từ thẩm âm và chiết suất âm

Kết quả nghiên cứu chính của luận văn sử dụng mô hình lai hóa để mởrộng dải tần hoạt động của vật liệu có độ từ thẩm âm và chiết suất âm chính vìvậy dưới đây luận văn đi sâu trình bày lý thuyết tổng quan và kết quả đãnghiên cứu sử dụng mô hình lai hóa bậc một, bậc hai ứng với cấu trúc CWP

Lý do nghiên cứu mô hình lai hóa ứng với cấu trúc này vì cấu trúc sử dụngnghiên cứu trong luận văn để mở rộng vùng từ thẩm âm và chiết suất âm làcấu trúc biến đổi từ cấu trúc CWP Từ mô hình này luận văn cũng đề xuất môhình lai hóa tương tự cho cấu trúc sử dụng nghiên cứu kết quả được trình bàytrong phần kết quả và thảo luận

1.4.1 Mô hình lai hoá bậc một ứng với cấu trúc CWP

Cấu trúc CWP được biết đến như là một “nguyên tử meta từ” (magneticmeta-atom) dùng để tạo ra độ từ thẩm âm Mặc dù vậy, bên cạnh cộng hưởng từ,các cấu trúc CWP cũng thể hiện một cộng hưởng điện nằm ở tần số khác [6].Trên quan điểm mô hình lai hóa, hai cộng hưởng trên là kết quả của sự lai hóagiữa hai cấu trúc cộng hưởng trên hai thanh CW đơn lẻ và được đưa ra trên hình1.11 Trong trường hợp này, cấu trúc CWP bao gồm hai thanh CW kim loạicách nhau bởi một lớp điện môi Mỗi thanh CW có một mode cộng hưởng

plasmon với tần số riêng |ω 1 > và |ω2 >, chúng bằng nhau trong trường hợp

hai thanh hoàn toàn

giống nhau về tham số hình học và điều kiện phân cực của sóng điện từ chiếuđến Trong một hệ CWP gồm hai thanh kim loại ở khoảng cách gần, sự tươngtác plasmon giữa hai thanh sẽ mạnh hơn dẫn tới sự suy biến của các mode cộnghưởng riêng và tách thành 2 mode cộng hưởng plasmon mới.

Hình 1.11.(a)Cấu trúc CWP, (b) giản đồ lai hóa, (c) phổ truyền qua của cấu trúc

một CW và một cặp CW ( CWP) [8]

Hình 1.12 Phân bố của điện trường và từ trường tương ứng với cộng hưởng

a), b) đối xứng và c), d) bất đối xứng của cấu trúc CWP có hai thanh bằng

vàng chiều dài 300 nm bề dày 10 nm và cách nhau 40 nm [9]

Mode ứng với sự phân bố trường đối xứng trong không gian gọi là

mode đối xứng, có một tần số riêng |ω +> Ngược lại, mode bất đối xứng ứng

với sự phân bố bất đối xứng của trường có tần số riêng |ω-> Mode bất đối

xứng |ω-> được cảm ứng bởi lực hút sinh ra do các dao động ngược pha củacác điện tích nên nó sẽ nằm ở mức năng lượng thấp hơn, còn các mode đối

xứng |ω+> ứng với lực đẩy do các dao động cùng pha và nó sẽ nằm ở mứcnăng lượng cao hơn Sự tách tần số riêng trong hệ của hai thanh kim loại cóthể quan sát trong phổ truyền qua của một đơn lớp CWP nơi có hai cực tiểu

tương ứng với sự kích thích của mode đối xứng |ω+> và mode bất đối xứng |ω

-> (Quan sát hình 1.11(c) có hai đỉnh ứng với đường màu xanh) Ngược lại,phổ của một thanh kim loại được trình bày trong hình 1.11(c), đường màu đỏtương ứng với một cực tiểu của mode cộng hưởng riêng

Để hiểu rõ hơn bản chất của hai mode này, sự phân bố của điện trường

và từ trường tại các tần số của cộng hưởng đối xứng và bất đối xứng hai thanhđược trình bày trong hình 1.12(a)-(d) [9] Trong cộng hưởng đối xứng, điệntrường phân bố (hình 1.12(a)) tương ứng với hai dao động lưỡng cực cùngpha Do đó, mode đối xứng liên quan với một momen lưỡng cực điện mạnh,ngoài ra momen từ tại tâm của hệ bằng 0 (hình 1.12(b)) Như vậy, có thể thấyrằng mode đối xứng chính là cộng hưởng điện có thể tạo ra độ điện thẩm âm.Ngược lại, sự phân bố của điện trường trong cộng hưởng bất đối xứng tươngứng với một dao động lưỡng cực ngược pha (hình 1.12(c)) Từ giản đồ cho từtrường, chúng ta có thể quan sát từ trường tập trung tại tâm của hệ trong cộnghưởng bất đối xứng (hình 1.12(d)) Do đó, mode bất đối xứng là cộng hưởng

từ có thể tạo ra độ từ thẩm âm

1.4.2 Mô hình lai hóa bậc hai ứng với cấu trúc CWP hai lớp

Trong luận văn có sử dụng mô hình lai hóa để mở rộng dải tần số củavật liệu biến hóa có độ từ thẩm âm sử dụng cấu trúc cặp đĩa đối xứng haichiều, cấu trúc tương tự cặp dây bị cắt (CWPs) hai lớp Vì vậy sau đây luận

văn trình bày sơ lược cơ sở vật lý của phương pháp lai hóa này cho cấu trúcCWPs để từ đó áp dụng một cách linh hoạt cho cấu trúc sử dụng Cơ sở vật

lý của phương pháp này là sử dụng tương tác mạnh giữa hai lớp CWPs liền

kề theo phương truyền sóng k tạo ra hiện tượng hỗ cảm để tách vạch cộnghưởng, kết quả là mở rộng vùng tần số hoạt động

Xét một hệ vật liệu biến hóa gồm 2 tấm CWPs dọc theo phương truyềnsóng k Ô cơ sở mặt cắt theo phương truyền sóng k của hệ và giản đồ lai hóa

bậc 2 được biểu diễn như trên hình 1.13 Có thể hình dung rằng, ngoài tươngtác giữa các điện tích bên trong mỗi CWP, hai CWPs cũng sẽ tương tác lẫnnhau ở khoảng cách thích hợp

Hình 1.13 a) Ô cơ sở của cấu trúc CWP hai lớp b) mặt cắt của cấu

trúc CWP hai lớp và c) mô hình lai hóa bậc hai đề xuất với cấu trúc

này [6]

Dựa vào giản đồ lai hóa bậc hai ta có thể thấy rằng khi hai cặp CWPs

(bốn CWs) đặt gần nhau, các mode cộng hưởng điện |ω+> và mode cộng

hưởng từ |ω-> cơ bản trong giản đồ lai hóa bậc một của từng CWP sẽ bị suybiến và mỗi mode này tách thành hai mode mới riêng biệt Tuy nhiên, vớimục đích mở rộng vùng có độ từ thẩm âm phục vụ cho các nghiên cứu mởrộng vùng chiết suất âm nên trong nghiên cứu này chỉ quan tâm đến sự tách

của mode cộng hưởng từ |ω-> cơ bản Mode cộng hưởng từ cơ bản |ω->được tách thành hai

mode mới |ω > và |ω-+> khi hai lớp CWP ở gần nhau với khoảng cách thíchhợp như trên hình 1.13(c) Dễ dàng nhận thấy hai mode này là hai mode cộnghưởng từ có thể tạo ra độ từ thẩm âm vì nó được tách ra từ mode cộng hưởng

từ cơ bản

|ω-> Lực Coulomb sinh ra giữa các CWP sẽ góp phần vào việc xác định các

mức năng lượng tổng cộng của giản đồ lai hóa bậc hai Mode |ω >có nănglượng thấp hơn vì sự dao động của các điện tích bên trong mỗi CW trongtrường hợp này là ngược pha tính với tất cả các CWs liền kề nhau và do đó cáclực hồi phục giữa các CW liền kề đều là lực hút Về mặt bản chất, khoảng

cách giữa hai CW t d (hay chiều dày lớp điện môi) trong một lớp CWP sẽ đặc

trưng cho tương tác nội trong mỗi CWP Trong khi đó, khoảng cách giữa hai

cặp CWP d sẽ chi phối tương tác bên ngoài giữa chúng Như vậy, cường độ kết

cặp hay sự tách các mode lai hóa theo giản đồ này sẽ phụ thuộc mạnh vào tỷ

năng của dao động, số hạng thứ hai Q2 / 2C  L 2

Q2 / 2 là năng lượng điện tíchtrữ ở không gian giới hạn bởi hai thanh CW Tương tự trong trường hợp haicặp CWP, hàm Lagrange là đóng góp tổng cộng của từng CWP cộng thêmthành phần tương tác giữa hai CWP và được biểu diễn như sau:

1 k

1 k

trong đó Q1, Q2 là điện tích dao động trên mỗi CWP

Độ tự cảm L của CWP được xác định bởi công thức:

CWP)

Thay ℑ vào phương trình Euler Lagrange:

d   

tỉ lệ với cường độ kết cặp nên sẽ phụ thuộc vàokhoảng

cách hai lớp d của hai CWP cũng như chiều dày lớp điện môi t d của một lớp

CWP

1.4.3 Mô hình lai hóa bậc cao

Đầu tiên, luận văn xin trình bày giản đồ lai hóa bậc ba cho cấu trúcCWP ba lớp Tính chất truyền qua của hệ CWP ba lớp có thể được giải thíchbằng giản đồ lai hóa bậc ba được mô tả trong hình 1.14 Mode cộng hưởng từ

cách sử dụng một hệ thống CWP gồm N lớp, các hưởng ứng điện từ có thểđược giải thích như là sự lai hóa của một lớp với (N-1) lớp, vùng có độ từthẩm âm do đó có thể càng rộng thêm

Hình 1.14 Giản đồ lai hóa cho cấu trúc CWP ba lớp[6]

Nhìn chung, mô hình lai hóa đang được xem như là một hướng nghiêncứu quan trọng của vật liệu biến hóa Thông qua đó vật liệu chiết suất âm có

thể thu được dựa vào các nguyên tử từ cơ bản như CWP hoặc các SRR tạo ra

độ từ thẩm âm kết hợp với các dây liên tục tạo ra độ điện thẩm âm

1.5.Mô hình mạch LC ứng với cấu trúc cặp dây bị cắt

Cho đến nay, sự tương tác của vật liệu biến hóa với sóng điện từ thườngđược giải thích dựa trên mô hình mạch điện tương đương LC đặc biệt ở tần sốGHz Mỗi một cấu trúc hình học sẽ có mạch điện LC tương ứng Sau đây, môhình mạch điện LC áp dụng cho cấu trúc CWP sẽ được trình bày do các cấutrúc luận văn sử dụng đều là cấu trúc biến đối từ cấu trúc CWP

Hình 2.4 trình bày cấu trúc ô cơ sở của vật liệu biến hóa có cấu trúcCWP Sơ đồ mạch điện tương đương được chỉ ra trên hình 2.4(b) Ở đây, tụđiện C xuất hiện ở hai đầu của CWP, cuộn cảm L tương ứng với mỗi thanhCW

Hình 2.4.a) Ô cơ sở của vật liệu biến hóa có cấu trúc cặp dây bị cắt, gồm 3 lớp:

hai lớp kim loại hai bên và lớp điện môi ở giữa, b) mạch tương đương LC của cấu trúc.

Trong trường hợp tổng quát, khi các ô cơ sở của cấu trúc CWP đượcsắp xếp tuần hoàn tạo thành vật liệu biến hóa, sẽ xảy ra sự tương tác giữa các

ô cơ sở trong vật liệu (xem hình 2.5) Mô hình mạch điện LC tại tần số cộng

hưởng điện và cộng hưởng từ được biến đổi cho phù hợp như trên hình vẽ2.5 (c) và

2.5 (d) Chi tiết giải thích cho các mô hình biến đổi này được trình bày trong tài liệu [13]

* Trong trường hợp cộng hưởng từ:

Độ tự cảm tổng cộng được xác định từ năng lượng từ trường có công thức:

Trong đó l là chiều dài của CW, t s là chiều dày lớp điện môi, w là độ rộng của thanh CW Điện dung của mỗi tụ C m (hình thành ở hai đầu của CW) được

tính toán cho tụ điện phẳng nên có công thức:

do các điện tích phân bố không đều trên toàn bộ thanh CW mà chủ yếu tập

trung ở cuối mỗi bản tụ nên l ’ = c1l, hệ số c1 phụ thuộc vào chiều dài CW có

điện tích phân bố ở đó

Ce là điện dung được sinh ra do hai cặp dây liên tiếp theo phương E

và được xác định bằng công thức:

Trong đó t m là chiều dày của thanh kim loại CW, b là khoảng cách

giữa hai thanh CW liên tiếp theo chiều điện trường E

Hình 2.5 Mô hình mạch LC cho một ô cơ sở của cấu trúc CWP:(a)Hai

tấm CWP của hai ô cơ sở cạnh nhau có thể sử dụng mạch điện tương đương LC để mô tả, (b) mạch điện tương đương LC mô tả cho một ô cơ sở; điểm 1 và 2 là tương đương do tính chất tuần hoàn, (c và (d) các mode đối song và song song tương ứng với cộng hưởng tù và cộng hưởng điện

Trở kháng tương đương của mạch điện: Khi có

cộng hưởng từ Z cực tiểu nên:

Từ biểu thức (2.7) chúng ta thấy rằng tần số cộng hưởng từ phụ thuộc

mạnh vào các tham số cấu trúc như là: chiều dài thanh kim loại (l), chiều rộng thanh (w), hằng số điện môi (ε).

* Trường hợp cộng hưởng điện:

Một cách tương tự tần số cộng hưởng điện được xác định:

f  1  c ln(b / t s )

e 2 C L e e 2 wg(w / l)

(2.8)

Trong đó L e là độ tự cảm được sinh ra bởi dây có chiều dài tương ứng

với độ rộng của dây và được xác định bằng công thức:

Phương pháp nghiên cứu của luận văn được thực hiện theo sơ đồ trênhình 2.1 Đầu tiên xuất phát từ ý tưởng vật lý, luận văn tiến hành nghiên cứukết hợp giữa mô phỏng và tính toán lý thuyết thông qua thuật toán của Chen[12] đồng thời, kiểm nghiệm qua mạch điện LC, sau đó là so sánh kết quả củahai phương pháp từ đó đánh giá và kết luận.

Hình 2.1 Sơ đồ quá trình nghiên cứu.

2.1 Lựa chọn cấu trúc và vật liệu

Ban đầu, để thu được vật liệu biến hóa có chiết suất âm, hầu hết các nhànghiên cứu sử dụng cấu trúc SRR, để tạo ra độ từ thẩm âm   0 kết hợp vớimôi trường có độ điện thẩm âm  0 Để thu được vật liệu có   0 , các nhànghiên cứu thường sử dụng cấu trúc truyền thống gồm các dây kim loại được

sắp xếp một cách tuần hoàn Cấu trúc vật liệu có   0 này đơn giản trong chế

tạo và được áp dụng một cách rộng rãi và phổ biến trong việc chế tạo vật liệu

có chiết suất âm Tuy nhiên, để tạo ra vật liệu có µ< 0 ở tần số cao, vẫn đang

là một thách thức của các nhà nghiên cứu vì nó chỉ xảy ra trong những khoảngtần số rất hẹp và phụ thuộc vào mạnh phân cực của sóng điện từ Hơn thế nữa,

để tạo ra cộng hưởng từ có µ< 0 đối với cấu trúc SRR truyền thống, một trong

những điều kiện quan trọng là véc tơ từ trường H phải vuông góc với mặtphẳng của SRR (mặt phẳng mẫu) Do vậy, mẫu chế tạo đòi hỏi phải là đa lớp

để có thể bao phủ được toàn bộ chùm ánh sáng tới khi tiến hành đo đạc Đây

là một trong những hạn chế của cấu trúc SRR, đặc biệt là khi chế tạo vật liệubiến hóa có chiết suất âm hoạt động ở vùng tần số quang học khi xem xét tớikhả năng công nghệ nanô hiện nay

Với mục đích lựa chọn tìm ra cấu trúc tối ưu nhất để tạo ra môi trường

có   0 một cách đơn giản và thuận lợi, ngoài cấu trúc SRR, một số cấu trúccộng hưởng từ khác đã được đề xuất như các cấu trúc biển đổi từ SRR, cấu

trúc có hình chữ S, chữ Ω, chữ , sau đó là cấu trúc CWP

Hình 2.2.a) Cấu trúc SRR và phân cực của sóng điện từ, b) Sự biến đổi từ

cấu trúc SRR thành cấu trúc CWP.

Thực chất cấu trúc CWP được biến đổi từ cấu trúc SRR như trên hình 2.2,

do đó nó cũng cho phép tạo ra độ từ thẩm âm Cấu trúc CWP có ưu điểm làđơn giản trong chế tạo và thuận lợi khi đo đạc, đặc biệt là khi chế tạo mẫu cókích

thước ô cơ sở bé để hoạt động ở vùng tần số cao Do vậy cấu trúc CWP đang

là một trong những cấu trúc được quan tâm nhiều nhất Cấu trúc CWP gồm 3lớp: hai lớp kim loại ở hai bên và lớp điện môi ở giữa như được mô tả trênhình 2.2(b) Một điểm khác biệt quan trọng giữa cấu trúc này với cấu trúcSRR truyền thống là sự phân cực của sóng tới để có thể thu được độ từ thẩm

âm Như vậy để thu được hiệu ứng, cấu trúc SRR đòi hỏi vectơ từ trường H

phải đi xuyên qua vòng cộng hưởng và hướng truyền sóng điện từ sẽ songsong với mẫu Trong khi đó cấu trúc CWP lại cho phép sóng điện từ chiếuvuông góc với mặt bên của CWP Chính vì vậy cấu trúc CWP có thể sinh racộng hưởng từ rất mạnh ngay cả khi sử dụng đơn lớp Tuy nhiên, trong một sốnghiên cứu trước đây [6], cho thấy cấu trúc này cũng có nhược điểm là phụthuộc vào sự phân cực của sóng điện từ Vì vậy, trong luận văn này sẽ sử dụngcấu trúc cặp đĩa và lưới đĩa để tạo ra vùng từ thẩm âm và chiết suất âm Cấutrúc đĩa khắc phục hạn chế của cấu trúc CWP, dựa trên cấu trúc CWP, với biếnđổi nhỏ, cấu trúc cặp đĩa được đề xuất do tính đối xứng cao Ô cơ sở của cấutrúc này gồm 3 lớp có hình: đĩa tròn - điện môi - đĩa tròn Cấu trúc có tính đốixứng của hình tròn để tạo ra sự đẳng hướng (không phụ thuộc vào phân cực)đối với sóng điện từ chiếu đến Hơn nữa so với cấu trúc CWP đây là cấu trúc

có ít tham số cấu trúc hơn và đặc biệt cho đến nay chưa có công trình công bốnào mở rộng vùng từ thẩm và chiết suất âm sử dụng cấu trúc này

Quá trình biến đổi cấu trúc từ SRR đến cấu trúc đĩa được trình bày trên hình 2.3

Hình 2.3 Quá trình biến đổi vật liệu biến hóa từ cấu trúc SRR sang cấu trúc

CWP và đến cấu trúc đĩa.

Về mặt lựa chọn vật liệu, trong các nghiên cứu chế tạo vật liệu biến hóahoạt động ở vùng tần số GHz, lớp kim loại được sử dụng là đồng (Cu) và lớpđiện môi thường sử dụng là vật liệu FR4 Lý do chọn Cu là do trong vùngGHz ảnh hưởng của các kim loại khác nhau là không đáng kể và Cu là kimloại rẻ tiền so với các kim loại quí hiếm khác và phù hợp điều kiện chế tạo sẵn

có Với điện môi FR4 tuy tổn hao khá lớn nên có hạn chế trong việc nghiêncứu hiện tượng lai hóa (đối tượng nghiên cứu chính của luận văn) nhưng nóvẫn đáp ứng được hầu hết các điều kiện nghiên cứu trong vùng GHz, giáthành rẻ và đặc biệt phù hợp với điều kiện chế tạo ở Việt Nam

Trong vùng tần số luận văn khảo sát (12GHz đến 18GHz), Cu được lựachọn có độ dẫn điện   5.88107 S/m, chất điện môi FR4 có hằng số điệnmôi là 4.3 và hệ số tổn hao là 0.025 các thông số được lấy từ số liệu nhà sản xuất cung cấp [14]

Qua trình nghiên cứu của luận văn được thực hiện gồm có hai phần chính:

1 Nghiên cứu mở rộng vùng từ thẩm âm dựa trên mô hình lai hóa sửdụng cấu trúc đĩa hai lớp với các tham số cấu trúc hằng số mạngtheo trục x là: ax =8 mm, theo trục y là: ay = 7.5 mm, chiều dày lớpđiện môi td = 0.4 mm, chiều dày lớp đồng tm = 0.036 mm, bán kínhđãi R=3 mm Đầu tiên thay đổi khoảng cách hai lớp d, giữ cố địnhchiều dày lớp điện môi td = 0.4 mm, sau đó thay đổi chiều dày lớpđiện môi, giữ cố định d

2 Nghiên cứu mở rộng vùng chiết suất âm sử dụng cấu trúc lưới đĩahai lớp Để tìm được các tham số tối ưu nhất luận văn khảo sát ảnhhưởng của tất cả tham số cấu trúc, đầu tiên là khảo sát tham sốkhoảng cách hai lớp d, giữ cố định các tham số còn lại, tiếp theo làtham số khoảng cách hai lớp td, bán kính đĩa R, hằng số mạng ax, ay,

độ rộng dây liên tục, trong mỗi lần khảo sát đó các tham số khác đềuđược giữ cố định