+Kỹ Thuật Vi Xử Lý sv cong nghe thuc pham Chuong 4

Giải mã đầy đủ và giải mã thiếu.+ Giải mã đầy đủFull Decoding: - Tất cả các đường địa chỉ có nghĩa đều được sử dụng.. - Mỗi ô nhớ có duy nhất một địa chỉ vật lý.. + Giải mã thiếuPartial

TỔ CHỨC VÀO/RA DỮ LIỆU

 Các mạch chốt và đệm.

IO/M RD WR

A16/S3 - A19/S6

A8 – A15 ALE AD0 – AD7

A16 - A19

A8 – A15

A0 – A7

D0 – D7

 Mạch tạo xung nhịp 8284.

X1

CLK X2

 Chu kỳ ghi đơn giản hóa.

CLK ALE A16/S3 – A19/S6

A8 – A15

AD0 – AD7

WR DEN

Tw

 Chu kỳ đọc đơn giản hóa.

CLK ALE A16/S3 – A19/S6

A8 – A15

AD0 – AD7

RD DEN

Tw

 Bộ nhớ bán dẫn.

* Các loại:

- Bộ nhớ cố định: ROM, PROM

- Bộ nhớ bán cố định: EPROM, EEPROM

- Bộ nhớ không cố định: SRAM, DRAM

* Cấu trúc tiêu biểu của một vi mạch nhớ:

A0 - An-1

D0 - Dm-1WE

OE CS

Bus A

Bus DWR

Trường hợp bộ nhớ đầy đủ 1MB:

D0 - D7

A0 - A19

OE WE

CS

14 7D 3C : :

FE 25 00000

00001

20021 20022 20023

FFFFF FFFFE FFFFD

F9 53 75 : :

xxxx 0023 xxxx

xxxx xxxx

xxxx

xxxx 2000

IO/M

µP8088

Vấn đề gì xảy ra khi phối ghép với vi mạch nhớ 1MB?

0 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

Trường hợp bộ nhớ 512KB → gồm 2 vùng:

- Vùng 1 với dải địa chỉ: 00000 ÷ 7FFFFh (bit A19 = 0)

- Vùng 2 với dải địa chỉ: 80000 ÷ FFFFFh(bit A19 = 1)

14 7D 3C : :

FE 25 00000

00001

20021 20022 20023

7FFFF 7FFFE 7FFFD

F9 53 75 : :

xxxx 0023 xxxx

xxxx xxxx

xxxx

xxxx 2000

RD WR

IO/M

µP8088

?

Nếu phối ghép với 2 vi mạch nhớ 512KB như hình vẽ:

Điều gì sẽ xảy ra?

Cách giải quyết?

xxxx 0023 xxxx

xxxx xxxx

xxxx

xxxx 2000

RD WR

IO/M

D0 - D7

A0 - A18 OE

WE

CS

14 : :

FE 25 00000

00001

20022 20023

7FFFF

F9 53 : :

A0 - A18 OE

WE

CS

23 : :

6E 77 00000

00001

20022 20023

7FFFF

14 F3 : :

#1

#2

Cách giải quyết: sử dụng A19 để chọn 1 trong 2 vi mạch 512KB.

RD WR

IO/M

D0 - D7

A0 - A18 OE

WE

CS

14 : :

FE 25 00000

00001

20022 20023

7FFFF

F9 53 : :

A0 - A18 OE

WE

CS

23 : :

6E 77 00000

00001

20022 20023

7FFFF

14 F3 : :

#1

#2

Nếu chỉ phối ghép với #1.

Có gì khác nhau khi đọc ô nhớ 20023h và A0023h?

RD WR

IO/M

D0 - D7

A0 - A18 OE

WE

CS

14 : :

FE 25 00000

00001

20022 20023

7FFFF

F9 53 : :

µP8088

#1

Giải mã đầy đủ và giải mã thiếu.

+ Giải mã đầy đủ(Full Decoding):

- Tất cả các đường địa chỉ có nghĩa đều được sử dụng.

- Mỗi ô nhớ có duy nhất một địa chỉ vật lý.

+ Giải mã thiếu(Partial Decoding):

- Chỉ sử dụng một số đường địa chỉ có nghĩa.

- Một ô nhớ có hơn một địa chỉ vật lý.

Giải mã đầy đủ.

#1 được chọn khi làm việc với vùng nhớ 00000 - 7FFFFh(A19 = 0)

#1 không được chọn khi làm việc với vùng nhớ 80000 - FFFFFh(A19 = 1)

=> Mỗi ô nhớ có duy nhất một địa chỉ vật lý.

RD WR

IO/M

D0 - D7

A0 - A18 OE

WE

CS

14 : :

FE 25 00000

00001

20022 20023

7FFFF

F9 53 : :

µP8088

#1

Giải mã thiếu:

D0 - D7

A0 - A18

OE WE

CS

14 7D 3C : :

FE 25 00000

00001

20021 20022 20023

7FFFF 7FFFE 7FFFD

F9 53 75 : :

xxxx 0023 xxxx

xxxx xxxx

xxxx

xxxx 2000

RD WR

IO/M

#1 được chọn khi làm việc với cả hai vùng nhớ: 00000 - 7FFFFh và

80000 - FFFFFh Bit A19 không có ý nghĩa với #1

=> Mỗi ô nhớ có hai địa chỉ vật lý.

0 0 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

0 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 0 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

Trường hợp bộ nhớ 256KB → gồm 4 vùng:

Bộ nhớ gồm 4 chip 256KB.

A0 - A17 A18 A19

WR RD

IO/M

A0 - A17 WE OE

CS

256KB

#1

A0 - A17 WE OE

CS

256KB

#2

A0 - A17 WE OE

CS

256KB

#3

A0 - A17 WE OE

O1 EN

O2

O3

Mạch giải mã 74LS138: Các tín hiệu.

ABC

G2AG2BG1

Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7

Xét ví dụ:

Sử dụng 74LS138 để dành riêng vùng nhớ 64KB với dải địa chỉ 00000h - FFFFFh cho 8 chip nhớ 8KB

Các bước thực hiện:

- Tính số đường địa chỉ của chip nhớ 8KB, rút ra địa chỉ của byte thấp nhất

và byte cao nhất trong chip nhớ(dưới dạng Hex hoặc nhị phân)

- Lập bảng phân vùng địa chỉ của 8 chip nhớ trong vùng nhớ 64KB có dải địa chỉ 00000h - FFFFFh Rút ra quy luật chọn các vùng nhớ

- Vẽ sơ đồ giải mã địa chỉ cho các chip nhớ sử dụng 74LS138

Bước 1:

- Địa chỉ của byte thấp nhất và byte cao nhất:

0 0 0 0

0 0 0 0 : : :

0 0 0 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

0 0 0 0

0 0 1 0 : : :

0 0 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1 : : : : : : : : : : : : : : : : : :

0E000

: : :

0FFFF

0 0 0 0 : : :

0 0 0 0

1 1 1 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

0 0 0 0 : : :

1 1 1 1

Bước 2: Lập bảng phân vùng địa chỉ và tìm quy luật chọn vùng nhớ

Bước 3: Vẽ sơ đồ giải mã sử dụng 74LS138.

ABC

G2AG2BG1

Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7

 Các kiểu phối ghép vào/ra.

Kiểu lệnh và tín hiệu

điều khiển dùng chung

MOV, IO/M = 0

Kiểu lệnh: MOV Tín hiệu: IO/M = 0

Kiểu lệnh: IN, OUT Tín hiệu: IO/M = 1

- Chỉ xét trường hợp cổng I/O có không gian địa chỉ tách biệt.

- Giải mã địa chỉ cho các cổng cụ thể, mỗi cổng một địa chỉ.

- Địa chỉ cổng thường là 8 bit: A0 - A7.

- Hai cổng khác loại(I và O) có thể có cùng một địa chỉ.

- Tín hiệu chọn cổng ký hiệu là: ISP và OSP.

- Phương pháp tương tự như giải mã địa chỉ cho bộ nhớ.

OSP (00h)

Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7

74LS138

00h

07h

RD IO/M

A0

A1

A2

Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7

74LS138

00h

07h

WR IO/M

A0

A1

A2

Sử dụng 74LS138:

4 cổng vào và 4 cổng ra cùng có địa chỉ từ 00h - 03h

ISP

ABC

G2AG2BG1

Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7

74LS138

00h

03h 00h

03h

OSP

?

?