ĐỀ CƯƠNG MÔN CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

Câu 1: Kể tên 3 phương pháp tạo thỏi bán dẫn đơn tinh thể. Ưu nhược điểm của từng phương pháp. Quy trình công nghệ Czochralski được tiến hành như thế nào? Có 3 phương pháp - Công nghệ Czochralski - Công nghệ float-zone - Công nghệ Bridgman a, Công nghệ Czochralski Ưu điểm: - Mọc từ bề mặt tự do (không có ứng suất) - Tạo được các đơn tinh thể lớn có định hướng cao - Sự đối lưu cưỡng bức dễ tạo thành khuôn và có thể tạo ra tinh thể hoàn hảo - Tinh thể có thể được quan sát trong suốt quá trình mọc - Sự đồng nhất bán kính của thỏi đơn tinh thể Nhược điểm - Quá trình bắt đầu tinh xảo (việc tạo mầm, sự kéo thắt) và cơ chế điều khiển tinh vi - Cơ chế phức tạp (tinh thể yêu cầu phải quay, quay của nồi nung là điều mong muốn - Không thể kéo các vật liệu với áp suất cao do vật liệu có áp suất hơi cao - Có thể bị nhiễm bẩn do lò nung - Sự đóng khuôn pha lỏng khá khó khăn, không lặp lại được hình dạng tinh thể b, Công nghệ float-zone Ưu điểm - Khống chế được chất bẩn trong quá trình mọc - Giảm sự nhiễm bẩn do lò nung - Công suất lò nhiệt thấp hơn - Pha tạp đồng nhất được tạo ra bởi làm sạch từng vùng - Tăng kích thước hạt bằng làm sạch từng vùng Nhược điểm - Sự nhiễm bẩn từ lò nung - Giãn nở nhiệt và thể tích c, Công nghệ Bridgman Ưu điểm • Kĩ thuật đơn giản, không cần gradient nhiệt hướng tậm để tạo ra hình dạng tinh thể, mật độ khuyết tật nhỏ hơn 103cm-2 • Khống chế áp suất hơi • Vật chứa được hút chân không và đóng kín • Tạo ra hình dạng và kích thước tinh thể như mong muốn • Ổn định gradient nhiệt, đối lưu tự nhiên tương đối thấp • Dễ điều khiển và bảo trì Nhược điểm • Quá trình mọc bị hạn chế (thuyền có thể tạo ra ứng suất trong quá trình làm lạnh) Không chế tạo thỏi bán dẫn với điện trở suất cao vì có tiếp xúc diện rộng giữa ampule và vật liệu nóng chảy • Vật chứa giãn nở nhiệt theo tinh thể • Tinh thể không hoàn hảo bằng mầm • Không quan sát được. Sự thay đổi đối lưu tự nhiên khi phần nóng chảy bị cạn Quy trìnhCông nghệ Czochralski • Dung dịch nóng chảy là vật liệu đa tinh thể Silic cấp độ phân tử được đưa vào nồi nung bằng silican. • Làm nóng nồi nung đến nhiệt độ 1414 độ làm nóng chảy. • Tiếp theo nhúng mầm đơn tinh thể vào dung dịch nóng chảy. • Tiếp sau , đo nồng độ từ dung dịch nóng chảy,chảy ngược lên mầm làm bề mặt dung dịch lạnh đi,tinh thể bắt đầu đc nuôi. • Mầm được quay quanh trục của nó và từ từ được kéo lên với tốc độ thích hợp tạo ra 1 tinh thể có mặt cắt ngang là hình tròn.Sự quay quanh hạn chế khuyết tật gây ra sự chênh lệch lớn về tốc độ. • Thỏi bán dẫn và lò nung quay theo 2 hướng khác nhau:thỏi là 20v/p và của lò là 10v/p.Đường kính thỏi do tốc độ mầm quyết định(tốc độ càng chậm đường kính càng lớn). • Tốc độ kéo phụ thuộc vào tốc độ tỏa nhiệt.Kéo 1.4mm/p được bán kính 100mm và 0.8mm/p được 200mm.Độ dài của thỏi do kích thước nồi nung và độ dài của ống silican quyết định.

PHOTO NGÂN SƠN

ĐỀ CƯƠNG MÔN CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO

LINH KIỆN ĐIỆN TỬ

Câu 1: Kể tên 3 phương pháp tạo thỏi bán dẫn đơn tinh thể Ưu nhược điểm của từng phương pháp Quy trình công nghệ

Czochralski được tiến hành như thế nào?

- Tạo được các đơn tinh thể lớn có định hướng cao

- Sự đối lưu cưỡng bức dễ tạo thành khuôn và có thể tạo ra tinh

thể hoàn hảo

- Tinh thể có thể được quan sát trong suốt quá trình mọc

- Sự đồng nhất bán kính của thỏi đơn tinh thể

Nhược điểm

- Quá trình bắt đầu tinh xảo (việc tạo mầm, sự kéo thắt) và cơ

chế điều khiển tinh vi

- Cơ chế phức tạp (tinh thể yêu cầu phải quay, quay của nồi nung

là điều mong muốn

- Không thể kéo các vật liệu với áp suất cao do vật liệu có áp

suất hơi cao

PHOTO NGÂN SƠN

- Khống chế được chất bẩn trong quá trình mọc

- Giảm sự nhiễm bẩn do lò nung

- Công suất lò nhiệt thấp hơn

- Pha tạp đồng nhất được tạo ra bởi làm sạch từng vùng

• Kĩ thuật đơn giản, không cần gradient nhiệt hướng tậm

để tạo ra hình dạng tinh thể, mật độ khuyết tật nhỏ hơn

103cm-2

• Khống chế áp suất hơi

• Vật chứa được hút chân không và đóng kín

• Tạo ra hình dạng và kích thước tinh thể như mong muốn

• Ổn định gradient nhiệt, đối lưu tự nhiên tương đối thấp

• Dễ điều khiển và bảo trì

• Vật chứa giãn nở nhiệt theo tinh thể

• Tinh thể không hoàn hảo bằng mầm

• Không quan sát được Sự thay đổi đối lưu tự nhiên khi

phần nóng chảy bị cạn

Quy trìnhCông nghệ Czochralski

• Dung dịch nóng chảy là vật liệu đa tinh thể Silic cấp độ

phân tử được đưa vào nồi nung bằng silican

• Làm nóng nồi nung đến nhiệt độ 1414 độ làm nóng chảy

PHOTO NGÂN SƠN

• Tiếp theo nhúng mầm đơn tinh thể vào dung dịch nóng chảy

• Tiếp sau , đo nồng độ từ dung dịch nóng chảy,chảy ngược lên mầm làm bề mặt dung dịch lạnh đi,tinh thể bắt đầu đc nuôi

• Mầm được quay quanh trục của nó và từ từ được kéo lên với tốc độ thích hợp tạo ra 1 tinh thể có mặt cắt ngang là hình

tròn.Sự quay quanh hạn chế khuyết tật gây ra sự chênh lệch lớn

về tốc độ

• Thỏi bán dẫn và lò nung quay theo 2 hướng khác nhau:thỏi là20v/p và của lò là 10v/p.Đường kính thỏi do tốc độ mầm quyếtđịnh(tốc độ càng chậm đường kính càng lớn)

bán kính 100mm và 0.8mm/p được 200mm.Độ dài của thỏi do kích thước nồi nung và độ dài của ống silican quyết định

Câu 2: Trình bày các bước chính trong quy trình chế tạo phiến

Si đơn tinh thể từ cát thạch anh.

• Các bước chính trong quy trình chế tạo phiến Si đơn tinh thể

PHOTO NGÂN SƠN

• Qui trình này được xảy ra trong lò phản ứng chứa thanh Si

đa tinh thể mỏng được đốt nóng, đóng vai trò một lõi để cácnguyên tử Si bám vào tạo thành thanh Si đa tinh thể sạch

• Tạo ra Si có độ sạch rất cao, độ sạch EGS là 5x1013cm-3

Câu 3: Nêu tính chất và tác dụng của lớp SiO2 Phương pháp chế tạo lớp SiO2 bằng công nghệ oxi hóa nhiệt trong môi trường ôxy khô và hơi nước

• 1.Tính chất của lớp SiO2:

• Silic đioxit là chất ở dạng tinh thể, nóng chảy ở không tan

trong nước Tron tự nhiên, tinh thể chủ yếu ở dạng khoáng vật thạch anh Thạch anh chủ yếu tồn tại ở dạng tinh thể lớn, khôngmàu, trong suốt Cát là có chứa nhiều tạp chất

• Silic đioxit là oxit axit, tan chậm trong dung dịch kiềm

đặc nóng, tan dễ trong kiềm nóng chảy hoặc cacbonat

kim loại kiềm nóng chảy, tạo thành silicat

• Silic đioxit tan trong axit flohiđric: SiO2 + HF = SiF4 + 2H2O

để khắc chữ trên thủy tinh

• OXIT SILIC LÀ CHẤT BÁN DẪN,ĐỂ ỨNG DỤNG

TRONG LÀM CÁC VI MẠCH ĐIỆN TỬ!

Tác dung:

khuếch tán lựa chọn nguyên tử tạp chất vào tinh thể Si qua

1 cửa sổ đã được mở trên lớp SiO2

• Bảo Vệ lớp tiếp giáp không cho tiếp xúc với môi trường

không khí, cản không cho tạp chất xâm nhập vào trong,làm

PHOTO NGÂN SƠN

giảm đáng kể tác động của môi trường

• Đảm bảo tính cách điện tốt giữa các dây dẫn

• Dùng làm lớp điện môi của tụ điện( lớp điện môi giữa cực G và kênh dẫn

Phương pháp chế tạo

• 1.Oxi hóa trong môi trường oxi khô

• Đưa oxi vào bình kín qua hệ thống có van điều khiển chính xác lưu lượng khí đưa vào

• Cơ chế xảy ra oxi hóa như sau:ban đầu nguyên tử oxi phản ứngvới nguyên tử silictreen bề mặt phiến Si,sau khi hấp thụ trên bề mặt SiO2.oxi bị ion hóa thành inon oxi và lỗ trống,chúng

khuếch tán tới lớp tiếp giáp Si-SiO2,Tại biên này có phản ứng

• 2O2 + SiO2 + SI = SiO2

• Đặc điểm của phương pháp này là chất lượng SiO2 tốt nhưngtốc độ chậm

Câu 4

a, Khái niệm: Là phương pháp tạo màng vật liệu dựa trên các phản

ứng hóa học ở pha hơi trong một buồng lò có nhiệt độ , áp suất nhất định Trong quá trình phản ứng một số vật liệu cần chế tạo sự nắng đọng trên để bề mặt vật liệu hoặc lắng đọng vào các cấu hình định sẵnnhằm phục vụ cho chế tạo vật liệu linh kiện mạch tổ hợp

b, Quy trình lắng đọng hóa học hơi gồm các bước sau:

PHOTO NGÂN SƠN

Sơ đồ mô tả quá trình tạo màng bằng phương pháp CVD.

 Precursor (khí phản ứng dạng hơi) được đưa vào buồng phản ứng di chuyển tạo thành dòng hơi

 Một phần precursor này di chuyển qua những lớp biên để đến đế thông qua sự đối lưu

 Precursor được khuếch tán trên bề mặt đế

 Trên đề xảy ra phản ứng hóa học của precursor tạo màng

 Những sản phẩm dư thừa sẽ được giải hấp khuếch tán khỏi bề mặt

precursor dư, sản phẩm phụ, khí độc ra khỏi buồng

Ta có thể mô tả quá trình CVD bằng phương trình:

to,plasma

precursor( khí bay hơi) màng( r ắn) + sản phẩm phụ

c, ƯU ĐIỂM CỦA CVD

 Màng có độ dày đồng đều cao, ít bị xốp

 Màng có độ tinh khiết cao

PHOTO NGÂN SƠN

 Hệ thiết bị đơn giản

d, NHƯỢC ĐIỂM CỦA CVD

 Cơ chế phản ứng phức tạp

 Nhiệt độ đế cao hơn nhiều so với các phương pháp khác (19000F)

 Đế và các dụng cụ trong buồng phản ứng dễ bị ăn mòn bởi dòng hơi

 Nhiều sản phẩn khí sau phản ứng có tính độc nên cần hệ thống xử lí khí thải

 Một số vật liệu không tạo màng bằng phương pháp này do không có phản ứng hóa học thích hợp

e, ỨNG DỤNG CỦA CVD

 Phương pháp CVD dùng để chế tạo nhiều loại màng mỏng:

 Chất bán dẫn: Si, AIIBVI, AIIIBV…

 Màng mỏng ôxít dẫn điện trong suốt: SnO2,In2O3:Sn(ITO)

 Màng mỏng điện môi: SiO2, Si3N4, BN, Al2O3, …

 Màng mỏng kim loại

 Trong công nghiệp vi điện tử: màng cách điện, dẫn điện, lớp chống

gỉ, chống oxi hóa

 Trong chế tạo sợi quang chịu nhiệt, độ bền cao

 Chế tạo pin mặt trời

 Chế tạo sợi composit nhiệt độ cao

 Chế tạo vật liệu siêu dẫn ở nhiệt độ cao

f PHÂN LOẠI CVD

Phương pháp CVD được phân thành những loại chính sau:

 Thermal CVD: CVD kích hoạt phản ứng bằng nhiệt, thường được thực hiện ở nhiệt độ cao (> 900oC) Đây là phương pháp đầu tiên và

cổ điển

 APCVD (Atmospheric pressure chemical vapor deposition): tốc độ

PHOTO NGÂN SƠN

lắng đọng cao, đơn giản Nhưng màng không đồng đều, không sạch bằng LPCVD Dùng chủ yếu tạo màng oxit

 LPCVD (Low pressure chemical vapor deposition): buồng phản ứng

có áp suất thấp (cần có hệ thống hút chân không) Màng cực kì đều và

độ sạch cao Nhưng tốc độ lắng đọng màng lại thấp hơn APCVD Dùng tạo màng silic, màng điện môi

 MOCVD (Metal organic chemical vapor deposition): CVD nhiệt nhưng sử dụng precursor là hợp chất hữu cơ kim loại Phương pháp được dùng tạo nhiều loại màng: màng bán dẫn, màng kim loại, màng oxit kim loại, màng điện môi Nhưng cực kì độc, vật liệu nguồn rất đắt, ảnh hưởng đến môi trường

 PECVD (Plasma enhanced chemical vapor deposition): sử dụng năng lượng của plasma để kích hoạt phản ứng Nhiệt độ phản ứng khoảng 300-500oC

Câu 4: Khái niệm, quy trình, phân loại và một số ứng dụng của phương pháp CVD.

Phương pháp bay hơi lắng đọng hóa học (CVD) là tạo ra một lớp màng mỏng nhờ lien kết dưới dạng khuếch tán, là kết quả cua việc phản ứng giữa các pha khí với bề mặt được nung nóng Nhờ lắng đọng hóa hơi (CVD) vật liệu rắn được lắng đọng từ pha hơi thong quacác phản ứng hóa học xảy ra ở gần bề mặt đế được nung nóng

Sản phẩm cuối cùng được tạo ra là một lớp màng rắn và chịu mài mòn có lien kết rất mạnh với vật liệu đế CVD nhiều khi được gọi là phương pháp lắng đọng nhiệt độ cao, bởi các quá trình được thực hiện

ở nhiệt độ 1900°F

trường nhiệt độ cao hay plasma sẽ xảy ra hiện tượng va chạm

PHOTO NGÂN SƠN

giữa các electron với ion hay electron với notron cũng xó thể là electron va chạm với electron để tạo ra gốc tự do

Sau đó, các phân tử gốc tự do khuếch tán xuống đế, gặp môi trường nhiệt độ cao tại đế sẽ xảy ra các phản ứng tạo màng tại

bề mạt đế

Sản phẩm phụ sinh ra sau phản ứng sau đó sẽ khuếch tán vào dòng chất lưu, dòng chất lưu đưa khí ban đầu dư, sản phẩm phụ,khí độc ra khỏi buồng

Ta có thể mô tả quá trình bằng phương trình:

Phương pháp CVD dùng để chế tạo màng mỏng

PHOTO NGÂN SƠN

cơ kim loại

Câu 5: Cấu tạo và nguyên lý hoạt động lò của VCD.

Buồng lò là một ống thạch anh chịu được nhiệt độ cao Hệ thống đốtbằng năng lượng nhiệt hay bằng năng lượng cao tần Buồng có hệ thống đưa các khí ở pha hơi tạo phản ứng trong lò

Ở trong lò có hệ thống van và hệ thống đo lưu lượng khí điều chỉnh chính xác Có hệ thống hút khí thải ra ngoài an toàn

Các hệ CVD cấu tạo áp xuất thấp hoặc tạo chân không ở trong

buồng lò thì còn hệ thống bơm sơ cấp, bơm khuếch tán và nhiều bộ phận hỗ trợ khác như bẫy nito, hệ thống chống khí dò

Nếu phiến vật liệu đế không cho phép làm việc ở tại nhiệt độ cao trên 300-400°C, thì phải tiến hành phản ứng nuôi trong môi trường plasma (ppPECVD)

Đưa các thành phần mang tính chất phản ứng vào trong lò ở nhiệt độcao, trong lò có các phiến đế để được sắp xếp trên thuyền graphit hay thạch anh (SiO2)

Sự vận chuyển của các chất tham gia phản ứng qua lớp màng đến bề mặt phiến bán dẫn

Sự hấp thụ của các thành phần phản ứng trên bề mặt phiến bán dẫn Các quá trình hóa lý xảy ra trên bề mặt phiến bán dẫn tạo ra các sản phẩm vật chất mong muốn

Quá trình vận chuyển sản phẩm dư thừa ra khỏi bề mặt vật liệu rồi đưa ra ngoài

PHOTO NGÂN SƠN

Câu 6: So sánh nhược điểm của lớp màng Si3N4 với lớp màng SiO2, nêu phương pháp chế tạo Si3O4 bằng pp CVD.

Trả lời:

Si3N4

Khắc phục được nhược điểm

của màng SiO2 Ngăn chặn được

tạp chất có hệ số khuếch tán lớn

VD : Ga dễ khuếch tán qua được

lớp SiO2 nhưng không khuếch

tán qua được lớp Si3N4

Chống được các ion tạp chất tốt

hơn SiO2, được dùng phủ lớp bề

mặt IC

Được dùng nhiều trong các linh

kiện ở tần số cao, bổ trợ cho lớp

Lớp oxit xốp này còn gây phản ứng co giãn

Khắc phục bằng cách tạo màng Si3N4

Lớp màng Si3N4 được tạo ra bằng một quá trình nhiệt phân Ở nhiệt độ khoảng 800-1000°C theo phương trình phản ứng sau: 3SiH4+4NH3=Si3N4+12H2

Phương pháp CVD ở áp suất thấp (LPCVD) tạo màng này ở nhiệt độ cao theo phương trình phản ứng sau:

3SiH2Cl2+4NH3=Si3N4+gas

Còn trong trường hợp tạo ra màng trong môi trường plasma sẽ

sử dụng phản ứng sau:

3SiH4+ 4NH3=Si3N4+12H2

PHOTO NGÂN SƠN

Ngoài ra silic cũng có thể phản ứng trực tiếp trong môi trường NH3 ngay tai nhiệt độ cao VD: để tạo màng sinitric dày 7nm, tacần nhiệt độ cỡ khoảng 1200 độ C, lúc này phản ứng hóa học như sau:

3Si+ 4NH3=Si3N4+ 6H

Câu7 : Vẽ và trình bày nguyên lý của hệ phún xạ cathode một chiều; xoay chiều Ưu và nhược điểm ?

Sputtering) là kỹ thuật chế tạo màng mỏng dựa trên nguyên lý

đọng trên đế

- Nguyên lý hệ phún xạ cathode một chiều (Phún xạ phóng

điện phát sáng một chiều (DC discharge sputtering))

Là kỹ thuật phún xạ sử dụng hiệu điện thế một chiều để giatốc cho các iôn khí hiếm Bia vật liệu được đặt trên điện cực

PHOTO NGÂN SƠN

âm (catốt) trong chuông chân không được hút chân không

điện thế một chiều cao thế đặt giữa bia (điện cực âm) và đếmẫu (điện cực dương) Quá trình này là quá trình phóng điện

có kèm theo phát sáng (sự phát quang do iôn hóa) Vì dòng

để duy trì dòng điện, do đó kỹ thuật này thường chỉ dùng cho

- Nguyên lý phún xạ cathode xoay chiều (Phún xạ phóng

điện phát sáng xoay chiều (RF discharge sputtering))

Là kỹ thuật sử dụng hiệu điện thế xoay chiều để gia tốc cho iôn khí hiếm Nó vẫn có cấu tạo chung của các hệ phún xạ, tuy

nhiên máy phát là một máy phát cao tần sử dụng dòng điện tần

số sóng vô tuyến (thường là 13,56 MHz) Vì dòng điện là xoay chiều, nên nó có thể sử dụng cho các bia vật liệu không dẫn điện Máy phát cao tần sẽ tạo ra các hiệu điện thế xoay chiều dạng xung vuông Vì hệ sử dụng dòng điện xoay chiều nên phải

đi qua một bộ phối hợp trở kháng và hệ tụ điện có tác dụng tăng công suất phóng điện và bảo vệ máy phát Quá trình phún

xạ có hơi khác so với phún xạ một chiều ở chỗ bia vừa bị bắn phá bởi các iôn có năng lượng cao ở nửa chu kỳ âm của hiệu điện thế và bị bắn phá bởi các điện tử ở nửa chu kỳ dương

PHOTO NGÂN SƠN

Sơ đồ nguyên lý hệ phún xạ catốt xoay chiều

Ưu điểm và hạn chế của phún xạ cathode:

- Dễ dàng chế tạo các màng đa lớp nhờ tạo ra nhiều bia riêng biệt Đồng thời, đây là phương pháp rẻ tiền, và dễ thực hiện nên dễ dàngtriển khai ở quy mô công nghiệp

- Độ bám dính của màng trên đế rất cao do các nguyên tử đến lắng đọng trên màng có động năng khá cao so với phương pháp bay bốcnhiệt

- Màng tạo ra có độ mấp mô bề mặt thấp và có hợp thức gần với của bia, có độ dày chính xác hơn nhiều so với phương pháp bay bốc nhiệt trong chân không

Do các chất có hiệu suất phún xạ khác nhau nên việc khống chế thànhphần với bia tổ hợp trở nên phức tạp Khả năng tạo ra các màng rất

PHOTO NGÂN SƠN

mỏng với độ chính xác cao của phương pháp phún xạ là không cao Hơn nữa, không thể tạo ra màng đơn tinh thể

Câu 8: Epitaxy là gì? Trình bày phương pháp epitaxy từ pha hơi (cơ chế hình thành, các quá trình, các chất phản ứng và các phản ứng xảy ra).

- Epitaxy là sự bọc màng có định hướng tinh thể tương tự địnhhướng tinh thể của đế

- Phương pháp epitaxy từ pha hơi:

Những lớp epitaxy silic được hình thành trên đế silic bằng cách lắng đọng những nguyên tử silic trên bề mặt do những hơi

bề mặt của đế được nun nóng Những nguyên tử silic được giải phóngtrong phản ứng và lắng tụ trên đế, cùng với sự thoát ra HCl ở dạng khí Phương pháp CVD có thể tạo ra nồng độ tạp chất khác nhau ở đế

và ở lớp epitaxy Kĩ thuật này tạo ra tinh mềm dẻo lớn trong việc chế tạo thiết bị bán dẫn

Câu 9:Trình bày phương pháp epitaxy từ pha lỏng So sánh

phương pháp epitaxy pha lỏng với phương pháp epitaxy pha hơi

và epitaxy chùm tia phân tử.

PHOTO NGÂN SƠN

Epitaxy pha lỏng là một kĩ thuật nuôi tinh thể khác Hợp chất bán dẫn chứa những thành phần khác có thể có nhiệt độ nóng chảy thấp hơn chính chất bán dẫn Đế bán dẫn được giữ trong chất lỏng Bởi vì nhiệt độ đun nhỏ hơn nhiệt độ nóng chảy của đế nên đế không chảy Khi dung dịch được làm lạnh chậm, một lớp bán dẫn đơn tinh thể hìnhthành trên bán dẫn mầm Kĩ thuật này có thể thực hiện ở nhiệt độ thấphơn phương pháp Czochralski, và thường được dùng để chế tạo bán dẫn hợp chất nhóm III-V

Hệ thống thiết bị gồm : nửa trên thuyền và phần dưới thuyền đều được làm bằng grahit dộ sạch cao Các rãnh trượt ở các mặt đối diện của hai nửa thuyền, hai nửa thuyền được ghép cố định bằng chất định vị

- Có thể mọc với tốc

độ cao hơn

- Quá trình mọc gần với quá trình cân bằng nên ít khuyết tật

- Ít linh động trong điều khiển thành phần và phân bố pha tạp

PHOTO NGÂN SƠN

- Màng mỏng độ đồng nhất và chất lượng tốt

Phương pháp

pha hơi

- Hình thành do lắng đọng hóa hơi

- Có thể khống chế được độ dày, pha tạp

và độ kết tinh cao

- Nhiệt độ khá cao (800 – 1100)

- Cơ chế phản ứng phức tạp

- Đế có thể bị ăn mòn bởi hơi

- Khó tạo linh kiện

Phương pháp

chùm phân tử

- Dễ dàng chế tạo các thiết bị công nghệ cao

- Điều khiển thành phần tốt

- Độ phân giải từng lớp đơn

độ, độ ẩm, áp suất đều có thể khống chế và điều khiển

2 Tiêu chuẩn: Các tiêu chuẩn về phòng sạch lần đầu tiên được đưa ravào năm 1963 ở Mỹ, và hiện nay đã trở thành các tiêu chuẩn chungcho thế giới Đó là các tiêu chuẩn quy định lượng hạt bụi trong mộtđơn vị thể tích không khí Người ta chia thành các tầm kích cỡ bụi